PSM开关变换器的大信号模型与瞬态特性 被引量：12

1

作者 罗萍 熊富贵 +1 位作者 李肇基 陈光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1829-1832,共4页

针对传统PWM调制具有轻载下效率低的缺点 ,论文作者提出一种新的高效调制模式———脉冲跨周调制PSM模式 .本文对这种新的PSM开关变换器调制模式进行了包括大信号解析模型、离散模型和相平面模型的大信号建模工作 ,并借助变换器的解析... 针对传统PWM调制具有轻载下效率低的缺点 ,论文作者提出一种新的高效调制模式———脉冲跨周调制PSM模式 .本文对这种新的PSM开关变换器调制模式进行了包括大信号解析模型、离散模型和相平面模型的大信号建模工作 ,并借助变换器的解析解、离散模型和相平面分析法对PSM变换器开环 /闭环系统的瞬态响应特性进行了分析 .研究表明PSM变换器不仅较PWM调制模式轻载下效率高 ,而且具有响应速度更快 。 展开更多

关键词 PSM变换器 大信号模型 解析模型 离散模型 相平面法 瞬态响应特性

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用于实现互联系统仿真的电源模块大信号模型 被引量：7

2

作者 王润新 刘进军 侯丹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期76-81,共6页

提出一种新的针对双环控制结构电源模块(含连续导通模式功率因数校正器模块和电流模式控制DC-DC模块)的大信号建模方法,目的在于克服互联系统单纯采用开关模型实现仿真时遇到的困难.该方法利用双环控制系统中内环响应速度快、外环控制... 提出一种新的针对双环控制结构电源模块(含连续导通模式功率因数校正器模块和电流模式控制DC-DC模块)的大信号建模方法,目的在于克服互联系统单纯采用开关模型实现仿真时遇到的困难.该方法利用双环控制系统中内环响应速度快、外环控制器所给出的指令信号变化缓慢这一特点,将内环闭环传输特性用比例环节等效实现;利用平均意义下的瞬时功率平衡关系,用模拟主电路功率流动规律的代数运算单元替代含有复杂开关过程的主电路.以上方法简化了控制电路,避开了耗时的开关过程,最终使双环控制的开关系统转化成为单环控制的以连续平均量为变量的非线性系统.仿真结果表明,在保证准确反映电源模块端口特性的同时,采用本文模型仿真,较之采用开关模型,仿真速度显著加快. 展开更多

关键词 互联 直流-直流变换器 功率因数校正 大信号模型

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一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑 被引量：2

3

作者 韩克锋 蒋浩 +1 位作者 秦桂霞 孔月婵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期501-506,共6页

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模... GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了GaN HEMT器件的直流电压-电流(I-V)特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求. 展开更多

关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 大信号模型 非线性 收敛性

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一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型 被引量：1

4

作者 王林 王燕 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期13-15,75,共4页

当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高... 当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高了大信号模型的精度。 展开更多

关键词 铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 自热效应 等效电路 大信号模型

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GaAsFET大信号模型与参数提取 被引量：2

5

作者 高学邦 蒋敬旗 高建军 《半导体情报》 1997年第5期1-5,9,共6页

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。

关键词 大信号模型 参数提取 砷化镓 FET

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FET大信号模型中等效电容方程的改进 被引量：1

6

作者 郑惟彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期105-109,共5页

精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要。为了能准确地模拟FET器件大信号微波特性,在大信号器件模型中,有必要研究栅等效电容模型,尤其在高频段。在总结前人研究的基础上,构造了新型的栅源/栅漏电容方程... 精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要。为了能准确地模拟FET器件大信号微波特性,在大信号器件模型中,有必要研究栅等效电容模型,尤其在高频段。在总结前人研究的基础上,构造了新型的栅源/栅漏电容方程。通过与6×80μm GaAs PHEMT器件大信号负载牵引测试数据的对比,表明:精确的栅等效电容模型极大地提高非线性模型对FET大信号特性的预测能力。这将有助于器件模型和MMIC设计。 展开更多

关键词 大信号模型 等效电容模型 负载牵引

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毫米波GaN HEMT器件大信号模型

7

作者 陆海燕 周建军 +1 位作者 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期73-76,共4页

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本... 介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。 展开更多

关键词 符号定义器件 GAN高电子迁移率晶体管 大信号模型

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InP基HBT GP大信号模型直流参数提取的研究 被引量：2

8

作者 胡钉 黄永清 +3 位作者 吴强 李轶群 黄辉 任晓敏 《电子器件》 CAS 2009年第2期285-290,共6页

基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HB... 基于HBT特殊的物理机理及结构,将适用于BJT的GP大信号模型用于InP基HBT的研究中。通过构建误差函数,采取解析法提取了该模型中的13项SPICE直流参数,并设计了参数提取实验装置,最后将研究结果用于发射极为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT建模中。通过对比模型仿真和器件实测的数据可以看出,本文采用的HBT GP模型准确度高,可以较好地表征实际HBT器件的直流特性。 展开更多

关键词 HBT GP大信号模型 参数提取 直流特性

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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型 被引量：1

9

作者 陈秋芬 李文钧 +2 位作者 刘军 陆海燕 韩春林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第12期904-910,共7页

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。 展开更多

关键词 增强型GaN HEMT 大信号模型 沟道电流模型 栅电荷模型 Verilog-A语言

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GaAs MESFET大信号模型参数的计算机提取 被引量：1

10

作者 傅炜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期244-246,共3页

利用GaAs MESFET的小信号S参数及瞬态I—V特性的测量数据,建立了GaAsMESFET的大信号分析模型,编制计算机程序,进行了参数拟合并比较了GaAs MESFET两种非线性模型的适用范围,使用分步优化的方法拟合GaAs MESFET小信号S参数,获取了大信号... 利用GaAs MESFET的小信号S参数及瞬态I—V特性的测量数据,建立了GaAsMESFET的大信号分析模型,编制计算机程序,进行了参数拟合并比较了GaAs MESFET两种非线性模型的适用范围,使用分步优化的方法拟合GaAs MESFET小信号S参数,获取了大信号模型中的线性参数,非线性参数值利用最小二乘法及直接优化法相结合的算法提取。为非线性电路、功率放大器、混频器、振荡器提取了准确的设计参数。 展开更多

关键词 GAAS MESFET 大信号模型 参数提取

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基于神经网络的HEMT大信号模型

11

作者 刘新 杨克武 吴洪江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期329-332,336,共5页

运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样... 运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号等效电路模型中寄生参数和非线性本征元件的数值。通过BP神经网络,利用偏置相关的非线性元件值作为训练样本,利用误差反向传播的Levenberg-Maquardt方法训练神经网络并得到了网络权重数据。模型中的非线性元件在CAD软件中用神经网络实现,并将权重数据和CAD软件结合进行仿真。测试和仿真结果表明模型具有很高的精度。 展开更多

关键词 大信号模型 人工神经网络 高电子迁移率晶体管 非线性元件

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GaAs MESFET准二维动态大信号模型

12

作者 王静 邓先灿 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期143-144,F003,共3页

本文运用电荷控制分析方法 ,提出了GaAsMESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型 .该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时 ,结合器件的温度特性与自升温效应 。

关键词 大信号模型 准二维分析 砷化镓 MESFET

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自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型

13

作者 王静 邓先灿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期15-18,共4页

分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。

关键词 GAASMESFET 大信号模型 自升温效应 砷化镓

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用于微波CAD系统的FET大信号模型

14

作者 夏增浪 刘佑宝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1994年第6期4-6,10,共4页

针对微波ＣＡＤ系统中使用的各种肖特基结场效应管模型，进行综合性分析与比较后，给出了最新的、用于仿真电路非线性特性的精确模型一基于测量的数据模型（查表式模型），该模型与物理模型及工业标准经验模型相比，不仅更真实地反应了... 针对微波ＣＡＤ系统中使用的各种肖特基结场效应管模型，进行综合性分析与比较后，给出了最新的、用于仿真电路非线性特性的精确模型一基于测量的数据模型（查表式模型），该模型与物理模型及工业标准经验模型相比，不仅更真实地反应了器件等效电路的端口特性，而且建模过程更加简单。 展开更多

关键词 微波电路 大信号模型 CAD

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自升温效应下的GaAs　MESFET大信号模型

15

作者 王静 邓先灿 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第1期63-67,共5页

本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一... 本文首先分析GaAsMESFET在自升温效应下的升温幅度，然后结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性，应用于GaAsMESFET功率MMICCAD中能进一步提高电路的设计精度。 展开更多

关键词 大信号模型 自升温效应 微波半导体器件

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FET大信号模型的研究

16

作者 廖敏 《航天电子对抗》 1993年第1期35-36,31,共3页

在工程设计中采用便于使用的方法,应用CAD技术,建立FET大信号模型,并给出一个具体计算实例。方法简便、有效,可应用于微波毫米波有源电路的设计。

关键词 场效应晶体管 大信号——模型

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分布作用速调管大信号计算模型的研究 被引量：1

17

作者 黄传禄 丁耀根 +1 位作者 王勇 谢兴娟 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期739-743,共5页

该文建立了分布作用速调管(EIK)注波互作用模拟的大信号计算模型。该模型基于1维电子圆盘模型,考虑了电子圆盘间的空间电荷力。在电子与高频场互作用计算中采用双间隙耦合腔等效电路方法,并在间隙阻抗矩阵的计算中考虑了耦合腔中每个间... 该文建立了分布作用速调管(EIK)注波互作用模拟的大信号计算模型。该模型基于1维电子圆盘模型,考虑了电子圆盘间的空间电荷力。在电子与高频场互作用计算中采用双间隙耦合腔等效电路方法,并在间隙阻抗矩阵的计算中考虑了耦合腔中每个间隙电子电导的影响。依据该模型编写了计算程序,并与MAGIC3D仿真结果进行了比较验证,结果相符合。该计算模型可以扩展到三间隙乃至更多间隙谐振腔的分布作用速调管注波互作用的大信号计算模拟中。 展开更多

关键词 分布作用速调管 注波互作用 1维大信号模型 电子电导

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)

18

作者 常远程 张义门 +2 位作者 张玉明 曹全君 王超 《电子器件》 CAS 2007年第2期353-355,共3页

对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏... 对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了Al GaN/GaN HEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系. 展开更多

关键词 器件模拟 大信号模型 ALGAN/GANHEMT I-V特性

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微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究 被引量：1

19

作者 汪昌思 徐跃杭 +3 位作者 闻彰 陈志凯 赵晓冬 徐锐敏 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期485-491,共7页

针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌... 针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。 展开更多

关键词 场板 氮化镓 大信号模型 自热效应 热阻

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一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法

20

作者 曹全君 张义门 张玉明 《电子科技》 2005年第8期14-17,共4页

提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC ... 提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径。模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计。 展开更多

关键词 4H-SIC MESFET 大信号模型 射频

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