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多层硅基模块晶圆级键合腔体的可靠性
被引量：
1
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作者
马将
郜佳佳
杨栋
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期674-681,共8页
晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔...
晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔(TSV)的应力集中因子确定了硅基晶圆级键合的应力失效判据。而后通过参数化仿真系统性探究了硅基刻蚀腔体面积及腔体形状等因素对键合应力的影响规律,并绘制出刻蚀腔体设计可靠范围图。结果表明,硅片键合可靠腔体临界面积约为21 mm^(2),且腔体形状越接近正方形越易开裂。该研究为多层硅基模块刻蚀腔体的可靠性设计提供了参考。
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关键词
晶圆级键合
多层硅基模块
刻蚀腔体
硅
通孔(TSV)
可靠性
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职称材料
题名
多层硅基模块晶圆级键合腔体的可靠性
被引量：
1
1
作者
马将
郜佳佳
杨栋
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第7期674-681,共8页
文摘
晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔(TSV)的应力集中因子确定了硅基晶圆级键合的应力失效判据。而后通过参数化仿真系统性探究了硅基刻蚀腔体面积及腔体形状等因素对键合应力的影响规律,并绘制出刻蚀腔体设计可靠范围图。结果表明,硅片键合可靠腔体临界面积约为21 mm^(2),且腔体形状越接近正方形越易开裂。该研究为多层硅基模块刻蚀腔体的可靠性设计提供了参考。
关键词
晶圆级键合
多层硅基模块
刻蚀腔体
硅
通孔(TSV)
可靠性
Keywords
wafer-level bonding
multilayer silicon-based module
etching cavity
through silicon via(TSV)
reliability
分类号
TN603.5 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多层硅基模块晶圆级键合腔体的可靠性
马将
郜佳佳
杨栋
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
1
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