一种双栅结构抗单粒子翻转加固SRAM存储单元 被引量：3

1

作者 姚思远 刘文平 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期102-105,共4页

通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元。该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点。基于0.18μm CMOS工艺... 通过对单粒子效应以及抗单粒子翻转电路加固原理进行分析,提出一种基于双栅MOS结构的具有单粒子翻转加固能力的SRAM存储单元。该单元在实现抗单粒子翻转加固的同时具有快速翻转恢复、快速写入、低静态功耗的特点。基于0.18μm CMOS工艺进行电路仿真,结果显示该加固单元读/写功能正确,翻转阈值大于100 Me V·cm2/mg。可以预测,该电路应用于空间辐射环境下将有较好的稳定性。 展开更多

关键词 单粒子翻转 双栅结构 SRAM存储单元 加固设计

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Cadence法解析SRAM多单元翻转机制

2

作者 李洋 贺朝会 +2 位作者 李永宏 杨卫涛 魏佳男 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2020年第4期661-666,共6页

通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种... 通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种新的电路结构来修正理想电流源串联引发的错误;采用软件模拟方法实现了多位翻转和多单元翻转仿真,分析认为多位翻转和多单元翻转可以通过外围电路进行相互转换,实验所用SoC存储器具有较好的抗多位翻转性能。 展开更多

关键词 静态随机存储器 单粒子效应 多单元翻转 多位翻转 Cadence模拟

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两种面向宇航应用的高可靠性抗辐射加固技术静态随机存储器单元 被引量：1

3

作者 闫爱斌 李坤 +2 位作者 黄正峰 倪天明 徐辉 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期4072-4080,共9页

CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单... CMOS尺寸的大幅缩小引发电路可靠性问题。该文介绍了两种高可靠的基于设计的抗辐射加固(RHBD)10T和12T抗辐射加固技术(SRAM)单元,它们可以防护单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)。10T单元主要由两个交叉耦合的输入分离反相器组成,该单元可以通过其内部节点之间的反馈机制稳定地保持存储的值。由于仅使用少量晶体管,因此其在面积和功耗方面开销也较低。基于10T单元,提出了使用4个并行存取访问管的12T单元。与10T单元相比,12T单元的读/写访问时间更短,且具有相同的容错能力。仿真结果表明,所提单元可以从任意SNU和部分DNU中恢复。此外,与先进的加固SRAM单元相比,所提RHBD 12T单元平均可以节省16.8%的写访问时间、56.4%的读访问时间和10.2%的功耗,而平均牺牲了5.32%的硅面积。 展开更多

关键词 CMOS 静态随机存储器单元 抗辐射加固 单节点翻转 双节点翻转

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基于概率统计的单粒子多单元翻转信息提取方法

4

作者 王勋 罗尹虹 +4 位作者 丁李利 张凤祁 陈伟 郭晓强 王坦 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期353-359,共7页

航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU... 航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。本文提出一种基于概率统计的单粒子MCU信息提取方法,其可在无版图信息条件下以较高精度提取单粒子翻转(SEU)实验数据中的MCU信息。该方法通过统计分析SEU实验数据中不同翻转地址间的按位异或和汉明距离以提取MCU模板,然后利用该模板提取MCU信息。采用一款位交错SRAM器件的重离子实验数据对上述方法进行了验证,结果表明,该方法能以较高的精度提取实验数据中的MCU信息。该方法可省去对器件进行逆向工程的时间和成本,提高科学研究和航空航天器件选型效率。 展开更多

关键词 多单元翻转 多位翻转 单粒子翻转 单粒子效应 SRAM

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28 nm体硅工艺FPGA BRAM脉冲激光试验及翻转特性

5

作者 薛国凤 周昌义 +2 位作者 安军社 吴昊 王天文 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1147-1154,共8页

针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻... 针对SRAM型FPGA内部BRAM在轨出现翻转错误以及如何有效进行容错设计的问题,提出了测试BRAM空间单粒子效应和多位翻转图样的方法.多位翻转图样可以表征单次单粒子事件导致的BRAM中相邻单元的翻转特征,进而用于分析逻辑字内是否存在多位翻转.以XC7K410T-FFG900为研究对象,分析其内部资源的组织结构,采用脉冲激光试验测试BRAM的翻转特性.通过试验测得FPGA内BRAM的翻转阈值以及在不同激光能量下的翻转截面,并分析得到BRAM在不同能量照射下的多位翻转图样.试验结果表明, BRAM中单个单元翻转所占比例随激光能量的增加而降低,而多单元翻转所占比例随激光能量的增加呈上升趋势. BRAM在不同脉冲激光能量下可产生2 bit到11 bit的多单元翻转,但通过错误注入试验验证,该多单元翻转在单个字或者字节内并无多位翻转问题.研究结果为提高SRAM型FPGA在航天应用中的可靠性提供了试验支持,并依据BRAM的翻转特性给出了SRAM型FPGA在轨加固方法和建议. 展开更多

关键词 单粒子效应 脉冲激光 多单元翻转(mcu) BRAM翻转图样 单粒子翻转容错

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用于会议电视MCU的交换处理单元

6

作者 郭玉厂 《电讯技术》 北大核心 2003年第2期26-29,共4页

介绍了交换处理单元 (SPU)的一种实现方案 ,该交换处理单元用于会议电视多点控制器(MCU)中 ;描述了交换处理单元 (SPU)板的硬件结构设计、硬件接口、工作原理及板上软件实现方法 ,并对用于SPU和处理机之间的命令、响应信息进行了说明 ;... 介绍了交换处理单元 (SPU)的一种实现方案 ,该交换处理单元用于会议电视多点控制器(MCU)中 ;描述了交换处理单元 (SPU)板的硬件结构设计、硬件接口、工作原理及板上软件实现方法 ,并对用于SPU和处理机之间的命令、响应信息进行了说明 ;依据该方案制作的SPU板可完成视频、音频、数据的切换和多点会议的控制。 展开更多

关键词 会议电视 多点控制器 交换处理单元 音频 数据 mcu SPU 硬件接口

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瑞萨科技已交付超过10亿颗闪存MCU单元

7

《现代电子技术》 2007年第8期45-45,共1页

2007年3月瑞萨科技公司宣布，该公司已经成为全球首家交付超过10亿颗带有片上闪存的微控制器（闪存MCU）的公司。瑞萨科技是全球领先的闪存MCU供应商，MCU是该公司的核心产品。

关键词 瑞萨科技公司 mcu 闪存 交付 单元 微控制器 核心产品 供应商

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基于分层排队网络模型的MCU性能预测及优化研究 被引量：10

8

作者 边学工 胡瑞敏 +1 位作者 陈军 李德仁 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第2期209-215,共7页

针对视频会议系统中的多点控制单元 (MCU)提出了一个基于分层排队网络模型的性能预测方法 .通过对分层排队网络模型进行扩展 ,建立了多点控制单元的分层排队模型 .设计了一个仿真程序对模型进行评价 ,仿真程序的输入即模型配置文件 .该... 针对视频会议系统中的多点控制单元 (MCU)提出了一个基于分层排队网络模型的性能预测方法 .通过对分层排队网络模型进行扩展 ,建立了多点控制单元的分层排队模型 .设计了一个仿真程序对模型进行评价 ,仿真程序的输入即模型配置文件 .该方法可以较快地从多种设计方案或硬件平台中选择满足系统性能设计目标的软件或硬件配置 .仿真结果显示 ,选择双处理器配置和采用多线程技术 ,多点控制单元的接入容量提高了 5 0 % .最后 ,多点控制单元终端接入实验证明了该方法的有效性 . 展开更多

关键词 视频会议 多点控制单元 mcu 分层排队网络 接入容量

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IP视频会议系统中MCU容量测试方案探讨 被引量：6

9

作者 黄韵 朱志祥 裴昌幸 《电信科学》 北大核心 2003年第11期42-45,共4页

多点控制单元(MCU)是IP视频会议系统中的重要控制部件,其性能好坏直接影响视频会议的质量。容量是衡量MCU性能好坏的一个重要参数,本文简要介绍了影响MCU容量的一些因素,分析了用公式推导MCU的容量和实际测试MCU的容量的难度,在此基础上... 多点控制单元(MCU)是IP视频会议系统中的重要控制部件,其性能好坏直接影响视频会议的质量。容量是衡量MCU性能好坏的一个重要参数,本文简要介绍了影响MCU容量的一些因素,分析了用公式推导MCU的容量和实际测试MCU的容量的难度,在此基础上,重点提出了一种测试MCU的容量的方案,并在详细介绍了此测试方案后对测试结果以及测试参数进行了分析。 展开更多

关键词 IP视频会议系统 mcu 多点控制单元 容量测试

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汽车发动机电控单元高速CAN通讯模块研制 被引量：8

10

作者 宋雪桦 孔峰 陈晨 《计算机工程与设计》 CSCD 北大核心 2006年第9期1588-1590,共3页

CAN总线作为一种优秀的现场总线,已经越来越多地应用于汽车电子系统。提出了基于CAN总线的汽车发动机电控单元高速CAN适配模块设计方案,介绍了系统主要硬件结构和软件设计流程。系统硬件测试表明,该系统能对发动机各类参数进行高速实时... CAN总线作为一种优秀的现场总线,已经越来越多地应用于汽车电子系统。提出了基于CAN总线的汽车发动机电控单元高速CAN适配模块设计方案,介绍了系统主要硬件结构和软件设计流程。系统硬件测试表明,该系统能对发动机各类参数进行高速实时监测,并且通过对重要参数的修改可以实现对系统的检测和控制功能。实验表明该系统具有通讯速率高和可靠性强等优点,具有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 CAN总线 多功能电控单元(UECU) 电子控制单元(ECU) 通讯 多点控制单元(mcu)

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一种基于MEMS的微惯性测量单元标定补偿方法 被引量：15

11

作者 孙宏伟 房建成 盛蔚 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期439-442,共4页

根据微机电系统MEMS（Micro Electronic Mechanical System）惯性器件的特点，在建立微惯性测量单元MIMU（Micro Inertial Measurement Unit）角速度及加速度误差数学模型的基础上，提出一种适用于MIMU的、仅采用单轴速率转台（无指北... 根据微机电系统MEMS（Micro Electronic Mechanical System）惯性器件的特点，在建立微惯性测量单元MIMU（Micro Inertial Measurement Unit）角速度及加速度误差数学模型的基础上，提出一种适用于MIMU的、仅采用单轴速率转台（无指北装置）的“动态翻转6位置”快速标定补偿方法．与传统标定方法相比，标定补偿方法简单便捷，可以一次确定出MIMU的45个误差系数，辨识误差系数精度高，尤其适用于低精度捷联惯性测量单元．通过理论分析、推导以及大量的实验验证，标定补偿方法可以将MIMU的精度提高2～3个数量级． 展开更多

关键词 微惯性测量单元(MIMU) 标定补偿 误差模型 动态翻转6位置

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抗单粒子翻转的低功耗锁存器设计 被引量：4

12

作者 梁华国 李昕 +1 位作者 王志 黄正峰 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第8期1549-1556,共8页

随着CMOS工艺缩减至纳米尺寸,锁存器对空间辐射环境中高能粒子引起的软错误越发敏感.为缓解软错误对锁存器电路的影响,提出一种基于45 nm CMOS工艺的单粒子翻转自恢复的低功耗锁存器.该锁存器使用3个C单元构成内部互锁的结构,每个C单元... 随着CMOS工艺缩减至纳米尺寸,锁存器对空间辐射环境中高能粒子引起的软错误越发敏感.为缓解软错误对锁存器电路的影响,提出一种基于45 nm CMOS工艺的单粒子翻转自恢复的低功耗锁存器.该锁存器使用3个C单元构成内部互锁的结构,每个C单元的输出节点的状态由另2个C单元的输出节点决定;任意C单元的输出节点发生单粒子翻转后,该锁存器将通过内部互锁的反馈路径将翻转节点恢复正确;在瞬态脉冲消散后没有节点处于高阻态,提出的锁存器适用于采用了时钟门控技术的低功耗电路.大量的SPICE仿真结果表明,与已有的加固锁存器相比,文中提出的锁存器在延时、功耗、面积开销和软错误加固能力上取得了良好的平衡,平均节省57.53%的面积-功耗-延时积开销;详尽的蒙特卡洛仿真实验表明,该锁存器对工艺、供电电压和温度的波动不敏感. 展开更多

关键词 单粒子翻转 软错误 C单元 瞬态故障 自恢复

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一种低开销的三点翻转自恢复锁存器设计 被引量：3

13

作者 黄正峰 李先东 +5 位作者 陈鹏 徐奇 宋钛 戚昊琛 欧阳一鸣 倪天明 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2021年第9期2508-2517,共10页

随着集成电路特征尺寸的不断缩减,在恶劣辐射环境下,纳米级CMOS集成电路中单粒子三点翻转的几率日益增高,严重影响可靠性。为了实现单粒子三点翻转自恢复,该文提出一种低开销的三点翻转自恢复锁存器(LC-TNURL)。该锁存器由7个C单元和7... 随着集成电路特征尺寸的不断缩减,在恶劣辐射环境下,纳米级CMOS集成电路中单粒子三点翻转的几率日益增高,严重影响可靠性。为了实现单粒子三点翻转自恢复,该文提出一种低开销的三点翻转自恢复锁存器(LC-TNURL)。该锁存器由7个C单元和7个钟控C单元组成,具有对称的环状交叉互锁结构。利用C单元的阻塞特性和交叉互锁连接方式,任意3个内部节点发生翻转后,瞬态脉冲在锁存器内部传播,经过C单元多级阻塞后会逐级消失,确保LC-TNURL锁存器能够自行恢复到正确逻辑状态。详细的HSPICE仿真表明,与其他三点翻转加固锁存器(TNU-Latch, LCTNUT, TNUTL, TNURL)相比,LC-TNURL锁存器的功耗平均降低了31.9%,延迟平均降低了87.8%,功耗延迟积平均降低了92.3%,面积开销平均增加了15.4%。相对于参考文献中提出的锁存器,LC-TNURL锁存器的PVT波动敏感性最低,具有较高的可靠性。 展开更多

关键词 锁存器 抗辐射加固设计 C单元 自恢复 三点翻转

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65 nm CMOS工艺的低功耗加固12T存储单元设计 被引量：2

14

作者 黄正峰 李雪健 +5 位作者 鲁迎春 欧阳一鸣 方祥圣 易茂祥 梁华国 倪天明 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期504-512,共9页

随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存储单元,并由NMOS晶... 随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存储单元,并由NMOS晶体管中的N_1和N_2以及N_3和N_4构成了堆叠结构来降低存储单元的功耗;其基于物理翻转机制避免了存储节点产生负向的瞬态脉冲,在存储节点之间引入的负反馈机制,有效地阻碍了存储单元的翻转.大量的HSPICE仿真结果表明,所提出的存储单元不仅能够完全容忍敏感节点的翻转,还能够部分容忍电荷共享引起的敏感节点对翻转;与已有的存储单元相比,所提出的存储单元的功耗、面积开销、读/写时间平均减小了18.28%, 13.18%, 5.76%和22.68%,并且噪声容限的值较大;结果表明该存储单元在面积开销、存取时间、功耗和稳定性方面取得了很好的折中. 展开更多

关键词 抗辐射加固设计 软错误 单粒子翻转 存取可靠性 存储单元

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32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计 被引量：1

15

作者 黄正峰 潘尚杰 +5 位作者 曹剑飞 宋钛 欧阳一鸣 梁华国 倪天明 鲁迎春 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期394-400,共7页

CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage Cell).该锁存器基于24个同构的交叉耦合单元(Cross-Coupled E... CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage Cell).该锁存器基于24个同构的交叉耦合单元(Cross-Coupled Elements,CCE)排列成阵列结构.当内部任意三个节点同时发生单粒子翻转时,该锁存器都可以自行恢复到正确的逻辑值.与具有等效三点自恢复能力的TNURL(Triple Node Upset Self-Recoverable Latch)锁存器相比,该Hydra-DICE锁存器面积开销降低50%,延迟降低48.28%,功耗降低25%,功耗延迟积降低61.21%.仿真结果表明,该加固锁存器在容错性能、面积开销、延迟和功耗方面取得了很好的折中. 展开更多

关键词 锁存器 单粒子翻转 双模互锁存储单元 抗辐射加固 自恢复

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保证无翻转的四边形网格几何优化算法

16

作者 王瑞 高曙明 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期2126-2132,共7页

针对传统的迭代优化算法不能保证优化之后的网格不含翻转单元的问题,提出一种保证无翻转的四边形网格几何优化算法.首先采用传统的拉普拉斯光滑化方法优化输入网格,确定网格翻转的局部区域;然后对区域内网格根据拓扑结构进行分层,并在... 针对传统的迭代优化算法不能保证优化之后的网格不含翻转单元的问题,提出一种保证无翻转的四边形网格几何优化算法.首先采用传统的拉普拉斯光滑化方法优化输入网格,确定网格翻转的局部区域;然后对区域内网格根据拓扑结构进行分层,并在保持原始网格拓扑结构的前提下对区域内的网格结点逐层重新布局;最后,将网格优化问题转化为给定初值的带约束的优化问题进行求解.实验结果表明,该算法能够保证结果网格中无翻转单元. 展开更多

关键词 翻转单元 网格优化 四边形网格 有限元网格

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基于现代创新理论的液压上翻转式闸门研发

17

作者 杨光 丁正忠 陈丽晔 《人民黄河》 CAS 北大核心 2012年第9期135-137,140,共4页

针对中小河流和城市生态水系相对水位低、河面宽、有通航要求等特点,开展了液压上翻转式闸门的研发。在产品的研发过程中,以"人-机-环境"大系统观、绿色设计、模块化设计、并行设计、机电一体化设计和有限元设计等创新理论和... 针对中小河流和城市生态水系相对水位低、河面宽、有通航要求等特点,开展了液压上翻转式闸门的研发。在产品的研发过程中,以"人-机-环境"大系统观、绿色设计、模块化设计、并行设计、机电一体化设计和有限元设计等创新理论和方法为指导,提出了"闸门单元"的设计理念。研发出的104 m跨度液压上翻转式闸门已成功应用于郑州市郑东新区CBD外环控制闸工程。液压上翻转式闸门便于实现闸门的系列化、标准化设计和生产,可缩短产品研发和制造周期,节省投资,并方便安装和后期维护、管理等。 展开更多

关键词 液压上翻转式闸门 绿色设计 模块化 闸门单元 液压启闭机

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一种基于40nm CMOS体硅工艺的抗单粒子翻转触发器设计

18

作者 王海滨 侍言 +1 位作者 郭刚 韩光洁 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 2023年第12期2851-2857,共7页

随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆... 随着集成电路尺寸的不断减小,触发器受到单粒子打击时,电荷共享效应会使触发器电路的多个节点同时翻转.基于此,提出了一种新的触发器结构,即Rectangle DFF,可以有效过滤输入上的单粒子瞬态、并对三节点翻转免疫.该触发器由时钟晶体管堆栈架构和一个抗三节点翻转的锁存器组成,锁存器部分由12个交叉耦合的反相器和3个二输入的C单元结构组成.通过时钟晶体管堆栈结构可以屏蔽单粒子瞬态,由于3个C单元的输入不会同时翻转,能够有效屏蔽电路中的软错误.在40nm CMOS体硅工艺下的SPECTRE仿真表明,与基准的三模冗余触发器相比,面积开销降低15%,延迟降低44%,功率延迟积降低2%. 展开更多

关键词 触发器设计 单粒子三节点翻转 抗辐照加固 双联锁存储单元

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面向MLC闪存的比特翻转译码算法研究 被引量：3

19

作者 张旋 慕建君 焦晓鹏 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期331-337,共7页

针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用于MLC闪存系统的改进比特翻转译码算法。在分析MLC闪存发生错误原因的基础上,利用蒙特卡罗仿真方法计算相... 针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用于MLC闪存系统的改进比特翻转译码算法。在分析MLC闪存发生错误原因的基础上,利用蒙特卡罗仿真方法计算相邻MLC闪存阈值电压分布的重叠区域来确定阈值电压对应存储比特的可靠性,借助存储比特的可靠性度量设计了MLC闪存的比特翻转规则。仿真结果表明,耦合强度系数s=1. 8与感知精度分别为p=3和p=4时,相比于原有MLC闪存比特翻转译码算法,所提出MLC闪存比特翻转译码算法的译码性能提升了81%和91%,并且译码的平均迭代次数减少了9. 8%和21%。 展开更多

关键词 闪存 多级单元 单元间干扰 蒙特卡罗仿真 低密度奇偶校验码 比特翻转译码

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一种MLC闪存存储系统的比特翻转译码算法 被引量：2

20

作者 张旋 慕建君 焦晓鹏 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期75-80,146,共7页

随着多级存储单元比特存储密度的增加,单元间干扰成为影响闪存可靠性的主要因素.针对这种情况,在深入分析多级存储单元内部数据存储信道错误规律的基础上,设计了多级存储单元闪存译码的比特翻转规则,提出了一种适用于多级存储单元闪存... 随着多级存储单元比特存储密度的增加,单元间干扰成为影响闪存可靠性的主要因素.针对这种情况,在深入分析多级存储单元内部数据存储信道错误规律的基础上,设计了多级存储单元闪存译码的比特翻转规则,提出了一种适用于多级存储单元闪存的改进型比特翻转译码算法.仿真结果表明,在相同的感知精度时,所提出的多级存储单元闪存比特翻转算法的译码性能优于多级存储单元闪存比特翻转译码算法的性能,而且多级存储单元闪存的改进型比特翻转译码算法可有效减少译码的平均迭代次数,从而实现了译码复杂度和性能间的良好折中. 展开更多

关键词 多级存储单元 低密度奇偶校验码 单元间干扰 比特翻转译码

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