SMDS——一个采用面向对象技术设计的半导体器件模拟软件 被引量：5

1

作者 杨廉峰 吴金 +1 位作者 刘其贵 魏同立 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期62-64,58,共4页

本文采用当今流行的面向对象技术设计完成了一个半导体器件模拟软件———SMDS(SubMicronDeviceSimulator) ,讨论了在网络并行计算等方面扩展的可行性 。

关键词 器件模拟 面向对象 半导体器件 SMDS软件

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具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟

2

作者 李尊朝 蒋耀林 饶元 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1395-1395,共1页

为了处理纳米MOS场效应管的量子效应，在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正，并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法．该算法在每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程，采用有效势法进行量子修正，并跟踪模拟一... 为了处理纳米MOS场效应管的量子效应，在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正，并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法．该算法在每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程，采用有效势法进行量子修正，并跟踪模拟一组带电粒子的加速飞行和随机散射运动，使各节点的负载始终保持平衡．模拟实例表明，引入有效势修正的蒙特卡罗模拟结果与薛定鄂方程吻合得较好， 展开更多

关键词 MOS场效应管 蒙特卡罗模拟 器件模拟 量子效应 三维 POISSON方程 正功 量子修正 模拟算法 多层网格法

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基于集成众核的3D蒙特卡罗半导体器件模拟器

3

作者 方民权 张卫民 +3 位作者 张理论 曾琅 刘晓彦 尹龙祥 《计算机工程与科学》 CSCD 北大核心 2015年第4期621-627,共7页

3D蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加。通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自由飞行、统计模拟信息、计算表面粗糙散射等热点并行方案,最终实现基于C... 3D蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加。通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自由飞行、统计模拟信息、计算表面粗糙散射等热点并行方案,最终实现基于CPU/MIC的三级并行3D蒙特卡罗器件模拟软件。实验结果显示,三级并行比单级并行获得更好的性能;当提高模拟精度时,相比单级并行,三级并行蒙特卡罗模拟加速比增加。 展开更多

关键词 蒙特卡罗 半导体器件模拟 集成众核 有效电势方法 粒子自由飞行

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基于TCAD软件的单层多晶EEPROM器件模拟分析 被引量：2

4

作者 邓勇 宣晓峰 +1 位作者 许高斌 杨明武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期15-18,共4页

利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单... 利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟。通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性。 展开更多

关键词 单层多晶EEPROM TCAD软件 等效模型 器件模拟

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二维器件模拟软件PISCES的程序转换

5

作者 黄雷 向采兰 余志平 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2003年第9期37-39,共3页

为了研究半导体器件特性 ,对器件特性模拟软件PISCES需要不断进行改进。由于PISCES的源程序是用Fortran语言写的 ,而且前程序设计普遍使用C语言 ,因此我们将其源程序由Fortran语言转化成了C语言。整个程序编译联接成功 ,全面功能运行正... 为了研究半导体器件特性 ,对器件特性模拟软件PISCES需要不断进行改进。由于PISCES的源程序是用Fortran语言写的 ,而且前程序设计普遍使用C语言 ,因此我们将其源程序由Fortran语言转化成了C语言。整个程序编译联接成功 ,全面功能运行正确。本文结合实际的转化过程 。 展开更多

关键词 二维器件模拟软件 PISCES 程序转换 半导体器件

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空间GaAs太阳能电池辐照损伤效应模拟研究

6

作者 魏嘉欣 郝建红 +4 位作者 赵强 范杰清 张芳 薛碧曦 董志伟 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第3期151-156,共6页

航天器在轨服役期间长期处于复杂恶劣的空间辐射环境,以GaAs为代表的III-V族化合物太阳能电池因具备高光电转换效率和抗辐照能力而被广泛应用于航天领域。采用有限元法,基于计算机辅助设计技术(TCAD)对GaAs太阳能电池的空间辐照损伤效... 航天器在轨服役期间长期处于复杂恶劣的空间辐射环境,以GaAs为代表的III-V族化合物太阳能电池因具备高光电转换效率和抗辐照能力而被广泛应用于航天领域。采用有限元法,基于计算机辅助设计技术(TCAD)对GaAs太阳能电池的空间辐照损伤效应进行了研究。以AM0光谱辐照下的GaAs太阳能电池电学参数为依据,建立了单结太阳能电池结构模型和辐照损伤模型,获得了在不同电子辐照条件下电池的伏安特性曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了空间环境辐照下GaAs太阳能电池电学性能退化规律。结果表明,辐照损伤缺陷使得少数载流子扩散长度减小,降低了光生载流子的收集效率,在一定电子能量下,太阳能电池电学性能的退化幅度随辐照注量水平的提高而增大。 展开更多

关键词 GaAs太阳能电池 器件模拟 辐照损伤 电学性能

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单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟

7

作者 孙浩 王成刚 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z5期43-47,共5页

简介了 TCAD 软件对碲镉汞器件结构优化的意义;对单色碲镉汞光电器件结构进行模拟以及对存在的问题进行了分析;介绍了双色 MW-MW 结构器件关于光谱响应、量子效率、I-V 特性等方面的模拟结果,以及下阶段准备进行的工作。

关键词 碲镉汞 器件模拟 计算机辅助设计

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模拟光耦器件HCNR201及其在高精度电压检测中的应用 被引量：17

8

作者 苏涛 昝小舒 周立新 《电测与仪表》 北大核心 2004年第7期54-55,6,共3页

介绍了HP公司的高精度线性模拟光耦器件HCNR201的基本原理;给出了利用该芯片对模拟电压进行检测与隔离的硬件电路;通过对实验结果的处理及分析,证明了该方法测量电压的线性度好、准确度高。

关键词 模拟光耦器件 HCNR201 电压检测 自动控制系统 单片机 光电隔离法

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太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算 被引量：5

9

作者 李凡 史衍丽 +1 位作者 赵鲁生 徐文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期1205-1208,共4页

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的... Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,减少漏电流;另外,GaAs材料便于加工,可方便地实现大规模集成,适用于制作MESFET器件。目前用于太赫兹探测的GaAs MESFET在国际上有了较大的发展,为了进一步研究MESFET的器件特性,参照国外现有的作为太赫兹探测的GaAsMESFET器件结构,通过建立器件结构模型,并进行掺杂、网格化后使用Synopsys器件模拟软件求解泊松方程,计算并分析了其电流电压特性。计算结果和实验测量结果比较吻合。 展开更多

关键词 金属半导体场效应管 太赫兹探测 I-V特性 器件模拟 Synopsys器件模拟软件

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应对目前模拟混合信号器件的复杂测试挑战

10

作者 Ross Martindale 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期47-48,共2页

关键词 模拟混合信号器件 复杂测试 并行测试 ASL3000

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铁电存储器1T单元C-V特性的计算机模拟

11

作者 张玉薇 邓珂 《现代电子技术》 2007年第20期10-11,15,共3页

依据传统的铁电材料的P-E特性建模的方法,引入电压影响因子,得到了更为适合的P-V特性的新模型。另外,通过对P-V特性的分析、整合,从理论上得到了铁电存储器内铁电电容的C-V特性。从而系统地建立铁电存储器IT单元特性模型,该模型简单、... 依据传统的铁电材料的P-E特性建模的方法,引入电压影响因子,得到了更为适合的P-V特性的新模型。另外,通过对P-V特性的分析、整合,从理论上得到了铁电存储器内铁电电容的C-V特性。从而系统地建立铁电存储器IT单元特性模型,该模型简单、准确、可移植性强。通过计算机模拟得到的仿真结果和现实器件特性结果相比对,验证了模型的正确性。 展开更多

关键词 铁电存储器 P—V特性 C—V特性 器件模拟

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130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应 被引量：2

12

作者 陈超 吴龙胜 +2 位作者 韩本光 方勇 刘佑宝 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期46-49,93,共5页

研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电... 研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理。同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明,p+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性。 展开更多

关键词 电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应

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模拟HBT电流增益截止频率新方法

13

作者 冯国进 黄敞 李国辉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第1期52-56,共5页

从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率（ｆＴ）的定义，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了电流放大系数随频变化的复平面图。

关键词 器件模拟 异质结 截止频率 双极性晶体管

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1维亚微米弹道二极管在不同外加电压脉冲下的数值模拟

14

作者 刘烨 王蔷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期680-684,共5页

以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础,建立了1维数值模拟程序,程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维弹道二极管进行了瞬态数值模拟,分析了外加低电压和高电压脉冲情况下的电场强度、载流子浓度、载流子温... 以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础,建立了1维数值模拟程序,程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维弹道二极管进行了瞬态数值模拟,分析了外加低电压和高电压脉冲情况下的电场强度、载流子浓度、载流子温度等参数的变化情况。低电压脉冲下的结果与文献一致;对于文献中并未开展的高电压脉冲下的模拟,得到了器件处于非正常工作状态的各参数分布曲线,并尝试用二次击穿理论对结果进行分析。结果显示:随着外电压的升高,载流子的碰撞电离将导致少子空穴浓度急剧增大,并达到与电子浓度相同的量级,这时在器件分析中空穴方程已不能省略,并且载流子浓度将取代掺杂浓度控制电势分布,并进而影响电场及电流密度,涌极附近电场将增强,电流密度也将迅速增加。结论可为研究瞬态电磁脉冲对2维器件的损伤效应提供参考。 展开更多

关键词 亚微米弹道二极管 流体动力学模型 器件模拟 二次击穿

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硅低温双极晶体管的数值模拟

15

作者 张住兵 吴金 魏同立 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第4期546-553,共8页

本文讨论了有关低温双极器件模拟物理参数的低温模型和各种低温物理效应,确立了适用于低温双极器件模拟的数值分析方法,建立了适用于77-300K温度范围内硅双极器件模拟程序,最后模拟分析了一典型结构品体管的常温和低温时的工作特性。

关键词 双极晶体管 器件模拟 优化设计

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可编程模拟技术在电子技术实验中的应用 被引量：2

16

作者 张晴 《实验室研究与探索》 CAS 2005年第3期41-43,共3页

介奢了模拟可编程器件ispPAC20的基本原理,内部结构以及设计软件PAC Designer的功能、用法。结合我们在实验教学中的实践,介绍了一种模拟可编程实验装置及在此装置上可以完成的实验内容与实验要求。

关键词 模拟可编程器件 ISPPAC20 电子技术 设计性实验 PAC-Designer 设计软件

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光放大、控制与器件

17

《中国光学》 EI CAS 2002年第6期57-57,共1页

TN29 2002064372高压 GaAs 光导开关的锁定及延迟效应机理分析=Analysis of lock-on and time delay in high-volt-age GaAs PCSS’s[刊,中]/龚仁喜,张义门,石顺祥,张同意(西安电子科技大学微电子所.陕西,西安(710071))∥光学学报.—200... TN29 2002064372高压 GaAs 光导开关的锁定及延迟效应机理分析=Analysis of lock-on and time delay in high-volt-age GaAs PCSS’s[刊,中]/龚仁喜,张义门,石顺祥,张同意(西安电子科技大学微电子所.陕西,西安(710071))∥光学学报.—2001,21(11).—1372-1376利用二维器件模拟程序 MEDICI 对 GaAs 展开更多

关键词 光导开关 延迟效应 机理分析 二维器件模拟 西安电子科技大学 微电子 光放大 锁定状态 义门 高压

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可编程器件在三工位开关控制器中的应用 被引量：3

18

作者 唐建中 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2003年第4期41-42,46,共3页

三工位开关是一种同时具有接地和隔离作用的装置,在计算机控制的输配电系统中有着较为广泛的应用。介绍了一种利用模拟可编程器件和数字可编程器件设计三工位开关控制器的方案,并给出了具体的电路图和程序代码。首先分析了三工位开关的... 三工位开关是一种同时具有接地和隔离作用的装置,在计算机控制的输配电系统中有着较为广泛的应用。介绍了一种利用模拟可编程器件和数字可编程器件设计三工位开关控制器的方案,并给出了具体的电路图和程序代码。首先分析了三工位开关的3个工作位置的相互关系,给出了表示三工位间的状态转换关系的真值表,然后介绍了根据所给真值表设计的VHDL语言程序。在介绍的方案中,信号输入回路采用了模拟可编程器件ispAC10,核心部分采用了ispLSI1016数字可编程器件,实现了就地/远方控制等多种功能。该方案设计的控制器具有使用元件少、抗干扰性能好、可扩充性强的特点。 展开更多

关键词 可编程器件 三工位开关 控制器 应用 模拟可编程器件 数字可编程器件 VHDL语言 计算机控制

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降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究 被引量：7

19

作者 全知觉 叶振华 +2 位作者 胡伟达 李志锋 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期329-332,337,共5页

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法... 研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法,并利用商用器件模拟软件对Hg0.78Cd0.22Te器件进行了二维模拟.计算结果显示:当少子寿命为10 ns时,经过优化设计后的器件,光响应率增加了9.6%,光串音从未优化前的5.23%减小到1.05%. 展开更多

关键词 碲镉汞(MCT) 焦平面阵列 光串音 器件模拟

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180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素 被引量：6

20

作者 秦军瑞 陈书明 +2 位作者 陈建军 梁斌 刘必慰 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期72-76,共5页

研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁... 研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系,并从理论上进行了解释,总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法,研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导。 展开更多

关键词 单粒子闩锁 器件模拟 设计加固

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