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Ge/Si SACM-APD器件分析
被引量：
2
1
作者
王巍
颜琳淑
+5 位作者
王川
杜超雨
王婷
王冠宇
袁军
王振
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015年第4期1349-1353,共5页
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：...
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。
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关键词
Ge/Si雪崩二极管
吸收区-电荷区-倍增区分离
器件仿真
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职称材料
10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管
被引量：
1
2
作者
尹顺政
郝文嘉
+4 位作者
张宇
于浩
李庆伟
赵润
车相辉
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第7期516-520,共5页
基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益...
基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响。结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试。测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合。器件击穿电压为30V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10nA,-3dB带宽大于10GHz,其性能满足10Gbit/s光纤通信应用要求。
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关键词
INGAAS/INP
吸收
区
、渐变
区
、
电荷
区
和
倍增
区
分离
雪崩光电二极管(SAGCM
APD)
雪崩
频率响应
光通信
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职称材料
四象限InGaAs APD探测器的研究
3
作者
王致远
李发明
刘方楠
《光通信研究》
北大核心
2007年第6期43-46,共4页
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构...
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。
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关键词
InGaAs雪崩光电二极管
吸收
区
倍增
区
渐变
分离
-
雪崩光电二极管
光谱响应范围
响应度
暗电流
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职称材料
题名
Ge/Si SACM-APD器件分析
被引量：
2
1
作者
王巍
颜琳淑
王川
杜超雨
王婷
王冠宇
袁军
王振
机构
重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015年第4期1349-1353,共5页
文摘
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。
关键词
Ge/Si雪崩二极管
吸收区-电荷区-倍增区分离
器件仿真
Keywords
Ge/Si
-
APD
SACM
device simulation
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管
被引量：
1
2
作者
尹顺政
郝文嘉
张宇
于浩
李庆伟
赵润
车相辉
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第7期516-520,共5页
文摘
基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCM APD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响。模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响。结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试。测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合。器件击穿电压为30V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10nA,-3dB带宽大于10GHz,其性能满足10Gbit/s光纤通信应用要求。
关键词
INGAAS/INP
吸收
区
、渐变
区
、
电荷
区
和
倍增
区
分离
雪崩光电二极管(SAGCM
APD)
雪崩
频率响应
光通信
Keywords
InGaAs/InP
separate absorption
grading
charge and multiplication avalanche photodiode（SAGCM APD）
avalanche
frequency response
optical communication
分类号
TN312.7 [电子电信—物理电子学]
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
四象限InGaAs APD探测器的研究
3
作者
王致远
李发明
刘方楠
机构
重庆邮电大学光电工程学院
出处
《光通信研究》
北大核心
2007年第6期43-46,共4页
文摘
文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。
关键词
InGaAs雪崩光电二极管
吸收
区
倍增
区
渐变
分离
-
雪崩光电二极管
光谱响应范围
响应度
暗电流
Keywords
Key words
InGaAs APD
SAGM
-
APD
spectrum response range
responsivity
dark current
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge/Si SACM-APD器件分析
王巍
颜琳淑
王川
杜超雨
王婷
王冠宇
袁军
王振
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
10 Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管
尹顺政
郝文嘉
张宇
于浩
李庆伟
赵润
车相辉
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
四象限InGaAs APD探测器的研究
王致远
李发明
刘方楠
《光通信研究》
北大核心
2007
0
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职称材料
已选择
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