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基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能的影响被引量：2: 1; 作者程珊华宁兆元 +1 位作者葛水兵蒋紫松《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期117-120,共4页; 使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程... 展开更多; 关键词反应蒸发沉积 ITO膜基片温度薄膜光学性能; 在线阅读下载PDF 职称材料

活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程: 2; 作者郭亨群《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第1期11-17,共7页; 本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指... 展开更多; 关键词氢化非晶硅活性反应蒸发光电导; 在线阅读下载PDF 职称材料

温度对ZnO纳米结构表面形貌和光学特性的影响: 3; 作者余萍熊狂炜邱东江《华东交通大学学报》 2010年第1期86-90,共5页; 利用电子束反应蒸发(REBE)技术、多晶ZnO(纯度99.99%)陶瓷靶为原料、在NH3/H2混合气(NH3的体积比2.7 1%)环境下生长了ZnO纳米结构材料,研究了衬底温度对所获得ZnO纳米结构材料在表面形貌、结晶质量、Raman散射及荧光特性等方面的影响。... 展开更多; 关键词电子束反应蒸发技术 ZNO纳米结构 ZnO光学特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

三元金属氧化物透明导电薄膜的制备及特性: 4; 作者张治国《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期200-205,共6页; 介绍 Sn In Cu 三种金属合金的氧化物薄膜的合成,对各种元素的含量做了分析,证明薄膜的透过率可以和 ITO 薄膜持平,对紫外线有较高透过率。指出了退火过程对透过率的影响.通过对元素能谱的测量,发现薄膜中元素含量与金属的比含量有关.... 展开更多; 关键词金属氧化物导电膜反应蒸发光电特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究: 5; 作者余萍《华东交通大学学报》 2008年第1期133-135,共3页; 采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性；Zn1-xCoxO薄膜，无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面，其室温矫顽... 展开更多; 关键词电子束反应蒸发技术 Zn1-Cox0薄膜铁磁特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO薄膜的合成: 6; 作者郭玲玲郑光裕张治国《物理实验》 2006年第9期12-16,共5页; 利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的... 展开更多; 关键词 Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜反应蒸发法 XRD衍射图温度特性透过率; 在线阅读下载PDF 职称材料

用离子束溅射法沉积铝掺杂氧化锌薄膜: 7; 作者邸建华《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第6期20-22,共3页; 用离子束溅射法沉积出掺铝氧化锌（ZnO:Al）透明导电薄膜。确定了薄膜的光学、电学特性与铝含量及后沉积退火的关系。制备出电阻率为1×10-3Ωcm、可见区吸收系数为3100cm-1的薄膜... 展开更多; 关键词离子束溅射氧化锌薄膜透明导电薄膜薄膜结构可见区退火温度沉积薄膜反应蒸发吸收系数多晶薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

中国团队设计LiPON涂层提升锂硫电池使用寿命: 8; 《汽车工程师》 2019年第1期8-8,共1页; 中国的一支研发团队通过对高能量密度锂硫电池的金属阳极进行调整,避免其生成固体电解质相界面膜(SEI)及锂枝晶的增生,该方式原理简单,可用于量产。该团队通过电子束反应蒸发氮等离子体辅助沉积,在锂金属阳极上涂覆了一层锂磷氧氮(LiPON... 展开更多; 关键词锂硫电池防护涂层 LIPON 使用寿命中国固体电解质相界面膜等离子体辅助沉积电子束反应蒸发; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能的影响被引量：2: 1; 作者程珊华宁兆元葛水兵蒋紫松; 机构苏州大学薄膜材料实验室; 出处《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期117-120,共4页; 文摘使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５００Ｃ附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。试验中还研究了加热退火对膜性能的影响。结果表明：后处理（加热退火）的效果与成膜时的基片温度有密切关系。在低基片温度下沉积的膜经过后处理其透光率得到较大改善但电阻率有所上升，在高基片温度下沉积的膜经过后处理其导电和透光性能都变差。存在一个适中的基片温度区，在该温度下采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法可以不必进行后处理，直接沉积出性能良好的ＩＴＯ透明导电膜。; 关键词反应蒸发沉积 ITO膜基片温度薄膜光学性能; Keywords plasma enhanced deposition ITO film substrate temperature; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程: 2; 作者郭亨群; 机构华侨大学应用物理系; 出处《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第1期11-17,共7页; 文摘本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中心的陷获空穴对自由电子的俘获过程所限制,掺杂改变了定域态分布的形状,因而改变了光电导与光强关系的指数ν.掺杂也改变了费米能(?)的定域态密度,轻度的磷掺杂可以使光电导增大,,当磷掺杂使费米能级与导带扩展态距离小于0.25eV 时光电导反而变小.; 关键词氢化非晶硅活性反应蒸发光电导; 分类号 TQ127.2 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名温度对ZnO纳米结构表面形貌和光学特性的影响: 3; 作者余萍熊狂炜邱东江; 机构华东交通大学物理系浙江大学物理系; 出处《华东交通大学学报》 2010年第1期86-90,共5页; 文摘利用电子束反应蒸发(REBE)技术、多晶ZnO(纯度99.99%)陶瓷靶为原料、在NH3/H2混合气(NH3的体积比2.7 1%)环境下生长了ZnO纳米结构材料,研究了衬底温度对所获得ZnO纳米结构材料在表面形貌、结晶质量、Raman散射及荧光特性等方面的影响。结果表明较高的生长温度(～500℃)有利于获得ZnO纳米针/纳米柱,而在相对衬底温度(～400℃)较低时容易得到具有花状形貌的ZnO纳米结构。; 关键词电子束反应蒸发技术 ZNO纳米结构 ZnO光学特性; Keywords REBE ZnO nanostructures ZnO optical properties; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三元金属氧化物透明导电薄膜的制备及特性: 4; 作者张治国; 机构泉州师范学院功能材料研究所; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期200-205,共6页; 文摘介绍 Sn In Cu 三种金属合金的氧化物薄膜的合成,对各种元素的含量做了分析,证明薄膜的透过率可以和 ITO 薄膜持平,对紫外线有较高透过率。指出了退火过程对透过率的影响.通过对元素能谱的测量,发现薄膜中元素含量与金属的比含量有关.对比了薄膜和衬底的元素含量,清楚了测量中出现的疑点。同时也给出了各种元素在膜中的分布情况、电导率与温度的关系.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了描述,对扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系进行了讨论.; 关键词金属氧化物导电膜反应蒸发光电特性; Keywords Oxide Nesa Reaction evaporation Opto-electronic property; 分类号 TN3.4.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究: 5; 作者余萍; 机构华东交通大学基础科学学院; 出处《华东交通大学学报》 2008年第1期133-135,共3页; 基金华东交通大学校立科研基金(06ZKJC05); 文摘采用电子束反应蒸发法（REBE）生长钴掺杂的氧化锌（Zn1-xCoO x=0．1）薄膜，研究薄膜的铁磁特性．对Zn1-xCoxO薄膜的磁特性测量结果表明：薄膜具有室温（300K）铁磁性；Zn1-xCoxO薄膜，无论外部磁场平行或垂直于薄膜平面，其室温矫顽力均仅为6～7G，呈现典型的稀磁及磁各向同性特征；而对于多晶Zn1-CoxO薄膜，其室温矫顽力在200～370G之间展示出显著的磁化各向异性特征；同时讨论了薄膜的铁磁性起源及其各向异性机理．; 关键词电子束反应蒸发技术 Zn1-Cox0薄膜铁磁特性; Keywords REBE Znl- xCoxO thin films ferromagnetic property; 分类号 O481 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO薄膜的合成: 6; 作者郭玲玲郑光裕张治国; 机构泉州师范学院理工学院; 出处《物理实验》 2006年第9期12-16,共5页; 文摘利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系.实验结果表明,Sn1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜中In的含量大大减少,可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.; 关键词 Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜反应蒸发法 XRD衍射图温度特性透过率; Keywords Sn1-x（In1-yCuy）xO films reaction evaporation XRD spectra temperature property transmissivity; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用离子束溅射法沉积铝掺杂氧化锌薄膜: 7; 作者邸建华; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第6期20-22,共3页; 文摘用离子束溅射法沉积出掺铝氧化锌（ZnO:Al）透明导电薄膜。确定了薄膜的光学、电学特性与铝含量及后沉积退火的关系。制备出电阻率为1×10-3Ωcm、可见区吸收系数为3100cm-1的薄膜。当退火温度为350-500℃时,电阻率和吸收系数分别为（5-6）×10-4Ωcm和1500-1000cm-1。1.引言氧化锌是目前研究的多种透明导电氧化物之一,作为一种n型半导体,可以有效地向这种材料加入一种适当的施主。; 关键词离子束溅射氧化锌薄膜透明导电薄膜薄膜结构可见区退火温度沉积薄膜反应蒸发吸收系数多晶薄膜; 分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名中国团队设计LiPON涂层提升锂硫电池使用寿命: 8; 出处《汽车工程师》 2019年第1期8-8,共1页; 文摘中国的一支研发团队通过对高能量密度锂硫电池的金属阳极进行调整,避免其生成固体电解质相界面膜(SEI)及锂枝晶的增生,该方式原理简单,可用于量产。该团队通过电子束反应蒸发氮等离子体辅助沉积,在锂金属阳极上涂覆了一层锂磷氧氮(LiPON)涂层。锂磷氧氮涂层可被用作一款高离子导电、化学性能稳定、坚固耐用的防护涂层,可抑制与有机电解质发生具有腐蚀性的化学反应,还能促进锂的电镀/喷涂,从而提升均匀性锂金属电芯的充放电的稳定性,不会生成锂枝晶,在电流密度为3mA/m^2时,实现900多次的电池充放电。; 关键词锂硫电池防护涂层 LIPON 使用寿命中国固体电解质相界面膜等离子体辅助沉积电子束反应蒸发; 分类号 TQ114.262 [化学工程—无机化工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能的影响	程珊华宁兆元葛水兵蒋紫松	《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD	1997	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	活性反应蒸发制备氢化非晶硅的稳态光电导和复合过程	郭亨群	《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	温度对ZnO纳米结构表面形貌和光学特性的影响	余萍熊狂炜邱东江	《华东交通大学学报》	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	三元金属氧化物透明导电薄膜的制备及特性	张治国	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氧化锌掺钴薄膜铁磁特性的研究	余萍	《华东交通大学学报》	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	Sn_(1-x)(In_(1-y)Cu_y)_xO薄膜的合成	郭玲玲郑光裕张治国	《物理实验》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	用离子束溅射法沉积铝掺杂氧化锌薄膜	邸建华	《液晶与显示》 CAS CSCD	1989	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	中国团队设计LiPON涂层提升锂硫电池使用寿命		《汽车工程师》	2019	0	在线阅读下载PDF 职称材料