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反应离子刻蚀加工工艺技术的研究 被引量：18
1
作者 来五星 廖广兰 +1 位作者 史铁林 杨叔子 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期414-417,共4页
反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺... 反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施。 展开更多
关键词 微机电系统 工艺 反应离子刻蚀
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SF_6/O_2/CHF_3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究 被引量：7
2
作者 周宏 赖建军 +3 位作者 赵悦 柯才军 张坤 易新建 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期28-31,共4页
采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择... 采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比
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反应离子刻蚀和自组装分子膜构建硅基底疏水与超疏水表面 被引量：5
3
作者 连峰 张会臣 +1 位作者 邹赫麟 庞连云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2833-2837,共5页
采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列,采用自组装技术分别制备了3种硅烷自组装分子膜.结果表明,采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整,其直径为5μm,高度为10μm,间距为15～45μm.沉积自组装分子膜后,... 采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列,采用自组装技术分别制备了3种硅烷自组装分子膜.结果表明,采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整,其直径为5μm,高度为10μm,间距为15～45μm.沉积自组装分子膜后,试样表面的水接触角显著增大,其中沉积1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷(FDTS)自组装分子膜接触角最大,1H,1H,2H,2H-全氟辛烷基三氯硅烷(FOTS)次之,三氯十八硅烷(OTS)最小.测得的接触角大于150°时接近Cassie方程计算的接触角,而小于150°时接近Wenzel方程计算的接触角.改变圆柱阵列的间距和选择不同的自组装分子膜,可以控制表面接触角的大小.原子力显微镜(AFM)观测结果显示,沉积自组装分子膜可以产生纳米级的团簇.由微米级圆柱阵列和纳米级自组装分子膜构成的表面结构使Si试样表面接触角最大可达156.0°. 展开更多
关键词 超疏水 接触角 反应离子刻蚀 自组装分子膜
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基于线算法的ICP深反应离子刻蚀模型 被引量：3
4
作者 张鉴 何晓雄 +1 位作者 刘成岳 戚昊琛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期481-485,共5页
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现... 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀是目前集成电路与微机电系统制造的关键工艺之一。利用一种改进的复合交替深刻蚀(TMDE)模型对ICP深反应离子刻蚀(Deep-RIE)进行了工艺仿真建模。根据深反应离子刻蚀中Footing效应的实验特征,提出了针对这一现象的表面描述方程,并借助实验手段确定了该表面描述方程中的参数,从而为模型添加了一种简单有效的Footing效应模拟模块。最后对Deep-RIE和Footing效应刻蚀表面进行模拟,验证了模型的有效性和可用性。 展开更多
关键词 深反应离子刻蚀 ICP 线算法 Footing效应 模型
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栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究 被引量：3
5
作者 姜晓辉 田宗民 +9 位作者 李田生 张家祥 王亮 沈奇雨 崔玉琳 侯学成 郭建 陈旭 谢振宇 闵泰烨 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期278-281,共4页
为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反... 为了适应薄膜晶体管液晶显示器窄边框化以及面板布线精细化的趋势,以及利用较少光刻次数生产出高品质的产品,本文研究了利用反应离子刻蚀栅绝缘层过孔。介绍了栅绝缘层过孔刻蚀的原理,通过实验以及测试研究与分析了刻蚀过刻量、刻蚀反应压力以及刻蚀气体比例等因素对栅绝缘层过孔刻蚀坡度角的影响。实验结果表明:当SF6气体比例为M3、反应压强为p3,制备的栅绝缘过孔坡度角较理想。 展开更多
关键词 栅绝缘层过孔 反应离子刻蚀 过刻量 气体比例
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聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光 被引量：2
6
作者 杨正 靳志伟 +3 位作者 陈建军 饶先花 尹韶云 吴鹏 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期302-308,共7页
为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合... 为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光。实验结果表明:PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75nm和13nm;PV、RMS分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm。该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路。 展开更多
关键词 抛光 聚酰亚胺 光刻胶 反应离子刻蚀
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 被引量：2
7
作者 郭立建 韩军 +3 位作者 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页
通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（... 通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（SF6和O2）流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤（凹陷坑和锥形坑）。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0～50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性
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反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究 被引量：2
8
作者 温涛 张影 +1 位作者 肖钰 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期622-624,共3页
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的。
关键词 反应离子刻蚀 INSB 刻蚀损伤 I-V曲线
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锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备 被引量：1
9
作者 李阳平 陈海波 +4 位作者 刘正堂 武倩 郑倩 张淼 徐启远 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期76-80,共5页
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对... 为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构. 展开更多
关键词 锗 光刻 反应离子刻蚀 亚波长结构 掩模
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硅传感器反应离子刻蚀的观察 被引量：3
10
作者 唐圣明 陈思琴 熊幸果 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期583-584,共2页
关键词 硅传感器 反应离子刻蚀 微电子技术
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类金刚石薄膜的反应离子刻蚀 被引量：1
11
作者 吴卫东 陆晓曼 +4 位作者 张继成 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期570-574,共5页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明... 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 电子回旋共振微波反应等离子体 类金刚石薄膜 微齿轮
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耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究 被引量：1
12
作者 金桂林 金晓英 +2 位作者 施善定 蔡根寿 黄均文 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期65-69,共5页
以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反... 以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀（ＲＩＥ）。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 光致抗蚀剂 微电子学
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等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究 被引量：1
13
作者 苏毅 谭淞生 +3 位作者 孙承龙 陈良尧 王渭源 钱佑华 《传感技术学报》 CAS CSCD 1994年第2期36-41,共6页
在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体... 在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体中的添加剂成份有关,添加20%Ar时A最大值为5.4;添加20%C_2F_5Cl时,A值可高达10以上.在RIE中,CF_4和NF_3,的刻蚀均匀性优于SF_6,最佳刻蚀均匀性平均值优于5%,添加剂对刻蚀均匀性没有明显的影响.而PE显示各向同性的刻蚀特征,均匀性约为16.5%.并对各向异性及均匀性的起因作了解释. 展开更多
关键词 硅 反应离子刻蚀 等离子体刻蚀
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反应离子刻蚀工艺中的充电效应 被引量：2
14
作者 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期81-83,67,共4页
本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .
关键词 反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应
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PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
15
作者 束平 王姝娅 +5 位作者 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第3期464-466,471,共4页
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量... 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6∶Ar为20∶5)时刻蚀效果最优。利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流。 展开更多
关键词 PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容
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应用反应离子刻蚀技术的静电纺纳米纤维阵列制备
16
作者 常梦洁 刘俊 +1 位作者 王花 李会录 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期1-5,共5页
为开发一种简便、高效制备功能纳米纤维阵列的方法,结合静电纺丝和反应离子刻蚀技术制备了有序纳米纤维阵列。研究了纤维膜厚度、掩膜尺寸对形成纤维阵列微结构的影响,初步考察了纤维阵列作为细胞培养基底的生物相容性。研究结果表明:... 为开发一种简便、高效制备功能纳米纤维阵列的方法,结合静电纺丝和反应离子刻蚀技术制备了有序纳米纤维阵列。研究了纤维膜厚度、掩膜尺寸对形成纤维阵列微结构的影响,初步考察了纤维阵列作为细胞培养基底的生物相容性。研究结果表明:以铜网为掩膜,用氧等离子体刻蚀聚苯乙烯纳米纤维膜,制备了有序的纳米纤维阵列;纤维阵列的结构和尺寸可调,当刻蚀经30 min和120 min静电纺丝制备的纤维膜时,分别形成了二维有序网格阵列和三维鸟巢结构;在形成的三维纤维结构上培养成纤维细胞(NIH3T3)发现,细胞在三维纤维基底上容易贴壁、生长,纤维阵列具有高的生物相容性。 展开更多
关键词 静电纺丝 纳米纤维 反应离子刻蚀 纤维阵列
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HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
17
作者 刘家璐 张廷庆 +1 位作者 王清平 叶兴耀 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期76-78,共3页
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以... 采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析． 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅深槽 溴化氢 集成电路工艺
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反应离子刻蚀制备石墨烯纳米盘阵列
18
作者 李浩 付志兵 +3 位作者 王红斌 易勇 黄维 张继成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期94-97,104,共5页
采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO_2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增... 采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO_2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增加,PS微球的会被逐渐刻蚀掉,石墨烯也会在这个过程中随着被刻蚀。将残留的PS微球杂质去掉后,会在SiO_2/Si基底上呈现出排列规整的石墨烯纳米盘阵列。通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱对石墨烯纳米盘及其形成过程进行表征和分析,为后续制备高质量石墨烯纳米带、石墨烯纳米点、石墨烯纳米盘提供参考。 展开更多
关键词 石墨烯 化学气相沉积 PS微球 反应离子刻蚀 石墨烯纳米盘阵列
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BST薄膜的反应离子刻蚀研究
19
作者 史鹏 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期64-66,共3页
钙钛矿结构的钛酸锶钡(BST)薄膜作为优良的介电、铁电材料在新一代的微机械系统(MEMS)、动态存储器(DRAM)及其他器件上的广泛应用,使得BST薄膜的刻蚀特性越来越重要。该文利用反应离子刻蚀装置,研究了溶胶-凝胶工艺制备的钛酸锶钡薄膜在... 钙钛矿结构的钛酸锶钡(BST)薄膜作为优良的介电、铁电材料在新一代的微机械系统(MEMS)、动态存储器(DRAM)及其他器件上的广泛应用,使得BST薄膜的刻蚀特性越来越重要。该文利用反应离子刻蚀装置,研究了溶胶-凝胶工艺制备的钛酸锶钡薄膜在CHF3/Ar等离子气体中的刻蚀情况。通过分析刻蚀速率及薄膜刻蚀前后表面形貌的变化,结果表明,刻蚀过程是离子轰击、离子辅助化学反应和化学反应刻蚀共同作用的结果。刻蚀速率为5.1 nm/min。Sr元素较难去除,成为阻碍刻蚀的重要因素。 展开更多
关键词 钛酸锶钡(BST) 薄膜 反应离子刻蚀 CHF3
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一种简单多极磁约束的反应离子刻蚀装置的研究
20
作者 黄光周 于继荣 赖国燕 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第8期97-101,共5页
本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ... 本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ（－３），电子温度为１．９～４．１ｅＶ，等离子体电位１０—５０Ｖ，有磁场的离子密度比没有磁场的离子密度大几个数量级。它是一种具有广泛应用前景的等离子刻蚀装置。 展开更多
关键词 等离子体装置 磁约束 反应离子刻蚀
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