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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 被引量：6
1
作者 张国栋 徐淑丽 +2 位作者 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期948-951,共4页
利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损... 利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。 展开更多
关键词 INSB 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线
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深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构
2
作者 叶伟 崔立堃 +1 位作者 王旭飞 方坤 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期570-573,共4页
采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层S... 采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析和EDS能谱分析。研究结果表明,采用铝膜作为掩蔽层能够对擒纵机构的表面和断面起到很好的保护作用,擒纵机构获得优良的表面质量,且在刻蚀窗口宽度为75μm时,获得最优的擒纵机构零件。 展开更多
关键词 单晶硅 深度等离子体反应刻蚀 擒纵机构 微机械加工 光刻
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反应离子刻蚀加工工艺技术的研究 被引量：18
3
作者 来五星 廖广兰 +1 位作者 史铁林 杨叔子 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期414-417,共4页
反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺... 反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低,只能进行各向异性刻蚀,刻蚀特征尺寸小于3μm,无危险化学试剂,但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理,探讨了聚酰亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方,研究了RIE草地现象形成机理,给出了避免草地现象的工艺措施。 展开更多
关键词 微机电系统 工艺 反应离子刻蚀
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SF_6/O_2/CHF_3混合气体对硅材料的反应离子刻蚀研究 被引量：7
4
作者 周宏 赖建军 +3 位作者 赵悦 柯才军 张坤 易新建 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期28-31,共4页
采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择... 采用统计实验方法研究了利用SF6/O2/CHF3混合气体产生的等离子体进行硅的反应离子刻蚀技术。为了优化刻蚀条件,将刻蚀速率和选择比表示为SF6、O2、CHF3各自的流量以及气压和射频功率的函数。文中讨论了各种变量的变化对刻蚀速率和选择比的影响以及刻蚀机理,证实了加入CHF3可以显著地减小表面粗糙的结论。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅 刻蚀速率 选择比
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氮化硅的反应离子刻蚀研究 被引量：10
5
作者 苟君 吴志明 +1 位作者 太惠玲 袁凯 《电子器件》 CAS 2009年第5期864-866,870,共4页
采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为... 采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比,比较刻蚀结果,最终获得了刻蚀速率为119nm/min,均匀性为0.6%,对光刻胶选择比为3.62的刻蚀氮化硅的优化工艺。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 氮化硅 刻蚀气体 优化
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反应离子刻蚀和自组装分子膜构建硅基底疏水与超疏水表面 被引量：5
6
作者 连峰 张会臣 +1 位作者 邹赫麟 庞连云 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2833-2837,共5页
采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列,采用自组装技术分别制备了3种硅烷自组装分子膜.结果表明,采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整,其直径为5μm,高度为10μm,间距为15～45μm.沉积自组装分子膜后,... 采用反应离子刻蚀技术在Si(100)表面加工微米级圆柱阵列,采用自组装技术分别制备了3种硅烷自组装分子膜.结果表明,采用反应离子刻蚀构建出的4种微米级圆柱阵列结构规整,其直径为5μm,高度为10μm,间距为15～45μm.沉积自组装分子膜后,试样表面的水接触角显著增大,其中沉积1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷(FDTS)自组装分子膜接触角最大,1H,1H,2H,2H-全氟辛烷基三氯硅烷(FOTS)次之,三氯十八硅烷(OTS)最小.测得的接触角大于150°时接近Cassie方程计算的接触角,而小于150°时接近Wenzel方程计算的接触角.改变圆柱阵列的间距和选择不同的自组装分子膜,可以控制表面接触角的大小.原子力显微镜(AFM)观测结果显示,沉积自组装分子膜可以产生纳米级的团簇.由微米级圆柱阵列和纳米级自组装分子膜构成的表面结构使Si试样表面接触角最大可达156.0°. 展开更多
关键词 超疏水 接触角 反应离子刻蚀 自组装分子膜
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硅的反应离子刻蚀工艺参数研究 被引量：9
7
作者 葛益娴 王鸣 戎华 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2006年第3期79-82,共4页
对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超... 对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 优化工艺参数
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反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究 被引量：2
8
作者 温涛 张影 +1 位作者 肖钰 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期622-624,共3页
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的。
关键词 反应离子刻蚀 INSB 刻蚀损伤 I-V曲线
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锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备 被引量：1
9
作者 李阳平 陈海波 +4 位作者 刘正堂 武倩 郑倩 张淼 徐启远 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期76-80,共5页
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对... 为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构. 展开更多
关键词 锗 光刻 反应离子刻蚀 亚波长结构 掩模
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 被引量：2
10
作者 郭立建 韩军 +3 位作者 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页
通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（... 通过反应离子刻蚀（RIE）系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体（SF6和O2）流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤（凹陷坑和锥形坑）。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0～50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(RIE) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性
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硅传感器反应离子刻蚀的观察 被引量：3
11
作者 唐圣明 陈思琴 熊幸果 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期583-584,共2页
关键词 硅传感器 反应离子刻蚀 微电子技术
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有机玻璃的反应离子深刻蚀 被引量：1
12
作者 张丛春 杨春生 +2 位作者 丁桂甫 毛海平 倪智萍 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期118-121,共4页
以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压... 以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 有机玻璃 微结构 微机电系统
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耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究 被引量：1
13
作者 金桂林 金晓英 +2 位作者 施善定 蔡根寿 黄均文 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期65-69,共5页
以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反... 以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀（ＲＩＥ）。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 光致抗蚀剂 微电子学
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多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀 被引量：2
14
作者 王大海 李轶华 +5 位作者 孙艳 吴渊 陈国军 付国柱 荆海 万春明 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第1期59-64,共6页
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到
关键词 多晶硅薄膜晶体管 反应性离子刻蚀 刻蚀速率 选择比 工艺 有源矩阵 液晶显示器
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反应离子刻蚀工艺中的充电效应 被引量：1
15
作者 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期81-83,67,共4页
本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .
关键词 反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应
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4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究 被引量：5
16
作者 柏松 韩春林 陈刚 《电子工业专用设备》 2005年第11期59-61,共3页
对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善... 对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。 展开更多
关键词 4H-SIC MESFET 反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒
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二氧化硅的反应离子刻蚀 被引量：4
17
作者 郝慧娟 张玉林 卢文娟 《电子工业专用设备》 2005年第7期48-51,共4页
对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率... 对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线。实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值。再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降。随着气体流量的增加,刻蚀速度不断降低。 展开更多
关键词 电子束曝光 反应离子刻蚀 RF功率
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金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究 被引量：2
18
作者 赵飞 党元兰 《电子工艺技术》 2012年第1期53-56,共4页
采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影... 采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和选择比的方法。 展开更多
关键词 金薄膜 反应离子刻蚀 刻蚀速率
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PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
19
作者 束平 王姝娅 +5 位作者 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第3期464-466,471,共4页
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量... 介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6∶Ar为20∶5)时刻蚀效果最优。利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流。 展开更多
关键词 PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容
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应用反应离子刻蚀技术的静电纺纳米纤维阵列制备
20
作者 常梦洁 刘俊 +1 位作者 王花 李会录 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期1-5,共5页
为开发一种简便、高效制备功能纳米纤维阵列的方法,结合静电纺丝和反应离子刻蚀技术制备了有序纳米纤维阵列。研究了纤维膜厚度、掩膜尺寸对形成纤维阵列微结构的影响,初步考察了纤维阵列作为细胞培养基底的生物相容性。研究结果表明:... 为开发一种简便、高效制备功能纳米纤维阵列的方法,结合静电纺丝和反应离子刻蚀技术制备了有序纳米纤维阵列。研究了纤维膜厚度、掩膜尺寸对形成纤维阵列微结构的影响,初步考察了纤维阵列作为细胞培养基底的生物相容性。研究结果表明:以铜网为掩膜,用氧等离子体刻蚀聚苯乙烯纳米纤维膜,制备了有序的纳米纤维阵列;纤维阵列的结构和尺寸可调,当刻蚀经30 min和120 min静电纺丝制备的纤维膜时,分别形成了二维有序网格阵列和三维鸟巢结构;在形成的三维纤维结构上培养成纤维细胞(NIH3T3)发现,细胞在三维纤维基底上容易贴壁、生长,纤维阵列具有高的生物相容性。 展开更多
关键词 静电纺丝 纳米纤维 反应离子刻蚀 纤维阵列
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