GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响 被引量：1

1

作者 梁海莲 董树荣 +2 位作者 顾晓峰 李明亮 韩雁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页

栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar... 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。 展开更多

关键词 栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管 静电放电 双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺 叉指 金属布线 失效电流

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一种用于数模转换器的电流-电压转换电路 被引量：2

2

作者 崔福良 黄林 +1 位作者 朱臻 洪志良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期493-497,共5页

介绍了一种用于数模转换器的电流 电压转换电路。在数模转换器的负载电阻片内集成的情况下 ,利用文中提出的电流 电压转换电路 ,数模转换器实现了要求的宽摆幅电平输出 (全“0”输入时 ,输出低电平 - 3V ;全“1”输入时 ,输出高电平 3... 介绍了一种用于数模转换器的电流 电压转换电路。在数模转换器的负载电阻片内集成的情况下 ,利用文中提出的电流 电压转换电路 ,数模转换器实现了要求的宽摆幅电平输出 (全“0”输入时 ,输出低电平 - 3V ;全“1”输入时 ,输出高电平 3 5V)。整个数模转换器电路用 1 2 μm双层金属双层多晶硅n阱CMOS工艺实现。其积分非线性误差为 0 4 5个最低有效位 (LSB) ,微分非线性误差为 0 2LSB ,满摆幅输出的建立时间小于 1μs。该数模转换器使用± 5V电源 ,功耗约为 30mW ,电路芯片面积为 0 4 2mm2 。 展开更多

关键词 数模转换器 电流一电压转换电路 互补金属-氧化物-半导体

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基于∑-ΔADC的低功耗运算放大器设计 被引量：2

3

作者 艾万朋 黄鲁 王建设 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期433-435,共3页

介绍了一种用于∑-ΔADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5μW,适... 介绍了一种用于∑-ΔADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5μW,适用于∑-ΔADC。 展开更多

关键词 ∑-△模数转换器 互补金属氧化物半导体 运算放大器 折叠-共源共栅

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一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

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作者 韩成功 郭清 +3 位作者 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。 展开更多

关键词 高压P沟道金属氧化物场效应晶体管 半导体工艺及器件模拟工具 等离子扫描驱动芯片 双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺

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欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术 被引量：1

5

《集成电路应用》 2016年第3期44-44,共1页

欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的... 欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。 展开更多

关键词 CMOS技术 Ⅲ-Ⅴ族 欧盟 互补金属氧化物半导体 技术整合 纳米半导体 规格要求 雷达系统

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沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究

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作者 雷海波 王飞 肖胜安 《集成电路应用》 2013年第11期20-24,共5页

本文分析了沟槽栅功率器件中对栅氧化膜特性造成影响的主要工艺因素,报告了一种获得高性能栅氧特性的方法,并且对栅氧化膜特性改善的机理进行了研究。对于厚度55nm的沟槽栅氧化膜,其正向偏置和反向偏置下的击穿电压都高于30伏特。

关键词 沟槽 VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管) 栅氧化膜特性

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GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战 被引量：2

7

作者 张彤 刘树强 +3 位作者 何亮 成绍恒 李柳暗 敖金平 《电子与封装》 2023年第1期1-10,共10页

氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。... 氮化镓(GaN)基异质结场效应晶体管具有工作频率高、导通损耗低等优点,已经开始广泛应用在多种高频、高效功率转换器中。为了充分发挥GaN功率器件的潜能,需要将功率开关器件和控制器、驱动等外围电路进行全GaN单片集成以减少寄生参数。互补型逻辑电路是实现集成的关键元电路之一,但其研究起步较晚。介绍了n沟道和p沟道GaN增强型器件的制备方案及互补逻辑电路的研究进展。从电学性能匹配性及稳定性出发探讨了现有互补型逻辑电路面临的关键科学问题,可以为GaN基互补型逻辑电路的研究提供参考。 展开更多

关键词 GAN 功率集成电路 增强型器件 互补金属-氧化物-半导体 逻辑电路 稳定性

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阀控密封铅酸蓄电池充电控制集成电路设计 被引量：4

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作者 赵梦恋 吴晓波 +2 位作者 汤俊斐 张毅 严晓浪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1606-1610,共5页

为提高阀控密封铅酸(VRLA)蓄电池的充电效率和长期运行的可靠性与安全性,设计了一种智能型阀控密封铅酸蓄电池充电控制芯片,该芯片可控制充电电路实现4种不同模式的充电过程,在微处理器的支持下针对不同应用场合的需要进行编程,交替使用... 为提高阀控密封铅酸(VRLA)蓄电池的充电效率和长期运行的可靠性与安全性,设计了一种智能型阀控密封铅酸蓄电池充电控制芯片,该芯片可控制充电电路实现4种不同模式的充电过程,在微处理器的支持下针对不同应用场合的需要进行编程,交替使用4种模式对蓄电池进行充电,使充电效率及电池组的可靠性与安全性达到最佳化;此外该芯片内部设置了电源的欠压锁定、低电压的监测以及过流保护功能,该芯片已在1.5μm 50 V双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体(BCD)工艺下设计完成.测试结果表明,芯片工作正常,预期的全部充电控制功能均已实现. 展开更多

关键词 阀控密封铅酸蓄电池 涓流充电 大电流充电 恒压充电 双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半 导体工艺(BCD工艺)

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宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计 被引量：5

9

作者 冯耀兰 魏同立 +2 位作者 张海鹏 宋安飞 罗岚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期258-264,共7页

在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相... 在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。 展开更多

关键词 集成电路 体硅 宽温区 互补金属-氧化物-半导体倒相器 优化设计

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三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门 被引量：5

10

作者 成立 王振宇 +1 位作者 张兵 武小红 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期166-170,共5页

采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快... 采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快约5倍。功耗在60MHz下仅高出约2．2～3．7mW．而延迟一功耗积却比该常用的CMOS三态门平均降低了38．1％，因此它们特别适用于低压、高速、低功耗的数字系统。 展开更多

关键词 超大规模集成电路 双极互补金属氧化物半导体器件 三态逻辑门电路 数字逻辑单元 延迟-功耗积

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基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片 被引量：1

11

作者 黄伟 胡南中 +1 位作者 李海鸥 于宗光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页

本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺... 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现. 展开更多

关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光 自提取结终端 高低 侧全桥驱动

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基于时序特征的CMOS施密特电路开关级设计 被引量：2

12

作者 汪鹏君 吴训威 夏银水 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期100-103,126,共5页

根据施密特电路对输入信号具有二种检测阈值的工作特点 ,提出了施密特电路与用作存贮元件的触发器之间具有相同的时序特征。利用时序电路的设计方法 ,系统地研究了传统的 CMOS施密特电路的各种设计 ,并发现了一些新的设计方案。

关键词 施密特电路 时序特征 开头级设计 互补对称式金属-氧化物-半导体电路

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高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究 被引量：1

13

作者 冯耀兰 宋安飞 +1 位作者 樊路嘉 张正璠 《电子器件》 CAS 2002年第4期324-326,共3页

本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )

关键词 高温SOI CMOS倒相器 互补金属-氧化物-半导体倒相器 瞬态特性 宽温区

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集成CMOS环形振荡器频漂补偿的实现 被引量：1

14

作者 曹新亮 余宁梅 杨喆 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期489-493,共5页

为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器（VCO）进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移。测试结果表明：CMOS环形振荡器输出频... 为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器（VCO）进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移。测试结果表明：CMOS环形振荡器输出频率为3.55 GHz,在温度区间-20~80°C内最差稳定度为2.45%,优于2.5%,达到射频识别系统中对频率稳定度的要求。 展开更多

关键词 互补型金属氧化物半导体环形振荡器 频漂补偿 频率-电压变换

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一种200V/100A VDMOS器件开发 被引量：1

15

作者 焦世龙 翁长羽 晋虎 《电子与封装》 2010年第7期20-23,共4页

分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据... 分析了功率MOSFET最大额定电流与导通电阻的关系,讨论了平面型中压大电流VDMOS器件设计中导通电阻、面积和开关损耗的折衷考虑,提出了圆弧形沟道布局以增大沟道宽度,以及栅氧下部分非沟道区域采用局域氧化技术以减小栅电容的方法,并据此设计了一种元胞结构。详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P阱推进等。流水所得VDMOS实测结果表明,该器件反向击穿特性良好,栅氧耐压达到本征击穿,阈值电压2.8V,导通电阻仅25mΩ,器件综合性能良好。 展开更多

关键词 功率器件 垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 元胞

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利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

16

作者 程新红 宋朝瑞 +2 位作者 俞跃辉 袁凯 许仲德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期523-525,共3页

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明... 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm。当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA。电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件。 展开更多

关键词 硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体

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一种便携式VDMOS单粒子试验测试系统

17

作者 魏亚峰 滕丽 +1 位作者 温显超 俞宙 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第5期816-819,824,共5页

设计了一种在线测试系统,用于监测垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件在单粒子试验中的单粒子效应。简述了实验原理,从偏置设计与波形获取及仪器控制与远程监测多个方面详细论述了测试系统的硬件结构;给出了软件的设... 设计了一种在线测试系统,用于监测垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件在单粒子试验中的单粒子效应。简述了实验原理,从偏置设计与波形获取及仪器控制与远程监测多个方面详细论述了测试系统的硬件结构;给出了软件的设计流程及测试系统的操作界面。最后应用该自动测试系统开展了试验,结果表面该系统稳定可靠,便携易用。 展开更多

关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管 单粒子效应 单粒子烧毁 测试系统

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CMOS触发器的一种传输函数分析法

18

作者 姜文彬 姜恩华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期526-530,共5页

触发器是构成时序逻辑电路的存储单元和核心部件。利用开关级设计的CMOS传输函数理论和信号流图,讨论了CMOS主从D触发器的工作原理;提出了CMOS触发器的一种传输函数分析法,并给出了应用实例。可以看出,这种方法对于CMOS触发器电路分析... 触发器是构成时序逻辑电路的存储单元和核心部件。利用开关级设计的CMOS传输函数理论和信号流图,讨论了CMOS主从D触发器的工作原理;提出了CMOS触发器的一种传输函数分析法,并给出了应用实例。可以看出,这种方法对于CMOS触发器电路分析和设计是有效且方便的。 展开更多

关键词 触发器 互补金属-氧化物半导体电路 传输函数 信号流图 开关级设计

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基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器

19

作者 崔博华 李一虎 熊永忠 《太赫兹科学与电子信息学报》 2015年第6期849-852,共4页

基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的... 基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz,-5.5dB@168GHz和-5dB@324GHz。 展开更多

关键词 滤波器 太赫兹 硅锗双极-互补金属氧化物半导体 衬底集成波导

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一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计 被引量：5

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作者 王鹏 徐青 +1 位作者 杭丽 付晓君 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共5页

在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的... 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。 展开更多

关键词 抗辐射加固 金属氧化物半导体场效应管驱动器 高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺

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