基于∑-ΔADC的低功耗运算放大器设计 被引量：2

1

作者 艾万朋 黄鲁 王建设 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期433-435,共3页

介绍了一种用于∑-ΔADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5μW,适... 介绍了一种用于∑-ΔADC的低功耗运算放大器电路。该电路采用全差分折叠-共源共栅结构,采用0.35μm CMOS工艺实现,工作于3 V电源电压。仿真结果表明,该电路的动态范围为80 dB、直流增益68 dB、单位增益带宽6.8 MHz、功耗仅为87.5μW,适用于∑-ΔADC。 展开更多

关键词 ∑-△模数转换器 互补金属氧化物半导体 运算放大器 折叠-共源共栅

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阀控密封铅酸蓄电池充电控制集成电路设计 被引量：4

2

作者 赵梦恋 吴晓波 +2 位作者 汤俊斐 张毅 严晓浪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1606-1610,共5页

为提高阀控密封铅酸(VRLA)蓄电池的充电效率和长期运行的可靠性与安全性,设计了一种智能型阀控密封铅酸蓄电池充电控制芯片,该芯片可控制充电电路实现4种不同模式的充电过程,在微处理器的支持下针对不同应用场合的需要进行编程,交替使用... 为提高阀控密封铅酸(VRLA)蓄电池的充电效率和长期运行的可靠性与安全性,设计了一种智能型阀控密封铅酸蓄电池充电控制芯片,该芯片可控制充电电路实现4种不同模式的充电过程,在微处理器的支持下针对不同应用场合的需要进行编程,交替使用4种模式对蓄电池进行充电,使充电效率及电池组的可靠性与安全性达到最佳化;此外该芯片内部设置了电源的欠压锁定、低电压的监测以及过流保护功能,该芯片已在1.5μm 50 V双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半导体(BCD)工艺下设计完成.测试结果表明,芯片工作正常,预期的全部充电控制功能均已实现. 展开更多

关键词 阀控密封铅酸蓄电池 涓流充电 大电流充电 恒压充电 双极型-互补金属氧化半导体-双扩散金属氧化半 导体工艺(BCD工艺)

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高速低耗BiCMOS OC门及其线与逻辑系统 被引量：7

3

作者 成立 朱漪云 +2 位作者 王振宇 刘星桥 祝俊 《江苏大学学报（自然科学版）》 EI CAS 北大核心 2007年第2期156-159,共4页

为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电... 为了满足高速度、低功耗数字逻辑系统的应用需求,运用改进电路内部结构和优化选取器件参数的方法,设计了4种双极互补金属氧化物半导体集电极开路(BiCMOS OC)门,并且用它们构成了线与逻辑系统;藉助两个BiCMOS OC门线与系统推导出其上拉电阻RL的计算式;对所设计的4种BiCMOS OC门和一种传统的TTL OC门线与系统进行了仿真试验和硬件电路试验.长工验数据和分析结果表明,所设计的BiCMOS OC门线与系统的电源电压均可为2.6-4.0V,工作速度与TTL OC门线与系统相接近,在60 MHz测试条件下它们的功耗比TTL OC门减少4.77-5.68 mW,且它们的延迟-功耗积平均降低了45.5%. 展开更多

关键词 数字系统 双极互补金属氧化物半导体 开集门 线与逻辑系统 延迟-功耗积

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集成CMOS温度传感器设计、实现和测试 被引量：7

4

作者 曹新亮 余宁梅 卫秦啸 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期38-42,共5页

基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以CadenceSpectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿... 基于MOS管的阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,设计了一种与CMOS工艺兼容的集成温度传感器。该温度传感器选用charted0.35μm工艺库,以Cadence进行电路图、版图设计,并以CadenceSpectre工具进行仿真,最后经流片、测试,实测与仿真对比结果显示:温度在25～105℃之间变化时,输出频率的变化范围为10.19～5.81MHz,且有较好的线性。此传感器对片上系统温度的监测、过热报警和振荡器频率漂移的补偿等均有重要的意义。 展开更多

关键词 互补对称金属-氧化物半导体 温度传感器 频率 测试 分析

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基于机器视觉的陶瓷基板检测系统 被引量：5

5

作者 杨立娜 单越康 《机电工程》 CAS 2009年第3期50-52,共3页

为了设计陶瓷基板视觉检测系统,首先采用互补金属-氧化物半导体(CMOS)图像传感器采集陶瓷基板的图像信号,通过光学成像和照明系统优化设计来提高像质,然后运用图像预处理和亚像素算法来提高边缘的检测精度,最后建立并分析了机器视觉检... 为了设计陶瓷基板视觉检测系统,首先采用互补金属-氧化物半导体(CMOS)图像传感器采集陶瓷基板的图像信号,通过光学成像和照明系统优化设计来提高像质,然后运用图像预处理和亚像素算法来提高边缘的检测精度,最后建立并分析了机器视觉检测系统尺寸及形位误差数学模型,实现了对陶瓷基板长度、宽度参数的测量。实验结果表明,该系统较好地提高了视觉检测系统的精度,并得到了较为准确的结果。 展开更多

关键词 机器视觉 陶瓷基板 互补金属-氧化物半导体 亚像素算法

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基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片 被引量：1

6

作者 黄伟 胡南中 +1 位作者 李海鸥 于宗光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页

本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺... 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现. 展开更多

关键词 BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光 自提取结终端 高低 侧全桥驱动

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利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

7

作者 程新红 宋朝瑞 +2 位作者 俞跃辉 袁凯 许仲德 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期523-525,共3页

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明... 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOXSOI片上制备了LDMOS结构的功率器件。器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm。当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA。电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件。 展开更多

关键词 硅-绝缘体 体连接 横向双扩散金属氧化物半导体

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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 被引量：1

8

作者 李飞 刘英坤 +2 位作者 邓建国 胡顺欣 孙艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期199-202,共4页

在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的... 在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。 展开更多

关键词 射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅漏电容 栅屏蔽层 台栅结构 屏蔽栅结构

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紫外CMOS/可见光CCD相机信息融合技术研究

9

作者 钱炜峰 尹达一 +2 位作者 黄星 黄小仙 李玉敏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第12期141-144,共4页

紫外CMOS/可见光CCD相机在海洋污染监测、大气臭氧探测方面具有十分重要的实用价值,相机研发的重点之一在于将相机内的紫外通道CMOS与可见光CCD通道的光电信息进行有效融合。对于获取高质量的图像信息具有十分重要的意义。通过对紫外CM... 紫外CMOS/可见光CCD相机在海洋污染监测、大气臭氧探测方面具有十分重要的实用价值,相机研发的重点之一在于将相机内的紫外通道CMOS与可见光CCD通道的光电信息进行有效融合。对于获取高质量的图像信息具有十分重要的意义。通过对紫外CMOS/可见光CCD相机中3个通道探测器驱动时序与图像数据流程的合理设计,采用FPGA和Verilog作为硬件和软件平台,实现了相机多通道信息融合的目的。通过外景成像实验,获得了细节清晰、层次丰富完整的紫外和可见光融合图像,验证了此技术在相机中应用的可行性。 展开更多

关键词 紫外 互补金属-氧化物-半导体 电荷耦合器件 信息融合 现场可编程门阵列

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用于塑料光纤通信的空间调制光电探测器

10

作者 刘娜 谢生 +2 位作者 郭增笑 毛陆虹 张世林 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2013年第11期30-33,共4页

基于UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流程,设计了一种全差分输出的空间调制光电探测器(SMPD)。利用商用器件仿真器ATLAS建立了器件模型,对N-well宽度和间距进行了优化。基于优化的器件结构,对SMPD的光谱响应、带宽和瞬态特性进行了二维模拟... 基于UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流程,设计了一种全差分输出的空间调制光电探测器(SMPD)。利用商用器件仿真器ATLAS建立了器件模型,对N-well宽度和间距进行了优化。基于优化的器件结构,对SMPD的光谱响应、带宽和瞬态特性进行了二维模拟。模拟结果表明,探测器在650nm处的响应度为0.23A/W,当器件有效受光面积为120μm×120μm、反偏电压为5V时,-3dB带宽约为942MHz。瞬态响应曲线表明,器件可用于1.25Gb/s数据速率的光探测。 展开更多

关键词 光电探测器 空间调制 塑料光纤 互补金属-氧化物-半导体

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基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路 被引量：6

11

作者 谢生 谷由之 +2 位作者 毛陆虹 吴思聪 高谦 《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期57-63,共7页

基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联... 基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,f F的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,d B,-3,d B带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/Hz^(1/2),芯片核心面积为720,μm×700,μm. 展开更多

关键词 光接收机 跨阻放大器 改进型Cherry-Hooper 直流偏移消除电路 锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体

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