超高真空CVD生长锗硅外延层及其双晶X射线衍射研究

1

作者 卢焕明 叶志镇 +3 位作者 黄靖云 汪雷 赵炳辉 张昊翔 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第1期61-65,共5页

利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,... 利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射线衍射技术测试了外延层 ,确定外延层的组分与晶体质量 ,并利用二次离子质谱仪进行了纵向组分分布剖析 ,利用扩展电阻仪确定外延层的电学特性。研究了锗硅应变外延层的生长特性和材料特性 ,生长速率随锗组分的增加而降低 ,以氢气为载气的硼烷对锗硅合金的生长速率有促进作用。还通过生长锗组分渐变的缓冲层 。 展开更多

关键词 双晶x射线衍射 锗 硅 应变外延层 CVD 超高真空

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用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层

2

作者 张仕国 江鉴 +2 位作者 陈立登 袁骏 张民杰 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1998年第2期188-192,共5页

以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层... 以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ．由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况． 展开更多

关键词 双晶x射线衍射 液相外延 掺杂 硅

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GaAs/GaAlAs阴极粘结工艺的X射线双晶衍射测量 被引量：1

3

作者 闫金良 向世明 《红外技术》 EI CSCD 北大核心 1998年第2期33-37,共5页

分析了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，ＧａＡｓ／... 分析了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中应力对Ｘ射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用Ｘ射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ阴极粘结工艺没有带来明显的附加应力，外延层衍射角度的展宽是由于ＧａＡｓ阴极组件窗玻璃的非晶态性所致。 展开更多

关键词 砷化镓 阴极 玻璃 x射线双晶衍射 光电子学

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x射线双晶衍射测试曲线的计算机模拟分析 被引量：1

4

作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期50-54,共5页

介绍了ｘ射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Ｐｅｎｄｅｌｓｕｎｇ现象，给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数。较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆曲线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。

关键词 x射线双晶衍射 计算机模拟分析 化合物半导体

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自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究

5

作者 刘艳美 赵宗彦 +2 位作者 杨坤堂 徐章程 韩家骅 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期862-864,共3页

用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ... 用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜。 展开更多

关键词 INAS/GAAS量子点 自组织量子点 x射线双晶衍射法 摇摆曲线 光电性质 子单层沉积法

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多层结构的X射线双晶衍射研究

6

作者 武蕴忠 许学敏 +1 位作者 王渭源 滕琴 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第3期347-351,共5页

用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向... 用Ｘ射线双晶衍射术研究了玻璃薄层－铂膜－α－Ａｌ＿２Ｏ＿３多层结构。发现不同材料的玻璃层，使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器件的测量结果表明：应力引起器件的电阻值变化；不同的应力状态，产生不同方向的附加电阻。选择适当材料的玻璃层，使热失配在铂膜内产生相反的应力，从而造成相反的附加电阻。以这种应力补偿方法提高了薄膜铂电阻的可靠性。 展开更多

关键词 x射线双晶衍射 多层结构 薄膜 玻璃 铂膜 陶瓷

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分子束外延生长的α-Sn/lnSb薄膜的X射线双晶衍射分析

7

作者 韩效溪 倪志方 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期335-335,共1页

在分子束外延设备(MBE)中,以InSb(100)为衬底,异质外延数十层a-Sn薄膜。Sn在13.2℃有一相变点,温度升高,a-Sn将转变为β-Sn。所制备的α-Sn/InSb薄膜,热稳定可达150℃。用X射线双晶衍射仪测试了不同工艺条件下的α-Sn/InSb的回摆曲线,... 在分子束外延设备(MBE)中,以InSb(100)为衬底,异质外延数十层a-Sn薄膜。Sn在13.2℃有一相变点,温度升高,a-Sn将转变为β-Sn。所制备的α-Sn/InSb薄膜,热稳定可达150℃。用X射线双晶衍射仪测试了不同工艺条件下的α-Sn/InSb的回摆曲线,根据回摆曲线分析了α-Sn薄膜与InSb衬底之间的点阵参数变化与应力分布,并对不同温度条件下其晶格匹配情况作了比较。 展开更多

关键词 α-SnInSb薄膜 分子束外延生长 x射线双晶衍射

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用X双晶衍射法研究InGaAs／GaAs量子阱结构 被引量：2

8

作者 杨艳 薛晨阳 +1 位作者 张斌珍 张文栋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页

用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料... 用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ／Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。 展开更多

关键词 分子束外延 超晶格半导体 x射线双晶衍射

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组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响 被引量：1

9

作者 单含 李梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-71,共4页

通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条... 通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6～2.28μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV。 展开更多

关键词 GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 x射线双晶衍射 发光性质

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X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析

10

作者 马永强 武一宾 +5 位作者 杨瑞霞 李若凡 商耀辉 牛晨亮 卜夏正 王建峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1042-1044,1081,共4页

X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaA... X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。 展开更多

关键词 超晶格 分子束外延 x射线双晶衍射 相干长度

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（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍

11

作者 朱南昌 李润身 +2 位作者 陈京一 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期167-174,共8页

给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与... 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别． 展开更多

关键词 x射线双晶衍射 多量子阱 硒化镉

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4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析 被引量：3

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作者 马永强 武一宾 +5 位作者 杨瑞霞 齐国虎 李若凡 商耀辉 陈昊 牛晨亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期581-584,共4页

用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)... 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。 展开更多

关键词 x射线双晶衍射 摇摆曲线 4H-SIC 双层原子结构

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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质 被引量：4

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作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 李炳辉 魏志鹏 刘益春 申德振 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期277-282,共6页

用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。 展开更多

关键词 MGxZN1-xO P-MBE x射线双晶衍射 光致发光

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液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析 被引量：3

14

作者 李标 陈新强 +2 位作者 褚君浩 曹菊英 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期216-222,共7页

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由... 报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布． 展开更多

关键词 液相外延 x射线双晶衍射 HGCDTE 薄膜

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(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

15

作者 刘义族 于福聚 《应用科学学报》 CAS CSCD 2001年第3期261-264,共4页

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δ... 用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 . 展开更多

关键词 分子束外延法 异质结 倾斜角 x射线双晶衍射法 HgCdTe/CdTe/GaAs多层膜 失配位错 镉 汞 碲 镓 砷

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Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 被引量：3

16

作者 胡加辉 朱军山 +4 位作者 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期517-520,i0002,共5页

利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致... 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。 展开更多

关键词 氮化镓 SI(111) 金属有机化学气相沉积 双晶x射线衍射

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碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响 被引量：15

17

作者 吴刚 唐利斌 +4 位作者 马庆华 赵增林 张梅 黄晖 姬荣斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期663-667,共5页

采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延... 采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。 展开更多

关键词 x射线双晶回摆衍射法 貌相术 CdZnTe衬底 HGCDTE薄膜 液相外延 Te沉淀相

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碲锌镉晶体Zn组分的光致发光实用化研究 被引量：7

18

作者 许秀娟 折伟林 +3 位作者 周翠 沈宝玉 巩锋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期54-57,共4页

利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验总结出的Eg与Zn组分的室温计算公式,结合自主开发的Zn组分计算程序得到碲锌镉晶片上的Zn组分。所得的Z... 利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验总结出的Eg与Zn组分的室温计算公式,结合自主开发的Zn组分计算程序得到碲锌镉晶片上的Zn组分。所得的Zn组分结果用X射线双晶衍射进行验证,结果显示,室温下显微光致发光测得的Zn组分是相对准确可信的,可作为大量常规工艺测定Zn组分的有效工具,并且获得的Zn组分可成为外延碲镉汞薄膜时筛选匹配衬底的重要依据,同时还为研究和优化碲锌镉晶体生长工艺提供重要帮助。 展开更多

关键词 碲锌镉 CDZNTE Zn组分 光致发光 PL x射线双晶衍射

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ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形 被引量：3

19

作者 郑畅达 方文卿 +5 位作者 王立 莫春兰 蒲勇 戴江南 刘卫华 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期385-390,共6页

采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外... 采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。 展开更多

关键词 氧化锌 x射线双晶衍射 取向偏差 弯曲半径

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外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究 被引量：4

20

作者 李影智 邢艳辉 +3 位作者 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1084-1088,共5页

采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/... 采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) x射线双晶衍射(DCxRD) 光致荧光(PL)光谱

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