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用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料
被引量：
3
1
作者
黄子乾
李肖
+1 位作者
潘彬
张岚
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期433-435,共3页
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高...
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。
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关键词
金属有机化合物气相淀积
GaInP/GaAs
双
结
叠
层太阳
电池
隧穿结
掺杂技术
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职称材料
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
2
作者
刘伯飞
白立沙
+4 位作者
张德坤
魏长春
孙建
赵颖
张晓丹
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2181-2185,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题...
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。
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关键词
非晶硅锗薄膜太阳
电池
长波响应
锗流量梯度
双叠电池
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职称材料
题名
用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料
被引量：
3
1
作者
黄子乾
李肖
潘彬
张岚
机构
南京大学物理系
南京电子器件研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期433-435,共3页
文摘
采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。
关键词
金属有机化合物气相淀积
GaInP/GaAs
双
结
叠
层太阳
电池
隧穿结
掺杂技术
Keywords
MOVPE
GalnP/GaAs dual-junction tandem solar cell
tunnel junction
doping technique
分类号
TM914 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
2
作者
刘伯飞
白立沙
张德坤
魏长春
孙建
赵颖
张晓丹
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2181-2185,共5页
基金
国家重点基础研究(973)计划(2011CBA00706
2011CBA00707)
+3 种基金
国家高技术研究发展(863)计划(2013AA050302)
天津市科技支撑(12ZCZDGX03600)
天津市重大科技支撑计划(11TXSYGX22100)
高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039)
文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。
关键词
非晶硅锗薄膜太阳
电池
长波响应
锗流量梯度
双叠电池
Keywords
amorphous silicon germanium solar cells
long wavelength response
GeH4 flow grading
tandem solar cell
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料
黄子乾
李肖
潘彬
张岚
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
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职称材料
2
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
刘伯飞
白立沙
张德坤
魏长春
孙建
赵颖
张晓丹
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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