绝缘栅双极晶体管串联应用中暂态均压特性 被引量：1

1

作者 徐旭哲 严萍 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期186-190,共5页

采用金属球隙放电的方式模拟了负载短路时的暂态过程。通过引线自感公式计算法和电路状态分析法估算脉冲放电回路的杂散电感数值,并采用传统RCD均压网络的绝缘栅双极晶体管串联链进行各元件参数差异下的蒙特卡罗仿真分析,发现影响串联... 采用金属球隙放电的方式模拟了负载短路时的暂态过程。通过引线自感公式计算法和电路状态分析法估算脉冲放电回路的杂散电感数值,并采用传统RCD均压网络的绝缘栅双极晶体管串联链进行各元件参数差异下的蒙特卡罗仿真分析,发现影响串联链暂态均压特性的关键元件是栅极稳压二极管和动态均压电容。因此为了提高这类拓扑结构的串联链的可靠性,在筛选元件时要尤其注意栅极稳压二极管的限幅保持一致。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管串联 暂态均压 SABER仿真 蒙特卡罗分析

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550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计

2

作者 杨瑞丰 《电子产品世界》 2020年第9期73-75,79,共4页

逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的... 逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底,利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离,进而实现了完全消除电压折回现象。仿真结果显示:在几乎相同的耐压和反向导通能力下,由于更小的器件尺寸,本文提出的器件获得了更高的电流密度;本文器件的导通压降与关断损耗分别相比于传统器件降低14.4%和62.2%,实现了更好的导通压降与关断损耗的折中。 展开更多

关键词 逆导型横向绝缘栅双极晶体管 电压折回现象 绝缘体上硅 导通压降 关断损耗

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大功率压接式IGBT压装结构设计

3

作者 刘应 孙文伟 +1 位作者 曾文彬 王飞 《电子质量》 2024年第12期21-26,共6页

压接式大功率半导体器件内部存在多层接触界面,需外部压装结构在器件台面上提供额定且均匀的压力,使器件内部各层之间保持良好的电接触,以保证器件能正常工作。压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件因其内部分立并联的芯片子单元结构,对压... 压接式大功率半导体器件内部存在多层接触界面,需外部压装结构在器件台面上提供额定且均匀的压力,使器件内部各层之间保持良好的电接触,以保证器件能正常工作。压接式绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件因其内部分立并联的芯片子单元结构,对压力的均匀性提出了更高的要求。以4500 V/3000 A规格压接式IGBT模块为例,通过有限元分析对该器件的压装结构进行优化,得到了可靠均匀的压装方法。 展开更多

关键词 压接式绝缘栅双极晶体管 均匀压力 组件 有限元分析 优化设计

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压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法 被引量：2

4

作者 张冠柔 傅实 +4 位作者 彭程 李学宝 唐新灵 赵志斌 崔翔 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期393-401,共9页

压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB... 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动印制电路板(PCB)寄生参数不一致会引起瞬态过程中内部IGBT芯片栅极电压不一致,芯片不能同时开通,造成芯片的瞬态不均流。结合压接型IGBT驱动PCB结构及运行工况,建立了包含驱动源、芯片模型、驱动PCB的一体化电路模型,分析了栅极内电阻、栅射极电容以及驱动电阻对驱动电压一致性的影响。在此基础上提出了驱动PCB电感匹配、并联芯片数匹配以及集中电阻补偿的驱动PCB的调控方法,以实现对栅极电压一致性的有效调控。研究表明驱动电阻是造成芯片栅极电压不一致的主要因素。利用上述调控方法可将芯片开通时间的不均衡度由79.2%分别降低至2.86%、7.1%和7.5%,实验验证了所提出的驱动PCB调控方法的有效性。 展开更多

关键词 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT) 并联均流 栅极电压一致性 驱动印制电路板(PCB) 布线原则 调控方法

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压接式IGBT芯片的研制 被引量：9

5

作者 高明超 韩荣刚 +7 位作者 赵哿 刘江 王耀华 李立 李晓平 乔庆楠 金锐 温家良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期50-53,共4页

基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。为适用于压接封装,避免压力对MOS沟道的影响,在有源区淀积第二... 基于现有工艺平台开发了一款具有自主知识产权的3 300V/50A非穿通型(NPT)压接式IGBT芯片。该芯片元胞采用平面型结构,元胞注入采用自对准工艺,背发射极采用透明集电极技术。为适用于压接封装,避免压力对MOS沟道的影响,在有源区淀积第二层厚金属铝,并在JFET区上方用场氧垫高。终端采用场环+多级场板复合结构,结合横向的场终止技术,实现高效率的终端结构设计。将此设计进行流片验证,测试结果显示击穿电压4 200V以上,饱和压降3.75V,阈值电压7.1V,实测值和仿真值相差不大。将压接式芯片封装成3 300V/600A压接式模块,饱和压降较芯片级偏小0.05V。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 元胞 终端 压接封装

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具有宽安全工作区的压接式IGBT芯片研制 被引量：1

6

作者 王耀华 高明超 +5 位作者 刘江 冷国庆 赵哿 金锐 温家良 潘艳 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期132-135,共4页

针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低... 针对柔性直流输电关键装备高压直流断路器的特殊需求,基于现有工艺平台开发了一款宽安全工作区的3 300V/50A压接式IGBT芯片。为降低2~4 ms过电流冲击过程中的芯片温升,纵向采用非穿通结构。同时,采用阶梯栅氧结构,引入第二雪崩区,降低动态闩锁发生的风险,提高器件的安全工作区。为适用于压接封装,开发了厚金属电极工艺,实现对压力的缓冲。将此结构流片验证,并进行模块级测试,芯片可在1 800V电压下达到6.5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在20μs内安全关断,具有宽安全工作区水平。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 压接 反偏安全工作区 短路安全工作区

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ISO5500：隔离式栅极驱动器

7

《世界电子元器件》 2012年第11期29-29,共1页

德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO_2）隔离层隔开,与其光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件... 德州仪器推出一款面向绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与MOSFET的隔离式栅极驱动器,其速度比同等光学栅极驱动器快约40%。该ISO5500的输入TTL逻辑与输出功率级通过电容二氧化硅（SiO_2）隔离层隔开,与其光耦合器及磁性隔离器相比,可将器件使用寿命延长1倍。该器件与隔离电源配合使用时,可阻隔高压、隔离接地、避免噪声电流进入本地接地,干扰或损坏敏感电路系统,从而提高电子产品的安全性与可靠性。 展开更多

关键词 栅极驱动器 隔离式 绝缘栅双极型晶体管 MOSFET 德州仪器 输出功率 光耦合器 寿命延长

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压接型IGBT封装寄生参数对芯片开通过程中的均流影响分析 被引量：4

8

作者 张睿 赵志斌 +2 位作者 陈中圆 张朋 崔翔 《智能电网》 2016年第4期361-366,共6页

在压接型绝缘栅双极型晶体管(press-pack IGBT)模块内部,封装寄生参数会对芯片开通过程中的均流产生影响,找出影响较大的寄生参数并在封装设计时加以改进就显得十分必要。在分析压接型IGBT模块中封装寄生参数来源的基础上,根据有限元软... 在压接型绝缘栅双极型晶体管(press-pack IGBT)模块内部,封装寄生参数会对芯片开通过程中的均流产生影响,找出影响较大的寄生参数并在封装设计时加以改进就显得十分必要。在分析压接型IGBT模块中封装寄生参数来源的基础上,根据有限元软件对封装寄生参数的提取结果,初步建立封装电路模型。以典型的电力电子变换电路Boost电路为例进行仿真,分析压接型IGBT模块的封装寄生参数对模块内部开通过程中均流的影响。仿真结果表明,不同的寄生参数对模块内部均流特性的影响不同,初步找出影响较大的寄生参数,并为封装设计提供参考。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 压接封装 寄生参数 均流

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IGBT串联应用中动态过压的控制 被引量：4

9

作者 李勇 邵诚 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期43-47,共5页

对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压.根据控制回路的特点,设计了一种实用的反馈信号交互... 对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压.根据控制回路的特点,设计了一种实用的反馈信号交互电路,该电路可以为串联IGBT提供及时、准确的开关信号.将所提出的方法应用于交流感应电机的变频控制,结果表明,该控制方法具有较高的控制精度和较快的响应速度,可以满足实际需要,所设计的反馈交互等电路具有良好的可拓展性. 展开更多

关键词 动态过压 绝缘栅双极型晶体管 快速反馈控制 自反馈

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基于RF的光伏逆变器IGBT开路故障诊断

10

作者 张道奎 郑晓亮 《重庆科技大学学报(自然科学版)》 2025年第2期88-98,共11页

针对中性点箝位式三电平逆变器中的绝缘栅双极型晶体管双管开路故障诊断,设计了一种新型故障信号组合,其中包括逆变器侧输出三相电流、Concordia变换电流、有功功率和无功功率,并结合机器学习算法进行故障分类与识别。首先,利用Matlab中... 针对中性点箝位式三电平逆变器中的绝缘栅双极型晶体管双管开路故障诊断,设计了一种新型故障信号组合,其中包括逆变器侧输出三相电流、Concordia变换电流、有功功率和无功功率,并结合机器学习算法进行故障分类与识别。首先,利用Matlab中的Simulink工具搭建仿真模型,并设计故障模块;然后,采集逆变器输出端所需的故障信号数据;最后,通过机器学习对数据进行训练和测试。仿真实验结果表明,相较于DT、KNN和LightGBM分类器,RF分类器具有更高的准确性、更好的稳定性和更强的鲁棒性。 展开更多

关键词 中性点箝位式三电平逆变器 绝缘栅双极型晶体管 机器学习 故障诊断 RF分类器

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电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真

11

作者 李哲 胡冬青 +4 位作者 金锐 贾云鹏 谭健 周璇 赵豹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期107-113,158,共8页

针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性... 针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性等进行了仿真研究,重点研究了电荷耦合区掺杂浓度和局域载流子寿命控制区(LCLC)载流子寿命对器件性能的影响,并和普通的槽栅内透明集电极IGBT进行了对比。结果表明,在给定的参数范围内,新结构在快速关断区域折中特性曲线更好,在低导通压降区域,优势变得不太明显,因而电荷耦合内透明集电极IGBT更适合做快速关断型。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 电荷耦合 内透明集电极 导通压降 折中特性

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HDY系列逆变式恒电位仪

12

作者 牛俊邦 陈晖 《油气田地面工程》 北大核心 2003年第3期76-76,共1页

关键词 HDY系列 逆变式恒电位仪 绝缘栅双极晶体管 油气管道 储油罐 地下金属结构 外加电流 防腐蚀保护

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IGBT封装形式对结温测量精度的影响 被引量：10

13

作者 邓二平 陈杰 +3 位作者 赵雨山 赵子轩 赵志斌 黄永章 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第12期956-963,共8页

高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性。基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的... 高压大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的不同封装形式(压接型IGBT器件和焊接式IGBT模块)使其热学特性尤其是散热路径存在很大差异,最终可能会影响结温测量方法的适用性和准确性。基于有限元法建立了可表征压接型封装和焊接式封装的等效热学仿真模型,详细研究了小电流下饱和压降结温测量法的物理过程,对比分析了两种封装形式结温测量的精确度。仿真结果表明,小电流下饱和压降结温测量法存在固有测量误差的问题,在高压大功率IGBT模块中尤为突出,但是由于压接型IGBT器件双面散热的特性使芯片内部温度分布更均匀,也使结温测量的误差相对较小。 展开更多

关键词 压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 焊接式IGBT模块 结温测量方法 封装形式 测量精度

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“I”型三电平逆变器开关管不均压研究 被引量：3

14

作者 王博 郝湘路 《电子产品世界》 2016年第7期59-62,共4页

为解决"I"型三电平逆变拓扑中内、外开关管的不均压问题,在逆变拓扑开关管的控制方式及硬件电路上提出了优化的方案。开关管发波控制中,在原有的时序控制中加入开机和关机的时序逻辑,开机时保证内管先于外管开通,关机时保证... 为解决"I"型三电平逆变拓扑中内、外开关管的不均压问题,在逆变拓扑开关管的控制方式及硬件电路上提出了优化的方案。开关管发波控制中,在原有的时序控制中加入开机和关机的时序逻辑,开机时保证内管先于外管开通,关机时保证外管先于内管关断,避免内、外管承受电压不一致的情况。在硬件电路中,对内管增加阻容网络,消除了内、外管同时关断时由于其寄生参数不一致而导致的内、外管承受电压不一致的现象。实验结果表明,该方法可以彻底解决"I"型三电平拓扑中内、外管承受电压不一致的问题。 展开更多

关键词 "I"型三电平 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 内 外管 不均压

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一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构

15

作者 于佳弘 李涵悦 +3 位作者 谢刚 王柳敏 金锐 盛况 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第9期679-683,共5页

提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通... 提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通压降回跳现象至关重要。详细讨论了p型阻挡层的高度、宽度和水平位置对器件电学特性的影响。仿真结果表明,将一个传统结构的阳极短路型IGBT和一个具有高度为4μm、宽度为3μm的p型阻挡层的新型阳极短路型IGBT结构对比,在门极驱动电压为15 V的情况下,器件的正向导通压降从传统的4.60 V下降到3.95 V,关断时间从354 ns减少到305 ns。所提出的新结构能进一步有效折中IGBT器件正向压降与关断时间的矛盾关系。 展开更多

关键词 回跳现象 阳极短路绝缘栅双极型晶体管(IGBT) p型阻挡层 正向导通压降 关断时间

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矿用变频器IGBT尖峰电压抑制的协调优化方法 被引量：2

16

作者 王越 史晗 +1 位作者 荣相 蒋德智 《工矿自动化》 北大核心 2022年第12期129-136,143,共9页

目前常用优化母排结构参数、改变栅极驱动电阻、设计吸收电路等方法抑制因杂散电感引起的矿用变频器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)尖峰电压,但现有研究未揭示各方法之间的协调统一关系及协调优化准则。针对该问题,以BPJ5−630−1140型矿用... 目前常用优化母排结构参数、改变栅极驱动电阻、设计吸收电路等方法抑制因杂散电感引起的矿用变频器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)尖峰电压,但现有研究未揭示各方法之间的协调统一关系及协调优化准则。针对该问题,以BPJ5−630−1140型矿用四象限变频器为研究对象,在分析杂散电感对IGBT电−热性能影响的基础上,提出了IGBT尖峰电压抑制的协调优化方法:①分析母排结构参数、栅极驱动电阻对IGBT尖峰电压和功率损耗的影响,结果表明,随着交流母排长度增大、宽度减小,IGBT尖峰电压和功率损耗均增大;随着栅极驱动电阻增大,IGBT尖峰电压减小,功率损耗增大。②设计二极管钳位式吸收电路,通过试验验证了该电路可降低IGBT尖峰电压和功率损耗。③考虑到交流母排宽度对IGBT布局和散热性能无影响,选择栅极驱动电阻和交流母排长度为决策变量,采用BP神经网络−带精英策略的非支配排序遗传算法(BP−NSGAⅡ)实现IGBT尖峰电压、最高结温及散热器表面最高温度的多目标极值寻优。试验结果表明:在散热器表面最高温度为55~65℃、IGBT最高结温为74~80℃时,IGBT尖峰电压最小值为1861 V,相应的栅极驱动电阻为5Ω,交流母排长度为300 mm、宽度为200 mm;优化后BPJ5−630−1140型变频器IGBT尖峰电压为1856 V,较优化前的2856 V降低了35%,有效抑制了IGBT尖峰电压,提高了矿用变频器运行可靠性。 展开更多

关键词 矿用变频器 绝缘栅双极型晶体管 尖峰电压抑制 栅极驱动电阻 二极管钳位式吸收电路 BP神经网络−带精英策略的非支配排序遗传算法

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铝线键合工艺对FS-IGBT器件耐压及漏电特性的影响

17

作者 江伟 敖利波 +1 位作者 梁赛嫦 刘勇强 《现代信息科技》 2018年第12期41-43,共3页

随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双... 随着芯片制造技术的不断发展,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片厚度不断减薄,同时为了增加过电流能力,栅极沟槽密度越来越大。芯片结构的变化对封装行业提出了新的挑战,尤其是铝线键合工艺。本文主要介绍了针对沟槽型场截止结构的绝缘栅双极型晶体管(Trench-FSIGBT)的键合技术。通过多次验证实验,深入研究铝线键合工艺对器件耐压及漏电特性的影响,并得出结论:器件的可靠性可以通过键合第一焊点分布、焊线参数及焊线线径大小三个因素来改善。 展开更多

关键词 铝线键合 绝缘栅双极型晶体管 耐压 漏电

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一种适用于充电机的IGBT高频驱动电路

18

作者 艾胜胜 李康乐 +3 位作者 王雷 田地 许克磊 常超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期844-850,共7页

随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较... 随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较器高精度、良好的稳定性、灵敏性、开关等特性,设计了一款IGBT高频驱动器。比较器把接收到的驱动信号转换为两路不同的驱动信号传输至PMOS管与NMOS管,从而实现IGBT高频驱动功能。搭建实验平台,经测试IGBT高频驱动开关频率可以实现100 kHz。和传统驱动电路对比,IGBT开关频率提高了50 kHz,实现了IGBT开关频率高频化。研究成果对大功率IGBT及SiC MOSFET驱动技术的应用具有一定的参考价值。 展开更多

关键词 充电机 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高频 驱动器 欠压监测

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针对IGBT固态断路器的在线监测系统设计

19

作者 周进飞 郭鹏 高阿骥 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期178-182,共5页

针对固态断路器(SSCB)和功率半导体器件在长期工作下的系统级在线监测手段匮乏的问题,设计了绝缘栅双极晶体管(IGBT)固态断路器的在线监测系统,采用微控制器单元、测量回路以及模拟实验回路相互配合,实现了对IGBT老化状态的监测与数据... 针对固态断路器(SSCB)和功率半导体器件在长期工作下的系统级在线监测手段匮乏的问题,设计了绝缘栅双极晶体管(IGBT)固态断路器的在线监测系统,采用微控制器单元、测量回路以及模拟实验回路相互配合,实现了对IGBT老化状态的监测与数据提取。实验结果表明,该系统能够对400 V直流母线电压下的114 A故障电流进行连续重复关断,而测量回路则能够实时监测待测器件(DUT)的导通压降V_(CE,on),可监测到IGBT在循环过程中出现的导通压降升高这一老化特征,所有待测器件的V_(CE,on)均在上百次循环过程中升高了10%以上。通过扫描电子显微镜(SEM)分析可知,其键合线处的缝隙宽度增大了142.44%,实际验证了IGBT的键合线老化机理。 展开更多

关键词 固态断路器(SSCB) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 导通压降测量 在线监测 键合线老化 扫描电子显微镜(SEM)分析

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特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)

20

作者 蔡元兵 《汽车维修与保养》 2024年第3期55-57,共3页

(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的... (接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 功率半导体器件 饱和压降 开关速度 场效应管 双极型三极管 GTR 高输入阻抗

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