期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到210篇文章
< 1 2 … 11 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于纳米器件低能质子数据预测重离子单粒子翻转阈值和截面
1
作者 罗尹虹 张凤祁 +2 位作者 王坦 丁李利 江新帅 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第8期1734-1741,共8页
为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面... 为保障器件重离子单粒子效应实验数据可靠性和空间在轨单粒子错误率预估精度,本文开展了基于纳米器件低能质子单粒子效应实验数据预测器件等效硅层厚度、重离子单粒子翻转阈值和截面的方法研究。基于对纳米器件低能质子单粒子翻转截面峰上下限能量的提取,通过对应的硅中射程以及到达器件灵敏体积内质子能量、质子LET值和有效质子数占比的计算,在无需对器件进行纵切和开展重离子单粒子效应实验的情况下,即可准确获取器件灵敏体积上方等效硅层厚度、单粒子翻转LET阈值以及低LET值时器件单粒子翻转截面,基于实际的器件金属布线层信息和重离子单粒子效应实验数据验证了预测结果的准确性,在此基础上,进一步给出了基于余下射程的简化预测方法。 展开更多
关键词 低能质子 重离子 等效硅层厚度 单粒子翻转截面峰 LET阈值
在线阅读 下载PDF
多重散射对40nm SRAM和3D-SRAM单粒子翻转的影响
2
作者 罗云龙 李刚 张宇 《安徽大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第1期53-60,共8页
基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(... 基于RPP(rectangular parallelepiped)模型,利用Geant4软件包,构建了一个40 nm SRAM器件模型用于单粒子翻转效应模拟,通过Weibull函数拟合得到σ_(sat)和LET_(th)分别为8.98×10^(-9)cm^(2)·bit^(-1)和0.084 MeV/(mg·cm^(-2)).基于3D-IC技术设计了一种新的3D-SRAM器件,通过Geant4进行了建模和单粒子翻转模拟,结果表明,在同一3D-SRAM器件中上层单元对下层单元有防护作用.通过改变覆盖层中的高Z材料,发现高Z材料可以有效地减少Fe离子在射程末端的多重散射,且Ta的效果优于W.在同一3D-SRAM器件中,下层单元(die3)的多重散射截面峰值更低. 展开更多
关键词 GEANT4 单粒子翻转 多重散射 3D-SRAM
在线阅读 下载PDF
基于SRAM在轨监测的单粒子翻转事件特征与空间环境响应关系研究
3
作者 徐小恒 马英起 +3 位作者 张龙龙 王杰义 林刘亮 杨丹丹 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第10期64-72,共9页
空间辐射环境对航天电子器件的可靠性影响显著,其中单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)是最具代表性的瞬态辐射效应之一。基于在轨静态随机存取存储器(SRAM)SEU监测数据,系统分析了SEU与空间环境参数的相关性。结果表明,97.5%的SEU事... 空间辐射环境对航天电子器件的可靠性影响显著,其中单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)是最具代表性的瞬态辐射效应之一。基于在轨静态随机存取存储器(SRAM)SEU监测数据,系统分析了SEU与空间环境参数的相关性。结果表明,97.5%的SEU事件集中发生在南大西洋异常区(SAA),并在磁壳层L≈1.24~1.25处出现峰值,其空间分布与≥10 MeV质子通量增强区高度一致。≥10 MeV质子通量与在轨软错误率(SER)呈显著幂律正相关(R≈0.73),表明高能质子是驱动SEU的主要因素。基于地面质子辐照试验截面和在轨能谱估算的理论SER与观测值在1个数量级内一致,但整体偏低,需扩展能谱范围以提高预测精度。在轨期间经历的3次小型太阳质子事件均未触发SEU,而地磁暴期间Dst指数下降伴随SER显著降低,表明地磁暴引发SAA区域质子通量衰减使得SEU发生频率降低。研究结果揭示了在轨SRAM器件SEU的空间分布规律及其驱动机理,为辐射效应建模、抗辐射设计和任务可靠性评估提供参考。 展开更多
关键词 空间辐射环境 南大西洋异常区 辐射环境效应 单粒子翻转 在轨错误率
在线阅读 下载PDF
大气中子在系统级封装器件中引起的单粒子效应特性及机理研究
4
作者 叶结锋 梁朝辉 +5 位作者 张战刚 郑顺顺 雷志锋 刘志利 耿高营 韩慧 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第5期1154-1164,共11页
基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SR... 基于大气中子辐照谱仪(ANIS)提供的宽能谱中子束流,开展了系统级封装(SiP)器件的加速辐照实验,观察到了中子辐照导致SiP器件发生单粒子翻转(SEU)及单粒子功能中断(SEFI)效应。SEU发生于数字信号处理器(DSP)内部的静态随机存取存储器(SRAM)模块以及现场可编程门阵列(FPGA)内部的块随机存取存储器(BRAM)模块。SEFI的错误类型主要是上位机程序闪退以及DSP状态机卡死。基于加速辐照实验结果计算了中子导致的SEU截面,探讨了工艺节点、中子束流能谱对SEU截面的影响。当工艺节点从40 nm减小到28 nm时,U型SEU截面减少了73%。热中子对SRAM模块的SEU截面有较大影响,滤除中子束流中的热中子成分后,SRAM的SEU截面下降了28.8%。基于GEANT4仿真软件对实验结果进行了分析,解释了实验组SEU截面较低的原因。最后,通过计算纽约海平面的软错误率发现,SEU最敏感模块为FPGA内部的BRAM,能量大于1 MeV高能中子引起的软错误率为766.8 FIT/Mbit,未在第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR2 SDRAM)、FPGA内部的可配置逻辑块(CLB)和只读存储器(ROM)中发现SEU;SEFI最敏感模块为DSP。实验数据对SiP的抗中子辐照设计有重要意义。 展开更多
关键词 单粒子效应 中子辐照 系统级封装 单粒子翻转截面 热中子 软错误率
在线阅读 下载PDF
基于Scrubbing的空间SRAM型FPGA抗单粒子翻转系统设计 被引量：12
5
作者 马寅 安军社 +1 位作者 王连国 孙伟 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期270-276,共7页
基于SRAM工艺的FPGA在空间环境下容易受到单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)的影响而导致信息丢失或功能中断.在详细讨论三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)和刷新(Scrubbing)的重要原理及实现细节的基础上,实现了一种高可靠性... 基于SRAM工艺的FPGA在空间环境下容易受到单粒子翻转(Single Event Upsets,SEU)的影响而导致信息丢失或功能中断.在详细讨论三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)和刷新(Scrubbing)的重要原理及实现细节的基础上,实现了一种高可靠性、TMR+Scrubbing+Reload的容错系统设计,用反熔丝型FPGA对SRAM型FPGA的配置数据进行毫秒级周期刷新,同时对两个FPGA均做TMR处理.该容错设计已实际应用于航天器电子系统,可为高可靠性电子系统设计提供参考. 展开更多
关键词 单粒子翻转(seu) 三模冗余(TMR) 刷新(Scrubbing) FPGA容错
在线阅读 下载PDF
面向航空环境的多时钟单粒子翻转故障注入方法 被引量：5
6
作者 薛茜男 李振 +2 位作者 姜承翔 王鹏 田毅 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期1504-1508,共5页
随着新型电子器件越来越多地被机载航电设备所采用,单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)故障已经成为影响航空飞行安全的重大隐患。首先,针对由于单粒子翻转故障的随机性,该文对不同时刻发生的单粒子翻转故障引入了多时钟控制,构建了SE... 随着新型电子器件越来越多地被机载航电设备所采用,单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)故障已经成为影响航空飞行安全的重大隐患。首先,针对由于单粒子翻转故障的随机性,该文对不同时刻发生的单粒子翻转故障引入了多时钟控制,构建了SEU故障注入测试系统。然后模拟真实情况下单粒子效应引发的多时间点故障,研究了单粒子效应对基于FPGA构成的时序电路的影响,并在线统计了被测模块的失效数据和失效率。实验结果表明,对于基于FPGA构建容错电路,采用多时钟沿三模冗余(Triple Modular Redundancy,TMR)加固技术可比传统TMR技术提高约1.86倍的抗SEU性能;该多时钟SEU故障注入测试系统可以快速、准确、低成本地实现单粒子翻转故障测试,从而验证了SEU加固技术的有效性。 展开更多
关键词 机载电子器件 单粒子翻转(seu) 故障注入 抗辐射加固技术 FPGA
在线阅读 下载PDF
宇宙高能质子致单粒子翻转率的计算 被引量：11
7
作者 王同权 戴宏毅 +2 位作者 沈永平 张若棋 肖亚斌 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期11-13,共3页
通过简化半导体器件灵敏单元 ,计算得到了宇宙高能质子在器件灵敏单元内产生的能量沉积。然后利用地面重离子实验单粒子翻转数据得到的Weibull函数 ,计算了CRRES卫星轨道、 33mm铝屏蔽壳体内几种器件的单粒子翻转率 ,并与已有结果进行... 通过简化半导体器件灵敏单元 ,计算得到了宇宙高能质子在器件灵敏单元内产生的能量沉积。然后利用地面重离子实验单粒子翻转数据得到的Weibull函数 ,计算了CRRES卫星轨道、 33mm铝屏蔽壳体内几种器件的单粒子翻转率 ,并与已有结果进行了比较说明。 展开更多
关键词 宇宙 单粒子翻转率 计算 高能质子 空间辐射 单粒子翻转 航天器 半导体器件
在线阅读 下载PDF
静态随机存储器单粒子翻转效应的二维数值模拟 被引量：5
8
作者 郭红霞 陈雨生 +2 位作者 周辉 贺朝会 李永宏 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2003年第6期508-512,共5页
采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LE... 采用MEDICI二维模拟软件对静态存储器SRAM的单粒子翻转(SEU)现象进行了计算。对MOSFET漏区模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。通过输入不同粒子的线性能量传输LET值,得到了某一结构器件的收集电荷与LET值的关系曲线,并给出临界电荷7 73×10-14C。 展开更多
关键词 静态随机存储器 单粒子翻转 seu SRAM 电荷漏斗模型 加速器
在线阅读 下载PDF
MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟 被引量：4
9
作者 郭红霞 张义门 +5 位作者 陈雨生 周辉 肖伟坚 龚仁喜 贺朝会 龚建成 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期461-464,共4页
用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算 ,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段 .通过输入不同粒子的线性能量传输值 ,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线 .分析了不同结构参数的变化... 用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算 ,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段 .通过输入不同粒子的线性能量传输值 ,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线 .分析了不同结构参数的变化对单粒子翻转的影响 .模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合 。 展开更多
关键词 MOSFET 二维数值模拟 单粒子翻转 线性能量传输 电荷漏斗模型 seu
在线阅读 下载PDF
FPGA单粒子翻转事件在轨探测研究 被引量：17
10
作者 侯建文 张爱兵 +1 位作者 郑香脂 余庆龙 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期454-458,共5页
中国遥感卫星上的单粒子探测器对某种400万门FPGA和60万门FPGA进行在轨单粒子翻转探测。文中给出了单粒子翻转探测器的基本组成及单粒子翻转的监测方法,并给出了采用模拟量描述器件翻转次数的设计思路。在轨测试期间,单粒子探测器成功... 中国遥感卫星上的单粒子探测器对某种400万门FPGA和60万门FPGA进行在轨单粒子翻转探测。文中给出了单粒子翻转探测器的基本组成及单粒子翻转的监测方法,并给出了采用模拟量描述器件翻转次数的设计思路。在轨测试期间,单粒子探测器成功的对被测器件进行了在轨单粒子翻转监测,文中给出了两个被测器件的翻转次数统计和翻转类型统计,依据轨道根数获得了翻转事件的空间分布,并对两个被测芯片的翻转事件的差异进行了分析。 展开更多
关键词 FPGA 单粒子翻转 在轨探测 空间环境
在线阅读 下载PDF
SRAM型FPGA单粒子翻转测试及加固技术研究 被引量：19
11
作者 邱金娟 徐宏杰 +1 位作者 潘雄 朱明达 《电光与控制》 北大核心 2011年第8期84-88,共5页
SRAM型FPGA空间应用日益增多,只有针对其特点设计相应的单粒子试验的测试程序才能系统、准确地获取该类芯片的单粒子翻转特性,为抗辐射加固设计提供依据。阐述了单粒子翻转的静态和动态的测试方法。静态测试包括硬件设计和配置位回读程... SRAM型FPGA空间应用日益增多,只有针对其特点设计相应的单粒子试验的测试程序才能系统、准确地获取该类芯片的单粒子翻转特性,为抗辐射加固设计提供依据。阐述了单粒子翻转的静态和动态的测试方法。静态测试包括硬件设计和配置位回读程序的设计;动态测试主要针对CLB(配置逻辑单元)和BRAM(块存储器)两部分进行了相应的软件测试程序设计;并结合工程给出了解决单粒子翻转的主要加固方法。此试验得到了该类芯片的单粒子翻转截面,对在地面上进行FPGA的可靠性评估具有重要意义。 展开更多
关键词 FPGA 单粒子翻转 测试技术 辐照试验
在线阅读 下载PDF
SRAM型FPGA单粒子效应逐位翻转故障注入方法 被引量：14
12
作者 宋凝芳 秦姣梅 +1 位作者 潘雄 江云天 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1285-1289,共5页
针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA(Field Programmable GateArray)空间应用的可靠性评测问题,提出一种逐位翻转的故障注入试验方法,利用动态重配置技术,通过检测逻辑电路设计配置存储单元中的单粒子翻转敏感位数量和位置,... 针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA(Field Programmable GateArray)空间应用的可靠性评测问题,提出一种逐位翻转的故障注入试验方法,利用动态重配置技术,通过检测逻辑电路设计配置存储单元中的单粒子翻转敏感位数量和位置,可计算出动态翻转截面和失效率,绘出可靠度变化曲线.分别对采用TMR(Triple Modular Redundancy)防护设计的和未采用TMR防护设计的SRAM型FPGA乘法器模块进行了故障注入试验,验证了得到的敏感位位置的正确性,并计算出各自的可靠性参数和曲线. 展开更多
关键词 故障注入 单粒子翻转 动态重配置
在线阅读 下载PDF
静态单粒子翻转截面的获取及分类 被引量：4
13
作者 姚志斌 范如玉 +4 位作者 郭红霞 王忠明 何宝平 张凤祁 张科营 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期811-816,共6页
为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分... 为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类。结果表明:SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑。 展开更多
关键词 FPGA 辐照效应 单粒子效应 单粒子翻转
在线阅读 下载PDF
航空高度FPGA单粒子翻转飞行实验及失效分析 被引量：9
14
作者 薛茜男 张道阳 +2 位作者 李颖 芦浩 王鹏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期78-84,共7页
随着微电子工艺的发展,小尺寸、高密度及低电压的器件越来越多地应用于航空电子设备。许多科研人员发现高层大气及外太空的带电粒子带来的粒子辐射会对航空电子器件产生严重的影响。基于民用航空局方的要求,鉴于机载设备对单粒子翻转效... 随着微电子工艺的发展,小尺寸、高密度及低电压的器件越来越多地应用于航空电子设备。许多科研人员发现高层大气及外太空的带电粒子带来的粒子辐射会对航空电子器件产生严重的影响。基于民用航空局方的要求,鉴于机载设备对单粒子翻转效应的隐患以及航空机载设备国产化的迫切需求,开展FPGA器件用于机载电子设备可能遭遇的单粒子翻转效应的风险问题研究。分析了主流FPGA在航空飞行高度的飞行实验数据,进一步论证其是否满足民用航空的需求。大量数据的分析结果证明,以当下主流FPGA芯片的工艺尺寸、工作电压的条件,单粒子翻转效应是一个不容忽视的问题。即便是航空飞行高度甚至是地面高度,FPGA芯片因单粒子翻转导致失效也是无法满足民用航空设备的安全性要求。 展开更多
关键词 单粒子翻转 机载电子 抗辐射 飞行实验 失效分析
在线阅读 下载PDF
SRAM型FPGA抗单粒子翻转技术研究 被引量：24
15
作者 郑晓云 陶淑苹 +1 位作者 冯汝鹏 王绍举 《电子测量技术》 2015年第1期59-63,共5页
随着CMOS电路的高速发展以及SRAM型FPGA在航天领域的不断应用,空间辐照的影响,特别是单粒子效应对FPGA的影响尤为显著。为了提高FPGA在空间环境的可靠性,介绍了几种抗单粒子翻转方法,并对其进行了比较分析,实现了SRAM型FPGA抗单粒子翻... 随着CMOS电路的高速发展以及SRAM型FPGA在航天领域的不断应用,空间辐照的影响,特别是单粒子效应对FPGA的影响尤为显著。为了提高FPGA在空间环境的可靠性,介绍了几种抗单粒子翻转方法,并对其进行了比较分析,实现了SRAM型FPGA抗单粒子翻转的系统设计,采用定时刷新的方法抑制翻转位累加,同时通过故障注入的方式对系统进行了实验测试,结果表明系统设计方法有效可行,既不中断FPGA正常工作,又可以及时纠正翻转位,为SRAM型FPGA在航天领域中应用提供可靠性保障。 展开更多
关键词 SRAM型 FPGAA 单粒子翻转 刷新 空间辐照
在线阅读 下载PDF
SRAM单元中子单粒子翻转效应的Geant4模拟 被引量：5
16
作者 郭晓强 郭红霞 +5 位作者 王桂珍 林东生 陈伟 白小燕 杨善潮 刘岩 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期362-367,共6页
应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转效应的影响趋势,计算了反应堆裂变中子谱辐射环境下,不同特征尺寸SRAM的中子单粒子翻转截面,认为小尺寸S... 应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转效应的影响趋势,计算了反应堆裂变中子谱辐射环境下,不同特征尺寸SRAM的中子单粒子翻转截面,认为小尺寸SRAM器件的低能中子单粒子翻转效应更为严重。 展开更多
关键词 中子 单粒子翻转 GEANT4 特征尺寸 临界电荷
在线阅读 下载PDF
临近空间大气中子诱发电子器件单粒子翻转模拟研究 被引量：5
17
作者 张振力 张振龙 +4 位作者 韩建伟 安广朋 蔡明辉 封国强 马英起 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期350-354,共5页
根据重离子试验数据,采用长方体(RPP)模型,用GEANT4软件工具包编程,建立了垂直于器件表面入射的中子诱发电子器件的单粒子翻转模型.考虑敏感体积及其附近的次级粒子对单粒子翻转的贡献,统计了次级粒子在敏感体积内沉积能量的微分能谱分... 根据重离子试验数据,采用长方体(RPP)模型,用GEANT4软件工具包编程,建立了垂直于器件表面入射的中子诱发电子器件的单粒子翻转模型.考虑敏感体积及其附近的次级粒子对单粒子翻转的贡献,统计了次级粒子在敏感体积内沉积能量的微分能谱分布,对在敏感体积内沉积不同能量的次级粒子对单粒子翻转的贡献进行了区分计算,模拟计算结果与地面试验结果符合较好. 展开更多
关键词 单粒子翻转 中子 敏感体积 weibull函数
在线阅读 下载PDF
质子核反应二次粒子引起的静态存储器单粒子翻转截面计算 被引量：4
18
作者 王园明 陈伟 +6 位作者 郭红霞 何宝平 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 张科营 赵雯 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1505-1508,共4页
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势... 研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面和多位翻转截面。计算结果在趋势上与双参数公式所预言的相符合,并可得到很高能量质子引起的极限截面;在较低能段的数据与文献的理论和实验值相符。 展开更多
关键词 质子 有效体积 单粒子翻转截面 多位翻转截面
在线阅读 下载PDF
65nm工艺SRAM低能质子单粒子翻转错误率预估 被引量：6
19
作者 何安林 郭刚 +2 位作者 沈东军 刘建成 史淑廷 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期366-372,共7页
质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了... 质子单粒子效应是纳米工艺集成电路空间应用面临的主要辐射问题之一。本文开展了一款商业级65 nm工艺4 M×18 bit随机静态存储器(SRAM)质子单粒子翻转实验研究。针对地球同步轨道、低地球轨道,使用Space Radiation 7.0程序,预估了低能质子、高能质子和重离子引起的错误率。错误率预估分析结果表明,不同轨道及环境模型下低能质子错误率占总错误率的比例范围为1%～86%,其中太阳质子事件、地球俘获带等环境模型中低能质子单粒子翻转引起的错误率占主导,建议空间应用的元器件对低能质子不敏感。 展开更多
关键词 质子单粒子翻转 空间辐射环境 错误率预估
在线阅读 下载PDF
单粒子翻转敏感区定位的脉冲激光试验研究 被引量：5
20
作者 余永涛 封国强 +2 位作者 上官士鹏 陈睿 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期176-180,共5页
利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子... 利用脉冲激光单粒子翻转敏感区定位成像系统,对静态随机存储器件IDT71256开展了单粒子翻转敏感区定位的试验研究。为避开器件正面金属层对激光的阻挡,试验采用背面辐照方式进行测试。试验结果表明,存储单元中存储数据类型对器件单粒子翻转的敏感性有较大影响,由测得的单粒子翻转敏感区分布图经处理得到单粒子翻转截面,结果与重离子试验测得的翻转截面数据一致。 展开更多
关键词 单粒子效应 敏感区定位 数据类型 翻转截面
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 11 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部