4英寸高质量GaN单晶衬底制备

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作者 齐占国 王守志 +11 位作者 李秋波 王忠新 邵慧慧 刘磊 王国栋 孙德福 于汇东 蒋铠泽 张爽 陈秀芳 徐现刚 张雷 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期717-720,共4页

本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自... 本研究结合多孔衬底技术和应力调控策略,成功突破异质外延GaN单晶生长中的位错延伸与应力控制难题,制备出直径4英寸(1英寸=2.54 cm)的高质量GaN单晶。经切割、倒角、研磨及化学机械抛光等加工后,获得厚度500μm的无损伤、超光滑4英寸自支撑GaN单晶衬底。该衬底兼具优异的结晶质量与出色的力学稳定性,表面无裂纹,应力分布均匀;阴极荧光光谱(CL)表征位错密度为9.6×10^(5)cm^(-2),高分辨X射线衍射(HRXRD)(002)面摇摆曲线半峰全宽低至57.91″;原子力显微镜(AFM)测得表面粗糙度Ra<0.2 nm,呈现原子级平整表面。制备的衬底开盒即用,能够满足蓝绿激光器及电力电子器件的需求。 展开更多

关键词 GaN单晶衬底 4英寸 氢化物气相外延 晶体生长 晶体加工

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8英寸半导电型GaAs单晶衬底的制备与性能表征 被引量：1

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作者 任殿胜 王志珍 +1 位作者 张舒惠 王元立 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期487-496,共10页

本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻... 本文使用垂直梯度凝固(VGF)法制备了直径超过200 mm的Si掺杂GaAs单晶。通过多线切割、磨边、研磨、化学机械抛光和湿法化学清洗等加工工序制备出8英寸半导电型GaAs单晶衬底。使用X射线衍射、位错密度检测、霍尔测试、非接触式表面电阻率测试、光致发光测试和晶圆表面缺陷检测等对8英寸GaAs衬底的晶体质量、位错、电学性能和表面质量等特性进行了测试分析。结果表明:衬底(400)衍射峰半峰全宽低于0.009°;平均位错密度低于30 cm^(-2),其中,晶体头部平均位错密度为1.7 cm^(-2),且有98.87%的面积位错密度为0;衬底面内电阻率标准差小于6%,面内光致发光强度标准差小于4%,≥0.2μm的表面光点缺陷(LPD)个数小于10。上述结果表明,所制备的8英寸GaAs衬底质量优异,满足外延器件对高质量衬底的要求。 展开更多

关键词 GAAS 垂直梯度凝固 8英寸 单晶衬底 位错密度

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p型4H-SiC单晶衬底表征及第一性原理计算 被引量：1

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作者 罗东 贾伟 +6 位作者 王英民 戴鑫 贾志刚 董海亮 李天保 王利忠 许并社 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1169-1176,共8页

p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料,但由于工艺技术的制约,国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶衬底。本文使用物理气相传输(PVT)法制备了直径为4英寸(1英寸=2.54 cm)Al掺杂的p型4H-SiC单晶衬底。通... p型4H-SiC是制备高功率电力电子器件的理想衬底材料,但由于工艺技术的制约,国内尚无能力生产高质量、大尺寸、低电阻的p型4H-SiC单晶衬底。本文使用物理气相传输(PVT)法制备了直径为4英寸(1英寸=2.54 cm)Al掺杂的p型4H-SiC单晶衬底。通过KOH腐蚀表征样品位错密度,使用高分辨X射线衍射(HRXRD)表征其晶体质量,利用拉曼光谱扫描确定其晶型,采用非接触式电阻测试仪测试其电阻率。结果表明,衬底整体位错密度较低,结晶质量良好,晶型稳定且衬底全片电阻率小于0.5Ω·cm。通过第一性原理平面波超软赝势方法对本征4H-SiC及Al元素掺杂后样品的体系进行能带结构、电子态密度的计算。结果表明Al掺杂后样品禁带宽度减小,费米能级穿过价带,体现出p型半导体的特征。研究结果为大规模生产高质量、低电阻的p型4H-SiC衬底提供思路。 展开更多

关键词 p型4H-SiC 物理气相传输 单晶衬底 结构表征 AL掺杂 第一性原理 半导体

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氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望 被引量：4

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作者 姜元希 刘南柳 +2 位作者 张法碧 王琦 张国义 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第11期2038-2045,共8页

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径。本文综述了GaN单晶衬底制备... 氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径。本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展,并对未来可能的发展方向提出了展望。 展开更多

关键词 氮化镓 单晶衬底 同质外延 氨热法 钠流法

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半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展 被引量：9

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作者 彭燕 陈秀芳 +5 位作者 谢雪健 徐现刚 胡小波 杨祥龙 于国建 王垚浩 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期619-628,共10页

碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更... 碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为重要的一环。本文针对半绝缘SiC单晶衬底材料国内外发展进行了分析归纳,重点介绍了山东大学半绝缘SiC的研究历程、现状,并对研究和产业发展、存在的挑战做了论述。 展开更多

关键词 SiC单晶衬底 微管密度 6英寸 半绝缘

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8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征 被引量：6

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作者 娄艳芳 巩拓谌 +4 位作者 张文 郭钰 彭同华 杨建 刘春俊 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2131-2136,共6页

使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、... 使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。 展开更多

关键词 8英寸SiC单晶衬底 物理气相传输法 X射线摇摆曲线 微管密度 翘曲度和弯曲度 位错密度

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复配表面活性剂对氧化锌单晶衬底后清洗效果的影响

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作者 鲍冬赟 潘新花 +2 位作者 王宁 黄靖云 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期347-353,共7页

在ZnO单晶衬底的制造加工过程中,不可避免会引入二氧化硅磨料粒子、有机物等污染物,这会严重影响衬底上所生长薄膜的质量,从而影响半导体器件的性能和可靠性,因此后清洗工艺对外延薄膜的质量至关重要。本研究采用控制变量法研究了复配... 在ZnO单晶衬底的制造加工过程中,不可避免会引入二氧化硅磨料粒子、有机物等污染物,这会严重影响衬底上所生长薄膜的质量,从而影响半导体器件的性能和可靠性,因此后清洗工艺对外延薄膜的质量至关重要。本研究采用控制变量法研究了复配表面活性剂O-20和JFC的质量比及总质量对超声法后清洗效果的影响。研究发现,复配表面活性剂较单一表面活性剂对衬底表面污染的去除效果更好;不同质量比的复配表面活性剂的清洗效果不同,当O-20和JFC的质量比为2∶1时,对衬底表面污染的去除效果最好;当O-20和JFC的质量比固定为2∶1,增加复配表面活性剂的总质量,对衬底表面污染的去除效果更好;但当总质量增加到一定程度后,清洗效果不再提升,反而会增加表面活性剂的清除难度。 展开更多

关键词 复配表面活性剂 ZnO单晶衬底 后清洗 SIO2颗粒

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低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备 被引量：2

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作者 熊希希 杨祥龙 +8 位作者 陈秀芳 李晓蒙 谢雪健 胡国杰 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1371-1372,共2页

碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大... 碳化硅具有优异的物理化学性能,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通信等领域具有广泛应用前景。8英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面具有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近期山东大学与广州南砂晶圆半导体技术有限公司在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法(Physical vapor transport,PVT)制备了低位错密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底,其中螺位错(Threading screw dislocation,TSD)密度为0.55 cm^(–2),基平面位错(Basal plane dislocation,BPD)密度为202 cm^(–2)。 展开更多

关键词 4H-SIC 8英寸 低位错密度 单晶衬底

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2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究

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作者 严宇超 王琤 +5 位作者 陆昌程 刘莹莹 夏宁 金竹 张辉 杨德仁 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期197-201,共5页

本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷... 本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷,宏观结晶质量良好。该衬底的(020)面X射线摇摆曲线半峰全宽(FWHM)的最大值为29.7″,表明具有良好的微观结晶质量。该衬底的表面平均粗糙度(Ra)的最大值为0.240 nm,局部厚度偏差(LTV)低于1.769μm,总厚度偏差(TTV)为5.092μm,翘曲度(Warp)为3.132μm,表明具有良好的衬底加工质量。此外,该衬底约7×10^(11)Ω·cm的高电阻率为微波射频器件的开发提供了基础支撑。 展开更多

关键词 氧化镓 宽禁带半导体 晶体生长 直拉法 单晶衬底 掺杂

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热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究 被引量：6

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作者 黄海宾 沈鸿烈 +2 位作者 唐正霞 吴天如 张磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期603-607,共5页

采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常... 采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。 展开更多

关键词 热丝CVD 低温外延 单晶Si衬底 Si膜 Ge膜

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压电单晶薄膜衬底光刻工艺研究 被引量：2

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作者 唐代华 潘祺 +4 位作者 米佳 冷俊林 唐塽 何西良 黎妮 《压电与声光》 CAS 北大核心 2021年第4期583-586,共4页

单晶薄膜声表面波(SAW)滤波器因其低损耗,低频率温度系数及大带宽而成为高性能SAW滤波器未来发展的方向。针对单晶薄膜衬底反射带来的换能器指条锯齿和均匀性恶化的问题,该文采用了有机抗反射膜工艺,通过控制抗反射膜的膜厚将衬底的相... 单晶薄膜声表面波(SAW)滤波器因其低损耗,低频率温度系数及大带宽而成为高性能SAW滤波器未来发展的方向。针对单晶薄膜衬底反射带来的换能器指条锯齿和均匀性恶化的问题,该文采用了有机抗反射膜工艺,通过控制抗反射膜的膜厚将衬底的相对反射率由15.84%降低至1.08%,制作出整齐无毛刺的叉指换能器指条,并将SAW谐振器的伯德Q(Bode-Q)值由1400提升到1950。 展开更多

关键词 压电单晶薄膜衬底 抗反射膜 光刻 伯德Q值

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单晶硅衬底对Si-Al合金中块体硅生长的影响

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作者 张鸣 Benson Kihono Njuguna +1 位作者 谭毅 李佳艳 《热加工工艺》 北大核心 2022年第7期66-71,共6页

硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及... 硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明,单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度,块体硅以平直界面向上生长,生长速率明显变慢。在温度梯度2.4 K/mm和生长时间240 min时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108μm/s下降至Si(100)衬底上的0.075μm/s。在相同的温度梯度和生长时间内,块体硅在Si(100)衬底上的生长速率明显快于Si(111)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。 展开更多

关键词 Si-Al合金 单晶硅衬底 类单晶硅

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外延生长用磷化铟单晶片清洗技术 被引量：3

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作者 武永超 林健 +2 位作者 刘春香 王云彪 赵权 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期620-624,共5页

根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶... 根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片（0.15~0.17 nm）。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。 展开更多

关键词 磷化铟单晶衬底 表面雾值 表面粗糙度 原子力显微镜(AFM) X射线光电子能谱(XPS)

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8英寸导电型4H-SiC单晶的生长 被引量：6

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作者 杨祥龙 陈秀芳 +5 位作者 谢雪健 彭燕 于国建 胡小波 王垚浩 徐现刚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1745-1748,共4页

采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的... 采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^(-2);衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。 展开更多

关键词 SiC单晶衬底 8英寸 物理气相传输法 微管密度 电阻率

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提高单晶薄膜滤波器片内频率一致性的研究 被引量：1

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作者 潘祺 米佳 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第6期800-803,共4页

研究了常规光刻工艺下单晶薄膜晶圆制备声表面波滤波器的频率分散特性。结果表明,压电单晶薄膜的表面色差是引起频率分散性恶化的根本原因,采用抗反射膜工艺抑制衬底反射以及分区曝光工艺对不同色块进行曝光补偿,均能有效地提高片内频... 研究了常规光刻工艺下单晶薄膜晶圆制备声表面波滤波器的频率分散特性。结果表明,压电单晶薄膜的表面色差是引起频率分散性恶化的根本原因,采用抗反射膜工艺抑制衬底反射以及分区曝光工艺对不同色块进行曝光补偿,均能有效地提高片内频率一致性,频率2 MHz内包含最大器件数量占比,从常规曝光的48.81%提高到抗反射膜工艺的53.57%和分区曝光工艺的70.24%。 展开更多

关键词 压电单晶薄膜衬底 抗反射膜 曝光补偿 频率一致性

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在金刚石及相关材料上汽相沉积金刚石的研究 被引量：1

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作者 玄真武 杨佩春 +3 位作者 戚立昌 侯立 刘尔凯 浦新 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期344-344,共1页

目前以非金刚石为衬底汽相沉积金刚石,通常得到的大都是多晶结构;而以金刚石单晶为衬底,在一定条件下得到的金刚石薄膜可以是单晶外延膜,并可观察到许多反映生长历史的形貌,如(100)面、(111)面上的生长台阶等。

关键词 生长台阶 单晶外延膜 单晶衬底 汽相沉积

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SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究

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作者 陈岩 陈启谨 +2 位作者 崔玉德 孙碧武 林彰达 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第6期396-400,共5页

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓... 用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。 展开更多

关键词 表面结构 单晶硅衬底 生长速率 氧化硅

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薄膜光学理论与膜系设计

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《中国光学与应用光学》 2007年第1期61-64,共4页

关键词 薄膜光学 薄膜电极 膜系设计 单晶衬底 梯度折射率 光学常数 衬底温度 多层膜 光学薄膜 磁控溅射 薄膜样品 光学性质 物理性能 ZnO

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半导体光学材料及制备

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《中国光学》 EI CAS 1996年第4期88-89,共2页

O472/TN304.055 96042716SnO₂;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO₂:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋（厦门大学物理学系）,朱文章（... O472/TN304.055 96042716SnO₂;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO₂:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋（厦门大学物理学系）,朱文章（集美航海学院物理教研室）∥厦门大学学报.自然科学版.—1996,35（2）. 展开更多

关键词 半导体材料 光致发光光谱 多孔硅发光 外延层 气敏特性 制备 单晶硅衬底 中科院 大学物理学 双晶衍射

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