摘要
氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径。本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展,并对未来可能的发展方向提出了展望。
Gallium nitride(GaN)is a typical material of the third generation of semiconductor materials.It is an ideal material for application in optoelectronic devices and power electronic devices,due to its good physical and chemical properties and thermal stability.Fabrication of GaN-based devices on GaN single crystal substrates by using homo-epitaxial technique is the fundamental way to obtain devices with high performances.This article reviews the research progress of method for grown of GaN single crystal substrate,such as hydride vapor phase epitaxy technology,tri-halide vapor phase epitaxy technology,ammonothermal method and Na-flux method.The future development of technology for mass production of free-standing GaN substrate is also discussed.
作者
姜元希
刘南柳
张法碧
王琦
张国义
JIANG Yuanxi;LIU Nanliu;ZHANG Fabi;WANG Qi;ZHANG Guoyi(School of Information and Communication,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China;Dongguan Institute of Opto-electronics,Peking University,Dongguan 523808,China)
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期2038-2045,共8页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家自然科学基金面上项目(61974005)
广东省重点领域研发计划(2020B010169001,2020B090922001)
广东省区域联合基金重点项目(2019B1515120091)。
关键词
氮化镓
单晶衬底
同质外延
氨热法
钠流法
GaN
single crystal substrate
homo-epitaxy
ammonothermal method
Na-flux method
作者简介
姜元希(1994—),男,辽宁省人,硕士研究生,E-mail:merlinjiang@foxmail.com;通讯作者:王琦,副研究员,E-mail:wangq@pku-ioe.cn,英国谢菲尔德大学博士、博士后,加拿大麦吉尔大学博士后,材料科学副研究员,在第三代半导体领域从事科研工作10余年,在国际高水平学术期刊上发表论文近60余篇,撰写英文著述1部,拥有专利近70项,承担及参与多项国家、省市级科技项目,研究工作专注于氮化物材料生长、器件制备和微纳结构研究,在国际上首次报道了超低阈值GaN纳米结构激光器,高效率紫外和白光纳米LED,成功生长出高密度、均一性良好的InxGa1-xN量子点,并观测到低阈值受激发射,同时在氮化物单晶材料生长和衬底制备等方面也取得丰硕研究成果。
