激光诱导击穿光谱技术在半导体材料检测方面的应用进展

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作者 武传奇 修俊山 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第3期24-29,共6页

对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发... 对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发展的今天,急需寻找一种便携、新颖、与当今材料相匹配的检测技术。正是基于以上需求,激光诱导击穿光谱(LIBS)技术逐步走进了大众的视野,对LIBS技术进行了简要介绍,在此基础上着重介绍了利用LIBS技术来分析半导体材料表面的微分析研究与半导体材料金属氧化物纳米薄膜方面的研究进展,介绍了LIBS技术在这两方面检测的优势以及未来LIBS技术在这些方面的发展。 展开更多

关键词 激光诱导击穿光谱 半导体材料表面微分析 金属氧化物纳米薄膜 定性定量分析

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透表面显微内窥半导体和集成电路的新方法 被引量：1

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作者 李亚文 梁竹关 +6 位作者 肖玲 李萍 徐晓华 王建 周开邻 РАУЗ.И. 胡问国 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期589-590,共2页

关键词 透表面显微内窥 集成电路 半导体材料

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表面分析技术在半导体器件研发与制造中的应用 被引量：1

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作者 田春生 《集成电路应用》 2005年第5期32-34,共3页

材料与表面分析技术是半导体器件研发与生产中不可缺少的部分。它在缩短研发时间、提高成品率方面具有不可替代的作用。适当、适时地引入分析技术将大大缩短研发时间,提高产品质量,最终实现生产成本的最小化。材料与表面分析技术与一般... 材料与表面分析技术是半导体器件研发与生产中不可缺少的部分。它在缩短研发时间、提高成品率方面具有不可替代的作用。适当、适时地引入分析技术将大大缩短研发时间,提高产品质量,最终实现生产成本的最小化。材料与表面分析技术与一般生产中采用的分析测量最大的区别在于前者给出的是因,而后者给出的是果。本文将简要地介绍半导体材料中常用的分析技术及其应用。其中对常用的SIMS、TOF-SIMS、XPS和AES作了简单的阐述。 展开更多

关键词 表面分析技术 半导体器件 研发 应用 TOF-SIMS 制造 半导体材料 产品质量 生产成本 分析测量 可替代 成品率 最小化 AES XPS 时间 缩短

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用扫描电子显微镜透视半导体和集成电路

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作者 梁竹关 李亚文 +6 位作者 肖玲 王建 周开邻 李萍 徐晓华 Pay Э И 胡问国 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期404-405,共2页

关键词 扫描电镜 半导体材料 集成电路 微结构分析 透视 缺陷 透表显微内窥法

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锶掺杂钛酸钡陶瓷介电材料表面的掠出射角X射线能谱微分析

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作者 仇满德 姚子华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期331-331,共1页

关键词 能谱微分析 钛酸钡陶瓷 材料表面 介电材料 锶掺杂 X射线 出射角 陶瓷表面 陶瓷材料

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融合化学与计算机技术提升微纳米材料光反射特性

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作者 刘婧 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期917-918,共2页

微纳米材料在太阳能技术、光电子学和医学成像领域中,因卓越的光学特性而备受瞩目。化学与计算机科技的融合,正开启一条全新的道路,用于进一步提升这些材料的光反射特性。化学方法在这一过程中为材料合成和表面处理提供了精准的控制,而... 微纳米材料在太阳能技术、光电子学和医学成像领域中,因卓越的光学特性而备受瞩目。化学与计算机科技的融合,正开启一条全新的道路,用于进一步提升这些材料的光反射特性。化学方法在这一过程中为材料合成和表面处理提供了精准的控制,而计算机技术则在性能预测、数据分析和制造工艺设计方面发挥着关键作用。这种跨学科的融合不仅为太阳能电池、光电子设备及医学成像技术的发展注入了新动力,而且展现出推动能源、通信和医疗领域创新的巨大潜力。 展开更多

关键词 医学成像技术 计算机技术 微纳米材料 光电子学 太阳能技术 表面处理 数据分析 材料合成

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TiB_2-TiB/Fe金属陶瓷复合涂层原位合成及显微分析 被引量：42

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作者 张维平 刘硕 邹龙江 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期798-801,共4页

利用激光熔覆工艺在中碳钢表面制备出原位自生TiB2-TiB/Fe复相金属陶瓷复合涂层,以改善常规材料表面综合使用性能.采用XRD、SEM、EDS、EPMA等手段对复合涂层进行了研究.结果表明:复合涂层主要由(Fe,C)固溶体胞状树枝晶及分布于晶间的TiB... 利用激光熔覆工艺在中碳钢表面制备出原位自生TiB2-TiB/Fe复相金属陶瓷复合涂层,以改善常规材料表面综合使用性能.采用XRD、SEM、EDS、EPMA等手段对复合涂层进行了研究.结果表明:复合涂层主要由(Fe,C)固溶体胞状树枝晶及分布于晶间的TiB2/Fe或TiB/Fe共晶组成,部分Fe2B相也会出现在晶间.涂层成分不同时,陶瓷增强相的含量将发生变化.涂层力学性能较基体有显著提高. 展开更多

关键词 金属陶瓷复合涂层 TIB2 Fe2B 激光熔覆工艺 共晶 显微分析 中碳钢 原位自生 原位合成 材料表面

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半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量研究

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作者 齐芸馨 姜春香 《兵器材料科学与工程》 CSCD 北大核心 1995年第3期37-41,46,共6页

研究了５０．８ｍｍ液封直拉非掺杂半绝缘砷化镓单晶中ＡＢ微缺陷的显微特征，率先提出了一种定量表征微缺陷的新方法，揭示了ＡＢ微缺陷在单晶各部位的分布规律。

关键词 微缺陷 砷化镓 单晶 半导体材料 定量分析

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(111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

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作者 刘瑞东 于丽娟 +2 位作者 芦秀玲 黄永箴 张福甲 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期87-91,共5页

为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过... 为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过扫描电子显微镜 (SEM )和光荧光 (PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现 ,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大。最佳V/Ш比和温度分别为 4 0 0和 6 2 5℃。 展开更多

关键词 金属有机化学气相淀积 磷化铟衬底 表面形貌 铟镓砷磷 扫描电子显微镜分析 半导体材料

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二氧化硅薄膜比热容分子动力学模拟 被引量：1

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作者 唐祯安 丁海涛 +2 位作者 黄正兴 许自强 李新 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期313-315,共3页

针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系... 针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系.计算结果表明,SiO2薄膜在300K下比热容明显低于相同条件下常规体材料的比热容,且随薄膜厚度的增加而增大;随温度升高,比热容变大,这同体材料是一致的.模拟结果揭示了SiO2薄膜比热容的微尺度效应,与理论分析基本吻合,可为半导体微器件的设计提供资料. 展开更多

关键词 分子动力学模拟 比热容 二氧化硅薄膜 SIO2薄膜 微尺度效应 热容测定 纳米量级 相互作用 势能函数 物理模型 变化规律 计算结果 依赖关系 薄膜厚度 温度升高 模拟结果 体材料 分子间 实验值 分析基 微器件 半导体

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二次离子质谱仪(SIMS)的原理及应用 被引量：6

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作者 田春生 《中国集成电路》 2005年第8期74-78,73,共6页

二次离子质谱仪(SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度(最低可探测浓度为ppm￣ppb数量级)和高分辨率(大约10!)。由于半导体材料的特殊性,即其电学特性是由微量元素所决定的,在掺杂、沾污等测量分析中SIMS已成为... 二次离子质谱仪(SIMS)是表面分析中应用最广泛的技术之一。它的特点是高灵敏度(最低可探测浓度为ppm￣ppb数量级)和高分辨率(大约10!)。由于半导体材料的特殊性,即其电学特性是由微量元素所决定的,在掺杂、沾污等测量分析中SIMS已成为不可替代的手段。本文将对SIMS的原理及应用进行较为详细的介绍。 展开更多

关键词 二次离子质谱仪 灵敏度 半导体材料 分辨率 电学特性 表面分析

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日本开发出正电子束探伤三维成像技术

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作者 李韡 《国外核新闻》 2008年第9期32-32,共1页

最近，日本产业技术综合研究所开发出了正电子束探伤三维成像技术。该技术是利用正电子束在短时间内对原子般大小的超微缺陷或空隙分布进行三维成像分析。有关专家称，此技术可广泛应用于需要控制超微缺陷的半导体器件等尖端材料开发领域。

关键词 日本产业技术综合研究所 三维成像技术 正电子束 材料开发 探伤 半导体器件 成像分析 微缺陷

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