激光诱导击穿光谱技术在半导体材料检测方面的应用进展

1

作者 武传奇 修俊山 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第3期24-29,共6页

对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发... 对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发展的今天,急需寻找一种便携、新颖、与当今材料相匹配的检测技术。正是基于以上需求,激光诱导击穿光谱(LIBS)技术逐步走进了大众的视野,对LIBS技术进行了简要介绍,在此基础上着重介绍了利用LIBS技术来分析半导体材料表面的微分析研究与半导体材料金属氧化物纳米薄膜方面的研究进展,介绍了LIBS技术在这两方面检测的优势以及未来LIBS技术在这些方面的发展。 展开更多

关键词 激光诱导击穿光谱 半导体材料表面微分析 金属氧化物纳米薄膜 定性定量分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

透表面显微内窥半导体和集成电路的新方法 被引量：1

2

作者 李亚文 梁竹关 +6 位作者 肖玲 李萍 徐晓华 王建 周开邻 РАУЗ.И. 胡问国 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期589-590,共2页

关键词 透表面显微内窥 集成电路 半导体材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光烧蚀-电感耦合等离子体质谱技术在材料表面微区分析领域的应用进展 被引量：14

3

作者 张勇 贾云海 +8 位作者 陈吉文 沈学静 刘英 赵雷 李冬玲 韩鹏程 赵振 樊万伦 王海舟 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2238-2243,共6页

激光烧蚀-电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)技术不仅可以对导体及非导体进行元素的成分含量分析,而且还可进行元素分布及涂层深度表面微区分析,故在元素分析领域引起广泛的关注。主要介绍了LA-ICP-MS的仪器装置及其表面微区分析理论,同... 激光烧蚀-电感耦合等离子体质谱(LA-ICP-MS)技术不仅可以对导体及非导体进行元素的成分含量分析,而且还可进行元素分布及涂层深度表面微区分析,故在元素分析领域引起广泛的关注。主要介绍了LA-ICP-MS的仪器装置及其表面微区分析理论,同时对LA-ICP-MS在钢铁、有色金属及半导体等材料科学领域中的元素分布及涂层深度表面微区分析应用进展情况进行回顾,与SEM/EDS(扫描电子显微镜/能谱仪)、EPMA(电子探针微区分析)、AES(俄歇电子能谱)等传统经典的表面分析方法的比较,LA-ICP-MS具有无需或很少样品制备、空间分辨率可调、多元素同时分析及灵敏度高等优点,目前LA-ICP-MS已成为这些经典表面微区分析工具强有力的补充。随着LA-ICP-MS分析技术进一步的发展与成熟,相信不久的将来越来越多的元素分析工作者会使用这一强有力的分析工具,它像LIBS(激光诱导击穿光谱)一样,将会成为元素分析领域非常耀眼的一颗新星。 展开更多

关键词 激光烧蚀 电感耦合等离子体质谱仪(ICP/MS) 材料科学 表面微区分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

用扫描电子显微镜透视半导体和集成电路

4

作者 梁竹关 李亚文 +6 位作者 肖玲 王建 周开邻 李萍 徐晓华 Pay Э И 胡问国 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期404-405,共2页

关键词 扫描电镜 半导体材料 集成电路 微结构分析 透视 缺陷 透表显微内窥法

在线阅读 下载PDF 职称材料

锶掺杂钛酸钡陶瓷介电材料表面的掠出射角X射线能谱微分析

5

作者 仇满德 姚子华 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期331-331,共1页

关键词 能谱微分析 钛酸钡陶瓷 材料表面 介电材料 锶掺杂 X射线 出射角 陶瓷表面 陶瓷材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

融合化学与计算机技术提升微纳米材料光反射特性

6

作者 刘婧 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期917-918,共2页

微纳米材料在太阳能技术、光电子学和医学成像领域中,因卓越的光学特性而备受瞩目。化学与计算机科技的融合,正开启一条全新的道路,用于进一步提升这些材料的光反射特性。化学方法在这一过程中为材料合成和表面处理提供了精准的控制,而... 微纳米材料在太阳能技术、光电子学和医学成像领域中,因卓越的光学特性而备受瞩目。化学与计算机科技的融合,正开启一条全新的道路,用于进一步提升这些材料的光反射特性。化学方法在这一过程中为材料合成和表面处理提供了精准的控制,而计算机技术则在性能预测、数据分析和制造工艺设计方面发挥着关键作用。这种跨学科的融合不仅为太阳能电池、光电子设备及医学成像技术的发展注入了新动力,而且展现出推动能源、通信和医疗领域创新的巨大潜力。 展开更多

关键词 医学成像技术 计算机技术 微纳米材料 光电子学 太阳能技术 表面处理 数据分析 材料合成

在线阅读 下载PDF 职称材料

TiB_2-TiB/Fe金属陶瓷复合涂层原位合成及显微分析 被引量：42

7

作者 张维平 刘硕 邹龙江 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期798-801,共4页

利用激光熔覆工艺在中碳钢表面制备出原位自生TiB2-TiB/Fe复相金属陶瓷复合涂层,以改善常规材料表面综合使用性能.采用XRD、SEM、EDS、EPMA等手段对复合涂层进行了研究.结果表明:复合涂层主要由(Fe,C)固溶体胞状树枝晶及分布于晶间的TiB... 利用激光熔覆工艺在中碳钢表面制备出原位自生TiB2-TiB/Fe复相金属陶瓷复合涂层,以改善常规材料表面综合使用性能.采用XRD、SEM、EDS、EPMA等手段对复合涂层进行了研究.结果表明:复合涂层主要由(Fe,C)固溶体胞状树枝晶及分布于晶间的TiB2/Fe或TiB/Fe共晶组成,部分Fe2B相也会出现在晶间.涂层成分不同时,陶瓷增强相的含量将发生变化.涂层力学性能较基体有显著提高. 展开更多

关键词 金属陶瓷复合涂层 TIB2 Fe2B 激光熔覆工艺 共晶 显微分析 中碳钢 原位自生 原位合成 材料表面

在线阅读 下载PDF 职称材料

Al/Al_2O_3多层膜的表面和界面的分析研究 被引量：13

8

作者 薛钰芝 Martin A Green 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期73-76,共4页

用热蒸发沉积和自然氧化及加热法制备纳米量级的Al/Al2 O3薄膜和多层膜。用X射线光电子谱仪 (XPS)和透射电镜 (TEM)对样品进行检测。XPS实验说明自然氧化的Al2 O3膜层厚在 2～ 5nm。Al/Al2 O3薄膜及多层膜的O与Al的原子浓度比为 1 4 3～... 用热蒸发沉积和自然氧化及加热法制备纳米量级的Al/Al2 O3薄膜和多层膜。用X射线光电子谱仪 (XPS)和透射电镜 (TEM)对样品进行检测。XPS实验说明自然氧化的Al2 O3膜层厚在 2～ 5nm。Al/Al2 O3薄膜及多层膜的O与Al的原子浓度比为 1 4 3～ 1 85。Ar离子刻蚀的XPS实验结果 (刻蚀速率为 0 0 9nm/s)说明 :2个对层的Al/Al2 O3多层膜截面样品具有周期性结构。TEM观察到了 5个对层的Al/Al2 O3多层膜的层状态结构 ,其周期为 4nm。由此说明 ,热蒸发及自然氧化法是制备纳米量级的Al/Al2 展开更多

关键词 Al/Al2O3多层膜 表面分析 显微分析 铝/氧化铝 太阳能电池 热蒸发沉积 自然氧化 材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

从材料强度观点论机器零件的失效分析及失效的防止 被引量：1

9

作者 周惠久 涂铭旌 鄢文彬 《机械工程材料》 CAS 1981年第2期-,共10页

本文从材料强度学的观点出发,分析了机器零件的失效类型,概述了造成这些失效的基本原因。从而建立主要的失效抗力指标,研究这种失效抗力指标随材料成分、组织、状态的变异规律,运用金属学和材料强度学的理论成果,提出增强失效抗力的措施... 本文从材料强度学的观点出发,分析了机器零件的失效类型,概述了造成这些失效的基本原因。从而建立主要的失效抗力指标,研究这种失效抗力指标随材料成分、组织、状态的变异规律,运用金属学和材料强度学的理论成果,提出增强失效抗力的措施,打破现有选材、用材的传统观念束缚,做到充分发挥材料强度潜力,提高机械产品质量。本文从零件服役条件和材料因素两大方面分析了造成机器零件失效的原因,并着重指出了一些常为人们所忽视而又是重要的失效原因,如载荷条件中载荷谱、附加应力的影响,零件结构中薄弱环节的问题,环境因素的影响等等;材料因素中着重分析了表面与界面对裂纹萌生与扩展的影响。文中列举了生产实践中解决零件失效的典型事例,对于提高失效抗力与设计、材料、工艺变革的关系,也提出了一些看法。 展开更多

关键词 断裂抗力 残余奥氏体 失效分析 失效物理 零件失效 机器零件 夹杂物 材料强度 显微断口 内孔表面 凿岩机活塞 宏观断口分析 服役条件 裂纹扩展 回火温度 锤杆 显微组织 金相组织

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米SnO_2表面吸附作用的热分析研究

10

作者 古堂生 冯卫国 林光明 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第4期240-242,共3页

用 ＤＴＡ方法研究了纳米 ＳｎＯ_２材料表面 Ｏ２－１离子及 Ｏ－１吸、脱附反应，计算出吸脱附能分别为 １． ０９ ｅＶ Ｈ１． ５０ ｅＶ．

关键词 表面吸附 氧化锡 半导体材料 热分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

弹道电子发射显微术 被引量：3

11

作者 白春礼 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第4期211-222,共12页

半导体材料的发现和使用导致人们需要对其表面和界面性质进行全面的了解。诸如研究表面的基本特征,负载在表面上的沉积膜的影响,界面的电子穿透性,超晶格载流子的迁移率,量子阱深度等等。常规的表面分析技术并不能用来研究表面下界面的... 半导体材料的发现和使用导致人们需要对其表面和界面性质进行全面的了解。诸如研究表面的基本特征,负载在表面上的沉积膜的影响,界面的电子穿透性,超晶格载流子的迁移率,量子阱深度等等。常规的表面分析技术并不能用来研究表面下界面的结构和电子性质。 展开更多

关键词 界面结构 显微术 沉积膜 表面分析技术 肖特基势垒 半导体材料 收集极 界面性质 电子性质 超晶格

在线阅读 下载PDF 职称材料

半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量研究

12

作者 齐芸馨 姜春香 《兵器材料科学与工程》 CSCD 北大核心 1995年第3期37-41,46,共6页

研究了５０．８ｍｍ液封直拉非掺杂半绝缘砷化镓单晶中ＡＢ微缺陷的显微特征，率先提出了一种定量表征微缺陷的新方法，揭示了ＡＢ微缺陷在单晶各部位的分布规律。

关键词 微缺陷 砷化镓 单晶 半导体材料 定量分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

扫描隧道显微术的发展

13

作者 汪金祥 《应用光学》 CAS CSCD 1989年第5期26-31,共6页

本文简要介绍扫描遂道显微镜的基本工作原理、应用现状及其发展前景。

关键词 扫描隧道显微术 表面电子结构 工作原理 发展前景 半导体表面 电荷密度波 原子尺度 层状材料 振动谱 灰度级

在线阅读 下载PDF 职称材料

球形微孔二氧化硅的合成与表征 被引量：2

14

作者 朱文霞 王水菊 +2 位作者 张棋河 林敬东 廖代伟 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期77-79,共3页

以正硅酸乙酯作硅源,嵌段共聚物为模板剂,采用沉淀法合成均匀的实心球形二氧化硅微孔材料,BET、FSEM和XRD等表面分析手段表征表明,我们合成的二氧化硅微孔材料具有3～4μm的粒径和不规则分布的0.9～1nm的孔径以及216±3.5m2/g的比... 以正硅酸乙酯作硅源,嵌段共聚物为模板剂,采用沉淀法合成均匀的实心球形二氧化硅微孔材料,BET、FSEM和XRD等表面分析手段表征表明,我们合成的二氧化硅微孔材料具有3～4μm的粒径和不规则分布的0.9～1nm的孔径以及216±3.5m2/g的比表面积.实验结果还表明,在用非极性表面活性剂和非极性硅前驱体合成粒径均匀的多孔材料时,采取弱酸性的反应条件是有利的. 展开更多

关键词 二氧化硅 微孔材料 XRD BET FSEM 合成 表征 表面分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

(111)AInP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

15

作者 刘瑞东 于丽娟 +2 位作者 芦秀玲 黄永箴 张福甲 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期87-91,共5页

为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过... 为了研究 (111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器 ,利用金属有机化学气相淀积 (MOCVD)研究了 (111)AInP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)AInP衬底的悬挂键密度比较低 ,在生长过程中有意提高了V/Ш比。通过扫描电子显微镜 (SEM )和光荧光 (PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现 ,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大。最佳V/Ш比和温度分别为 4 0 0和 6 2 5℃。 展开更多

关键词 金属有机化学气相淀积 磷化铟衬底 表面形貌 铟镓砷磷 扫描电子显微镜分析 半导体材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

参加第49届丹佛X射线年会有感 被引量：1

16

作者 马光祖 梁国立 罗立强 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期55-56,共2页

报道了第 49届丹佛X射线年会的概况。会议期间 ,关于微束装置及其分析技术、全反射技术与应用、探测器研制、薄层分析、样品制备、半导体材料分析等 ,受到广泛关注。

关键词 X射线分析会议 微束装置 全反射技术 探测器 薄层分析 半导体材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

二氧化硅薄膜比热容分子动力学模拟 被引量：1

17

作者 唐祯安 丁海涛 +2 位作者 黄正兴 许自强 李新 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期313-315,共3页

针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系... 针对纳米量级薄膜比热容测定的困难,根据实验值建立了SiO2(100)薄膜物理模型.选取可靠的势能函数描述了分子间的相互作用,采用分子动力学模拟了它的比热容变化规律,在100～600K下给出了厚度在1～5nm的薄膜比热容对温度和厚度的依赖关系.计算结果表明,SiO2薄膜在300K下比热容明显低于相同条件下常规体材料的比热容,且随薄膜厚度的增加而增大;随温度升高,比热容变大,这同体材料是一致的.模拟结果揭示了SiO2薄膜比热容的微尺度效应,与理论分析基本吻合,可为半导体微器件的设计提供资料. 展开更多

关键词 分子动力学模拟 比热容 二氧化硅薄膜 SIO2薄膜 微尺度效应 热容测定 纳米量级 相互作用 势能函数 物理模型 变化规律 计算结果 依赖关系 薄膜厚度 温度升高 模拟结果 体材料 分子间 实验值 分析基 微器件 半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料