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《半导体光电技术》专栏序言 被引量:1
1
作者 宋海智 芦鹏飞 巫江 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期I0001-I0002,共2页
半导体光电技术是与激光技术、光学工程领域密切相关的重要研究课题,对我国高新科技发展具有重大科学意义和战略价值。半导体光电技术近年来在我国受到了空前重视,取得了巨大进展,产生了一系列重要和重大的科研成果,显示了我国在半导体... 半导体光电技术是与激光技术、光学工程领域密切相关的重要研究课题,对我国高新科技发展具有重大科学意义和战略价值。半导体光电技术近年来在我国受到了空前重视,取得了巨大进展,产生了一系列重要和重大的科研成果,显示了我国在半导体光电技术领域的科技实力和产业应用潜力。为了及时反映我国半导体光电技术的发展状况,促进广大科技工作者进一步做出更大成绩,《激光技术》出版了本期“半导体光电技术”专栏,报道国内半导体光电技术领域的重要进展和最新研究成果。 展开更多
关键词 半导体光电 激光技术 科技工作者 科研成果 光学工程 最新研究成果 专栏 高新科技发展
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半导体光电极固定二氧化碳研究动向
2
作者 周忠清 《天然气化工—C1化学与化工》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期49-52,36,共5页
介绍了采用半导体光电极固定二氧化碳的方法。该方法通过光电化学还原反应固定二氧化碳,是现代化工科研正在开拓的新领域。实验结果表明,该方法的特点是选择性高。
关键词 CO2 固定 半导体光电 还原反应
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一种新型半导体超辐射集成光源
3
作者 赵永生 杜国同 +4 位作者 姜秀英 韩伟华 李雪梅 宋俊峰 高鼎三 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第1期5-7,共3页
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明,这... 为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明,这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率,有望成为新一代大功率超辐射光源。 展开更多
关键词 超辐射发光管 集成光源 半导体光电器件
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PV型HgCdTe光电探测器中的混沌及其诊断 被引量:8
4
作者 马丽芹 程湘爱 +2 位作者 许晓军 李文煜 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期37-39,共3页
 对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进...  对激光辐照半导体光电探测器的实验研究,发现当一束不太强的稳定连续波激光照射在PV型HgCdTe光电探测器上时,可以引起探测器出现混沌行为。利用光电探测器的光电压信号随时间变化的实验数据,通过求功率谱、计算Lyapunov指数对混沌进行了诊断。 展开更多
关键词 PV型HgCdTe光电探测器 诊断 混沌 功率谱 LYAPUNOV指数 激光辐照 半导体光电探测器
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InGaAs(P)/InP量子阱混合处理对其光电特性的影响 被引量:3
5
作者 赵杰 王永晨 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期540-548,共9页
用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和... 用离子注入诱导无序(IICD)和无杂质空位扩散诱导无序(IFVD)方法研究了InGaAs(P)/InP量子阱结构的混合造成材料光电特性变化、带隙蓝移的规律。研究结果发现,IICD造成的带隙蓝移与离子注入的种类、剂量、注入后退火温度、时间有关,也和样品存在的应力有关。具有压应力的样品产生的蓝移量比具有张应力的大。IFVD方法造成的带隙蓝移量与介质膜的种类、后继退火温度、退火时间有关。同时还发现,蓝移量与半导体盖层成分和介质层成分的组合有关,InGaAs与SiO2组合产生的蓝移比InGaAs与Si3N4组合产生的蓝移大;与此相反,InP与Si3N4组合产生的蓝移比InP与SiO2组合的大。介质层的掺杂也影响蓝移量,掺P的SiOxPyNz可以产生高达224meV的蓝移,目前尚未见其他报道。二次离子质谱(SIMS)研究说明,量子阱层元素的互扩散可能是造成带隙蓝移的主要原因。 展开更多
关键词 InGaAs(P)/InP 量子阱 混合处理 光电特性 超晶格 离子注入 无杂质空位扩散 半导体光电器件 砷镓铟三元化合物 磷化铟
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新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制 被引量:3
6
作者 周鑫 朱大中 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期928-930,共3页
 本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时...  本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧~64ms/帧范围内调整. 展开更多
关键词 阵列式象限传感器 相关二次采样 互补金属氧化物半导体光电传感器 动态范围调整 二次扫描
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高效可重现的SbI_(3)声化学合成及其薄膜制备
7
作者 李晴雯 钟敏 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第6期1042-1049,共8页
二维金属卤化物近年来成为研究热点,其中三碘化锑(SbI_(3))因具有光学各向异性、较高的折射率、二次谐波等特性被用于辐射探测器和光电器件。但SbI_(3)价格昂贵,限制了其大规模应用。本文以锑粉和碘粉为原料,首次采用声化学方法合成了Sb... 二维金属卤化物近年来成为研究热点,其中三碘化锑(SbI_(3))因具有光学各向异性、较高的折射率、二次谐波等特性被用于辐射探测器和光电器件。但SbI_(3)价格昂贵,限制了其大规模应用。本文以锑粉和碘粉为原料,首次采用声化学方法合成了SbI_(3),并研究了超声时间、反应溶剂、Sb物质的量及锑碘摩尔比对产物的影响,并以此粉体为原料制得SbI_(3)晶体和薄膜。结果表明,当溶剂为甲醇,锑碘摩尔比n(Sb)∶n(I_(2))=2∶3.6(碘过量20%),超声时间为100 min时,得到纯相SbI_(3)粉体。采用升华法在温度为220℃,反应时间为3 h时得到(006)高取向的SbI_(3)晶体。采用气相输运沉积方法制备SbI_(3)薄膜时,沉积距离对薄膜形貌有较大影响。沉积距离增大使薄膜致密性提高,但沉积区温度降低导致薄膜晶化变差,因此要选择合适的沉积距离。此处,沉积距离为17.5 cm时获得了致密均匀的SbI_(3)薄膜。该声化学合成SbI_(3)的方法简单高效,成本低,重现性好,并可拓展应用于AgI、CuI、BiI_(3)和Cs_(3)Bi_(2)I_(9)等金属碘化物的合成。 展开更多
关键词 三碘化锑 半导体光电材料 声化学合成 升华 气相输运沉积
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基于峰域工作点的间接耦合光电探测器 被引量:1
8
作者 何民才 陈长清 +1 位作者 郭缨 刘志伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期13-17,共5页
本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况,当器件工作于峰域时,不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益,充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论,得出交流耦合系数大于1... 本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况,当器件工作于峰域时,不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益,充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论,得出交流耦合系数大于1(具有内部增益)的分析结果。 展开更多
关键词 间接耦合 光电探测器 响应时间 半导体光电器件
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硅基光电器件研究进展 被引量:2
9
作者 郭宝增 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期19-24,共6页
在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用。然而,因为硅是间接带隙半导体,试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难,人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。... 在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用。然而,因为硅是间接带隙半导体,试图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难。为解决这一困难,人们发展了多种与硅微电子集成电路兼容的光电子器件制造技术。本文介绍最近几年这方面技术的发展情况。 展开更多
关键词 多孔硅 光电子器件 硅集成电路 半导体光电器件
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闪锌矿的光电导现象及对电子探针分析精度的影响 被引量:1
10
作者 郑巧荣 《岩矿测试》 CAS 1986年第2期101-104,I0003,共5页
低铁闪锌矿(含Fe量在1%以下)在阴极射线下的发光现象,是众所周知的。然而,它所存在的光电导现象及对电子探针分析值的影响,却往往被人们所忽视。实际上,低铁天然闪锌矿是一种半导体光电物质,其电阻率随入射光强度的变化而变化。
关键词 电子探针分析 天然闪锌矿 入射光强度 半导体光电 发光现象 铁闪锌矿 阴极射线 电阻率
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MOS结构衬底电阻率ρ对光电参数的影响
11
作者 陈杰 戴文战 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期40-42,共3页
用高阻p型硅(ρ=12000Ωcm)单晶材料制作了MOS结构器件,对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下,测出样管在光照前后的C-V实验曲线及样管在0.4V偏压下,光照前后的电容相对变化率为39.5%。而用低阻p型... 用高阻p型硅(ρ=12000Ωcm)单晶材料制作了MOS结构器件,对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下,测出样管在光照前后的C-V实验曲线及样管在0.4V偏压下,光照前后的电容相对变化率为39.5%。而用低阻p型硅制成的样管,在同样条件下,电容的变化量不大。 展开更多
关键词 半导体光电器件 C-V特性曲线 光电 测试
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浅谈《光电子技术基础》教材的编写——交叉学科专业教材改革初探
12
作者 彭江得 刘小明 周炳琨 《中国大学教学》 1990年第4期20-21,共2页
根据工科电子类专业教材1986-1990年编审计划的要求,为适应现代信息科学技术的发展,经过八年的教学和科研实践,我们编写了《光电子技术基础》教材,并于1988年6月由清华大学出版社出版。一、光电子学科的崛起 60年代激光的问世,极大地推... 根据工科电子类专业教材1986-1990年编审计划的要求,为适应现代信息科学技术的发展,经过八年的教学和科研实践,我们编写了《光电子技术基础》教材,并于1988年6月由清华大学出版社出版。一、光电子学科的崛起 60年代激光的问世,极大地推动了传统光学和电子学技术的发展。随着人们对光与物质相互作用过程研究的深化,涌现出如激光物理学、非线性光学。 展开更多
关键词 光电子技术 半导体光电子学 电子类专业 导波光学 激光物理 现代信息科学 传统光学 非线性光学 科研实践 功能器件
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非线性光电导开关载流子碰撞电离分析 被引量:1
13
作者 王馨梅 施卫 +1 位作者 屈光辉 侯磊 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1958-1961,共4页
对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200... 对非线性GaAs光电导开关在锁定期间的电流成丝现象、具有负微分迁移率的速场特性、深能级的陷阱效应、光子的再吸收等因素进行分析,建立了非线性光电导开关锁定期间的连续性方程和电中性方程.基于该方程组,用有限差分法计算了偏压为2200V的3.5mmGaAs:EL2非线性光电导开关的电流实验数据,得到电流丝内载流子瞬态特性为:载流子浓度约为1017cm-3,EL2电子陷阱近似饱和;电子电流随锁定时间明显下降,空穴电流基本不变;单位寿命时间载流子雪崩倍增因子的均值约为1.2,其统计起伏随锁定时间增大. 展开更多
关键词 光电半导体开关 砷化镓 碰撞电离 锁定 连续性方程
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影响超快光电导开关关断特性的主次因素 被引量:2
14
作者 王馨梅 施卫 《西安理工大学学报》 CAS 2008年第4期407-410,共4页
超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用... 超快光电半导体开关的最大重复工作频率由关断特性决定,而影响关断特性的因素很多。基于超快光电半导体开关的大量实验,分析了影响关断特性的主要因素和次要因素,认为关断特性主要取决于载流子的寿命、载流子的漂移速度、深能级陷阱作用,其中,载流子寿命是最重要的因素。触发光参数及光电耦合关系、电极工艺、电路参数对关断特性有一定影响。 展开更多
关键词 光电半导体开关 关断特性 影响因素
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新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究
15
作者 王领航 张继军 +1 位作者 介万奇 董阳春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期387-389,共3页
研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞(MIT)晶体,利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶,并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明:MIT晶体为缺陷闪锌矿结构,其在中... 研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞(MIT)晶体,利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶,并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明:MIT晶体为缺陷闪锌矿结构,其在中远红外波段透过性能较好( 〉50%),并且随着波长的增大,透过增强.MIT晶体为n型半导体,室温电阻率为4.79×10^2Ω.cm,载流子迁移率为4.6×10^2cm^2.V^-1.s^-1,载流子浓度为2.83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度,有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。 展开更多
关键词 碲铟汞 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器
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其它光电技术及器件
16
《中国光学》 EI CAS 1997年第2期80-80,共1页
O462.3 97021276TE光电阴极制作技术的研究=Research on thetechnology for manufacturing TE photocathodes[刊,中]/李相民,侯洵,程军,王存让(中科院西安光机所半导体光电器件研究室.陕西,西安(710061))//半导体技术.—1995,(4).
关键词 光电阴极 半导体光电器件 制作技术 制作工艺 半导体技术 光电技术 西安 中科院 研究室 退化现象
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光电子技术与器件 光探测与器件
17
《中国光学》 CAS 2005年第3期65-66,共2页
O434.22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]/徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电.-2004,25(6).-411-416 ... O434.22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]/徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电.-2004,25(6).-411-416 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构 和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电 探测器的研究新进展。图3参25(严寒) O434.22 2005032090 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析=Simulation and analysis of 6H-SiC pn junction ultraviolet photodetector [刊,中]/周拥华(西安电子科技大学微电子研究所.陕西, 展开更多
关键词 紫外光探测器 半导体光电探测器 响应灵敏度 光电子技术 掺杂浓度 暗电流特性 内调制光电探测器 单光子探测 工程学院 调制特性
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First-principles study on the structure-property relationship of AlX and InX(X=N,P,As,Sb)
18
作者 HE Zhihao DING Jiafu +1 位作者 WANG Yunjie SU Xin 《无机化学学报》 北大核心 2025年第5期1007-1019,共13页
This paper delves into the theoretical mechanisms of the electronic structure and optical properties of aluminum-based semiconductors(AlX,X=N,P,As,Sb)and indium-based semiconductors(InX,X=N,P,As,Sb)as potential materi... This paper delves into the theoretical mechanisms of the electronic structure and optical properties of aluminum-based semiconductors(AlX,X=N,P,As,Sb)and indium-based semiconductors(InX,X=N,P,As,Sb)as potential materials for optical devices.Band structure calculations reveal that,except for InSb,all other compounds are direct bandgap semiconductors,with AlN exhibiting a bandgap of 3.245 eV.The valence band maximum of these eight compounds primarily stems from the p-orbitals of Al/In and X.In contrast,the conduction band minimum is influenced by all orbitals,with a predominant contribution from the p-orbitals.The static dielectric constant increased with the expansion of the unit cell volume.Compared to AlX and InX with larger X atoms,AlN and InN showed broader absorption spectra in the near-ultraviolet region and higher photoelectric conductance.Regarding mechanical properties,AlN and InN displayed greater shear and bulk modulus than the other compounds.Moreover,among these eight crystal types,a higher modulus was associated with a lower light loss function value,indicating that AlN and InN have superior transmission efficiency and a wider spectral range in optoelectronic material applications. 展开更多
关键词 aluminium‑based semiconductor indium‑based semiconductor first principle electronic structure optical property
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集成光学 光电集成与器件
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《中国光学与应用光学》 2007年第5期53-54,共2页
关键词 光电集成 集成光学 共掺 薄膜光电子学 应用光学 波导调制器 光波导放大器 聚合物阵列波导光栅 器件 单模光纤 光导纤维 多量子阱 光子晶体 半导体光电 定向耦合器
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光电化学阴极保护技术研究进展 被引量:4
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作者 蒋继宏 张小影 金祖权 《海洋科学》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期150-161,共12页
海洋环境下的金属面临着非常严峻的腐蚀问题,必须采取措施进行防护。光电化学阴极保护是一种绿色环保的新型防腐蚀技术,受到了广泛的关注。本文简要阐述了光电化学阴极保护技术的原理以及对光阳极的要求;详细介绍了以二氧化钛为代表的... 海洋环境下的金属面临着非常严峻的腐蚀问题,必须采取措施进行防护。光电化学阴极保护是一种绿色环保的新型防腐蚀技术,受到了广泛的关注。本文简要阐述了光电化学阴极保护技术的原理以及对光阳极的要求;详细介绍了以二氧化钛为代表的几种常见光阳极材料及其不同改性方法;此外还介绍了兼具储能与阴极保护功能的光阳极,它有望实现暗态下连续保护的目标;最后讨论了光电化学阴极保护技术的发展趋势。 展开更多
关键词 海洋环境 腐蚀防护 光电化学阴极保护 光电半导体 二氧化钛
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