高温可靠性测试如高温栅偏(High Temperature Gate Bias,HTGB)、高温反偏(High Temperature Reverse Bias,HTRB)、高温高湿反偏(High Humidity High Temperature Reverse Bias,H3TRB)是器件出厂和寿命评估必备的测试。然而,不同标准的...高温可靠性测试如高温栅偏(High Temperature Gate Bias,HTGB)、高温反偏(High Temperature Reverse Bias,HTRB)、高温高湿反偏(High Humidity High Temperature Reverse Bias,H3TRB)是器件出厂和寿命评估必备的测试。然而,不同标准的测试条件不尽相同,其对应的内在机理也不明确。为讨论测试条件的确定原则,首先从单个和耦合的温度、电场、湿度加速老化模型出发,论述了相关测试标准所用模型,分析了其应用范围和使用原则。进一步地,总结了现有各类标准下的测试条件,计算了电动汽车模块正常运行30年所需HTGB、HTRB、H3TRB加速老化时间分别为832 h、866 h、1038 h,测试的样本数均为70,并指出测试时间、样本数需根据实际工况决定。最后,基于以上分析,提出了一种加速老化时间、样本数可调的高温可靠性测试流程。展开更多
高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6...高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6 kV、环境温度180℃的高温反偏测试装置。此外,该测试装置还集成了温度-漏电流关系曲线自动测量及失效期数据高频采集等功能,更为准确灵活地监测被测器件的状态,进行可靠性评估与失效分析。为验证该测试装置的各项功能及可靠性,使用该装置对商业IGBT器件进行了测试,初步测试结果表明:温度与漏电流呈指数关系,集射极漏电流随着老化的进行逐渐增大。该装置符合高压大功率半导体器件对高温反偏测试的需求且适用于不同封装的IGBT器件。展开更多
文摘高温可靠性测试如高温栅偏(High Temperature Gate Bias,HTGB)、高温反偏(High Temperature Reverse Bias,HTRB)、高温高湿反偏(High Humidity High Temperature Reverse Bias,H3TRB)是器件出厂和寿命评估必备的测试。然而,不同标准的测试条件不尽相同,其对应的内在机理也不明确。为讨论测试条件的确定原则,首先从单个和耦合的温度、电场、湿度加速老化模型出发,论述了相关测试标准所用模型,分析了其应用范围和使用原则。进一步地,总结了现有各类标准下的测试条件,计算了电动汽车模块正常运行30年所需HTGB、HTRB、H3TRB加速老化时间分别为832 h、866 h、1038 h,测试的样本数均为70,并指出测试时间、样本数需根据实际工况决定。最后,基于以上分析,提出了一种加速老化时间、样本数可调的高温可靠性测试流程。
文摘高温反偏测试(high temperature reverse bias,HTRB)作为功率器件可靠性测试的重要环节,其测试装置的精度和功能决定了对被测器件老化程度判定的准确性。针对高压大功率器件对测试装置空间、精度以及可靠性的需求,自主研制出了电压等级6 kV、环境温度180℃的高温反偏测试装置。此外,该测试装置还集成了温度-漏电流关系曲线自动测量及失效期数据高频采集等功能,更为准确灵活地监测被测器件的状态,进行可靠性评估与失效分析。为验证该测试装置的各项功能及可靠性,使用该装置对商业IGBT器件进行了测试,初步测试结果表明:温度与漏电流呈指数关系,集射极漏电流随着老化的进行逐渐增大。该装置符合高压大功率半导体器件对高温反偏测试的需求且适用于不同封装的IGBT器件。
