金刚石微波功率场效应晶体管 被引量：1

1

作者 郁鑫鑫 周建军 +3 位作者 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期F0003-F0003,共1页

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经... 金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。 展开更多

关键词 大功率微波器件 金刚石材料 功率场效应晶体管 电力电子器件 高热导率 击穿场强 机械加工 光学系统

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C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术 被引量：5

2

作者 徐立生 何建华 +1 位作者 苏文华 齐俊臣 《半导体情报》 1995年第1期24-29,60,共7页

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１... 叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。 展开更多

关键词 微波功率场效应晶体管 加速寿命试验 可靠性 C波段 砷化镓

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功率场效应晶体管的保护方法 被引量：1

3

作者 康伟 《辽宁工学院学报》 2001年第2期27-28,共2页

分析了开关电源中功率场效应晶种管损坏的主要原因 。

关键词 瞬态共同导通 寄生振荡 动态不平衡 功率场效应晶体管

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汽车零部件感应加热淬火设备知识讲座(九)　　大功率场效应晶体管(MOSFET)淬火设备

4

作者 杨连弟 《汽车工艺与材料》 2007年第9期53-56,共4页

1 装置组成 图1是GH公司成套双频感应加热淬火装置结构简图。

关键词 功率场效应晶体管 感应加热 淬火设备 汽车零部件 知识讲座 装置组成 结构简图 淬火装置

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垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计 被引量：1

5

作者 杨嘉颖 利健 +3 位作者 黄昊 郑子阳 吴健华 贺威 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第5期359-364,共6页

主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺... 主要研究了垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管的器件特性。利用理论计算和器件模拟,系统地设计和优化了n型氮化镓漂移层的掺杂浓度和厚度以及鳍宽度的参数,使得击穿电压和导通电阻达到最佳的折衷。经过最终优化后,当n型氮化镓漂移层的掺杂浓度、漂移层的厚度、鳍宽度分别为5×10^(15)cm^(-3)、10μm、0.2μm时,得到高击穿电压为1150 V、低导通电阻为1.01 mΩ·cm^(2)、高Baliga优值为1.31 GW/cm^(2)。结果表明,通过本文方法优化的垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管可用于大功率和高压场合。 展开更多

关键词 氮化镓 鳍式功率场效应晶体管 击穿电压 导通电阻 Baliga优值

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功率场效应晶体管晶圆超薄磨片工艺开发

6

作者 彭双清 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期796-797,813,共3页

晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻,工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题。现有的晶圆磨片的一般厚度为200μm,超薄磨片的目标是100μm。本研究采用同一批次晶圆,分批,2片超薄研磨,其他采用... 晶圆超薄磨片工艺是为减小功率开关管导通电阻,工艺中存在超薄晶圆磨片后转运过程中破片及超薄晶圆背面蒸镀金属等问题。现有的晶圆磨片的一般厚度为200μm,超薄磨片的目标是100μm。本研究采用同一批次晶圆,分批,2片超薄研磨,其他采用正常工艺减薄,封装测试条件相同。对比封装测试完毕的器件的导通电阻,超薄研磨器件的导通电阻减小约10%。 展开更多

关键词 开关电源 功率场效应晶体管 晶圆超薄磨片

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全固态发射机中大功率场效应晶体管的工作原理与使用维修

7

作者 孙胜柱 《中国传媒科技》 2012年第03X期129-130,共2页

分析高频大功率场效应晶体管的工作原理、结构特点。MOSFET的存放、使用和测量方法。

关键词 大功率场效应晶体管 工作原理 存放 使用和测量

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国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应 被引量：2

8

作者 高博 王立新 +4 位作者 刘刚 罗家俊 韩郑生 王路璐 邓海涛 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第1期143-147,共5页

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措... 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升。结果表明:对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15 V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力。 展开更多

关键词 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管 单粒子效应 抗辐射加固

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功率VDMOSFET单粒子效应研究 被引量：4

9

作者 段雪 郎秀兰 +6 位作者 刘英坤 董四华 崔占东 刘忠山 孙艳玲 胡顺欣 冯彬 《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期573-576,共4页

阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS... 阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压分别为65V和112V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性。实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61V和110V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性。 展开更多

关键词 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子栅穿 单粒子烧毁 缓冲屏蔽 锎源

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功率VDMOS器件的研究与发展 被引量：9

10

作者 杨法明 杨发顺 +3 位作者 张锗源 李绪诚 张荣芬 邓朝勇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期623-629,673,共8页

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造... 简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。 展开更多

关键词 功率器件 垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS) 击穿电压 导通电阻 SIC材料

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GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

11

作者 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期377-382,共6页

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠... 采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。 展开更多

关键词 砷化镓微波功率场效应晶体管 砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管 可靠性 动态伏安特性

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半导体功率器件直流特性的自动脉冲测量

12

作者 孙玮 孙钊 《西安工程大学学报》 CAS 2013年第6期801-804,共4页

为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响,提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型自动脉冲式电流-电压(I-V)测量系统.用短脉冲技术加低负载循环,通过补偿因子进行系统校准,分析对比直流I-... 为了消除大功率场效应晶体管静态测量时的自加热效应对器件测量结果的影响,提出了一种基于Sagittarius实验测量操作平台设计的新型自动脉冲式电流-电压(I-V)测量系统.用短脉冲技术加低负载循环,通过补偿因子进行系统校准,分析对比直流I-V测量方法和脉冲式I-V测量方法.实验结果表明,所设计的脉冲式I-V测量方法正确有效,能够得到大功率半导体器件真实的输出电导和跨导,自动测量系统相比常规测量方法可以提高测量效率约12倍,为构建大功率场效应晶体管器件的精确模型和工业生产监控提供相关测量数据. 展开更多

关键词 大功率场效应晶体管 自加热效应 脉冲电压 自动测量

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6.5 kV,5 A 4H-SiC 功率 DMOSFET器件

13

作者 杨立杰 李士颜 +3 位作者 刘昊 黄润华 李赟 柏松 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期81-85,共5页

报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10^(15) cm^(-3)的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮... 报道了在60μm厚、掺杂浓度1.3×10^(15) cm^(-3)的外延层上制备4H-SiC功率DMOSFET器件的研究结果。器件击穿电压大于6.5 kV,导通电流大于5 A,相对于之前的报道结果,器件导通能力提升了25倍。器件采用由55根环组成的,450μm宽的浮空场限环作为器件终端结构。通过1 250°C热氧化工艺和NO退火技术,完成器件栅介质层制备。通过横向MOSFET测试图形,提取器件峰值有效沟道迁移率为23 cm^2/(V·s)。器件有源区面积为0.09 cm^2,在栅极电压20 V、室温下,器件比导通电阻为50 mΩ·cm^2。在漏极电压6.5 kV时,器件漏电流为6.0μA,对应器件漏电流密度为30μA·cm^(-2)。基于此设计结构,通过设计实验,提取了SiC DMOSFET器件中电阻比例组成。 展开更多

关键词 SiC功率双注入金属氧化物半导体场效应晶体管 阻断电压 比导通电阻

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沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究 被引量：3

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作者 秦晓静 周建伟 康效武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期365-368,共4页

介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了... 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。 展开更多

关键词 集成电路 沟槽 功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管 多晶硅 晶粒 栅极

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功率MOSFET的研究与进展 被引量：12

15

作者 褚华斌 钟小刚 +2 位作者 吴志伟 戴鼎足 苏祥有 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期363-367,413,共6页

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一... 器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。 展开更多

关键词 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 器件设计工艺 智能功率电子 封装 宽禁带半导体材料 计算机辅助设计

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6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析

16

作者 张娟 柴常春 +1 位作者 杨银堂 徐俊平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期133-136,共4页

采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高... 采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件。此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大。 展开更多

关键词 6H-碳化硅 4H-碳化硅 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

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MOSFET的驱动保护电路的设计与应用 被引量：18

17

作者 郭毅军 苏小维 +1 位作者 李章勇 陈丽 《电子设计工程》 2012年第3期169-171,174,共4页

率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块... 率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与MOS-FET的匹配;设计了基于IR2130驱动模块的MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在驱动无刷直流电机的应用中证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。 展开更多

关键词 功率场效应晶体管 功耗和匹配 驱动电路 保护电路

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基于反馈控制的恒流型电子负载的实验研究 被引量：9

18

作者 杨长安 王蔚 +1 位作者 赵亮 王光中 《现代电子技术》 2006年第14期127-128,共2页

给出了基于反馈控制的恒流型电子负载的结构框图,分析了控制原理,重点介绍了比例积分(PI)调节器参数的工程设计方法。对功率场效应晶体管的使用进行了简单介绍,设计了实际的恒流型电子负载电路,实验结果验证了本电路结构简单、成本低廉... 给出了基于反馈控制的恒流型电子负载的结构框图,分析了控制原理,重点介绍了比例积分(PI)调节器参数的工程设计方法。对功率场效应晶体管的使用进行了简单介绍,设计了实际的恒流型电子负载电路,实验结果验证了本电路结构简单、成本低廉且具备了一定的快速性、稳定性和抗扰性。 展开更多

关键词 恒流型电子负载 反馈控制 PI调节器 工程设计方法 功率场效应晶体管 实验研究

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基于PWM技术的汽车空调蒸发风机逆变器的研制 被引量：2

19

作者 姚勇 邸敏艳 吴立勋 《汽车电器》 2003年第4期5-8,共4页

依据正弦波脉宽调制(SPWM)技术,汽车空调蒸发风机逆变器主电路采用三相双极性逆变桥式电路,逆变管采用功率场效应晶体管,控制电路采用数字集成电路。根据其原理编出数据表并存储于EPROM中,用这些数据来控制每对逆变管的导通与截止。实... 依据正弦波脉宽调制(SPWM)技术,汽车空调蒸发风机逆变器主电路采用三相双极性逆变桥式电路,逆变管采用功率场效应晶体管,控制电路采用数字集成电路。根据其原理编出数据表并存储于EPROM中,用这些数据来控制每对逆变管的导通与截止。实现将汽车内的直流电压变换为电压、频率可调的三相正弦交流电压,带动三相交流异步电动机。其电路简单、实用、造价低,而且可以保证三相位的对称性,形成较好的三相正弦波。 展开更多

关键词 汽车 空调蒸发风机 逆变器 PWM技术 正弦波脉宽调制技术 功率场效应晶体管 逆变管

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使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题

20

作者 刘立浩 杨瑞霞 +2 位作者 王同祥 张雄文 周瑞 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期788-789,共2页

关键词 SEM GAASMMIC 通孔工艺 制造工艺 背面通孔 扫描电镜 砷化镓微波功率场效应晶体管

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