分布布喇格反射镜的反射特性 被引量：3

1

作者 李林 钟景昌 +5 位作者 苏伟 晏长岭 张永明 郝永琴 刘文莉 赵英杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期501-504,共4页

采用等效法布里 珀罗(F P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构。随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加。上下两层... 采用等效法布里 珀罗(F P)腔方法对分布布喇格反射镜(DBR)的特性进行了研究,计算并讨论了上下两层DBR结构非对称模型反射率的变化。设计了DBR反射镜的反射谱中心波长为850nm的结构。随着DBR周期数的增加,腔反射率峰值逐渐增加。上下两层DBR反射镜的厚度由反射率和中心波长决定。实验表明,下DBR的周期数为30对左右,上DBR的周期数为20对左右,易实现激光输出。非对称的双层DBR的反射特性表明理论计算与实验结果基本一致。 展开更多

关键词 分布布喇格反射 F-P腔 反射特性

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MOCVD-Ga_(0.4)In_(0.6)As_(0.85)P_(0.15)/InP分布布喇格反射镜的反射率 被引量：1

2

作者 蒋红 金亿鑫 +2 位作者 宋航 李军 缪国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期686-690,共5页

采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。... 采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Ga0.4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率。由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR)。研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系。根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%。利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP的交替生长,成功地获得周期数分别为3,4,7,11,15,19,23的分布布喇格反射镜(DBR)。实验结果表明,已获得表面如镜面状的二元InP外延层,而组分x,y分别为0.4,0.85的四元合金,因其处于混溶隙,外延层表面较粗糙,未获得镜面状表面。反射率的测量结果表明,反射镜的反射率随周期数的增加而升高,当DBR的周期数为23时,反射率为54.44%,与理论结果尚存在一定差距。 展开更多

关键词 金属有机化学气相沉积 分布布喇格反射镜 反射率

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侧墙倾斜的水平半导体/空气分布布喇格反射器的设计

3

作者 王海龙 秦文华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期225-230,共6页

时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬... 时域有限差分(FDTD)法计算表明,在常规的水平半导体/空气分布布喇格反射器(DBR)设计中为了得到高反射率,DBR中侧墙与衬底垂直非常重要。对于GaN基材料DBR侧墙如果有3°的倾斜,反射率将下降到30%左右,然而在实验上很难得到侧墙与衬底垂直的GaN基DBR结构。考虑到侧墙倾斜问题我们提出了新的DBR设计方法,采用这种方法即使DBR侧墙有较大的倾斜也可以得到高的反射率。设计的关键是在侧墙倾斜的情况下保持每个DBR周期光程差与垂直情况下一致,根据光的干涉原理我们给出了详细的解释。 展开更多

关键词 时域有限差分 分布布喇格反射器 反射率 倾斜 干涉

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MOCVD-Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InPDBR结构的晶格振动 被引量：2

4

作者 蒋红 宋航 缪国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期967-970,共4页

利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.1... 利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱。同时类InAs与类GaAs振动强度比增大。Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态。 展开更多

关键词 MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InP DBR 分布布喇格反射镜结构 RAMAN散射 晶格振动

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垂直腔半导体光放大器中的等效反射率分析

5

作者 卢静 罗斌 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期174-178,共5页

为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与光束半值谱宽的数据,... 为了优化垂直腔半导体光放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部光场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与光束半值谱宽的数据,进行了理论分析和实验验证。结果表明,等效反射率随着结构周期增加而变大,但是当周期大于25时基本不再变化;与只考虑正入射情况相比,修正后的DBR等效反射率小了2%～4%;等效反射率随着半值谱宽θ_(FWHM)增大而减小。该研究为准确计算膜堆层数对DBR等效反射率的影响提供理论指导,优化了VCSOA的工作性能。 展开更多

关键词 激光器 反射率 传输矩阵法 角频谱 垂直腔半导体光放大器 分布布喇格反射器

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微腔有机发光器件中的电致发光光谱(英文) 被引量：10

6

作者 闫玲玲 李宏建 +2 位作者 张剑华 朱儒晖 欧阳俊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期173-178,共6页

设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的... 设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的增加出现振荡变化。空穴传输层和发光层的界面位置对器件电致发光谱的影响也很大。最后得到,在设计微腔时发光层厚度要尽量窄,并且中心发光区域应位于谐振腔中电场的峰值位置。 展开更多

关键词 微腔有机发光器件 分布布喇格反射镜 电致发光(EL)

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1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器 被引量：6

7

作者 韩勤 彭红玲 +4 位作者 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期549-551,共3页

利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长... 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性· 展开更多

关键词 探测器 LT-GAAS 谐振腔增强 分布布喇格反射镜

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光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展 被引量：4

8

作者 张冠杰 舒永春 +5 位作者 刘如彬 舒强 林耀望 姚江宏 王占国 许京军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期351-354,共4页

介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。

关键词 光电子学 垂直外腔面发射激光器 光抽运 分布布喇格反射镜 超短脉冲

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SESAM实现脉冲式Nd∶YAG激光器的被动锁模特性研究 被引量：4

9

作者 李立卫 王加贤 王娟娟 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期296-298,301,共4页

为了研究半导体可饱和吸收镜的被动锁模特性,采用中科院半导体所提供的半导体可饱和吸收镜,实现了脉冲式Nd∶YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出。经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2ps... 为了研究半导体可饱和吸收镜的被动锁模特性,采用中科院半导体所提供的半导体可饱和吸收镜,实现了脉冲式Nd∶YAG激光器1.06μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出。经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2ps,脉冲序列的能量为24m J,实验中采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单、易于调整。理论上分析了1.06μm半导体可饱和吸收镜结构及被动锁模基本原理,计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中布喇格反射层不同周期时对应的反射谱图以及不同周期时中心频率处布喇格反射层的反射率曲线。结果表明,随着布喇格反射层周期数的增加,其中心波长处的反射率也随着增加。当周期数大于13时,其中心波长反射率超过99%。半导体可饱和吸收镜是实现Nd∶YAG激光器的被动锁模的理想锁模器件。 展开更多

关键词 激光技术 半导体可饱和吸收镜 被动锁模 分布布喇格反射

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N-DBR和双氧化限制层对VCSEL电、光、热特性的影响 被引量：3

10

作者 刘立新 赵红东 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期325-329,共5页

根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔... 根据增益波导垂直腔面发射激光器直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对注入电流密度、载流子浓度、光场和热场分布方程求自洽解.研究了垂直腔面发射激光器的电、热和光波导特性,同时提出了一种具有双氧化限制层的增益波导垂直腔面发射激光器结构,并通过对比研究了N-型分布布喇格反射镜和双氧化限制层对增益波导垂直腔面发射激光器特性的影响·计算结果表明,如果忽略N-型分布布喇格反射镜的影响将与实际的垂直腔面发射激光器有较大偏差;双氧化限制层结构对激光器特性有较大的改善,它为增益波导垂直腔面发射激光器提供了一种降低阈值,抑制高阶横模的方法· 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 有限差分法 N-型分布布喇格反射镜层 双氧化限制层

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DBR掺镱光纤激光器激射波长的研究 被引量：1

11

作者 冯新焕 范万德 +2 位作者 袁树忠 开桂云 董孝义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1417-1420,共4页

对基于一少量模光纤光栅和一普通光纤光栅的分布布喇格反射掺镱光纤激光器的激射波长进行了详细研究通过对普通布喇格光栅的中心波长进行调谐,发现激射波长始终是由两光栅卷积的最大值所确定的等效反射峰值相对光栅反射峰值的偏移以及... 对基于一少量模光纤光栅和一普通光纤光栅的分布布喇格反射掺镱光纤激光器的激射波长进行了详细研究通过对普通布喇格光栅的中心波长进行调谐,发现激射波长始终是由两光栅卷积的最大值所确定的等效反射峰值相对光栅反射峰值的偏移以及激射波长相对等效反射峰值的偏移两种机理共同决定的。 展开更多

关键词 少量模光纤光栅 光纤布喇格光栅 分布布喇格反射 掺镱光纤激光器 激射波长

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大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径 被引量：3

12

作者 张建伟 宁永强 +8 位作者 王贞福 李特 崔锦江 张岩 刘光裕 张星 秦莉 刘云 王立军 《中国光学与应用光学》 2009年第1期65-70,共6页

为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了... 为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了p型DBR异质结的势垒结构,对突变异质结的串联电阻进行了计算分析,提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径,而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对梯度渐变异质结的分析得出缓变结能有效降低势垒高度;而用Matlab对能带图的数值分析表明,Al0.1Ga0.9As/AlAs接触层中Al组分采取双曲线形式的渐变也能有效降低势垒高度,即降低串联电阻;此外,对于渐变区缓变结的比较表明,采用20～25nm的渐变区宽度即可以得到比较低的势垒高度,同时也不会对DBR的反射率有太大的影响,是较合适的选择。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 p型分布布喇格反射镜 渐变异质结 势垒高度 串联电阻 泊松方程

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一种新型的CG-DBR光纤激光器

13

作者 张劲松 赵玉成 +3 位作者 秦玉文 陈根祥 魏道平 简水生 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期5-7,共3页

利用耦合模理论和数值方法，对高斯型耦合系数线性啁啾光栅分布布喇格反射（ＣＧ－ＤＢＲ）结构光纤激光器的特性进行分析，得到了阈值增益和纵模谱，并与均匀光栅，常耦合系数线性啁啾光栅ＤＢＲ光纤激光器进行了比较。为进一步的设计... 利用耦合模理论和数值方法，对高斯型耦合系数线性啁啾光栅分布布喇格反射（ＣＧ－ＤＢＲ）结构光纤激光器的特性进行分析，得到了阈值增益和纵模谱，并与均匀光栅，常耦合系数线性啁啾光栅ＤＢＲ光纤激光器进行了比较。为进一步的设计与制作提供了理论指导。 展开更多

关键词 啁啾光栅 分布布喇格反射 光纤激光器

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MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

14

作者 蒋红 金亿鑫 +1 位作者 宋航 缪国庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1030-1034,共5页

本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引... 本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。 展开更多

关键词 MOCVD 分布布喇格反射镜 反射率

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基于InP/空气隙DBR的长波长RCE光探测器的实验研究

15

作者 王兴妍 黄辉 +4 位作者 王琦 周震 崇英哲 黄永清 任晓敏 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第12期33-34,共2页

报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光探测器。它采用选择性湿法刻蚀。制备出基于InP/空气隙的分布布喇格反射镜(DBR)。并将该结构的反射镜引入RCE光探测器,所制备的器件,在波长1:585μm处获得了约54.5％的峰值量子效率,以及8GHz的3dB... 报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光探测器。它采用选择性湿法刻蚀。制备出基于InP/空气隙的分布布喇格反射镜(DBR)。并将该结构的反射镜引入RCE光探测器,所制备的器件,在波长1:585μm处获得了约54.5％的峰值量子效率,以及8GHz的3dB响应带宽,其中器件的台面面积为50×50mm2。 展开更多

关键词 谐振腔光探测器 长波长 空气隙 选择性湿法刻蚀 INP RCE DBR 分布布喇格反射镜

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偏振可控制的单频DBR光纤激光器

16

作者 张劲松 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2009年第11期47-49,共3页

利用直接写在掺铒光纤上的一对光栅提供光反馈构成谐振腔,研制出了DBR光纤激光器;采用偏振控制器调节输出光的偏振态,分别观察到了与2个光栅Bragg波长对应的单频激光输出。泵浦功率68.8mW时得到了4.3mW的激光输出。对其调制特性进行了... 利用直接写在掺铒光纤上的一对光栅提供光反馈构成谐振腔,研制出了DBR光纤激光器;采用偏振控制器调节输出光的偏振态,分别观察到了与2个光栅Bragg波长对应的单频激光输出。泵浦功率68.8mW时得到了4.3mW的激光输出。对其调制特性进行了研究。 展开更多

关键词 单频光纤激光器 分布反馈 分布布喇格反射 偏振控制

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几何光学 光学镜头、光学零部件

17

《中国光学》 EI CAS 2007年第6期4-5,共2页

关键词 自聚焦透镜 分布布喇格反射器 光学镜头 反射镜面 反射谱 像差特性 理论分析 反射光谱 自由曲面 放大倍数

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相位共轭、自聚焦等相关效应

18

《中国光学》 EI CAS 2001年第4期45-45,共1页

O437 2001042556非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析=Bistabilityof nonlinear Fabry-Perot cavity[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘杨,康博南,殷景志,杜国同(吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.... O437 2001042556非线性法布里-珀罗腔的双稳态特性分析=Bistabilityof nonlinear Fabry-Perot cavity[刊,中]/宋俊峰,付艳萍,刘杨,康博南,殷景志,杜国同(吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室.吉林,长春(130023))//半导体光电.-2000,21(4).-266-268,275应用传输矩阵的方法研究了垂直微腔多量子阱结构的双稳态特性,计算结果表明,分布布喇格反射器(DBR)的高折射率介质紧挨着非线性介质(多量子阱结构)时更容易产生双稳态,计算了非线性法布里-珀罗腔的反射相位与入射光功率关系曲线,反射率与入射光功率的关系曲线,和作为反射镜的DBR的对数对双稳态性质的影响等。 展开更多

关键词 双稳态特性 多量子阱结构 非线性介质 特性分析 分布布喇格反射器 法布里 集成光电子学 传输矩阵 高折射率介质 光功率

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光调制技术及器件

19

《中国光学》 EI CAS 1996年第6期47-48,共2页

TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启... TN761 96063869GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件=GaAs/GaAlAs multiquantumwell reflectance modu lator and self electro-optic effect device(SEED)[刊,中]/吴荣汉,高文智,赵军,段海龙,林世鸣,钟战天,黄永箴,王启明(中科院半导体所国家集成光电子学联合实验室.北京(100083))//光子学报.-1995,24(5).-388-392采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响,给出研制的反射型光调制器及自由光效应器件的实验结果。 展开更多

关键词 多量子阱 自电光效应器件 光调制器 分布布喇格反射器 反射型 分子束外延技术 斯塔克效应 集成光电子学 自由光效应器件 量子限制

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几何光学 光学镜头、光学零部件

20

《中国光学》 CAS 2005年第3期5-6,共2页

TH703 2005031635 MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15／InP分布布喇格反射镜的反 射率=Reflectivity of MOCVD-Ga0.4In0．6AS0．85 P0．15／InP distributed Bragg reflectors[刊,中]／蒋红(中科院长春光 机所激发态物理重点实验室．吉林,长... TH703 2005031635 MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15／InP分布布喇格反射镜的反 射率=Reflectivity of MOCVD-Ga0.4In0．6AS0．85 P0．15／InP distributed Bragg reflectors[刊,中]／蒋红(中科院长春光 机所激发态物理重点实验室．吉林,长春(130033)),金亿 鑫…∥发光学报．-2004,25(6)．-686-690 采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的 GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y／InP交替 生长制备出在工作波长为1．55μm时具有较高反射率的 分布布喇格反射镜。 展开更多

关键词 二元光学透镜 光学系统 二级光谱 干涉光谱仪 大口径光学元件 几何光学 四川 消色差 光学镜头 分布布喇格反射镜

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