用分子束外延法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe制备的长波和中波红外光电二极管(上)

1

作者 龚琰民 《红外与激光技术》 CSCD 1989年第4期43-46,共4页

用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20<x<0.30),已制备了长波和中波红外(LWIR,MWIR)的p^+-n光电二极管。外延层生长在晶格匹配的ZnCdTe衬底的(211)B面上,其表面形貌是光滑的,并且在平面内无孪晶。在横向晶片上,Cd的浓度(x... 用分子束外延(MBE)生长的Hg_(1-x)Cd_xTe(0.20<x<0.30),已制备了长波和中波红外(LWIR,MWIR)的p^+-n光电二极管。外延层生长在晶格匹配的ZnCdTe衬底的(211)B面上,其表面形貌是光滑的,并且在平面内无孪晶。在横向晶片上,Cd的浓度(x)是均匀的,标准偏差(Ax)低达0.0017。用双晶X射线摆动曲线和位错腐蚀法测定结构特性,测得在半最大值的全带宽(FWHM)低达34 arc sec,腐蚀坑的密度低达1×10~5m^(-2)。通过砷扩散形成p^+-n同质结;用标准的光刻技术制备无钝化的台面光电二极管.用MBE材料制备的MWIR和LWIR光电二极管呈现出良好的二极管性能,可与较成熟的液相外延技术制备的光电二极管所获得的性能相匹敌。对截止波长为4.66,9.96和12.90μm的二极管测得的77K的R_0A积分别是6.35×10~7,22.3和1.76Ωcm^2。对于在35K截止波长为16.23/μm的超长波红外(VLWIR)光电二极管的R_0A积,是1.36×10~2Ωcm^2。没有防反射涂层的LWIR二极管的量子效率为48.6％。此结果意味着;在论证MBE作为制备大的红外焦平面阵列的一种可行的生长技术方面,迈出了重要的一步。 展开更多

关键词 碲镉汞 光电二极管 分子束外延法

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分子束外延生长掺铒GaAs和GaA1As的1.54ηm室温电致发光

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作者 高凯平 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第3期31-33,共3页

用分子束外延法生长了掺饵GaAs和GaAlAs双异质结发光二极管.这两种器件在温度为300K时呈现1.54μm电致发光.注入电流低到0.8mA/Cm^2时,所检测到的GaAlAs:Er的光谱线比GaAs:Er的要窄得多.同时还发现,温度300K时外量子效率为10^(-6)。本... 用分子束外延法生长了掺饵GaAs和GaAlAs双异质结发光二极管.这两种器件在温度为300K时呈现1.54μm电致发光.注入电流低到0.8mA/Cm^2时,所检测到的GaAlAs:Er的光谱线比GaAs:Er的要窄得多.同时还发现,温度300K时外量子效率为10^(-6)。本文还提供了有关从注入载流子到稀土能量传递的初始数据。 展开更多

关键词 电致发光 GaA1As 分子束外延生长 外量子效率 发光二极管 分子束外延法 异质结 能量传递 MOCVD 带边

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在GaAs(001)衬底上的分子束外延生长及直径2英寸Hg_(xl)Cd_xTe膜的特性

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作者 M. D. Lange S. Sivananthan +3 位作者 X. Chu J. P. Faurie 陈林 李挥东 《应用光学》 CAS CSCD 1990年第6期21-24,共4页

在GaAs（100）衬底上用分子束外延法生长出了2英寸直径的Hg_1-xCd_xTe膜。这些膜都是在（100）和（111）B晶向上生长的并且都具有两种导电类型。这些膜的特性用电子衍射、红外吸收以及范... 在GaAs（100）衬底上用分子束外延法生长出了2英寸直径的Hg_1-xCd_xTe膜。这些膜都是在（100）和（111）B晶向上生长的并且都具有两种导电类型。这些膜的特性用电子衍射、红外吸收以及范德堡直流霍尔测量值来表征。它们的表面从中央到边缘有光泽且似镜面。这些膜的Cd浓度（x）非常均匀,其标准偏差相当子平均值（x）的0.7％,它们的厚度在0.6％之间是均匀的。 展开更多

关键词 分子束外延生长 HG xl)Cd_xTe 分子束外延法 红外探测器 导电类型 红外吸收 截止波长 外延层 均匀性

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超高真空中SrTiO_3薄膜同质外延生长的过程研究 被引量：8

4

作者 李金隆 张鹰 +3 位作者 邓新武 刘兴钊 陶伯万 李言荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期63-66,共4页

在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜... 在超高真空下利用激光分子束外延 (LMBE)方法基于SrTiO3 (10 0 )单晶基片同质外延SrTiO3 薄膜。通过反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行原位监测 ,发现对基片的预热处理明显有利于改善其晶面结构 ,当在其上同质外延Sr TiO3 薄膜时 ,容易实现单晶层状生长模式 ,并得到原子级平整度的铁电薄膜。 展开更多

关键词 超高真空 SRTIO3薄膜 同质外延生长 激光分子束外延法 LMBE 反射式高能电子衍射 铁电薄膜

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VO_2薄膜常见制备方法综述 被引量：1

5

作者 侯典心 路远 杨玚 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第12期1020-1025,共6页

VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用恰当的制备方法简单、快速的制备性能良好的VO_2薄膜一直是研究的热点之一。目前,VO_2薄膜常见的制备方... VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用恰当的制备方法简单、快速的制备性能良好的VO_2薄膜一直是研究的热点之一。目前,VO_2薄膜常见的制备方法主要有蒸发法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积工艺、分子束外延法及磁控溅射法等。本文详细介绍了每种方法的相应制备原理与国内外研究现状,并用表格的方式简洁明了地对比出每种方法的优势与不足,为不同条件下VO_2薄膜的制备方法的选择提供了参考。同时,本文也对未来研究方向做出展望,对今后VO_2薄膜的制备与应用研究有重要的借鉴意义。 展开更多

关键词 相变材料 VO2制备方法 脉冲激光沉积工艺 分子束外延法 磁控溅射法

全文增补中

利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究 被引量：1

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作者 颜建锋 梁红伟 +5 位作者 吕有明 刘益春 李炳辉 申德振 张吉英 范希武 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期103-106,共4页

在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,... 在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。 展开更多

关键词 氧化锌薄膜 等离子体辅助分子束外延法 光致发光 半导体材料 X射线衍射分析

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特殊纳米结构的化学自组装 被引量：18

7

作者 谢毅 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-7,共7页

本文介绍了近年来国际上一维纳米材料的制备方法的最近进展,如模板法、激光剥蚀法、分子束外延法、有机溶剂中溶液-液体-固体生长法等,同时还介绍了利用新的化学自组装路线制备一维核/鞘结构、无机半导体/高分子纳米电线、金属硫化物纳... 本文介绍了近年来国际上一维纳米材料的制备方法的最近进展,如模板法、激光剥蚀法、分子束外延法、有机溶剂中溶液-液体-固体生长法等,同时还介绍了利用新的化学自组装路线制备一维核/鞘结构、无机半导体/高分子纳米电线、金属硫化物纳米空球和花生状纳米结构等工作。 展开更多

关键词 纳米结构 化学自组装 纳米材料 模板法 有机溶剂 激光剥蚀法 分子束外延法 溶液-液体-固体生长法

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GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构 被引量：1

8

作者 刘义族 于福聚 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期39-42,共4页

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg T... 用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 展开更多

关键词 分子束外延法 Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格 CdTe/ZnTe/GaAs异质结 双缓冲层生长 晶格结构 晶格生长

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具有p-n结特性的La_(1-x)Ca_xMnO_3/SrNb_xTi_(1-x)O_3巨磁阻多层膜的透射电镜研究

9

作者 虞红春 刘立峰 +4 位作者 李莹 田焕芳 周玉清 吕惠宾 李建奇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期403-403,共1页

关键词 SNTO材料 巨磁阻薄膜 LCMO材料 P-N结 激光分子束外延法 薄膜生长 结构分析 晶胞参数

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(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

10

作者 刘义族 于福聚 《应用科学学报》 CAS CSCD 2001年第3期261-264,共4页

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δ... 用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 . 展开更多

关键词 分子束外延法 异质结 倾斜角 X射线双晶衍射法 HgCdTe/CdTe/GaAs多层膜 失配位错 镉 汞 碲 镓 砷

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稀磁半导体研究的最新进展 被引量：4

11

作者 李东 王耘波 +2 位作者 于军 王宝义 魏龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1110-1115,共6页

本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.

关键词 稀磁半导体 居里温度 自旋-自旋交换 分子束外延法

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BaTiO_(3)薄膜的制备及其在电光调制器的应用

12

作者 任怡静 马新国 +3 位作者 张锋 陆晶晶 张力 王晗 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第4期688-700,共13页

BaTiO_(3)凭借其较高的电光系数、优良的压电性质和非线性光学性质,成为制备高性能电光调制器的关键材料。其制备方法、实验条件和衬底的选择等决定了薄膜的质量、生长取向和电光系数等,进而影响电光调制器的传播损耗、半波电压、消光... BaTiO_(3)凭借其较高的电光系数、优良的压电性质和非线性光学性质,成为制备高性能电光调制器的关键材料。其制备方法、实验条件和衬底的选择等决定了薄膜的质量、生长取向和电光系数等,进而影响电光调制器的传播损耗、半波电压、消光比等性能。本文从电光调制器的工作原理出发,围绕BaTiO_(3)薄膜的制备方法、实验条件和薄膜衬底等,探讨了成膜的取向和质量的影响因素,分析了各个BaTiO_(3)薄膜制备方法的优缺点,论述了波导的结构及参数,并展望了未来优化BaTiO_(3)薄膜制备和波导制作工艺的方向。 展开更多

关键词 BaTiO_(3)薄膜 电光调制器 波导 电光系数 化学气相沉积法 分子束外延法

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CuInSe2太阳电池薄膜的制备技术及研究进展

13

作者 孙小玲 马鸿文 《地质科技情报》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期99-104,共6页

着重介绍了ＣｕＩｎＳｅ２的结构和光、电学特性；讨论了多种薄膜沉积技术；评价了主要的合成装置及其用途；综述了制备ＣｕＩｎＳｅ２太阳电池器件的工艺和材料；

关键词 光电转换 太阳电池 半导体材料 蒸发技术 溅射法 多晶薄膜 沉积技术 分子束外延法

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