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基于脉冲微孔喷射法的微滴按需调控及直接沉积凸点研究
1
作者 董伟 贾赞儒 +2 位作者 许富民 王旭东 赵阳 《材料工程》 北大核心 2025年第4期178-186,共9页
微滴喷射的稳定性和微滴尺寸的按需制备是实现芯片封装中凸点直接制备的重要前提。采用脉冲微孔喷射法(POEM)进行SAC305商用无铅焊料的喷射实验,探究了微滴喷射过程中,脉冲波形、传动杆与微孔的距离和微孔直径等工艺参数相互作用对喷射... 微滴喷射的稳定性和微滴尺寸的按需制备是实现芯片封装中凸点直接制备的重要前提。采用脉冲微孔喷射法(POEM)进行SAC305商用无铅焊料的喷射实验,探究了微滴喷射过程中,脉冲波形、传动杆与微孔的距离和微孔直径等工艺参数相互作用对喷射稳定性和粒子尺寸的影响,对制得焊球的表面及组织形貌、成分和相组成进行了分析。结果表明,通过协同关键工艺参数能够实现微滴的稳定喷射及尺寸的按需调控,目标粒径与实际尺寸偏差在4%以内,能够满足凸点制备稳定按需的前提条件。微滴凝固过程中的温度变化结果表明,氩气氛围中的冷速远低于氦气氛围,因此组织更粗大。结合上述结果,直接在纯铜板上制备凸点,形成了冶金层,表明了该技术的可行性,为凸点的直接制备提供了一种新途径。 展开更多
关键词 脉冲微孔喷射法 SAC305 BGA焊球 凸点制备
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蒸发因素对高密度焦平面铟凸点制备影响研究
2
作者 宝鹏飞 朱宪亮 +4 位作者 于春蕾 杨波 邵秀梅 李雪 刘大福 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第1期137-145,共9页
高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点... 高一致性、高深宽比凸点制备是高密度红外焦平面制造的关键技术之一。以10μm间距铟凸点阵列为研究对象,通过提取铟凸点高度、顶部直径、生长速率纵横比和铟膜粗糙度等参数,结合薄膜形核生长理论,深入分析热蒸发过程中关键因素对铟凸点生长的影响,为更小间距铟凸点制备提供理论与技术参考。实验结果表明,沉积速率和基底温度对铟凸点生长的影响具有两面性:一方面,高沉积速率和低基底温度会细化铟膜晶粒,有利于沉积高均匀性铟凸点阵列。基底温度下降了45 K,铟凸点高度非均匀性从15.4%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.9μm。沉积速率增加了21A/s后,铟凸点高度非均匀性从11.8%降低到6.6%,铟凸点顶部直径范围差下降了0.4μm。另一方面,高沉积速率下的动理学粗糙化影响比重增加,铟薄膜粗糙度随沉积速率变化趋缓。同时高沉积速率和低基底温度下的光刻孔缘铟向四周扩散的能力减弱,继续降温后铟层横向生长速率从3.4?/s升至4.1?/s,光刻孔加速闭合不利于高密度、高深宽比、高均匀性铟凸点的生长制备。 展开更多
关键词 红外焦平面 铟凸点 热蒸发 基底温度 沉积速率
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“可预测的”非凸在线点对学习的遗憾界
3
作者 郎璇聪 王梅 +1 位作者 刘勇 李春生 《郑州大学学报(理学版)》 北大核心 2025年第4期55-62,共8页
在线点对学习是指损失函数依赖于一对实例的在线学习模式,泛化性是在线点对学习理论研究的重要内容。大多数关于在线点对学习使用对抗性损失函数且假设凸性,然而凸性并不符合通常的实际应用场景。针对非凸在线点对学习,给出基于稳定性... 在线点对学习是指损失函数依赖于一对实例的在线学习模式,泛化性是在线点对学习理论研究的重要内容。大多数关于在线点对学习使用对抗性损失函数且假设凸性,然而凸性并不符合通常的实际应用场景。针对非凸在线点对学习,给出基于稳定性分析的具有“可预测的”损失函数的在线点对学习遗憾界,作出相应的稳定性分析。通过稳定性和度量在线点对学习泛化能力的常用方式——遗憾之间的关系,建立“可预测的”非凸损失函数下的遗憾界。证明当学习者(leaner)能够获得离线神谕(oracle)时,“可预测的”非凸广义在线点对学习达到遗憾界O(T^(-3/2))。该结论丰富了非凸在线点对学习的理论研究,且优于现有理论保证。 展开更多
关键词 在线点对学习 非凸 稳定性 遗憾界 离线神谕
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3D封装凸点电镀技术发展现状与扩散阻挡层的研究进展
4
作者 周湘卓 陈沛欣 +1 位作者 凌惠琴 李明 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第3期83-95,105,共14页
随着芯片制造不断朝着高密度、多功能、低成本的方向发展,按照摩尔定律继续缩小的晶体管尺寸已经接近物理极限,并且面会临成本急剧升高的问题。基于芯片垂直互连的3D封装是进一步提升晶体管密度的有效手段,而铜柱凸点是芯片垂直互连的... 随着芯片制造不断朝着高密度、多功能、低成本的方向发展,按照摩尔定律继续缩小的晶体管尺寸已经接近物理极限,并且面会临成本急剧升高的问题。基于芯片垂直互连的3D封装是进一步提升晶体管密度的有效手段,而铜柱凸点是芯片垂直互连的重要组成部分。首先系统介绍了铜柱凸点的基本结构及制备方法,在此基础上对工业应用中十分关心的凸点电镀均匀性控制方法、以及铜柱凸点键合界面反应和可靠性等问题进行了概述。另外,扩散阻挡层作为减缓界面反应的有效手段,能有效提升凸点的可靠性,近年来用于微凸点的高性能阻挡层材料受到了大量学者的关注。因此,在本文的最后,重点对微凸点高性能阻挡层材料研究进展进行了综述。希望通过对凸点电镀技术、可靠性问题及高性能阻挡层的研究进展情况介绍,能够给学术界以及工业界带来一些启发,以推动微凸点以及3D封装技术的发展。 展开更多
关键词 3D封装 凸点 电镀 可靠性 扩散阻挡层
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倒装芯片中凸点与凸点下金属层反应的研究现状 被引量：3
5
作者 王来 何大鹏 +2 位作者 于大全 赵杰 马海涛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期16-19,共4页
随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了... 随着当代电子封装技术的飞速发展以及无铅化潮流的兴起,倒装芯片中凸点(Solder Bump)与凸点下金属层(UBM)之间的反应的研究成为当前研究的热点。综述了 UBM 与凸点反应研究的最新进展,总结了钎焊过程中的界面反应和元素扩散行为,分析了界面金属间化合物层(IMC)在长时间回流焊接过程中剥落的原因,进一步指出了凸点与 UBM 反应研究的趋势。 展开更多
关键词 凸点凸点下金属层(ubm) 金属间化合物(IMC) 剥落
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凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制 被引量：3
6
作者 陈波 陈焱 谷德君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1209-1212,共4页
介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及... 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。 展开更多
关键词 凸点下金属层 湿法刻蚀 凸点底切 单片机 电镀凸点 刻蚀速率 刻蚀均匀度
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UBM凸点互连结构信号完整性分析
7
作者 梁颖 林训超 +2 位作者 黄春跃 邵良滨 张欣 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期9-12,113,共4页
建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信... 建立了凸点下金属层(under bump metallization,UBM)和凸点互连结构仿真分析模型,基于HFSS软件对其高频条件下的信号完整性进行了研究.得到了UBM凸点互连结构表面电场强度分布,分析了UBM各层厚度及不同材料组合变化对UBM凸点互连结构信号完整性的影响.结果表明,不同信号频率下电场强度在凸点及UBM各层表面分布不均匀,越接近UBM顶端电场强度越大;随信号频率的提高,UBM凸点互连结构的回波损耗增大而插入损耗减小;随镍层厚度、铜层厚度和钛层厚度的增加插入损耗减小;采用Ti-Wu-Au组合UBM凸点互连结构的信号完整性最好,Ti-Cu-Ni组合次之,而Cr-Ni-Au组合最差. 展开更多
关键词 凸点下金属层 电场强度 回波损耗 插入损耗 信号完整性
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多点切触加工在复杂凸曲面中的应用 被引量：6
8
作者 樊文刚 李建勇 +1 位作者 黄泽华 马丽梅 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期53-57,63,共6页
针对目前多点切触加工主要应用于复杂凹曲面这一现状,以汽车顶盖曲面为例,对一般性复杂凸曲面的多点切触加工进行了深入研究.先利用逆向工程技术由散乱点云数据建立了凸曲面的几何模型,然后利用旋转法对不同走刀方向下的刀位误差分布,... 针对目前多点切触加工主要应用于复杂凹曲面这一现状,以汽车顶盖曲面为例,对一般性复杂凸曲面的多点切触加工进行了深入研究.先利用逆向工程技术由散乱点云数据建立了凸曲面的几何模型,然后利用旋转法对不同走刀方向下的刀位误差分布,以及一些关键参数对刀位误差分布的影响规律进行了深入分析,结果指出,在对凸曲面进行多点切触加工时,一般只有使圆环面刀具沿着凸曲面的最大主曲率方向进给,刀具表面和凸曲面之间才有可能达到两点切触,这和凹曲面多点切触加工时的情况是完全相反的.仿真和实际加工表明,将多点切触加工理论应用到复杂凸曲面上,加工效率得到明显提高,约为UG算法的2.3倍. 展开更多
关键词 多点 加工 凸曲面 误差分布
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用于圆片级封装的金凸点研制 被引量：5
9
作者 王水弟 蔡坚 +3 位作者 谭智敏 胡涛 郭江华 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期27-30,共4页
介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系... 介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究。凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺。同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究。对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平。 展开更多
关键词 金凸点 电镀 圆片级封装 厚胶光刻 溅射
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一个计算凸多面体间碰撞点的快速算法 被引量：6
10
作者 王兆其 赵沁平 汪成为 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 1999年第12期1253-1258,共6页
计算两个物体之间的碰撞点是碰撞响应的基础 ,也是一项系统开销很大的任务 .因此 ,研究碰撞点快速求解算法对碰撞响应的实时性具有重要意义 .该文提出了一个算法 ,当在虚拟环境中检测到碰撞时 ,应用此算法可以在碰撞响应之前快速计算出... 计算两个物体之间的碰撞点是碰撞响应的基础 ,也是一项系统开销很大的任务 .因此 ,研究碰撞点快速求解算法对碰撞响应的实时性具有重要意义 .该文提出了一个算法 ,当在虚拟环境中检测到碰撞时 ,应用此算法可以在碰撞响应之前快速计算出两个物体之间的准确碰撞时间 。 展开更多
关键词 碰撞点 碰撞响应 虚拟现实 凸多面体 算法
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求平面点集凸壳的一种新算法 被引量：8
11
作者 刘润涛 王三 安晓华 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第3期58-59,69,共3页
在研究了大量的求平面点集凸包的算法基础上,提出了一种新的构造平面点集的凸壳算法。此算法先求出四个极值点,构造出一个四边形。对于四边形外面的点依次用二分法进行判断是属于哪个线段区域;对于一个线段区域上的点只需要找出右侧的点... 在研究了大量的求平面点集凸包的算法基础上,提出了一种新的构造平面点集的凸壳算法。此算法先求出四个极值点,构造出一个四边形。对于四边形外面的点依次用二分法进行判断是属于哪个线段区域;对于一个线段区域上的点只需要找出右侧的点,分别和线段的两个端点连接得到新的多边形链,依次这样处理每个点,直到结束。这样就得到四个简单多边形单调链,然后对单调链求凸点,时间复杂度为O(n),最后求得的每个凸点就是平面点集的凸壳,此算法总的时间复杂度不超过O(nlogn)。 展开更多
关键词 点集 单调链 凸壳
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多点凸焊熔核形成过程数值模拟及应用 被引量：4
12
作者 王瑞 敖三三 +2 位作者 罗震 只德瑞 韦福水 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期91-94,117-118,共4页
建立了多点电阻凸焊过程的热电耦合ANSYS模型,指出了在多点凸焊过程中电流出现明显的分流现象.发现了在通电焊接的过程中,受温度和压力综合影响,上工件与下工件的接触点电流密度最大,两侧电流密度值则呈明显下降趋势.并以金属波纹填料... 建立了多点电阻凸焊过程的热电耦合ANSYS模型,指出了在多点凸焊过程中电流出现明显的分流现象.发现了在通电焊接的过程中,受温度和压力综合影响,上工件与下工件的接触点电流密度最大,两侧电流密度值则呈明显下降趋势.并以金属波纹填料凸焊过程为应用实例,对该过程热学和电学行为进行了定量的分析.结果表明,在0.17 mm厚的304不锈钢孔板波纹填料板的凸焊过程中,数值模拟得到的不同时刻熔核温度场、熔核尺寸与实测结果吻合良好,此方法可为多点凸焊工艺参数设计和优化提供理论依据. 展开更多
关键词 多点凸焊 熔核 数值模拟 波纹填料
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解非凸优化问题的一个同伦内点方法 被引量：5
13
作者 李慧玲 张春阳 +1 位作者 李卓识 刘庆怀 《东北师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期35-38,共4页
用同伦内点算法求解带有非凸可行域的约束优化问题时,非凸可行域的边界刻画条件是算法收敛的重要条件之一.在弱伪锥条件下,构造了新的组合同伦方程,证明了对可行域的某个子集中几乎所有的内点,同伦路径存在且收敛于问题的K-K-T点.
关键词 非凸优化 同伦算法 内点法
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织构对铟凸点剪切强度的影响 被引量：6
14
作者 刘豫东 张钢 +1 位作者 崔建国 马莒生 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期225-228,共4页
制作了 2种形式的铟凸点 :即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球 .同时对比了铟柱和铟球 2种凸点的剪切强度 ,测试结果表明铟球剪切强度为 5 .6MPa ,铟柱的剪切强度为 1.9MPa ,前者约为后者的 2 .9倍 .对铟凸点微观结构的X光衍... 制作了 2种形式的铟凸点 :即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球 .同时对比了铟柱和铟球 2种凸点的剪切强度 ,测试结果表明铟球剪切强度为 5 .6MPa ,铟柱的剪切强度为 1.9MPa ,前者约为后者的 2 .9倍 .对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现 :铟柱剪切强度低是织构弱化所致 ;铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想 (10 1)丝织构模式 。 展开更多
关键词 织构 铟凸点 剪切强度 金属结构分析 倒装焊
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基于凸优化理论的含约束月球定点着陆轨道优化 被引量：23
15
作者 林晓辉 于文进 《宇航学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期901-908,共8页
针对月球精确定点软着陆问题,考虑导航及障碍检测敏感器视场约束及制动发动机推力大小约束,对月球动力下降段轨道优化方法进行了研究。首先建立了含约束条件的三维定点软着陆轨道优化问题模型,根据庞德亚金极小值原理推导了最优推力开... 针对月球精确定点软着陆问题,考虑导航及障碍检测敏感器视场约束及制动发动机推力大小约束,对月球动力下降段轨道优化方法进行了研究。首先建立了含约束条件的三维定点软着陆轨道优化问题模型,根据庞德亚金极小值原理推导了最优推力开关方程,并给出了推力奇异区间不存在的证明。针对优化模型中的复杂非线性约束,引入凸优化理论将问题转化为二阶锥优化问题,并采用内点法求解了最优标称轨迹。最后给出了月球软着陆制动段、接近段的仿真结果,验证了该着陆轨道优化方法的有效性。 展开更多
关键词 精确着陆 含约束轨道优化 推力奇异分析 凸优化 内点法
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平面海量散乱点集凸壳算法 被引量：13
16
作者 张忠武 吴信才 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期43-45,48,共4页
凸壳作为计算几何的一种基本的结构,对GIS的数据分析有着重要作用。在分析传统的凸壳算法的基础上,提出新的凸壳算法,即金字塔算法。同时采用3种快速算法提高执行效率。通过大量实验数据对比说明,算法对求平面海量散乱点集的凸壳非常有... 凸壳作为计算几何的一种基本的结构,对GIS的数据分析有着重要作用。在分析传统的凸壳算法的基础上,提出新的凸壳算法,即金字塔算法。同时采用3种快速算法提高执行效率。通过大量实验数据对比说明,算法对求平面海量散乱点集的凸壳非常有效,点集为107数量级的执行时间在主频为2.00 GHz计算机上仅为3 s^4 s。 展开更多
关键词 凸壳 点集 计算几何 地理信息系统
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倒装芯片互连凸点电迁移的研究进展 被引量：3
17
作者 吴丰顺 张金松 +1 位作者 吴懿平 王磊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期10-15,共6页
电子产品向便携化、小型化、高性能方向发展,促使集成电路的集成度不断提高,体积不断缩小,采用倒装芯片互连的凸点直径和间距进一步减小和凸点中电流密度的进一步提高,由此出现电迁移失效引起的可靠性问题。本文回顾了倒装芯片互连凸点... 电子产品向便携化、小型化、高性能方向发展,促使集成电路的集成度不断提高,体积不断缩小,采用倒装芯片互连的凸点直径和间距进一步减小和凸点中电流密度的进一步提高,由此出现电迁移失效引起的可靠性问题。本文回顾了倒装芯片互连凸点电迁移失效的研究进展,论述了电流聚集和焊料合金成分对凸点电迁移失效的影响,指出了倒装芯片互连凸点电迁移研究亟待解决的问题。 展开更多
关键词 倒装芯片 互连 凸点 电迁移 电流聚集
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铟凸点对倒装互连影响的研究 被引量：3
18
作者 杨超伟 闫常善 +7 位作者 王琼芳 李京辉 韩福忠 封远庆 杨毕春 左大凡 赵丽 俞见云 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第4期310-314,共5页
制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后... 制作了2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的2.8倍。此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响。 展开更多
关键词 铟凸点 铟柱 铟球 倒装互连
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基于田口法的高密度倒装微铜柱凸点热失效分析 被引量：4
19
作者 任宁 田野 +2 位作者 蔡刚毅 尚拴军 吴丰顺 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期35-38,共4页
采用有限元模拟法,分析在热循环载荷条件下高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效行为,并以微铜柱凸点的最大累积塑性应变能密度作为响应,采用3因素3水平的田口正交试验法分析倒装芯片封装的主要结构参数和材料属性对其热失效行为的影响.... 采用有限元模拟法,分析在热循环载荷条件下高密度倒装芯片封装微铜柱凸点的失效行为,并以微铜柱凸点的最大累积塑性应变能密度作为响应,采用3因素3水平的田口正交试验法分析倒装芯片封装的主要结构参数和材料属性对其热失效行为的影响.结果表明,距离封装中心最远处的微铜柱凸点是封装体中的关键微凸点,热疲劳导致的裂纹易在该微铜柱凸点的基板侧焊料外侧形成.底部填充胶的线膨胀系数对微铜柱凸点热失效的影响最大,影响适中的是底部填充胶的弹性模量,最弱的是芯片厚度. 展开更多
关键词 田口正交试验 微铜柱凸点 累积塑性应变能密度 热失效
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平面点集凸壳的快速算法 被引量：10
20
作者 赵军 曲仕茹 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2009年第1期56-58,共3页
提出一种计算平面点集凸壳的快速算法。利用极值点划分出四个矩形,它们包含了所有凸壳顶点,通过对矩形中的点进行扫描,排除明显不是凸壳顶点的点,剩余的点构成一个简单多边形。再利用极点顺序法判断多边形顶点的凹凸性并删除所出现的凹... 提出一种计算平面点集凸壳的快速算法。利用极值点划分出四个矩形,它们包含了所有凸壳顶点,通过对矩形中的点进行扫描,排除明显不是凸壳顶点的点,剩余的点构成一个简单多边形。再利用极点顺序法判断多边形顶点的凹凸性并删除所出现的凹顶点,最终得到一个凸多边形即为点集的凸壳。整个算法简洁明了,避免了乘法运算(除最坏情况外),从而节省计算时间。 展开更多
关键词 平面点集 凸壳 简单多边形 凹顶点
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