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6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
被引量：
3
1
作者
韩茹
杨银堂
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期16-20,共5页
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的...
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
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关键词
碳化硅
补偿电流源
冻析效应
普尔-弗兰克
效应
体漏电流
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职称材料
低温双极晶体管的低温1／f噪声
2
作者
李树荣
郭维蒹
+1 位作者
郑云光
严隽达
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期507-511,共5页
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器...
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因．
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关键词
1/f噪声
冻析效应
双极晶体管
低温
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职称材料
题名
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
被引量：
3
1
作者
韩茹
杨银堂
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期16-20,共5页
基金
教育部重点科技项目(02074)
国家部委预研项目(513080302)
文摘
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
关键词
碳化硅
补偿电流源
冻析效应
普尔-弗兰克
效应
体漏电流
Keywords
SiC
compensating current elements
freeze-out effect
Poole-Frenkel effect
body leakage current
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低温双极晶体管的低温1／f噪声
2
作者
李树荣
郭维蒹
郑云光
严隽达
机构
北京华北光电技术研究所
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994年第4期507-511,共5页
文摘
对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大．根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ～ＶＢＥ曲线的不同，认为在低温下ＥＢ结正向压降增大和载流子的冻折效应是使该器件１／ｆ噪声等效输入电流功率谱密度变大的主要原因．
关键词
1/f噪声
冻析效应
双极晶体管
低温
Keywords
low-temperature transistor,1/f noise, freezeout effect
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
韩茹
杨银堂
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
2
低温双极晶体管的低温1／f噪声
李树荣
郭维蒹
郑云光
严隽达
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1994
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
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