光电二极管阵列检测器在分析仪器中的应用 被引量：20

1

作者 罗强 刘文涵 张清义 《浙江工业大学学报》 CAS 2001年第4期374-377,390,共5页

介绍了光电二极管阵列 (PDAD)作为检测器在原子发射光谱仪 ,原子吸收光谱仪 ,高压液相色谱仪等分析仪器中应用及其工作原理。

关键词 光电二级管阵列检测器 光电检测 分析仪器 原子发射光谱仪

在线阅读 下载PDF 职称材料

大型运动顶盖角度姿态光电检测系统的研究 被引量：2

2

作者 王雷 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期27-30,共4页

该文提出了一种用于测量和控制大型运动顶盖角度姿态的光电系统 ,该系统采用红外光源、光电二级管阵列和光等信号工作原理。测量算法的分析和初步的实验结果表明 ,该系统可精确测量运动顶盖的转动 ,精度可达± 0 .0 15°。

关键词 光电系统 红外 光电二级管 阵列 等信号方法

在线阅读 下载PDF 职称材料

雪崩光电器件过剩噪声分析

3

作者 张冰 郭雪凯 +3 位作者 胡从振 辛有泽 于善哲 雷述宇 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1472-1478,共7页

基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器... 基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD和Matlab仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器件(器件结构由TCAD构造)的平均噪声因子水平:2.33@E=3.4×10^(5)V/cm和5.34@E=3.6×10^(5)V/cm,比单独考虑光子在N中性体区吸收(过剩噪声因子:2.88@E=3.4×10^(5)V/cm和12.94@E=3.6×10^(5)V/cm)或P中性体区吸收(过剩噪声因子:2.21@E=3.4×10^(5)V/cm和3.79@E=3.6×10^(5)V/cm),更能反映器件的真实工作情况。 展开更多

关键词 雪崩光电二级管 增益 雪崩倍增 过剩噪声

在线阅读 下载PDF 职称材料

高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管 被引量：3

4

作者 郑大农 苏向斌 +1 位作者 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期172-177,共6页

用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD)。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍... 用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD)。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍射(HRXRD)曲线显示出尖锐的卫星峰,并显示出几乎完美的晶格匹配,其原子力显微镜(AFM)图像上也可以观察到光滑的表面形貌。使用优化的数字合金生长方式,制备了分离吸收、渐变、电荷和倍增(SAGCM)型的AlInAsSb数字合金APD。在室温下,器件在95%击穿时,暗电流密度为0.95 mA/cm2,击穿前最大稳定增益高达~100,其器件的高性能显示出光电领域进一步发展的潜力。 展开更多

关键词 雪崩光电二级管 分子束外延 AlInAsSb 四元数字合金

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于10Gbit/s应用长波长光电二极管 被引量：1

5

作者 曹均凯 王国栋 +2 位作者 镇磊 梁泽 潘青 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2005年第4期319-323,共5页

设计制作了一种基于10Gbit/s应用的正照平面结构的InGaAs/InPPIN高速光电二极管.该器件带宽达到19GHz,响应度>0.75A/W,暗电流<5nA,结电容<0.15pF.组件测试表明,器件适用于高速光通信及测量系统中对1310nm和1550nm波长光的探测.

关键词 光电二极管 高速光电探测器 PIN光电二级管

在线阅读 下载PDF 职称材料

BESIII剂量率在线检测和保护系统读出电子学设计 被引量：7

6

作者 杨世明 龚光华 +1 位作者 邵贝贝 李金 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期434-437,共4页

为保护束流管,BESIII将使用PIN硅光电二极管来实时检测对撞点附近的剂量率水平,其中的信号读出电子学采用电流A/D转换方案。对几种弱电流放大与测量方法进行了比较,主要介绍了电流A/D方法的工作原理、软硬件实现以及实际性能。

关键词 A/D转换 积分放大器 DDC112 PIN硅光电二级管

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光引信方位探测系统中雪崩管自调节驱动电源设计 被引量：4

7

作者 冯颖 张合 +1 位作者 张祥金 郭婧 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1458-1463,共6页

针对激光引信方位探测系统光学接收机中雪崩光电二级管(APD)工作温度严重影响其电流增益和信噪比的问题,结合APD的工作特性,分析了输出电压自动可调APD驱动电源设计的必要性。通过对高压发生电路建模分析,总结出开关元件导通截止时间与... 针对激光引信方位探测系统光学接收机中雪崩光电二级管(APD)工作温度严重影响其电流增益和信噪比的问题,结合APD的工作特性,分析了输出电压自动可调APD驱动电源设计的必要性。通过对高压发生电路建模分析,总结出开关元件导通截止时间与输入输出电压的关系,从而设计了一种以温度传感器和微处理器(MCU)为控制单元的输出电压可自动调节的APD驱动电源。最后对分析与设计进行实验,实验结果表明该设计有效可行,满足激光引信方位探测系统中APD对驱动电源的要求,使其具有高倍的电流增益和大的信噪比,且工作稳定可靠。 展开更多

关键词 激光引信方位探测系统 雪崩光电二级管 自动调节 驱动电源

在线阅读 下载PDF 职称材料

PIN半导体剂量率探测器的研究 被引量：3

8

作者 杨世明 李金 +1 位作者 宫辉 邵贝贝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期310-312,218,共4页

利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京... 利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京谱仪BESIII的剂量率在线检测奠定基础。 展开更多

关键词 剂量率 束流管 PIN硅光电二级管 暗电流

在线阅读 下载PDF 职称材料

X射线阵列探测器SSPA用的数据采集电路研究 被引量：1

9

作者 魏彪 潘银松 车震平 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期499-501,536,共4页

研制了一种用于 X射线探测的阵列探测器 SSPA器件 ,进而研究了适用于该器件的数据采集电路。设计试验了此阵列探测器及其数据采集电路应用于 X射线计算机层析成像 (即 X- CT)的可行性。初步试验结果表明 :该 X射线的探测方法是可行的 ,... 研制了一种用于 X射线探测的阵列探测器 SSPA器件 ,进而研究了适用于该器件的数据采集电路。设计试验了此阵列探测器及其数据采集电路应用于 X射线计算机层析成像 (即 X- CT)的可行性。初步试验结果表明 :该 X射线的探测方法是可行的 ,这为工业 X- CT无损检测技术中实现对 X射线高分辨、高效率、低成本的探测与测量创造了条件。 展开更多

关键词 X射线阵列探测器 SSPA 数据采集电路 A/D数据采集接口卡 自扫描光电二级管阵列

在线阅读 下载PDF 职称材料

手持式激光测距仪前级接收通道的相关问题研究 被引量：3

10

作者 夏界宁 《大地测量与地球动力学》 CSCD 北大核心 2007年第F06期93-95,共3页

介绍了手持式激光测距仪前置放大电路的设计方法,并且针对便携式设备供电的特殊性,给出了单电源供电放大电路的解决方案,较好地解决了前级接收通道电路设计的相关问题。

关键词 手持式激光测距仪 光电二级管 前置放大电路 单电源供电放大电路 运算放大器

在线阅读 下载PDF 职称材料

pin/HBT OEIC光接收机

11

作者 崇英哲 黄辉 +1 位作者 黄永清 任晓敏 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2004年第5期55-57,共3页

介绍了pin/HBT单片集成OEIC光接收机的集成结构和电路结构,分析了这种集成方式的光接收机前端设计过程中影响带宽和灵敏度的因素,总结了集成器件最新的研究进展。

关键词 异质结双极晶体管 pin光电二级管 OEIC 光接收机

在线阅读 下载PDF 职称材料

高稳定度激光稳功率仪 被引量：1

12

作者 李同保 于浩然 +1 位作者 曹远生 沈建 《激光杂志》 CAS 1986年第5期253-257,共5页

本文介绍了一种用LiNbO_3电光晶体作调制器、高稳定性硅光电二级管作监测器并有高质量光反馈电子元件的高稳定度激光功率稳定仪。只要输出功率大于1mW、稳定度优于5％/小时,使用本稳功率仪后,功率稳定度可优于0.05％小时。激光功率稳定... 本文介绍了一种用LiNbO_3电光晶体作调制器、高稳定性硅光电二级管作监测器并有高质量光反馈电子元件的高稳定度激光功率稳定仪。只要输出功率大于1mW、稳定度优于5％/小时,使用本稳功率仪后,功率稳定度可优于0.05％小时。激光功率稳定范围在三个量稳内可调。 展开更多

关键词 功率稳定度 高稳定度 激光 光电二级管 电子元件 高稳定性 输出功率 调制器 光反馈 监测器

在线阅读 下载PDF 职称材料