pin/HBT OEIC光接收机
pin/HBT OEIC Photoreceivers
摘要
介绍了pin/HBT单片集成OEIC光接收机的集成结构和电路结构,分析了这种集成方式的光接收机前端设计过程中影响带宽和灵敏度的因素,总结了集成器件最新的研究进展。
出处
《光通信技术》
CSCD
北大核心
2004年第5期55-57,共3页
Optical Communication Technology
参考文献3
-
1[1]Yang K,Augusto L,Gutierrez-Aitken,et al.Design,Modeling,and Characterization of Monolithically Integrated InP-Based (1.55 μ m) High-Speed (24 Gb/s) pin/IIBT Frond-End Photoreceivers.IEEE J.Lightwave Technol.,1996,14(8):1831-1839
-
2[2]Huber D,Bauknecht R,Bergamaschi C,et al.InP-InGaAs Single HBT Technology for Photoreceiver OEIC's at 40 Gb/s and Beyond.IEEE J.Lightwave Technol.,2000,18(7):992-1000
-
3[3]Chandrasekhar S,Johnson B C,Bonnemason M,et al.An InP/InGaAs pin/HBT monolithic transimpedance photoreceiver",IEEE Photon.Technol.Lett.,1990,2:505-506
-
1王延锋,高建军,吴德馨.10~40Gb/s OEIC光接收机前端的最新研究进展[J].半导体技术,2002,27(3):60-63. 被引量:1
-
2张瑞君.光通信有源器件发展水平与趋势[J].电子与封装,2004,4(5):15-19.
-
3艾时英.用于长波长传输系统的12Gb/s的单片pin/HBT光接收组件[J].光纤通信技术,1996(4):37-39.
-
4曾峥,罗晋生.异质结双极晶体管研究的现状与发展[J].半导体杂志,1991,16(1):22-38.
-
5盛柏桢.异质结双极晶体管的最新进展[J].微电子技术,1994,22(3):17-21.
-
6曾庆明,东熠,李晨,宋东波,张克强.高截止频率异质结双极晶体管的研制[J].半导体情报,1991,28(5):46-49.
-
7盛柏桢.国外异质结双极晶体管的发展[J].电子与自动化,1994,23(4):4-6.
-
8J. A. Higgins,李江.用于高效率功率放大器的异质结双极晶体管[J].半导体情报,1989(5):28-32.
-
9日本OEIC的研制现状和展望[J].光纤通信,1989(3):69-76.
-
10艾时英.韩国的OEIC研究[J].光纤通信技术,1996(3):39-44.