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掺铟LiNbO_3晶体抗光折变效应增强机理的研究
1
作者
石连升
吉泽升
王彪
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001年第9期97-99,共3页
在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折变杂质离子In3+,生长In(2mol% )∶LiN bO3和In(3mol% )∶LiNbO3晶体。研究In∶LiNbO3晶体的结构和In3+离子在LiNbO3晶体中的占位 ,利用光斑变形法和全息法测试了In∶LiNbO3晶体的抗光折变性能 。
关键词
In:LiNbO3晶体
抗光折变能力
光斑变形法
全息
法
增强机理
铌酸锂晶体
铟掺杂
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职称材料
题名
掺铟LiNbO_3晶体抗光折变效应增强机理的研究
1
作者
石连升
吉泽升
王彪
机构
哈尔滨理工大学现代成型技术研究所
哈尔滨工业大学光电信息技术中心
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001年第9期97-99,共3页
基金
973国家重大基础研究项目 (G19990 3 3 0 )
文摘
在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折变杂质离子In3+,生长In(2mol% )∶LiN bO3和In(3mol% )∶LiNbO3晶体。研究In∶LiNbO3晶体的结构和In3+离子在LiNbO3晶体中的占位 ,利用光斑变形法和全息法测试了In∶LiNbO3晶体的抗光折变性能 。
关键词
In:LiNbO3晶体
抗光折变能力
光斑变形法
全息
法
增强机理
铌酸锂晶体
铟掺杂
Keywords
In: LiNbO 3 crystals, Photodamage resistance ability, Transmitted speckle method, Holography method
分类号
O73 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺铟LiNbO_3晶体抗光折变效应增强机理的研究
石连升
吉泽升
王彪
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2001
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