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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
1
作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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一种65 nm CMOS毫米波宽带低噪声放大器设计
2
作者 诸恒俊 张长春 +1 位作者 王静 张翼 《电子设计工程》 2025年第4期1-5,共5页
基于65 nm CMOS工艺设计了一款适用于5G毫米波相控阵接收机的宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA主要由两级共源共栅(Cascode)放大器和输入、输出及级间耦合变压器构成。其中,第一级Cascode放大器采用栅-源间变压器磁耦跨导增强技术以提高增... 基于65 nm CMOS工艺设计了一款适用于5G毫米波相控阵接收机的宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA主要由两级共源共栅(Cascode)放大器和输入、输出及级间耦合变压器构成。其中,第一级Cascode放大器采用栅-源间变压器磁耦跨导增强技术以提高增益;第二级Cascode放大器采用交叉耦合中和电容技术以扩展带宽;输入、输出及级间耦合变压器用以实现宽带阻抗匹配及提高增益平坦度等。仿真结果表明,所设计的LNA在24~29.5 GHz频带内能够取得高达22.3 dB的电压增益,优于±1 dB的增益平坦度以及低达4.4 dB的噪声系数,核心版图面积为683μm×147μm。 展开更多
关键词 毫米波 低噪声放大器 增益平坦度 变压器宽带匹配 中和电容
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基于氮化镓0.1µm工艺的W波段宽带低噪声放大器芯片
3
作者 陈岩 王维波 +5 位作者 王光年 陈忠飞 祁路伟 杨帆 张亦斌 吴少兵 《空间电子技术》 2025年第1期103-108,共6页
文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内... 文章针对高速宽带无线通信系统、仪器仪表、汽车雷达、安检成像等领域对低噪声放大器的低噪声、高增益、大动态范围和高可靠性需求,研发了一款基于0.1µm氮化镓(GaN)低压工艺的宽带低噪声放大器芯片,可在W波段75GHz~110GHz全频带内工作。通过链路分析结合管芯线性模型、非线性模型和噪声模型设计的低噪声放大器采用1∶1∶1∶2的级联推动比。通过电磁软件仿真,在确保较低功耗的同时,提高线性增益,并实现噪声系数和1 dB压缩点输出功率的良好匹配。对所设计的W波段低噪声放大器芯片进行在片测试和装盒测试,在漏极电压+5 V,栅极电压-0.7 V的测试条件下,静态工作电流为50 mA。实测结果表明,在75 GHz~110 GHz,小信号增益为21dB,噪声系数3.5dB。芯片的尺寸为2.3mm×1.5mm×0.05mm。所研制的W波段低噪声放大器芯片在保持优异噪声性能的同时实现了宽带高增益,为新一代毫米波通信系统及高端仪器仪表提供了关键器件支撑。 展开更多
关键词 W波段 宽带 0.1μm氮化镓 低噪声放大器
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一款应用于802.11ax的5.3~7.4 GHz CMOS低噪声放大器设计
4
作者 蒋欣怡 石春琦 +2 位作者 黄磊磊 徐珑 张润曦 《固体电子学研究与进展》 2025年第1期52-58,共7页
为满足IEEE 802.11ax应用的低噪声和大带宽需求,设计了一款5.3~7.4 GHz宽带低噪声放大器(Low noise amplifier, LNA)。采用无源变压器作为辅路,实现噪声抵消,在优化噪声系数的同时不增加功耗,与未采用噪声抵消的方案相比,噪声系数改善0.... 为满足IEEE 802.11ax应用的低噪声和大带宽需求,设计了一款5.3~7.4 GHz宽带低噪声放大器(Low noise amplifier, LNA)。采用无源变压器作为辅路,实现噪声抵消,在优化噪声系数的同时不增加功耗,与未采用噪声抵消的方案相比,噪声系数改善0.27 dB。采用开关电容阵列,实现可调谐级间网络,子带带宽和整体调谐带宽分别为700 MHz和2.1 GHz。基于等Q圆策略设计宽带输出匹配网络。该款LNA采用22 nm CMOS工艺实现,芯片测试结果表明:3 dB带宽达到2.1 GHz,峰值增益为26.5 dB,在5.3~7.4 GHz频段内,噪声系数均小于2.53 dB,增益大于23.5 dB,功耗为43.05 mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 无源辅路噪声抵消 调谐宽带 802.11ax
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一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器
5
作者 李飞宇 陈君涛 +1 位作者 周爵 朱安康 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期282-288,共7页
设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了... 设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片,其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明,在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时,LDO的启动时间约为150μs,在1 kHz处的噪声为-138.15 dBV/√Hz,10 Hz~100 kHz内均方根(RMS)积分噪声约为17.0μV。 展开更多
关键词 低噪声 低压差线性稳压器(LDO) 超低通滤波器 负载电流 启动时间
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S波段GaAs超低噪声限幅低噪声放大器芯片的研制 被引量：1
6
作者 舒畅 彭龙新 +2 位作者 李建平 贾晨阳 洪伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期85-89,共5页
本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低... 本文将限幅器嵌入到了低噪声放大器的输入级匹配电路,使得整体限幅放大电路的噪声系数为低噪声放大器的最小噪声系数而不需再加上限幅器的损耗,从而有效降低了整体限幅低噪声放大器的噪声系数。在此基础上,设计并实现了一款S波段限幅低噪声放大器芯片,实现了超低噪声与高耐功率的性能。测试结果表明,该款芯片在目前相近频段所有限幅低噪声放大器产品中噪声系数最小。在2.7 GHz~3.5 GHz工作频带内,实测噪声系数NF≤0.85 dB,增益≥29 dB,带内增益平坦度≤±0.3 dB,静态工作电流≤25 mA,1 dB压缩点输出功率≥8 dBm。在耐功率50 W(250μs脉宽、25%占空比)下试验30 min后不烧毁,恢复到常温时,噪声几乎无变化。芯片尺寸为3450μm×1600μm×100μm。 展开更多
关键词 限幅低噪声放大器 超低噪声 高耐功率 小型化
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面向Q/V波段卫星通信应用干扰抑制GaAs低噪声放大器
7
作者 李博 林峰 孙厚军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期155-158,共4页
针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信... 针对卫星通信应用,本文基于Ga As pHEMT工艺设计并仿真了一款覆盖37~52 GHz具有干扰抑制功能的低噪声放大器芯片。所设计低噪声放大器电路包括三级放大器,为实现低噪声和宽带特性,为每一级放大器设计了源电感。为了实现8~23 GHz干扰信号的抑制,在每一段匹配网络的设计中引入了传输零点,通过多级具有滤波功能的匹配网络实现对干扰信号的强抑制。同时,为了增强电路输入输出回波损耗,在末级放大器中增加了负反馈结构,对电路噪声特性基本不产生影响。最终,对电路进行了电磁仿真,在37~52 GHz范围内实现了16.6~25.2 dB的增益和1.9~2.8 dB的噪声系数,同时在8~23 GHz范围内,实现了50~150 dB的干扰抑制。 展开更多
关键词 低噪声放大器 宽带 干扰抑制 砷化镓 Q/V波段
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X波段GaAs MMIC低噪声放大器设计研究
8
作者 王国强 蒲颜 +2 位作者 万瑞捷 聂荣邹 朱海 《电声技术》 2024年第2期116-118,共3页
文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带... 文章针对雷达和卫星通信等微波系统需求,设计一种X波段GaAs单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)低噪声放大器。该电路为两级放大器级联结构,采用自偏置电路结构,实现单电源3.5 V供电。通过电感峰化和宽带匹配等技术实现X波段的工作频率全覆盖,并实现较低的噪声系数。测试结果表明,在8~12 GHz频率范围内,低噪声放大器功率增益大于23 dB,噪声系数小于1.7 dB,输出1 dB压缩点功率大于13 dBm。 展开更多
关键词 低噪声放大器 X波段 单片微波集成电路(MMIC)
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高光谱应用的带可调复位时间CDS的低噪声红外焦平面读出电路
9
作者 吴双 梁清华 +1 位作者 陈洪雷 丁瑞军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期268-278,共11页
低辐射量的高光谱应用对红外焦平面读出电路(ROIC)提出了低噪声的设计要求。相关双采样(CDS)是常用的减少噪声的结构。本文通过调节钳位和采样保持之间的时间间隔来改进CDS,可灵活消除低频噪声。采用180 nm CMOS工艺设计和制造了640... 低辐射量的高光谱应用对红外焦平面读出电路(ROIC)提出了低噪声的设计要求。相关双采样(CDS)是常用的减少噪声的结构。本文通过调节钳位和采样保持之间的时间间隔来改进CDS,可灵活消除低频噪声。采用180 nm CMOS工艺设计和制造了640×512规模、15μm像元中心距的读出电路。输入级集成了低噪声CTIA与本文提出的可调复位时间CDS(AICDS),所设计的时序产生器使CDS复位时间可以延长0~270个时钟周期。通过延长复位时间减少这个时间间隔,噪声电子数可以由39 e^(-)减少到18.3 e^(-)。SPECTRE仿真结果和实验测试结果证实了提出的AICDS结构可以提升高光谱应用读出电路的噪声性能,因此可以广泛应用。 展开更多
关键词 高光谱成像 读出电路 可调时间间隔 CTIA CDS 低噪声
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具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_(x)/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs
10
作者 袁静 景冠军 +7 位作者 王建超 汪柳 高润华 张一川 姚毅旭 魏珂 李艳奎 陈晓娟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期200-206,共7页
文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显... 文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显示其缺陷能级深度为0.236 eV,俘获截面为3.06×10^(-19)cm^(-2),提取的界面态密度为10^(10)~10^(12)cm^(-2)eV^(-1),表明MOCVD原位生长的SiN_(x)可以有效降低界面态。同时器件表现出优越的直流、小信号和噪声性能。栅长为0.15μm的器件在2 V的栅极电压(Vgs)下具有2.2 A/mm的最大饱和输出电流,峰值跨导为506 mS/mm,最大电流截止频率(fT)和最大功率截止频率(fMAX)分别达到了65 GHz和123 GHz,40 GHz下的最小噪声系数(NFmin)为1.07 dB,增益为9.93 dB。Vds=6 V时对器件进行双音测试,器件的三阶交调输出功率(OIP3)为32.6 dBm,OIP3/Pdc达到11.2 dB。得益于高质量的SiN_(x)/AlN界面,SiN_(x)/AlN/GaN MISHEMT显示出了卓越的低噪声及高线性度,在毫米波领域具有一定的应用潜力。 展开更多
关键词 SiN_(x)栅介质 MOCVD MIS-HEMTs 界面态 低噪声 线性度 毫米波
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一种基于22 nm FDSOI工艺的低噪声快速锁定电荷泵锁相环 被引量：1
11
作者 侯灵岩 刘云涛 +1 位作者 方硕 王云 《微电子学与计算机》 2024年第1期126-132,共7页
基于22 nm全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Silicon-On-Insulator,FDSOI)工艺设计了一种能够快速锁定的电荷泵锁相环(Charge Pump Phase Locked Loop,CPPLL)电路,该锁相环利用FDSOI器件背栅偏置的特点来提升压控振荡器性能,采用了无死... 基于22 nm全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Silicon-On-Insulator,FDSOI)工艺设计了一种能够快速锁定的电荷泵锁相环(Charge Pump Phase Locked Loop,CPPLL)电路,该锁相环利用FDSOI器件背栅偏置的特点来提升压控振荡器性能,采用了无死区的鉴频鉴相器(Phase Frequency Detector,PFD)和低失配电流电荷泵(Charge Pump,CP)以及低相位噪声结构的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)。研究了相位噪声的理论模型,基于理论参数进行电路设计和电路噪声降低。仿真结果表明,该锁相环锁定时间3μs,CP电流失配小于1%,VCO相噪水平达到-100.4 dBc/Hz@1 MHz,版图面积为0.14 mm^(2)。该锁相环具有锁定速度快,相噪低,频率精准等优点。 展开更多
关键词 低噪声锁相环 电荷泵锁相环 锁定时间 环形振荡器 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)
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基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制
12
作者 孙远 陈忠飞 +4 位作者 陆海燕 吴少兵 任春江 王维波 章军云 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第5期379-383,共5页
实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/... 实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流增益截止频率达到460 GHz,最高振荡频率为720 GHz。同时研制出340 GHz低噪声放大器芯片,在310~350 GHz内小信号增益22~27 dB,噪声系数在8 dB以下。建立了340 GHz InP低噪声放大器芯片技术平台,为太赫兹低噪声单片微波集成电路的发展奠定基础。 展开更多
关键词 磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写 太赫兹 低噪声放大器
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MEMS陀螺仪高精度低噪声检测电路设计
13
作者 赵毅强 寇诗逸 叶茂 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期96-104,共9页
为满足电容式MEMS陀螺仪低噪声,高精度的检测需求,设计了一款基于开关电容结构的全差分检测电路,主要包括电容检测和数字量化处理两部分。电容检测电路采用离散时间电容电压(C/V)转换方案,提出将高频载波调制和相关双采样技术相结合的方... 为满足电容式MEMS陀螺仪低噪声,高精度的检测需求,设计了一款基于开关电容结构的全差分检测电路,主要包括电容检测和数字量化处理两部分。电容检测电路采用离散时间电容电压(C/V)转换方案,提出将高频载波调制和相关双采样技术相结合的方式,有效降低了低频噪声的干扰。量化电路采用一款4阶4 bit单环前馈结构的带通ΔΣ调制器,输入信号前馈通路的引入提高了系统的稳定性,内部多位量化器有效提高了信噪比。系统在保持低功耗的同时实现了高精度输出。基于0.18μm BCD工艺,在5 V电源电压下,对整体电路进行仿真验证。仿真结果表明,检测电路灵敏度可以实现10 m V/f F,在谐振频率5 k Hz处,等效输入电容噪声为■。最终在100 Hz带宽范围内,读出信号量化精度可以达到15 bits。与传统的MEMS陀螺仪检测电路相比,该电路具有更低的噪声和更高的量化精度,能够满足高精度检测应用需求。 展开更多
关键词 电容检测电路 MEMS陀螺仪 ΔΣ调制器 相关双采样 低噪声 高精度
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器
14
作者 李泽坤 陈继新 +1 位作者 郑司斗 洪伟 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期187-191,共5页
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现... 本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段
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一种基于有源滤波电路的高PSRR低噪声LDO电路设计
15
作者 吴嘉祺 姚思远 +3 位作者 刘智 陈泽强 魏巍 于洪波 《微电子学与计算机》 2024年第2期67-75,共9页
为了减少低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路中的噪声以及输入电压携带的纹波对输出电压精度所带来的影响,提出了一种基于有源滤波思想的优化LDO噪声和电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的电路设计技术,在... 为了减少低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路中的噪声以及输入电压携带的纹波对输出电压精度所带来的影响,提出了一种基于有源滤波思想的优化LDO噪声和电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的电路设计技术,在不考虑功耗以及压差的条件下,采用多级稳压设计以大幅提升LDO的电源抑制比。通过前级LDO电路对输入电压进行稳压,形成二次电源后对后续电路进行供电,同时在后级LDO的基准端加入一级额外的稳压电路进行稳压,并通过低功耗RC滤波器和跨导放大器以减少环路噪声。此外,电路还加入了低噪声前馈电路以及快速启动电路提高LDO的响应速度。基于0.18μm BCD工艺,在5 V输入3.3 V输出,负载电流为10 mA的仿真验证下,测得整体电路在1 kHz时PSRR达到−110 dB,同时在10~100 kHz下其噪声仅为5.3μVrms。同时,通过改变基准端负载电容以及负载电流对LDO的PSRR以及噪声进行仿真,其结果均满足设计需求,有效提高了LDO输出电压的精度。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制比 低噪声 有源滤波器 二次电源 低通滤波器
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一种用于低噪声LDO的动态零点补偿技术
16
作者 吴嘉祺 姚思远 +3 位作者 刘智 陈泽强 魏巍 于洪波 《微电子学与计算机》 2024年第1期142-150,共9页
为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出... 为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出电压经反馈网络传递给反馈端的信号耦合形成由负载电容、负载电流控制的可控零点,可有效提高LDO电路整体的稳定性。此外,电路内部加入了产生动态极点的自适应电流补偿电路以保证次极点不会对环路的相位裕度产生影响。基于0.18μm BCD工艺设计,该电路在0~800 mA的宽负载范围、5 V输入3.3 V输出下相位裕度均高于48°,适用负载电容范围≥1μF,同时该LDO在10~100 kHz的频率范围内输出噪声仅为5.0617μVrms。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 前馈电路 自适应补偿 低噪声 频率补偿 稳定性
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0.6~18.0 GHz超宽带低噪声放大器MMIC
17
作者 郝翔 王维波 +3 位作者 闫俊达 袁巍 韩方彬 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第2期125-130,共6页
基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提... 基于0.15μm GaAs E-pHEMT工艺设计并制备了一款0.6~18.0 GHz的低噪声放大器单片微波集成电路。该放大器使用一级共源共栅结构,通过负反馈实现宽带的匹配设计。同时在共栅晶体管栅极增加到地电容,共源管和共栅管漏极增加峰化电感,以提高高频增益,扩展带宽,改善噪声。常温在片测试结果表明,在3.3 V单电源供电下,0.6~18.0 GHz频带内该款低噪声放大器噪声系数典型值1.5 dB,小信号增益约15 dB,增益平坦度小于±0.9 dB,输入、输出电压驻波比典型值分别为1.7和1.8,1 dB压缩点输出功率典型值14 dBm,功耗72.6 mW,芯片面积1.5 mm×1.2 mm。 展开更多
关键词 超宽带 低噪声放大器 共源共栅 单片微波集成电路 砷化镓
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某低噪声螺杆滑油泵脉动特性研究
18
作者 王振静 甘志强 《节能技术》 CAS 2024年第5期444-448,共5页
脉动特性是低噪声螺杆滑油泵的固有特性。由于脉动剧烈时易对泵的工作稳定性产生不良影响,研究其脉动特性十分重要。本文针对某低噪声螺杆滑油泵,开展不同定转子间隙、排气阀开度和进口含气率的脉动特性研究。研究结果表明,在研究参数... 脉动特性是低噪声螺杆滑油泵的固有特性。由于脉动剧烈时易对泵的工作稳定性产生不良影响,研究其脉动特性十分重要。本文针对某低噪声螺杆滑油泵,开展不同定转子间隙、排气阀开度和进口含气率的脉动特性研究。研究结果表明,在研究参数范围内,脉动随间隙增大呈现先升高后下降趋势,随排气阀开度增大而单调递增,随含气率增大而先增大后保持平稳。本文研究结果可为螺杆滑油泵的设计与使用工况提供一定参考。 展开更多
关键词 脉动特性 低噪声螺杆滑油泵 转子间隙 排气阀 含气率
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10~20GHz宽带低噪声放大器的设计和实现
19
作者 李鑫 肖曼琳 +1 位作者 杜鑫威 肖帅 《集成电路应用》 2024年第1期11-13,共3页
阐述一款采用0.25 GaAs pHEMT工艺、基于MMIC技术的10~20GHz宽带低噪声放大器设计。联合仿真结果表明,带内增益高达28dB,噪声系数低于1.9dB,输入和输出回波损耗均低于-15dB。该芯片具有宽带宽、集成度高和功耗低的特点。
关键词 电路设计 低噪声放大器 MMIC 电流复用 GAAS
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综合科考船风机室高效低噪声协同控制研究
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作者 蔡晓涛 叶林昌 +3 位作者 刘媛 王毅娜 刘赟 黄志武 《舰船科学技术》 北大核心 2024年第14期38-42,共5页
为降低机舱风机振动噪声传递到船体结构和附近舱室,需要对其进行高效低噪声控制。本文结合某综合科考船风机室的布置,分析风机隔振处理、壁面吸声处理、消声器设置等措施的协同作用效果,并进行实船测试验证。实船结果表明,风机室通过低... 为降低机舱风机振动噪声传递到船体结构和附近舱室,需要对其进行高效低噪声控制。本文结合某综合科考船风机室的布置,分析风机隔振处理、壁面吸声处理、消声器设置等措施的协同作用效果,并进行实船测试验证。实船结果表明,风机室通过低噪声协同控制措施后,机舱风机减振装置有较好的隔振效果,隔振效果可达15 dB以上;风机室百叶窗出口1 m处噪声声压级低于“开敞娱乐区域”75 dB(A)的限值要求。该研究可为船舶风机室的低噪声协同控制提供理论参考,具有一定的工程指导意义。 展开更多
关键词 风机室 低噪声 协同控制 科考船
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