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深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测
被引量：
2
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作者
颜志英
张敏霞
《浙江工业大学学报》
CAS
2003年第2期165-168,共4页
分析并模拟了 SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响 ,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试 ,得到了不同应力条件下最大线性区跨导和阈值电压的退化结果 ,以及器件尺寸对这种退化的影响。并实验测试了一个
关键词
SOINMOSFET
电源电压
工艺参数
沟道长度
内部电场
低压热载流子效应
寿命预测
器件退化
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职称材料
题名
深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测
被引量：
2
1
作者
颜志英
张敏霞
机构
浙江工业大学信息学院
出处
《浙江工业大学学报》
CAS
2003年第2期165-168,共4页
文摘
分析并模拟了 SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响 ,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试 ,得到了不同应力条件下最大线性区跨导和阈值电压的退化结果 ,以及器件尺寸对这种退化的影响。并实验测试了一个
关键词
SOINMOSFET
电源电压
工艺参数
沟道长度
内部电场
低压热载流子效应
寿命预测
器件退化
Keywords
SOI nMOS
hot-carrier effects
device lifetime
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测
颜志英
张敏霞
《浙江工业大学学报》
CAS
2003
2
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