低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究 被引量：4

1

作者 王敬轩 商庆杰 杨志 《电子与封装》 2021年第8期94-98,共5页

微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量... 微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题,采用二次离子质谱测试(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)的方式,分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数,得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜,可实现50片/炉的工艺能力,可批量应用于MEMS工艺中。 展开更多

关键词 微机械加工 低压化学气相淀积 低应力氮化硅 均匀性

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4H-SiC MESFET工艺中的高温氧化及介质淀积技术 被引量：1

2

作者 付兴昌 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期280-283,共4页

采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用... 采用自主开发的4H-SiC高温氧化技术,并结合低压化学气相淀积方法,在器件表面形成较为致密的氧化层,降低了器件的反向泄漏电流,提高了器件的击穿电压,同时也提高了器件的输出功率及功率增益,为器件长期稳定可靠工作奠定了工艺基础。采用此技术后,单胞20 mm左右栅宽器件在2 GHz脉冲条件下(脉冲宽度300μs,占空比10%)输出功率达78 W,比原工艺的器件输出功率提高了20 W以上,功率增益提高了1.5 dB,达到8.9 dB左右,功率附加效率也从23%提升到32%,初步显示了该工艺技术在制备4H-SiC微波功率器件中的优势。 展开更多

关键词 碳化硅 微波功率器件 氧化 低压化学气相淀积 S波段

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Si(111)衬底上3C-SiC的超低压低温外延生长

3

作者 严飞 郑有炓 +5 位作者 陈平 孙澜 顾书林 朱顺明 李雪飞 韩平 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第11期65-66,11,共3页

研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (X... 研究发展了一种Si衬底上低温外延生长 3C SiC的方法。采用LPCVD生长系统 ,以SiH4 和C2 H4 为气源 ,在超低压 (30Pa)、低温 (90 0℃ )的条件下 ,在Si(111)衬底上外延生长出了高质量的 3C SiC薄膜材料。采用俄歇能谱 (AES)、X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM )等分析手段研究了SiC薄膜的外延层组分、晶体结构及其表面形貌。AES结果表明薄膜中的Si/C的原子比例符合SiC的理想化学计量比 ,XRD结果显示了3C SiC外延薄膜的良好晶体结构 ,AFM揭示了 3C SiC薄膜的良好的表面形貌。 展开更多

关键词 SI(111)衬底 3C-SIC 超低压低温外延生长 碳化硅 异质外延生长 低压化学气相淀积 半导体材料

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SiN介质薄膜内应力的实验研究 被引量：5

4

作者 石霞 孙俊峰 顾晓春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期851-853,870,共4页

研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。讨论了应力产生的原因以及... 研究了低压化学气相淀积SiN(LPCVD)介质薄膜的内应力,采用XP-2型台阶仪测量了SiN介质薄膜的内应力,通过改变薄膜淀积时的工艺参数,观察了反应气体流量比、淀积温度、反应室压力等因素对SiN薄膜内应力的影响。讨论了应力产生的原因以及随工艺条件变化的机理,通过工艺条件的合理选择逐步优化工艺。 展开更多

关键词 内应力 氮化硅薄膜 低压化学气相淀积

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Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 被引量：2

5

作者 孙国胜 王雷 +5 位作者 罗木昌 赵万顺 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期135-138,共4页

在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (S... 在冷壁式不锈钢超高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 (LPCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si(1 0 0 )和 Si(1 1 1 )晶向衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅 (3 C-Si C)外延材料 ,利用反射高能电子衍射 (RHEED)和扫描电镜 (SEM)技术详细研究了 Si衬底的碳化过程、碳化层的表面形貌及缺陷结构 ,获得了界面平整光滑、没有空洞形成的 3 C-Si C外延材料 ,并采用 X-射线衍射 (XRD)、双晶 X-射线衍射 (DXRD)和霍尔(Hall) 展开更多

关键词 无坑洞立方相碳化硅 低压化学气相淀积 单晶硅树底 SiC 外延生长 LPCVD 宽带隙半导体材料

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SiC MESFET反向截止漏电流的研究 被引量：4

6

作者 崔现锋 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期784-786,共3页

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和... 给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升。从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB。该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容。 展开更多

关键词 反向截止漏电流 碳化硅金属外延半导体场效应晶体管 氧化 低压化学气相淀积

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Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长 被引量：1

7

作者 朱顺明 江宁 +7 位作者 臧岚 韩平 刘夏冰 程雪梅 江若琏 郑有炓 胡晓宁 方家熊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期414-418,共5页

研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 ... 研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。 展开更多

关键词 快速加热超低压化学气相淀积 非平衡生长 代位式

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LPCVD背封片表面颗粒问题研究 被引量：7

8

作者 高丹 佟丽英 《电子工艺技术》 2014年第3期170-172,共3页

采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背... 采用LPCVD工艺对硅片背封SiO2薄膜,可以有效地防止外延工序中的自掺杂效应,消除杂质对外延工艺的不利影响。但是当背封好的硅片经抛光放置后,抛光面有亮点,并且随着时间的推移越来越多,严重影响了外延片质量。通过对比不同工艺条件下背封片表面情况,分析了表面颗粒的形成机理以及影响表面颗粒产生的因素。通过调整工艺参数,基本解决了背封片表面颗粒问题,明显改善了表面质量。 展开更多

关键词 低压化学气相淀积 颗粒 二氧化硅

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铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜在锂离子电池电极中的应用

9

作者 夏丽 刘宪云 方佳怡 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期150-154,共5页

锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb_3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良... 锂离子电池性能研究和提高已成为化学电源领域热点,使用低压化学气相沉积(LPCVD)法在铜箔上制备CoSb_3纳米颗粒薄膜,该薄膜不添加任何粘合剂,直接用作锂离子电池电极。50次充放电测试数据表明:使用CoSb_3纳米颗粒薄膜的电极充放电性能良好,电荷存储容量较高;初始放电容量为378.8 mA·h/g,在初始充电过程中测试得到充入电容量为205.2 mA·h/g、库仑效率为54.1%;在第二个充放电周期获得了低了些的放电容量为222.6 mA·h/g和相应的充电容量205.2 mA·h/g,库仑效率为92.2%,从第二个循环周期开始锂离子电池已经有较高的充放电效率;在50个充放电周期后CoSb_3纳米薄膜的电容量下降到55.4 mA·h/g。在CoSb_3纳米薄膜的充放电周期中如此重大的电容量损失是归因于在锂化过程中产生了大型结构变化。 展开更多

关键词 CoSb3纳米颗粒薄膜 锂离子电池 电荷存储容量 低压化学气相淀积

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TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

10

作者 胡玲 杨霏 +1 位作者 商庆杰 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期439-442,共4页

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,... 应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。 展开更多

关键词 低压化学气相淀积 正硅酸乙酯 碳化硅 微波功率器件 二氧化硅

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沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化

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作者 汤光洪 高周妙 +2 位作者 罗燕飞 李志栓 周燕春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期534-539,共6页

采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCV... 采用低压化学气相淀积（LPCVD）非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺。分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件。结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4%。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 低压化学气相淀积(LPCVD) 非晶Si 填槽工艺 无缝回填 高深宽比

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