碳化硅多型的会聚束电子衍射(CBED)研究

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作者 于青 肖序刚 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期602-605,共4页

采用会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）的方法对我国辽南金伯利岩中的碳化硅矿物多型性进行了分析鉴定，通过对其结构的分析以及ＨＯＬＺ环半径的计算，发现了６Ｈ以及４Ｈ两种多型．其中４Ｈ多型为我国首次在自然界中发现的碳化硅多型种类．... 采用会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）的方法对我国辽南金伯利岩中的碳化硅矿物多型性进行了分析鉴定，通过对其结构的分析以及ＨＯＬＺ环半径的计算，发现了６Ｈ以及４Ｈ两种多型．其中４Ｈ多型为我国首次在自然界中发现的碳化硅多型种类．实践证明，会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）是分析矿物多型结构的方便可行的方法． 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 HOLZ环 碳化硅 多型 晶体结构

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会聚束电子衍射测定晶体点群的实验流程 被引量：1

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作者 刘祥文 杨光明 邹化民 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期315-322,共8页

本文设计了两套应用会聚束电子衍射 (CBED)测定晶体点群的优化实验流程图。一套为应用CBED测定晶体点群的一般流程图 ,它适合于对完全未知的晶体进行点群测定 ,如透射电镜下发现的未知微细包裹体或未知出溶相等 ;另一套为已知晶系情况... 本文设计了两套应用会聚束电子衍射 (CBED)测定晶体点群的优化实验流程图。一套为应用CBED测定晶体点群的一般流程图 ,它适合于对完全未知的晶体进行点群测定 ,如透射电镜下发现的未知微细包裹体或未知出溶相等 ;另一套为已知晶系情况下应用CBED测定晶体点群的实验流程图 ,它适用于已有X射线衍射或选区电子衍射数据的情况。这两套实验流程图非常详尽 ,流程图各分支的终点都是唯一的点群 ,具有操作性强的特点 ,使得测定晶体点群的实验变得更加简便快捷 ,尤其适合于对天然细分散矿物晶体点群的测定。并给出了两个应用实例 。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 cbed 晶体点群 透射电镜 镁铝榴石 硅钛铈铁矿 实验流程图

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界面残余应变场的会聚束电子衍射测定(英文) 被引量：1

3

作者 邹化民 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期234-239,共6页

用两种会聚束电子衍射 (CBED)技术研究了复合材料界面残余应变场。常规正焦CBED方法中 ,用优化算法使计算的高阶Laue带 (HOLZ)线图与实验图达到最佳拟合 ,进而确定残余应变。给出了一种减少优化计算中可调参数数目的方法。残余应变与表... 用两种会聚束电子衍射 (CBED)技术研究了复合材料界面残余应变场。常规正焦CBED方法中 ,用优化算法使计算的高阶Laue带 (HOLZ)线图与实验图达到最佳拟合 ,进而确定残余应变。给出了一种减少优化计算中可调参数数目的方法。残余应变与表面弛豫引起的界面附近点阵平面面间距的变化、点阵平面的旋转与弯曲使得离焦的大角度会聚束电子衍射(LACBED)图中的衍射线移位、分裂与弯曲。表面弛豫引起的点阵平面的旋转也决定于本征应变。通过使动力学理论计算的LACBED图与实验图达最佳拟合 ,可以确定本征应变。用该方法研究了颗粒增强复合材料Al2 O3 Al与晶须增强复合材料(K2 O·6TiO2 )w 展开更多

关键词 界面残余应变场 测定 会聚束电子衍射 金属复合材料 优化算法 颗粒增强复合材料

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萨碳硼镁钙石空间群的会聚束电子衍射测定 被引量：1

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作者 刘祥文 杨光明 赵文霞 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期623-624,共2页

萨碳硼镁钙石（Ｓａｋｈａｉｔｅ）是Ｏｓｔｒｏｖｓｋａｙａ（１９６６）［１］等人在苏联西伯利亚首次发现的，经Ｘ射线衍射研究，证明其为等轴晶系，ａ＝１．４６４ｎｍ，可能的空间群Ｆｍ３ｍ，Ｆ４３，Ｆ４３ｍ，Ｆｍ３，Ｆ２３；... 萨碳硼镁钙石（Ｓａｋｈａｉｔｅ）是Ｏｓｔｒｏｖｓｋａｙａ（１９６６）［１］等人在苏联西伯利亚首次发现的，经Ｘ射线衍射研究，证明其为等轴晶系，ａ＝１．４６４ｎｍ，可能的空间群Ｆｍ３ｍ，Ｆ４３，Ｆ４３ｍ，Ｆｍ３，Ｆ２３；其晶体化学分子式为Ｃａ４８Ｍｇ１６... 展开更多

关键词 晶体结构 会聚束电子衍射 萨碳硼镁钙石 空间群

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在H-800电镜上实现会聚束电子衍射的方法

5

作者 潘春旭 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 1989年第1期47-51,共5页

本文介绍在没有CBED附件的情况下,如何在H-800电镜上实现会聚束电子衍射(CBED)的几种方法,如成像模式法、衍射模式法、STEM模式法、Free模式法和大角度会聚束电子衍射(LA CBED)。给出详细的操作步骤和注意事项,并讨论了影响CBED花样的... 本文介绍在没有CBED附件的情况下,如何在H-800电镜上实现会聚束电子衍射(CBED)的几种方法,如成像模式法、衍射模式法、STEM模式法、Free模式法和大角度会聚束电子衍射(LA CBED)。给出详细的操作步骤和注意事项,并讨论了影响CBED花样的几个因素。 展开更多

关键词 电镜 会聚束 电子衍射 cbed

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定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究(英文)

6

作者 朱静 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期229-233,共5页

本文简要介绍了定量会聚束电子衍射方法及其优化算法 ;采用此方法研究了微量元素硼在金属间化合物Ni3 Al和Co3 Ti中导致的电荷密度重新分布及原子键合的变化 ,据此解释了硼对Ni3 Al和Co3

关键词 微量元素 硼 偏聚特性 定量会聚束电子衍射 电子结构 金属间化合物 优化算法 电荷密度

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定量会聚束电子衍射:Ⅰ.研究动态 被引量：3

7

作者 冯方 张爱华 朱静 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第2期90-96,共7页

本文介绍了一种在材料研究和半导体器件分析等领域中常用的结构分析技术——定量会聚束电子衍射术。主要介绍会聚束电子衍射方法的简史及近况、定量会聚束电子衍射的特点和发展方向。同时,简述了定量会聚束电子衍射技术在材料科学研究... 本文介绍了一种在材料研究和半导体器件分析等领域中常用的结构分析技术——定量会聚束电子衍射术。主要介绍会聚束电子衍射方法的简史及近况、定量会聚束电子衍射的特点和发展方向。同时,简述了定量会聚束电子衍射技术在材料科学研究中的应用和实验的基本过程。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 结构分析 定量会聚束电子衍射 Qcbed

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用六维团簇模型和定量会聚束电子衍射优化i-AlPdMn准晶的结构因子 被引量：2

8

作者 叶建设 邹化民 +1 位作者 王建波 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第5期361-367,共7页

基于二十面体AlPdMn准晶的六维团簇模型,用定量会聚束电子衍射法优化了二十面体AlPdMn准晶的8个独立的强反射结构因子。将优化得到的结构因子替换X射线衍射实验得到的结构因子,并与其它的X射线衍射实验得到的结构因子相结合,用Fourier... 基于二十面体AlPdMn准晶的六维团簇模型,用定量会聚束电子衍射法优化了二十面体AlPdMn准晶的8个独立的强反射结构因子。将优化得到的结构因子替换X射线衍射实验得到的结构因子,并与其它的X射线衍射实验得到的结构因子相结合,用Fourier合成的方法得到二十面体AlPdMn准晶的电荷密度分布和差值电荷密度分布。所得差值电荷密度表明,当Al原子的最近邻原子为Mn时,Al原子失去较多的电子,Mn原子得到电子,说明发生了Al的外层电子向Mn原子转移,Mn显示负的化合价。这一结果与他人的理论计算结果相符。 展开更多

关键词 二十面体 AlPdMn准晶 六维团簇模型 定量会聚束电子衍射

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功能材料电子轨道的定量会聚束电子衍射研究进展 被引量：1

9

作者 王诗雨 林挺 +2 位作者 尚彤彤 张庆华 谷林 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期759-766,共8页

功能材料以其独特的性能和广阔的应用前景,成为凝聚态物理和材料科学领域的重要研究热点之一。但与功能材料功能性起源相关的晶格、电荷、轨道和自旋四个基本自由度中,对轨道的表征手段较为有限。本文对近年发展的定量会聚束电子衍射(QC... 功能材料以其独特的性能和广阔的应用前景,成为凝聚态物理和材料科学领域的重要研究热点之一。但与功能材料功能性起源相关的晶格、电荷、轨道和自旋四个基本自由度中,对轨道的表征手段较为有限。本文对近年发展的定量会聚束电子衍射(QCBED)表征轨道自由度的原理进行了深入讨论。此外,本文还介绍了利用QCBED在轨道自由度层面研究功能材料起源方面取得的最新进展,并对该方法的未来发展方向进行了简单展望。 展开更多

关键词 定量会聚束电子衍射 轨道自由度 功能材料

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使用会聚束电子衍射技术测定Ni-Al二元模型单晶高温合金γ/γ′两相错配度

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作者 张博文 张晓娜 +4 位作者 刘程鹏 于涛 李晖 王崇愚 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期608-614,共7页

镍基单晶高温合金中γ相和γ’相晶格错配度对两相晶界附近应力,服役过程中显微结构演变规律及抗蠕变性能都有重要影响。本文使用会聚束电子衍射方法,在精确测定透射电镜加速电压的基础上,结合计算模拟结果,测定了Ni-Al二元模型单晶高... 镍基单晶高温合金中γ相和γ’相晶格错配度对两相晶界附近应力,服役过程中显微结构演变规律及抗蠕变性能都有重要影响。本文使用会聚束电子衍射方法,在精确测定透射电镜加速电压的基础上,结合计算模拟结果,测定了Ni-Al二元模型单晶高温合金中γ相和γ’相的晶格常数,获得了两相晶格错配度。合金中不同位置处两相晶格错配度差别较小。本文结果对深入了解高温合金显微结构的演变和性能的关系提供了重要的基础数据。 展开更多

关键词 镍基单晶高温合金 晶格常数 错配度 会聚束衍射(cbed)

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Si_(1-x)Ge_x/Si界面区的会聚束电子衍射研究

11

作者 秦志宏 柳得橹 +1 位作者 莫庆伟 范缇文 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期505-506,共2页

会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时... 会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时，由于入射束不聚焦在试样平面上，可... 展开更多

关键词 硅/锗硅 薄膜 会聚束电子衍射 界面

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α-Fe小晶粒和2Ha-NbSe_2的会聚束电子衍射研究

12

作者 杨翠英 周玉清 《电子显微学报》 CAS 1982年第2期57-60,83-84,共6页

本文报导亚稳相α-Fe小晶粒和2Ha-NbSe_2的会聚束电子衍射(CBED~*)的初步研究结果。CBED与常规选区衍射(SAD^(**))相比有下列优点:空间分辨本领高(照射面积为几十nm至几nm),可用于小晶粒结构的研究;能充分揭示晶体的对称性,为测定空间... 本文报导亚稳相α-Fe小晶粒和2Ha-NbSe_2的会聚束电子衍射(CBED~*)的初步研究结果。CBED与常规选区衍射(SAD^(**))相比有下列优点:空间分辨本领高(照射面积为几十nm至几nm),可用于小晶粒结构的研究;能充分揭示晶体的对称性,为测定空间群提供可能性。因而此技术在材料科学中有广泛的应用。在此,我们用CBED观察了从非晶态中析出的α-Fe小晶粒结构;并测定了2Ha-NbSe_2的带轴投影图。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 NbSe2 晶粒结构 小晶粒 FE

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Ni_3Al中位错的会聚束电子衍射研究

13

作者 林向东 赵黎捷 +1 位作者 吴杏芳 周政谦 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期111-111,共1页

利用会聚束电子衍射技术研究晶体中的缺陷在实验和理论上都得到了重要的发展。本文研究了金属间化合物Ni_3Al中位错对HOLZ线的影响和相应的多束动力学模拟计算。

关键词 金属间化合物 NI3AL 位错 会聚束 电子衍射

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十次对称准晶中位错对的会聚束电子衍射研究

14

作者 鄢炎发 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期165-165,共1页

自准晶体发现以来,对准晶体中的缺陷的研究一直是人们感兴趣的课题,在准晶体中人们发现了位错、层错、小角晶界、位错圈和公度错等缺陷。这里,介绍我们利用离焦会聚束电子衍射(简称CBED)对Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中位错对的研究... 自准晶体发现以来,对准晶体中的缺陷的研究一直是人们感兴趣的课题,在准晶体中人们发现了位错、层错、小角晶界、位错圈和公度错等缺陷。这里,介绍我们利用离焦会聚束电子衍射(简称CBED)对Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中位错对的研究结果。图1是在Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中观察到的位错对的双束明场像。衍射分析表明,构成这些位错对的位错的柏格矢方向都沿着十次轴。在位错对的终端,两位错头部的黑白衬度振荡一样,说明两位错具有相同符号的柏格矢。这说明这些平行排的位错构成位错对。利用+g的弱束象分析结果也说明它们是位错对。图2(a),(b), 展开更多

关键词 准晶体 十次对称准晶 会聚束电子衍射

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利用会聚束进行晶体倾转的方法

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作者 汤亚力 沈宁福 《物理实验》 1992年第5期243-244,共2页

一、引言在物理系金属物理及材料科学专业的电子显微分析课中,用双倾台倾转晶体是一重要实验内容,也是学生在电镜实验中较难掌握的部分。以往的倾转方法是:首先得到选区电子衍射花样,再沿某一带轴进行倾转,在倾转过程中应保证带轴上的... 一、引言在物理系金属物理及材料科学专业的电子显微分析课中,用双倾台倾转晶体是一重要实验内容,也是学生在电镜实验中较难掌握的部分。以往的倾转方法是:首先得到选区电子衍射花样,再沿某一带轴进行倾转,在倾转过程中应保证带轴上的衍射斑点位置、强度不变,从而到达某主要位向。这种方法的缺点是:学生感到倾转方向不明确,空间概念不清晰,而且要花很长时间。 展开更多

关键词 会聚束 晶体倾转 电子衍射 实验

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SiC_f/Ti-6Al-4V基复合材料界面晶格常数变化的CBED研究 被引量：1

16

作者 黄斌 苏越 +2 位作者 范文斌 杨延清 罗贤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第5期416-419,共4页

本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化。结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢。有C涂层Si... 本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化。结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢。有C涂层SiC纤维制成的复合材料中晶格常数变化比无C涂层复合材料晶格常数变化小。相比制备态复合材料,热暴露无C涂层SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面处,晶格常数变化较为缓和。 展开更多

关键词 复合材料 界面 晶格参数 会聚束电子衍射(cbed) 高阶劳埃(HOLZ)线

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应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 被引量：1

17

作者 段晓峰 刘海华 +1 位作者 徐秋霞 刘邦贵 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期312-321,共10页

本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射... 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。 展开更多

关键词 应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 大角度会聚束电子衍射

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Pt/Si外延膜界面处Si基体中应力场的LACBED研究

18

作者 鄢炎发 蒋昌忠 +2 位作者 王青林 范湘军 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期150-150,共1页

我们利用大角度会聚束电子衍射(简称LACBED)的方法对Pt/Si外延膜界面处Si基体中的应力场进行了研究。Pt/Si外延膜试样是用蒸镀的方法在基体Si片上沿(111)面外延生成金属Pt而成。X-射线分析结果表明Pt沿Si(111)面外延生长很好。图1是Pt/S... 我们利用大角度会聚束电子衍射(简称LACBED)的方法对Pt/Si外延膜界面处Si基体中的应力场进行了研究。Pt/Si外延膜试样是用蒸镀的方法在基体Si片上沿(111)面外延生成金属Pt而成。X-射线分析结果表明Pt沿Si(111)面外延生长很好。图1是Pt/Si界面的明场象。左面为衬底Si,右边为外延生长Pt层。图2是电子束照射在界面附近不同地方的LACBED花样。图中界面在LACBED花样中所处的位置可以清晰地看出。图2(a)可以看出。 展开更多

关键词 铂 硅 外延 界面 应力场 大角度 会聚束电子衍射

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SiC纳米线的孪晶机制的透射电子显微学研究

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作者 郑善亮 韩晓东 +6 位作者 张跃飞 张晓娜 刘显强 郑坤 张泽 郝雅娟 郭向云 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期322-326,共5页

本文对溶胶-凝胶法制得的SiC微孪晶纳米线进行了微结构与孪晶机制的详细研究,利用会聚束电子衍射(CBED)及其动力学模拟技术间接证明了它是一种关于(111)面的60°旋转孪晶。并在此基础上对SiC微孪晶纳米线的生长机理进行了讨论。

关键词 会聚束电子衍射 会聚束电子衍射的动力学模拟 60°旋转孪晶

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应变和成份调制超晶格的CBED研究

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作者 魏晓莉 冯国光 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期149-149,共1页

由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时... 由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时,则为也变调制的超晶恪,如In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格。最近我们用会聚束电子衍射(CBED)研究了成份调制的超晶格AlAs/GaAs和应变调制的超晶格In、Ga_(1-x)As/GaAs的运动学和动力学衍射效应。 展开更多

关键词 半导体 砷化镓 砷化铝 超晶格 会聚束电子衍射

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