定量会聚束电子衍射:Ⅰ.研究动态 被引量：3

1

作者 冯方 张爱华 朱静 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第2期90-96,共7页

本文介绍了一种在材料研究和半导体器件分析等领域中常用的结构分析技术——定量会聚束电子衍射术。主要介绍会聚束电子衍射方法的简史及近况、定量会聚束电子衍射的特点和发展方向。同时,简述了定量会聚束电子衍射技术在材料科学研究... 本文介绍了一种在材料研究和半导体器件分析等领域中常用的结构分析技术——定量会聚束电子衍射术。主要介绍会聚束电子衍射方法的简史及近况、定量会聚束电子衍射的特点和发展方向。同时,简述了定量会聚束电子衍射技术在材料科学研究中的应用和实验的基本过程。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 结构分析 定量会聚束电子衍射 QCBED

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会聚束电子衍射测定晶体点群的实验流程 被引量：1

2

作者 刘祥文 杨光明 邹化民 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期315-322,共8页

本文设计了两套应用会聚束电子衍射 (CBED)测定晶体点群的优化实验流程图。一套为应用CBED测定晶体点群的一般流程图 ,它适合于对完全未知的晶体进行点群测定 ,如透射电镜下发现的未知微细包裹体或未知出溶相等 ;另一套为已知晶系情况... 本文设计了两套应用会聚束电子衍射 (CBED)测定晶体点群的优化实验流程图。一套为应用CBED测定晶体点群的一般流程图 ,它适合于对完全未知的晶体进行点群测定 ,如透射电镜下发现的未知微细包裹体或未知出溶相等 ;另一套为已知晶系情况下应用CBED测定晶体点群的实验流程图 ,它适用于已有X射线衍射或选区电子衍射数据的情况。这两套实验流程图非常详尽 ,流程图各分支的终点都是唯一的点群 ,具有操作性强的特点 ,使得测定晶体点群的实验变得更加简便快捷 ,尤其适合于对天然细分散矿物晶体点群的测定。并给出了两个应用实例 。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 CBED 晶体点群 透射电镜 镁铝榴石 硅钛铈铁矿 实验流程图

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界面残余应变场的会聚束电子衍射测定(英文) 被引量：1

3

作者 邹化民 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期234-239,共6页

用两种会聚束电子衍射 (CBED)技术研究了复合材料界面残余应变场。常规正焦CBED方法中 ,用优化算法使计算的高阶Laue带 (HOLZ)线图与实验图达到最佳拟合 ,进而确定残余应变。给出了一种减少优化计算中可调参数数目的方法。残余应变与表... 用两种会聚束电子衍射 (CBED)技术研究了复合材料界面残余应变场。常规正焦CBED方法中 ,用优化算法使计算的高阶Laue带 (HOLZ)线图与实验图达到最佳拟合 ,进而确定残余应变。给出了一种减少优化计算中可调参数数目的方法。残余应变与表面弛豫引起的界面附近点阵平面面间距的变化、点阵平面的旋转与弯曲使得离焦的大角度会聚束电子衍射(LACBED)图中的衍射线移位、分裂与弯曲。表面弛豫引起的点阵平面的旋转也决定于本征应变。通过使动力学理论计算的LACBED图与实验图达最佳拟合 ,可以确定本征应变。用该方法研究了颗粒增强复合材料Al2 O3 Al与晶须增强复合材料(K2 O·6TiO2 )w 展开更多

关键词 界面残余应变场 测定 会聚束电子衍射 金属复合材料 优化算法 颗粒增强复合材料

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萨碳硼镁钙石空间群的会聚束电子衍射测定 被引量：1

4

作者 刘祥文 杨光明 赵文霞 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期623-624,共2页

萨碳硼镁钙石（Ｓａｋｈａｉｔｅ）是Ｏｓｔｒｏｖｓｋａｙａ（１９６６）［１］等人在苏联西伯利亚首次发现的，经Ｘ射线衍射研究，证明其为等轴晶系，ａ＝１．４６４ｎｍ，可能的空间群Ｆｍ３ｍ，Ｆ４３，Ｆ４３ｍ，Ｆｍ３，Ｆ２３；... 萨碳硼镁钙石（Ｓａｋｈａｉｔｅ）是Ｏｓｔｒｏｖｓｋａｙａ（１９６６）［１］等人在苏联西伯利亚首次发现的，经Ｘ射线衍射研究，证明其为等轴晶系，ａ＝１．４６４ｎｍ，可能的空间群Ｆｍ３ｍ，Ｆ４３，Ｆ４３ｍ，Ｆｍ３，Ｆ２３；其晶体化学分子式为Ｃａ４８Ｍｇ１６... 展开更多

关键词 晶体结构 会聚束电子衍射 萨碳硼镁钙石 空间群

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定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究(英文)

5

作者 朱静 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期229-233,共5页

本文简要介绍了定量会聚束电子衍射方法及其优化算法 ;采用此方法研究了微量元素硼在金属间化合物Ni3 Al和Co3 Ti中导致的电荷密度重新分布及原子键合的变化 ,据此解释了硼对Ni3 Al和Co3

关键词 微量元素 硼 偏聚特性 定量会聚束电子衍射 电子结构 金属间化合物 优化算法 电荷密度

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用六维团簇模型和定量会聚束电子衍射优化i-AlPdMn准晶的结构因子 被引量：2

6

作者 叶建设 邹化民 +1 位作者 王建波 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第5期361-367,共7页

基于二十面体AlPdMn准晶的六维团簇模型,用定量会聚束电子衍射法优化了二十面体AlPdMn准晶的8个独立的强反射结构因子。将优化得到的结构因子替换X射线衍射实验得到的结构因子,并与其它的X射线衍射实验得到的结构因子相结合,用Fourier... 基于二十面体AlPdMn准晶的六维团簇模型,用定量会聚束电子衍射法优化了二十面体AlPdMn准晶的8个独立的强反射结构因子。将优化得到的结构因子替换X射线衍射实验得到的结构因子,并与其它的X射线衍射实验得到的结构因子相结合,用Fourier合成的方法得到二十面体AlPdMn准晶的电荷密度分布和差值电荷密度分布。所得差值电荷密度表明,当Al原子的最近邻原子为Mn时,Al原子失去较多的电子,Mn原子得到电子,说明发生了Al的外层电子向Mn原子转移,Mn显示负的化合价。这一结果与他人的理论计算结果相符。 展开更多

关键词 二十面体 AlPdMn准晶 六维团簇模型 定量会聚束电子衍射

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功能材料电子轨道的定量会聚束电子衍射研究进展 被引量：1

7

作者 王诗雨 林挺 +2 位作者 尚彤彤 张庆华 谷林 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期759-766,共8页

功能材料以其独特的性能和广阔的应用前景,成为凝聚态物理和材料科学领域的重要研究热点之一。但与功能材料功能性起源相关的晶格、电荷、轨道和自旋四个基本自由度中,对轨道的表征手段较为有限。本文对近年发展的定量会聚束电子衍射(QC... 功能材料以其独特的性能和广阔的应用前景,成为凝聚态物理和材料科学领域的重要研究热点之一。但与功能材料功能性起源相关的晶格、电荷、轨道和自旋四个基本自由度中,对轨道的表征手段较为有限。本文对近年发展的定量会聚束电子衍射(QCBED)表征轨道自由度的原理进行了深入讨论。此外,本文还介绍了利用QCBED在轨道自由度层面研究功能材料起源方面取得的最新进展,并对该方法的未来发展方向进行了简单展望。 展开更多

关键词 定量会聚束电子衍射 轨道自由度 功能材料

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Si_(1-x)Ge_x/Si界面区的会聚束电子衍射研究

8

作者 秦志宏 柳得橹 +1 位作者 莫庆伟 范缇文 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第5期505-506,共2页

会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时... 会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法，在材料，物理，晶体学等学科有广泛的应用，特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术。采用Ｔａｎａｋａ大角会聚束衍射（ＬＡＣＢＥＤ）方法时，由于入射束不聚焦在试样平面上，可... 展开更多

关键词 硅/锗硅 薄膜 会聚束电子衍射 界面

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碳化硅多型的会聚束电子衍射(CBED)研究

9

作者 于青 肖序刚 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期602-605,共4页

采用会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）的方法对我国辽南金伯利岩中的碳化硅矿物多型性进行了分析鉴定，通过对其结构的分析以及ＨＯＬＺ环半径的计算，发现了６Ｈ以及４Ｈ两种多型．其中４Ｈ多型为我国首次在自然界中发现的碳化硅多型种类．... 采用会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）的方法对我国辽南金伯利岩中的碳化硅矿物多型性进行了分析鉴定，通过对其结构的分析以及ＨＯＬＺ环半径的计算，发现了６Ｈ以及４Ｈ两种多型．其中４Ｈ多型为我国首次在自然界中发现的碳化硅多型种类．实践证明，会聚束电子衍射（ＣＢＥＤ）是分析矿物多型结构的方便可行的方法． 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 HOLZ环 碳化硅 多型 晶体结构

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α-Fe小晶粒和2Ha-NbSe_2的会聚束电子衍射研究

10

作者 杨翠英 周玉清 《电子显微学报》 CAS 1982年第2期57-60,83-84,共6页

本文报导亚稳相α-Fe小晶粒和2Ha-NbSe_2的会聚束电子衍射(CBED~*)的初步研究结果。CBED与常规选区衍射(SAD^(**))相比有下列优点:空间分辨本领高(照射面积为几十nm至几nm),可用于小晶粒结构的研究;能充分揭示晶体的对称性,为测定空间... 本文报导亚稳相α-Fe小晶粒和2Ha-NbSe_2的会聚束电子衍射(CBED~*)的初步研究结果。CBED与常规选区衍射(SAD^(**))相比有下列优点:空间分辨本领高(照射面积为几十nm至几nm),可用于小晶粒结构的研究;能充分揭示晶体的对称性,为测定空间群提供可能性。因而此技术在材料科学中有广泛的应用。在此,我们用CBED观察了从非晶态中析出的α-Fe小晶粒结构;并测定了2Ha-NbSe_2的带轴投影图。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 NbSe2 晶粒结构 小晶粒 FE

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十次对称准晶中位错对的会聚束电子衍射研究

11

作者 鄢炎发 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 1993年第2期165-165,共1页

自准晶体发现以来,对准晶体中的缺陷的研究一直是人们感兴趣的课题,在准晶体中人们发现了位错、层错、小角晶界、位错圈和公度错等缺陷。这里,介绍我们利用离焦会聚束电子衍射(简称CBED)对Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中位错对的研究... 自准晶体发现以来,对准晶体中的缺陷的研究一直是人们感兴趣的课题,在准晶体中人们发现了位错、层错、小角晶界、位错圈和公度错等缺陷。这里,介绍我们利用离焦会聚束电子衍射(简称CBED)对Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中位错对的研究结果。图1是在Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中观察到的位错对的双束明场像。衍射分析表明,构成这些位错对的位错的柏格矢方向都沿着十次轴。在位错对的终端,两位错头部的黑白衬度振荡一样,说明两位错具有相同符号的柏格矢。这说明这些平行排的位错构成位错对。利用+g的弱束象分析结果也说明它们是位错对。图2(a),(b), 展开更多

关键词 准晶体 十次对称准晶 会聚束电子衍射

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SiC纳米线的孪晶机制的透射电子显微学研究

12

作者 郑善亮 韩晓东 +6 位作者 张跃飞 张晓娜 刘显强 郑坤 张泽 郝雅娟 郭向云 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期322-326,共5页

本文对溶胶-凝胶法制得的SiC微孪晶纳米线进行了微结构与孪晶机制的详细研究,利用会聚束电子衍射(CBED)及其动力学模拟技术间接证明了它是一种关于(111)面的60°旋转孪晶。并在此基础上对SiC微孪晶纳米线的生长机理进行了讨论。

关键词 会聚束电子衍射 会聚束电子衍射的动力学模拟 60°旋转孪晶

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Kossel-Möllenstedt衍射花样特征及薄晶体厚度测定 被引量：2

13

作者 娄艳芝 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期234-241,共8页

本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n_(1)取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n_(1)的确定方法,总结了Kossel-Möllenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si... 本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n_(1)取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n_(1)的确定方法,总结了Kossel-Möllenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si晶体(400)晶面K-M衍射花样的暗条纹位置预测图。结论如下:当n_(1)<真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为正;当n_(1)=真值时,拟合直线斜率为负;当n_(1)>真值时,在数据点较少(≤5)的情况下,数据近似符合直线关系且拟合直线斜率为负,数据点较多时,远离衍射盘中心的数据会落在拟合直线的上方;如果n_(1)的取值偏大,会导致消光距离的分析结果偏小,同时试样厚度的分析结果偏大;加速电压的差异会影响K-M花样的衬度;K-M花样暗条纹之间的距离随着距离衍射盘中心距离的增大而逐渐减小;第一暗条纹距衍射盘中心的距离Δθ_(1)和第一暗条纹对应的n_(1)值均与消光距离ξ和试样厚度t有关。 展开更多

关键词 透射电子显微术 会聚束电子衍射 K-M衍射花样 薄晶体厚度 消光距离

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Mg-Al-Zn-Sn合金时效析出的γ相颗粒数密度的测定 被引量：7

14

作者 刘玉 赵东山 +3 位作者 聂鑫 陶红玉 王建波 桂嘉年 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第2期130-134,共5页

Mg-9.0wt.%Al-1.0wt.%Zn-4.0wt.%Sn合金样品在523 K温度下时效后,析出大量γ-Mg17Al12颗粒。利用会聚束电子衍射的方法测量样品的厚度,进而计算γ相颗粒的数密度Nv。结果表明在Mg-9.0wt.%Al-1.0wt.%Zn-0.2wt.%Mn合金中,添加一定量的Sn... Mg-9.0wt.%Al-1.0wt.%Zn-4.0wt.%Sn合金样品在523 K温度下时效后,析出大量γ-Mg17Al12颗粒。利用会聚束电子衍射的方法测量样品的厚度,进而计算γ相颗粒的数密度Nv。结果表明在Mg-9.0wt.%Al-1.0wt.%Zn-0.2wt.%Mn合金中,添加一定量的Sn元素后促进了γ-Mg17Al12相颗粒的析出。 展开更多

关键词 镁合金 连续沉淀析出 数密度 会聚束电子衍射

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SiC_f/Ti-6Al-4V基复合材料界面晶格常数变化的CBED研究 被引量：1

15

作者 黄斌 苏越 +2 位作者 范文斌 杨延清 罗贤 《电子显微学报》 CAS CSCD 2012年第5期416-419,共4页

本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化。结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢。有C涂层Si... 本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化。结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢。有C涂层SiC纤维制成的复合材料中晶格常数变化比无C涂层复合材料晶格常数变化小。相比制备态复合材料,热暴露无C涂层SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面处,晶格常数变化较为缓和。 展开更多

关键词 复合材料 界面 晶格参数 会聚束电子衍射(CBED) 高阶劳埃(HOLZ)线

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应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 被引量：1

16

作者 段晓峰 刘海华 +1 位作者 徐秋霞 刘邦贵 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第4期312-321,共10页

本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射... 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。 展开更多

关键词 应变硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 大角度会聚束电子衍射

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热压Y-α/β-Sialon复相陶瓷的电镜分析

17

作者 魏涛 周玉 +2 位作者 孟庆昌 雷廷权 于瀛大 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第2期150-155,共6页

本文用ＴＥＭ，ＨＲＥＭ分析了热压Ｙ－α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瓷的组织结构。结果表明长柱状β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒与等轴状α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒相互交叉结合在一起，在晶界上无晶间相分布，用会聚束电子衍射法可有效地区分α－Ｓ... 本文用ＴＥＭ，ＨＲＥＭ分析了热压Ｙ－α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瓷的组织结构。结果表明长柱状β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒与等轴状α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒相互交叉结合在一起，在晶界上无晶间相分布，用会聚束电子衍射法可有效地区分α－Ｓｉａｌｏｎ相和β－Ｓｉａｌｏｎ相。电子能量损失谱（ＥＥＬＳ）分析表明在α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ，Ｙ的固溶，在β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ的固溶，Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）分析表明固溶含量自晶粒中心到边沿增加，在α／β－Ｓｉａｌｏｎ界面达最大值，并分析了α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瓷的形成过程。 展开更多

关键词 组织结构 会聚束电子衍射 复相陶瓷 电镜

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应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究

18

作者 刘海华 段晓峰 徐秋霞 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第5期364-369,共6页

本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量... 本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层。大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好。 展开更多

关键词 应变硅 场效应晶体管 有限元方法 大角度会聚束电子衍射

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准晶中位错的Burgers矢量和滑移系

19

作者 王仁卉 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第2期230-239,共10页

六十年前钱临照教授等用X射线Laue法实验测定了体心立方金属的滑移系及其与形变温度的关系,为阐明体心立方金属范性形变的微观机制奠定了基础。透射电子显微术的发展提供了实验测定位错的Burgers矢量和滑移系的新方法。本文介绍用离焦... 六十年前钱临照教授等用X射线Laue法实验测定了体心立方金属的滑移系及其与形变温度的关系,为阐明体心立方金属范性形变的微观机制奠定了基础。透射电子显微术的发展提供了实验测定位错的Burgers矢量和滑移系的新方法。本文介绍用离焦会聚束电子衍射法和衍衬成像法测定晶体和准晶中位错的Burgers矢量的原理和技术,并报道有关准晶中位错的Burgers矢量和滑移系的初步实验结果。 展开更多

关键词 会聚束电子衍射 准晶 位错 Burgers矢量 滑移系

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ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征 被引量：2

20

作者 曹广义 金磊 王建波 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第3期185-191,共7页

通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成... 通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成。采用会聚束电子衍射(CBED)技术确定了ZnSe复合孪晶纳米带沿<111>方向的极性。根据CBED结果并结合实验过程的设定,对ZnSe复合孪晶纳米带的形成机制进行了讨论。 展开更多

关键词 复合孪晶纳米带 硒化锌 会聚束电子衍射 选区电子衍射

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