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用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现一种激光测距电路
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作者 张新 高勇 +2 位作者 刘善喜 安涛 徐春叶 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期278-281,共4页
在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电... 在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体 (SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上 ,采用薄膜全耗尽绝缘硅 (SOI)结构 ,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏 (LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOICMOS激光测距集成电路。测试结果表明 :1.2 μm器件 10 1级环振单门延迟为 2 5 2 ps ,总延迟为 5 4.2ns .电路静态功耗约为 3mW ,动态功耗为 展开更多
关键词 互补型金属氧化物半导体 绝缘硅 SOI 氧化 动态功耗 电路 静态功耗 延迟 CMOS 集成技术
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基于互补金属氧化物半导体的高精度地沟油检测计 被引量:1
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作者 杨洁 黄海深 李阳军 《食品与机械》 CSCD 北大核心 2016年第9期44-48,153,共6页
利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更... 利用地沟油与正常食用油的导电率不同导致单位体积电阻不同,提出一种基于互补金属氧化物半导体工艺(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)的线性检测模块。由于使用直接选择与短接到地的方法实现电阻串分压,使得分压线性度更高。在脉冲计数的作用下,电阻分压通过与参考电压相比较可以得到不同的高电平数,不仅可以区分地沟油与正常食用油,还可以得出正常油掺入地沟油的质量分数。在检测计核心电路设计方面,由于采用CMOS工艺设计,所以可以实现低面积和低功耗的检测。 展开更多
关键词 地沟油 互补金属氧化物半导体 电导率 电阻分压
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金属氧化物半导体纳米晶液相法控制合成研究进展 被引量:1
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作者 施利毅 王竹仪 +1 位作者 袁帅 赵尹 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2465-2475,共11页
对金属氧化物纳米晶的晶型、形貌及晶粒大小调控方法进行了综述,重点介绍了液相合成体系中表面活性剂、溶剂、杂质离子等因素对纳米晶形貌、晶型的调控作用以及各种方法的特点,提出发展绿色、高选择性合成方法制备单分散结构可控的金属... 对金属氧化物纳米晶的晶型、形貌及晶粒大小调控方法进行了综述,重点介绍了液相合成体系中表面活性剂、溶剂、杂质离子等因素对纳米晶形貌、晶型的调控作用以及各种方法的特点,提出发展绿色、高选择性合成方法制备单分散结构可控的金属氧化物半导体纳米晶仍是今后重要的研究方向之一。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体 纳米晶 液相合成 形貌
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半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展 被引量:13
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作者 杨志华 余萍 肖定全 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期4-6,10,共4页
 半导体陶瓷型薄膜气敏传感器,具有灵敏度高、与气体反应快、制备成本较低等优点,已经成为近年传感器研究和开发的重点,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要制备方法...  半导体陶瓷型薄膜气敏传感器,具有灵敏度高、与气体反应快、制备成本较低等优点,已经成为近年传感器研究和开发的重点,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要制备方法,部分主要的半导体金属氧化物薄膜气敏材料,以及近期相关的研究进展,并扼要分析了今后的发展方向。 展开更多
关键词 半导体陶瓷 薄膜 气敏传感器 研究进展 金属氧化物
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半导体电阻型CO_(2)传感器研究进展 被引量:3
5
作者 徐春霞 王光伟 张鹏 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第10期1-4,16,共5页
半导体金属氧化物表面与气体相互作用的同时可促使材料内部载流子迁移或转化,进而影响材料导电性能,使其表现出气体敏感特性。利用n型、p型半导体金属氧化物导电性能与二氧化碳(CO_(2))含量之间的变化关系,开展了大量电阻型CO_(2)传感... 半导体金属氧化物表面与气体相互作用的同时可促使材料内部载流子迁移或转化,进而影响材料导电性能,使其表现出气体敏感特性。利用n型、p型半导体金属氧化物导电性能与二氧化碳(CO_(2))含量之间的变化关系,开展了大量电阻型CO_(2)传感器应用探索。通过构建半导体金属氧化物异质结构,降低传感器工作温度的同时,提高传感器选择响应特性。钙钛矿型复合氧化物半导体也表现出CO_(2)敏感特性,基于这些半导体与CO_(2)相互作用后电阻的变化,可以大大拓展电阻型CO_(2)传感器的探索范围,是极具活力的CO_(2)传感器研究领域。 展开更多
关键词 半导体金属氧化物 气敏特性 异质结 钙钛矿 电阻CO_(2)传感器
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基于金属氧化物的乙醇检测气敏材料的研究进展 被引量:7
6
作者 张晓 徐瑶华 +2 位作者 刘皓 魏峰 苑鹏 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期3207-3226,共20页
金属氧化物型半导体气体传感器是目前常用的乙醇检测手段,深入研究和改进金属氧化物型半导体材料是提升传感器性能的重要方式。本文首先论述了气敏检测的机理和影响因素,并综述了近年来发展的主要金属氧化物型半导体气敏材料,重点介绍... 金属氧化物型半导体气体传感器是目前常用的乙醇检测手段,深入研究和改进金属氧化物型半导体材料是提升传感器性能的重要方式。本文首先论述了气敏检测的机理和影响因素,并综述了近年来发展的主要金属氧化物型半导体气敏材料,重点介绍了不同微观结构的Co3O4、ZnO、SnO2及掺杂金属氧化物材料、氧化物异质结等的研究和发展情况,对它们的合成方法、结构特点以及结构与乙醇气敏性能之间的关系进行了探讨。分析表明,减小材料颗粒尺寸、构建大比表面积多孔结构、掺杂和复合改性,是提升金属氧化物材料气敏性能的有效措施。此外,基于传感器微小化的趋势,以微机电系统(MEMS)工艺为基础的微型传感器成为气体传感器的发展趋势。然而,目前针对金属氧化物气敏材料的制备依然缺乏一定的理论指导,气体检测缺乏相应的机理研究,亟需物理、化学、材料等多学科的相互结合,促进乙醇等半导体气体传感器的进一步发展。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体材料 乙醇 气体 氧化 微电子学
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具有n^(+)埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽LDMOS器件
7
作者 康怡 刘东 +2 位作者 卢山 鲁啸龙 胡夏融 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期134-140,共7页
Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n... Si/4H-SiC异质结构能够同时结合Si材料的成熟工艺和SiC材料的宽禁带特性,在功率器件设计中具有巨大潜力。提出了一种具有n+埋层和L型场板的Si/SiC异质结沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。位于Si/SiC异质结界面SiC侧的重掺杂n+埋层能够有效降低界面势垒宽度,增强电子隧穿效应,降低界面电阻,进一步降低比导通电阻。位于厚氧化层角落并与漏极相连的L型场板通过在SiC漂移区和厚氧化层之间产生高电场,重塑器件横向和纵向电场强度分布,将击穿点从表面转移至体内,提高击穿电压。仿真结果表明,与传统SiC LDMOS器件相比,该器件的品质因数从109.29 MW/cm^(2)提升至159.92 MW/cm^(2),提高了46.36%,进一步改善了LDMOS器件导通电阻和击穿电压之间的折中关系,器件性能得到优化。 展开更多
关键词 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) Si/4H-SiC异质结 n^(+)埋层 L场板 功率品质因数
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安森美半导体针对网络和消费应用推出抖动性能一流的可编程时钟乘法器
8
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期960-960,共1页
关键词 可编程时钟 安森美半导体 抖动性能 乘法器 互补金属氧化物半导体 应用 消费 网络
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金属-半导体氧化物催化剂 被引量:4
9
作者 陈怡萱 李文钊 《分子催化》 EI CAS CSCD 1990年第1期42-51,共10页
本文重点研究TiO_2、ZnO、SnO_2等半导体氧化物以及以此为担体的担载型金属-半导体组合催化材料;采用电导、TPD、TPR、TPSR等方法考察了这类材料和典型的电子受体和电子给体反应分子间的电子和物种的交换,并研究了金属-半导体组合界面... 本文重点研究TiO_2、ZnO、SnO_2等半导体氧化物以及以此为担体的担载型金属-半导体组合催化材料;采用电导、TPD、TPR、TPSR等方法考察了这类材料和典型的电子受体和电子给体反应分子间的电子和物种的交换,并研究了金属-半导体组合界面上的电子传递特性。 根据测试结果及催化反应的例证说明,在金属-半导体氧化物组合材料中金属可以活化反应分子,沟通电荷物种的交换渠道,而氧化物类似于“电子储库”。二者协同作用使组合体系具有良好的氧化还原化学感应和催化作用。 展开更多
关键词 金属-半导体氧化物催化剂 担载 电子传递特性
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展
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作者 周志文 沈晓霞 李世国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期10-15,31,共7页
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺... Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。基于Ge的材料特性,分析了缺陷对杂质浓度以及费米能级钉扎对电子势垒高度的影响;综述了提高Ge材料中n型掺杂电子浓度的方法,如激光退火、磷和锑共掺、循环离子注入/退火、氟钝化等;讨论了降低金属与n型Ge接触电子势垒高度的途径,即插入薄的界面层形成金属-界面层-Ge接触。电子浓度的提高,以及电子势垒高度的降低,有效地减小了金属与n型Ge接触电阻。 展开更多
关键词 锗(Ge) N掺杂 金属-界面层-半导体接触 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 接触电阻
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一种基于CMOS的小型化量子随机数产生装置
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作者 王其兵 王林松 +3 位作者 王雅琦 李力 许华醒 王少华 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期924-932,共9页
为满足量子随机数发生器(QRNG)的小型化、集成化应用,设计了一种基于发光二极管(LED)光源并结合互补金属氧化物半导体(CMOS)探测的量子随机数发生器。量子随机数是以光量子固有特性确保随机数的高安全性,同时其低成本、高速率的处理方... 为满足量子随机数发生器(QRNG)的小型化、集成化应用,设计了一种基于发光二极管(LED)光源并结合互补金属氧化物半导体(CMOS)探测的量子随机数发生器。量子随机数是以光量子固有特性确保随机数的高安全性,同时其低成本、高速率的处理方式也具有较高的应用价值。但是传统的基于高速模拟数字转换器(ADC)采样的信号处理方法存在成本高、系统复杂、后处理要求高等问题,并且ADC采样的不完美性还会引入伪随机的特性,降低系统的随机数特性,从而限制了其进一步的商业应用与推广。本文提出的量子随机数发生器基于电压比较二值法,利用像素间探测电压的随机性,以CMOS像素点探测输出的电压序列前后脉冲间的电压差值作为随机数熵源,从而获得量子随机数序列。该方法具备简单、可靠、易实现的优点,更利于产品的产业推广。 展开更多
关键词 量子光学 化量子随机数发生器 二值法 互补金属氧化物半导体
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CMOS低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路设计
12
作者 徐雷钧 马宇杰 +2 位作者 黄磊 白雪 陈建锋 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期296-303,共8页
为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差... 为了进一步提高电压响应度和探测成像速度,降低噪声等效功率,基于0.18μm CMOS工艺设计了一种低噪声高响应度太赫兹探测器线阵电路,提出了一种由自混频功率探测电路、电压缓冲级、运算放大器组成的1×4太赫兹阵列结构。通过源极差分驱动的自混频功率探测电路将辐射信号耦合至场效应管的栅极和源极,实现高响应度。通过电压缓冲级降低总体噪声,通过运算放大器有效放大探测信号。探测器线阵电路面积为0.8 mm^(2)。测试结果表明,当偏置电压为0.5 V时,该探测系统对0.37 THz辐射信号的电压响应度最大可达441 kV/W,对应的最小噪声等效功率为48 pW/Hz^(1/2)。相比单像素探测器,该探测器阵列可有效提升探测成像速度;相比传统的探测器阵列,该探测器阵列具有更优的性能参数。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 太赫兹 探测器 高响应度 低噪声
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一种改进型高性能CMOS锁相环电荷泵的设计 被引量:2
13
作者 汪祥 戎蒙恬 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期629-633,共5页
设计了一种高性能锁相环电荷泵电路.该电路采用UMC 0.18μm Mix-Mode CMOS工艺实现.仿真结果表明,通过利用电荷共享加速电流镜的开启,该电荷泵开启时间仅为0.3 ns,不会产生鉴相死区,能较好地抑制时钟馈通、电荷注入等非理想特性的影响,... 设计了一种高性能锁相环电荷泵电路.该电路采用UMC 0.18μm Mix-Mode CMOS工艺实现.仿真结果表明,通过利用电荷共享加速电流镜的开启,该电荷泵开启时间仅为0.3 ns,不会产生鉴相死区,能较好地抑制时钟馈通、电荷注入等非理想特性的影响,并且适合于低电压工作.通过与传统型及参考型两种电荷泵电路的仿真对比,验证了所设计电荷泵的优越性. 展开更多
关键词 电荷泵 锁相环 互补型金属氧化物半导体
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用于PON的低成本CMOS BM-TIA设计 被引量:1
14
作者 赵婉青 夏翼飞 +5 位作者 李佳 徐颂秦 马帅哲 杨睿煊 耿莉 李丹 《光通信研究》 北大核心 2025年第1期52-58,共7页
【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立... 【目的】在高速率无源光网络(PON)需求的快速增长下,低成本低噪声突发模式跨阻放大器(BM-TIA)成为其关键的制约因素。文章基于低成本40 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种适用于10吉比特对称无源光网络(XGS-PON)的快速建立低噪声BM-TIA,其可兼容12.5、10.0和2.5 Gbit/s 3种信号速率。【方法】为突破CMOS工艺的带宽和噪声瓶颈,TIA通过多级放大、输入电感均衡网络及提高电源电压的方法实现了要求的低噪声。采用前向放大器与反馈电阻共同调节的增益调节方式,实现了3档位的增益变化和速率变化。针对突发模式信号采用快速直流(DC)消除环路(AOC)来精准消除雪崩击穿二极管(APD)输入的DC电流,运用电荷分享技术加速失调消除环路的建立,并通过转换AOC环路时间常数的方法来抑制基线漂移。【结果】芯片采用40 nm CMOS工艺设计制造,裸片尺寸为945μm×945μm。芯片搭配商用10 Gbit/s APD进行同轴罐(TO-CAN)封装测试。测试结果表明,在12.5、10.0以及2.5 Gbit/s速率下,芯片的灵敏度分别为-29.7,-33.0和-37.6 dBm。在不同速率下,饱和输入光电流均可达2.5 mA,实现了24.7、28.2和32.8 dB的大输入动态范围。芯片的静态功耗为82.5 mW,在整个输入光功率范围内,突发模式下AOC的建立时间均小于23 ns。【结论】将文章所提芯片应用于XGS-PON,不但为基于CMOS工艺的低成本低噪声BM-TIA设计提供了借鉴,也对更高速率PON场景下的芯片设计具有指导意义。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体工艺 10吉比特对称无源光网络 突发模式跨阻放大器 多速率兼容 快速建立
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一种改进型的CMOS电荷泵锁相环电路 被引量:7
15
作者 李演明 仝倩 +4 位作者 倪旭文 邱彦章 文常保 吴凯凯 柴红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期248-253,共6页
设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频... 设计了一种宽频率范围的CMOS锁相环(PLL)电路,通过提高电荷泵电路的电流镜镜像精度和增加开关噪声抵消电路,有效地改善了传统电路中由于电流失配、电荷共享、时钟馈通等导致的相位偏差问题。另外,设计了一种倍频控制单元,通过编程锁频倍数和压控振荡器延迟单元的跨导,有效扩展了锁相环的锁频范围。该电路基于Dongbu HiTek 0.18μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.8 V的工作电压下,电荷泵电路输出电压在0.25~1.5 V变化时,电荷泵的充放电电流一致性保持很好,在100 MHz^2.2 GHz的输出频率内,频率捕获时间小于2μs,稳态相对相位误差小于0.6%。 展开更多
关键词 锁相环 电荷泵 鉴频鉴相器 压控振荡器 互补金属氧化物半导体(CMOS )
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新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计 被引量:2
16
作者 赵明剑 李斌 吴朝晖 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期28-33,共6页
设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极... 设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1dB压缩点2.9dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求. 展开更多
关键词 混频器 乘法器 双平衡 线性度 互补金属氧化物半导体
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新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制 被引量:3
17
作者 周鑫 朱大中 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期928-930,共3页
 本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时...  本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧~64ms/帧范围内调整. 展开更多
关键词 阵列式象限传感器 相关二次采样 互补金属氧化物半导体光电传感器 动态范围调整 二次扫描
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基于高阶曲率补偿的全CMOS基准电压源设计
18
作者 孙帆 黄海波 +1 位作者 隋纪祥 张程 《微波学报》 北大核心 2025年第3期92-98,共7页
针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产... 针对传统的基准电压源功耗较高且精度较差的问题,基于高阶曲率补偿技术,设计了一种没有电阻和三极管的全互补金属氧化物半导体(CMOS)基准电压源。利用工作于亚阈值区的不同阈值的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)构成堆叠结构,产生纳安量级的偏置电流和负温度系数(CTAT)电压。采用P型金属氧化物半导体场效应晶体管差分对结构产生正温度系数电压,对CTAT电压进行一阶曲率补偿。同时,利用工作于截止区的NMOS产生随温度近似成指数变化的漏电流,进行高阶曲率补偿,进一步提高基准电压源的精度,且扩展电路工作的温度范围。采用TSMC N12 nm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,设计的基准电压源能够工作在0.45 V~1.20 V的电源电压下,输出平均值为234.5 mV的基准电压。在电源电压为0.45 V、温度范围为-40℃~125℃时,基准电压的温度系数为5.7 ppm/℃;在常温下的功耗为3.7 nW,在1 kHz频率下的电源抑制比为-59.7 dB。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体基准电压源 亚阈值区 低功耗 低电源电压 高阶曲率补偿
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电容式压力传感器的设计和仿真分析
19
作者 曹海燕 王慧慧 +2 位作者 赵鹤然 孙晓东 张颖 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第4期88-91,共4页
对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与... 对微器件中应用较广泛的一种电容式MEMS压力传感器的结构进行了优化设计,提出了一种新型的电容式压力传感器设计方案,使MEMS结构与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容。通过Ansys软件建立模型并进行仿真分析,结果表明:传感器的性能与敏感膜的形状和尺寸有关系。在所研究的结构参数范围内,1200μm方形膜结构的压力传感器的灵敏度可达到218.89 pF/MPa,而且高压范围内的灵敏度和线性度较低压范围的好。该结构的传感器工艺流程简易,仿真研究结果为电容式压力传感器的设计和应用提供了基础依据。 展开更多
关键词 电容式压力传感器 互补金属氧化物半导体工艺 ANSYS软件 敏感膜
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基于FPGA的辐射噪声抑制与剂量信息提取方法
20
作者 徐守龙 侯志雄 +1 位作者 魏翠悦 邹树梁 《中国安全科学学报》 北大核心 2025年第3期85-91,共7页
为完善和发展基于像素传感器的核辐射探测监测一体化技术,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)并行优势的辐射噪声抑制与核探测方法,并开发相应程序;通过分析辐射噪声信号特点,基于FPGA开发辐射噪声抑制和二维小波变换程序,输出辐射场... 为完善和发展基于像素传感器的核辐射探测监测一体化技术,提出一种基于现场可编程门阵列(FPGA)并行优势的辐射噪声抑制与核探测方法,并开发相应程序;通过分析辐射噪声信号特点,基于FPGA开发辐射噪声抑制和二维小波变换程序,输出辐射场清晰图像,并将图像分解为水平、垂直和对角线分量,探讨各个分量线性拟合统计的结果,确定线性拟合度最好的分量。结果表明:FPGA程序模块有效执行图像中的辐射噪声抑制和核探测功能,图像降噪后峰值信噪比(PSNR)提高约11 dB,对角线分量最能表征图像的辐射响应信息,对不同剂量率的线性拟合的线性度达到0.99624。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列(FPGA) 辐射噪声 噪声抑制 剂量信息提取 互补金属氧化物半导体(CMOS) 二维小波变换
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