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二维过渡金属硫化物纳米复合材料的模拟酶特性及应用(英文)
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作者 杨蓉 蔡双飞 王琛 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第2期170-192,共23页
纳米酶是一个非常令人兴奋和有希望的研究领域,旨在使用各种纳米材料模仿天然酶的一般原理,并在许多领域提供了大量实际应用.天然酶具有一些内在的缺点,如成本高、稳定性低、储存困难,以及催化活性对环境条件的敏感性.而纳米酶显示出低... 纳米酶是一个非常令人兴奋和有希望的研究领域,旨在使用各种纳米材料模仿天然酶的一般原理,并在许多领域提供了大量实际应用.天然酶具有一些内在的缺点,如成本高、稳定性低、储存困难,以及催化活性对环境条件的敏感性.而纳米酶显示出低成本,高稳定性和高效活性.各种过氧化物酶和/或氧化酶模拟物已经取得了很大的进展.本综述介绍了关于二维过渡金属硫化物纳米复合材料的纳米酶特性的最新研究进展. 展开更多
关键词 二维过渡金属硫化物 纳米复合材料 模拟酶 过氧化物酶 生物传感
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二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究
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作者 姚群芳 蔡佳 龚士静 《华东师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期101-108,共8页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX_2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX_2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对6种二维过渡金属硫化物MX_2(M=Mo,W;X=S,Se,Te)中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX_2材料施加垂直方向电场,发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用:X原子序数越大,电场诱导的Rashba劈裂也越大;阳离子M被阴离子X覆盖,对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此,6种MX_2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为:WTe_2>MoTe_2>WSe_2>MoSe_2>WS_2>MoS_2.施加电场后,从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K′点,自旋方向二维平面内转向垂直方向,并且随着电场的增加,面内自旋成分逐渐增加. 展开更多
关键词 二维过渡金属硫化物 RASHBA自旋轨道耦合 第-性原理计算
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类石墨烯过渡金属二硫化物的制备及应用研究进展 被引量:8
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作者 秦涛 常恬 +2 位作者 张文 蒋丽娟 李延超 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1023-1029,共7页
二维过渡金属二硫化物(TMDCs)是一种具有类石墨烯层状结构的新型材料。由于其超薄的片层间距、巨大的比表面积、丰富的边缘位点、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度等优异的理化性质,引起了光电器件、光催化剂、锂离子电池及超级电容器... 二维过渡金属二硫化物(TMDCs)是一种具有类石墨烯层状结构的新型材料。由于其超薄的片层间距、巨大的比表面积、丰富的边缘位点、良好的化学稳定性和可调控禁带宽度等优异的理化性质,引起了光电器件、光催化剂、锂离子电池及超级电容器、固体润滑剂等领域研究者的广泛关注。介绍了类石墨烯TMDCs的基本结构,对其常用的制备方法及应用进行了重点综述,并展望了其未来研究的发展趋势和面临的挑战。 展开更多
关键词 二维过渡金属硫化物 类石墨烯 禁带宽度 制备 应用
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基于二维半导体的模拟电路最新进展 被引量:1
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作者 卢文栋 杨冠华 +1 位作者 卢年端 李泠 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期501-514,共14页
摩尔定律驱动的器件持续微缩已经开始给硅基晶体管的模拟性能带来潜在问题,其中本征增益作为最重要的模拟指标会随着技术节点的缩小而降低。二维半导体因其平坦的界面、原子级厚度的几何结构,允许极好的栅静电控制,并且不受短通道效应... 摩尔定律驱动的器件持续微缩已经开始给硅基晶体管的模拟性能带来潜在问题,其中本征增益作为最重要的模拟指标会随着技术节点的缩小而降低。二维半导体因其平坦的界面、原子级厚度的几何结构,允许极好的栅静电控制,并且不受短通道效应的影响而引起了广泛的关注。这些优异的特性使二维半导体在提高模拟电路性能中表现出巨大的潜力。本文中,我们回顾了基于二维半导体的模拟电路的最新研究进展。文章首先介绍了衡量模拟电路性能的重要指标,然后重点介绍了基于二维半导体的单级放大器的实现、接触工程、和互补技术,并进一步讨论了基于二维晶体管的复杂电路,如电流镜、运算放大器、射频电路。最后我们讨论了基于二维晶体管的模拟电路的应用前景和面临的关键挑战。 展开更多
关键词 半导体 二维过渡金属硫化物 硫化 场效应晶体管 模拟电路
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