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黄芪-莪术-蚤休配伍调控PINK1/Parkin信号通路抑制小鼠结肠癌生长转移的研究 被引量：1
1
作者 陈思 梁众擎 +5 位作者 苏婷婷 张慧兰 梁研 祁恒奕 陈怀祖 唐德才 《南京中医药大学学报》 北大核心 2025年第4期473-482,共10页
目的探讨黄芪-莪术-蚤休(芪-术-蚤)角药配伍基于PINK1/Parkin/EMT信号通路抑制结肠癌生长和转移的影响。方法30只BALB/c雄性小鼠,随机分为空白组、模型组、阳性对照组、芪-术-蚤高剂量组(5.85 g·kg^(-1))、芪-术-蚤低剂量组(2.925 ... 目的探讨黄芪-莪术-蚤休(芪-术-蚤)角药配伍基于PINK1/Parkin/EMT信号通路抑制结肠癌生长和转移的影响。方法30只BALB/c雄性小鼠,随机分为空白组、模型组、阳性对照组、芪-术-蚤高剂量组(5.85 g·kg^(-1))、芪-术-蚤低剂量组(2.925 g·kg^(-1)),每组6只,使用结肠癌CT26.WT细胞构建小鼠原位结肠癌模型。给药15 d后,取各组小鼠肿瘤、肝脏组织,HE病理染色评估肿瘤转移情况,透射电镜观察肿瘤组织线粒体自噬现象,Western blot、免疫组化(IHC)检测线粒体自噬相关蛋白PINK1、Parkin、p62、LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ表达情况,Western blot、qPCR、IHC检测EMT相关E-cadherin、N-cadherin、Vimentin、Snail蛋白和mRNA表达情况。结果与模型组相比,给药组小鼠肿瘤体积明显变小、转移灶数目变少,肝脏组织发生改变,小鼠生长状态得到明显改善;芪-术-蚤给药组肿瘤组织线粒体发生了选择性自噬现象,伴随着自噬小体的产生;芪-术-蚤给药组影响了PINK1/Parkin通路介导的线粒体自噬生物学过程:PINK1、Parkin、p62、LC3-Ⅱ/LC3-Ⅰ均有一定程度上调(P<0.05,P<0.01),且高剂量组效果优于低剂量组(P<0.05,P<0.01);芪-术-蚤给药组降低了EMT相关N-cadherin、Vimentin、Snail的蛋白含量与mRNA水平(P<0.05,P<0.01),同时增高了E-cadherin的蛋白与mRNA水平(P<0.05,P<0.01),且高剂量组均优于低剂量组(P<0.05,P<0.01)。结论芪-术-蚤角药配伍一定程度抑制结肠癌原位移植瘤小鼠模型肿瘤生长和转移,其机制可能是通过PINK1/Parkin信号通路扭转线粒体功能异常,抑制上皮-间质转化(EMT)过程,达到治疗结肠癌的作用。 展开更多
关键词 芪-术-蚤 线粒体自噬 PINK1/Parkin信号通路 上皮-间质转化 结肠癌
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工作气压对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响 被引量：21
2
作者 付恩刚 庄大明 +2 位作者 张弓 杨伟方 赵明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期543-545,共3页
　工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO... 　工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能。本文利用中频交流磁控溅射方法,采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材,在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜。利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上。当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω·cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490～600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%。 展开更多
关键词 zao薄膜 性能 磁控溅射 工作气压 工艺参数 电阻率 透过率
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Al掺杂含量对纳米ZAO粉体性能的影响 被引量：14
3
作者 娄霞 朱冬梅 +2 位作者 张玲 罗发 周万城 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期667-669,共3页
以硝酸锌、硝酸铝和尿素为原料，采用均匀沉淀法合成了不同掺杂量的掺铝氧化锌（ZAO）前驱体，在400℃煅烧获得粒径均匀的纳米ZAO粉体。经X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）分析表明，Al^3＋取代了Zn^2＋的位置，形成Al／ZnO固... 以硝酸锌、硝酸铝和尿素为原料，采用均匀沉淀法合成了不同掺杂量的掺铝氧化锌（ZAO）前驱体，在400℃煅烧获得粒径均匀的纳米ZAO粉体。经X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）分析表明，Al^3＋取代了Zn^2＋的位置，形成Al／ZnO固溶体，保持了ZnO的结构，实验最终产物为六方晶系纤锌矿结构的纳米ZAO粉体，形状为球状或类球状。对所得产物在8．2～12．4GHz频率范围内进行了介电常数的测试。结果表明，随着Al元素掺杂量的增加，ZAO粉体复介电常数的实部和损耗逐步增大，但是当Al掺杂浓度〉11％（原子分数）时，ZAO粉体中出现了铝酸锌（ZnAl2O4），Al不再起掺杂作用，复介电常数的实部和损耗不再增加。 展开更多
关键词 zao粉体 均匀沉淀法 微波介电性能
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电子束蒸发沉积ZAO薄膜正交试验 被引量：9
4
作者 郭爱云 薛亦渝 +2 位作者 夏志林 朱选敏 葛春桥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期56-59,共4页
采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:A1(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制... 采用电子束真空蒸发沉积薄膜的方法(EBED)制备了ZnO:A1(ZAO)透明导电薄膜。用正交试验法设计试验,并分析了制备ZAO薄膜的主要影响因素(沉积厚度、沉积速率、基片温度)对薄膜性能(透射率、电阻率)的作用。试验结果表明:采用EBED法沉积制备ZAO薄膜时,沉积速率控制为1nm/s、沉积厚度为800nm、基片温度为250℃,镀膜系统工作稳定,沉积薄膜的性能较好。 展开更多
关键词 zao薄膜 电子束蒸发沉积 正交试验
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透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究 被引量：14
5
作者 黄佳木 董建华 张新元 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期845-850,共6页
ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、... ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 zao薄膜 结构 光电特性
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ZAO薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究 被引量：9
6
作者 任明放 徐模辉 +1 位作者 王华 许积文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期80-82,90,共4页
以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜。用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、... 以普通玻璃载玻片为衬底,采用溶胶-凝胶工艺成功地制备出沿(002)晶面择优取向生长的ZAO薄膜。用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和四探针电阻测试仪进行了结构和性能分析,研究了掺Al3+浓度、镀膜层数和退火温度对ZAO薄膜的晶体结构、形貌及光电性能的影响。当掺杂浓度为1%(原子分数)、镀膜层数为12层、在氩气气氛下经过600℃退火时,得到电阻率为1.37×10-2Ω.cm、可见光范围内平均透射率超过90%的ZAO薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 zao薄膜 光电性能 微观结构
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中频交流磁控溅射制备氧化锌铝(ZAO)薄膜的研究 被引量：4
7
作者 刘江 庄大明 +2 位作者 张弓 李春雷 段宇波 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期15-18,23,共5页
利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜... 利用两种中频交流磁控溅射电源,溅射Al2O3含量为2%的两块氧化锌铝陶瓷靶材,在不同衬底温度的条件下制备得到了ZAO薄膜。研究了不同衬底温度条件下不同靶材和溅射电源对ZAO薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明,制备得到的ZAO薄膜均具有c轴择优取向生长的晶体结构,在衬底温度为240℃时,得到的ZAO薄膜的电阻率低至1.4×10-3Ω·cm,可见光平均透过率在82%以上。 展开更多
关键词 zao薄膜 磁控溅射 电阻率 透过率
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制备工艺对锌铝氧化物(ZAO)粉末红外发射率的影响 被引量：6
8
作者 武晓威 冯玉杰 +1 位作者 刘延坤 韦韩 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期279-283,共5页
采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测... 采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10μm;在中红外(3～5μm)和远红外(8～14μm)波段均具有较低的红外发射率. 展开更多
关键词 红外隐身 半导体材料 锌铝氧化物(zao) 红外发射率
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ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 被引量：5
9
作者 陆峰 徐成海 +1 位作者 孙超 闻立时 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期54-57,共4页
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3... 主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上· 展开更多
关键词 透明导电纳米薄膜 AL元素 zao薄膜 Al质量分数 EDS XRD 电阻率 透射率 氧化锌薄膜 光性能 电性能 铝元素
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基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究 被引量：12
10
作者 肖华 王华 任鸣放 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期158-164,共7页
阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3... 阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性。由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3%的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4Ω·cm、透射率超过90%的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景。并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论。 展开更多
关键词 磁控溅射 zao透明导电薄膜 溅射靶材 光电特性
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纳米掺铝氧化锌(ZAO)粉体的制备研究进展 被引量：4
11
作者 肖素萍 陈林 +3 位作者 王献忠 文忠和 向芸 张西玲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期39-41,49,共4页
掺铝氧化锌(ZAO)是一种具有广阔的应用前景和发展潜力的复合氧化物半导体。综述了化学沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法、沸腾回流法和络盐法等ZAO纳米粉体常用的制备方法,并对其进行了比较评价。
关键词 掺铝氧化锌(zao) 纳米 制备 进展
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柔性透明导电薄膜ZAO 被引量：6
12
作者 张化福 袁玉珍 刘云燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期489-493,共5页
随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结... 随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构和光电特性。评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作做了展望。 展开更多
关键词 zao薄膜 柔性衬底 透明导电薄膜
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ZAO粉体制备及其电导率性能研究 被引量：2
13
作者 朱协彬 汪海涛 +2 位作者 尹大鹏 何少华 姜涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期668-670,674,共4页
采用水相共沉淀法,在ZnCl2和AlCl3.6H2O的混合溶液中添加聚乙二醇6000,并滴加不同浓度氨水制备了ZAO前驱体,然后煅烧得到ZAO粉体。利用XRD、SEM和数显电导率仪分别对ZAO粉体的结构和物相、形貌、尺寸和导电性能进行分析,以及探讨了氨水... 采用水相共沉淀法,在ZnCl2和AlCl3.6H2O的混合溶液中添加聚乙二醇6000,并滴加不同浓度氨水制备了ZAO前驱体,然后煅烧得到ZAO粉体。利用XRD、SEM和数显电导率仪分别对ZAO粉体的结构和物相、形貌、尺寸和导电性能进行分析,以及探讨了氨水浓度、pH值、反应温度、煅烧温度、煅烧时间对ZAO粉体导电性能的影响,得到最佳工艺参数。结果表明,ZAO粉体为六方晶系纤锌矿结构,具有良好的结晶度,颗粒呈棒状,长径比约达10,分散性良好;ZAO粉体的电导率随着氨水浓度的升高而增大,随着pH值升高而减小,随着反应温度、煅烧温度和煅烧时间增加而增大后减小,最佳电导率性能工艺参数为氨水浓度(体积比)1∶0,pH值为6,反应温度50℃,煅烧温度450℃,煅烧时间4h。 展开更多
关键词 zao 粉体 共沉淀法 制备 电导率
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ZAO陶瓷烧结模型的研究 被引量：15
14
作者 赵大庆 范锦鹏 +1 位作者 吴敏生 董民超 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期267-270,共4页
研究了ZAO靶材和纯ZnO的烧结过程 ,指出了两者在显微结构上的差别 ,并在此基础上 ,提出了两相粉体烧结模型。运用本模型 ,成功的解释了ZAO的显微结构形成的烧结机理。
关键词 zao陶瓷 烧结模型 烧结机理
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直流磁控溅射制备ZAO透明导电薄膜及性能研究 被引量：5
15
作者 陈小焱 王璟 丁雨田 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期139-142,共4页
运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2%(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(S... 运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2%(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析。通过正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZAO薄膜的最佳组合工艺为基片温度200℃,溅射功率40W,氧流量百分比20%,退火温度400℃,获得薄膜样品最低方块电阻11Ω/□,薄膜具有最好的发光性能,适合作为薄膜太阳电池的透明导电电极。 展开更多
关键词 zao薄膜 直流磁控溅射 正交实验 光电性能
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纳米ZAO复合粉体的制备及性能表征 被引量：9
16
作者 许丽 邵忠宝 +1 位作者 王凰 刘广福 《化学与生物工程》 CAS 2006年第9期15-17,共3页
以Zn(Ac)2.2H2O和Al(NO3)3.9H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了ZnO/Al2O3(ZAO)复合粉体。研究了Al2O3掺杂浓度、锌离子浓度、反应温度、pH值、反应时间和烧结温度等对粉体平均粒径的影响,用正交实验得到最佳制备方案。用激光粒度分析(LPA)... 以Zn(Ac)2.2H2O和Al(NO3)3.9H2O为原料,用溶胶-凝胶法制备了ZnO/Al2O3(ZAO)复合粉体。研究了Al2O3掺杂浓度、锌离子浓度、反应温度、pH值、反应时间和烧结温度等对粉体平均粒径的影响,用正交实验得到最佳制备方案。用激光粒度分析(LPA)、能谱分析(EDAX)、热重-差热分析(TG-DTA)和X-射线衍射分析(XRD)对粉体的性能进行了表征。结果表明:制备的纳米ZAO粉属于六方晶系纤锌矿结构。其X-射线衍射图谱中并没有氧化铝的衍射峰,Al3+取代了Zn2+的位置,形成固熔体。Al2O3掺杂浓度、锌离子浓度、pH值和烧结温度等对粉体平均粒径的影响较大,在最佳条件下,制得的ZAO复合粉体粒径分布均匀、平均粒径约为22 nm。 展开更多
关键词 ZnO/Al2O3(zao) 纳米 溶胶-凝胶 正交设计
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凝胶-燃烧法制备掺铝氧化锌(ZAO)纳米粉体 被引量：3
17
作者 陈林 何爱红 +4 位作者 刘悦 刘芳 曾蓉 李石庚 施卫国 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期54-56,共3页
采用凝胶-燃烧法制备了掺铝氧化锌(ZAO)纳米体粉体,研究了点火温度对燃烧产物粒度及燃烧反应完全程度的影响,借助XRD、TG和FE-SEM对ZAO纳米粉体进行了分析表征。结果表明:所得ZAO纳米粉体为纤锌矿结构,在550℃点火燃烧所得ZAO粉体的颗粒... 采用凝胶-燃烧法制备了掺铝氧化锌(ZAO)纳米体粉体,研究了点火温度对燃烧产物粒度及燃烧反应完全程度的影响,借助XRD、TG和FE-SEM对ZAO纳米粉体进行了分析表征。结果表明:所得ZAO纳米粉体为纤锌矿结构,在550℃点火燃烧所得ZAO粉体的颗粒小,分散性好且分布较均匀,一次晶粒粒径13.9nm,颗粒平均粒径为26.8nm,燃烧反应较完全。 展开更多
关键词 纳米粉体 凝胶-燃烧法 掺铝氧化锌(zao)
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溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al(ZAO)薄膜性能的影响 被引量：4
18
作者 高立华 郑玉婴 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期8028-8030,共3页
采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电ZnO∶Al（ZAO）薄膜.利用X 射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外G可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的... 采用射频磁控溅射工艺,以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材,衬底温度控制在室温,在玻璃基底上制备了透明导电ZnO∶Al（ZAO）薄膜.利用X 射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外G可见光谱仪和范德堡法,系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响.结果表明,不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大,而对薄膜结晶和电学性能影响较大.XRD表明薄膜为良好的c 轴择优取向;可见光区（400-600nm）平均透过率达到85%以上;在120W 下沉积的薄膜电学性能达到了最佳. 展开更多
关键词 zao薄膜 溅射功率 方块电阻 透过率
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ZAO导电膜的制备与性能分析 被引量：2
19
作者 刘德雄 唐金龙 +1 位作者 温才 胡思福 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S4期688-690,共3页
采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六... 采用ZnO、Al2O3(2.5%(质量分数))靶材,真空腔温度保持在40℃左右,运用电子束蒸发法制得系列的ZnO∶Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、光学显微镜、紫外-可见近红外光谱仪、四探针测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取向的六角纤锌矿结构;具有致密平滑的表面形貌;最佳工艺下样品在702nm波长处透过率达90%;最低电阻率为1.7×10-3Ω.cm。 展开更多
关键词 zao薄膜 电子束蒸发 X射线衍射 透射率 电阻率
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用纳米Al_2O_3制备超高致密度ZAO靶材 被引量：8
20
作者 范锦鹏 赵大庆 +1 位作者 吴敏生 董民超 《粉末冶金技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期44-47,共4页
将ZAO原料粉体中的Al2 O3 粒子的粒径降低到纳米级别后 ,通过无压烧结即可获得超高致密度的ZAO陶瓷靶材 (相对密度高于 99 0 % )。致密度大大提高的原因在于 ,Al2 O3 粒子粒径降到纳米级后 ,比表面积和粒子数目都大大增加 ,从而实现坯... 将ZAO原料粉体中的Al2 O3 粒子的粒径降低到纳米级别后 ,通过无压烧结即可获得超高致密度的ZAO陶瓷靶材 (相对密度高于 99 0 % )。致密度大大提高的原因在于 ,Al2 O3 粒子粒径降到纳米级后 ,比表面积和粒子数目都大大增加 ,从而实现坯体同步均匀的烧结 ,避免了大气孔的产生。 展开更多
关键词 纳米级 致密度 无压烧结 粒径 纳米AL2O3 靶材 制备 气孔 粒子 比表面积
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