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采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术
被引量:
1
1
作者
冯伯儒
张锦
刘娟
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期1-5,共5页
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一...
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。
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关键词
光学光刻
干涉光刻
成像干涉光刻
分辨力增强技术
双向偏置照明
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职称材料
聚硅烷——高分辨的光致抗蚀剂
被引量:
1
2
作者
李高全
陈德本
《高分子材料科学与工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期3-6,共4页
概述了光致抗蚀剂在微电子工业中的作用,着重介绍了聚硅烷光致抗蚀剂的特点,以及聚硅烷紫外、深紫外、X射线。
关键词
聚硅烷
高分辨率
光致抗蚀剂
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职称材料
193nm光刻曝光系统的现状及发展
被引量:
21
3
作者
巩岩
张巍
《中国光学与应用光学》
2008年第1期25-35,共11页
投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构...
投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。
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关键词
投影光刻
曝光系统
分辨率增强
照明
投影物镜
综述
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职称材料
集成电路版图中的多边形匹配比较研究
4
作者
史峥
高晓莹
+1 位作者
任杰
施怡雯
《机电工程》
CAS
2007年第10期32-35,共4页
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提...
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。
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关键词
可制造性设计
光学邻近校正
分辨率增强技术
多边形匹配比较
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职称材料
光学刻蚀分辨率的极限
5
作者
顾宁
鲁武
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1993年第6期101-105,共5页
<正> 近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2~3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的面积上包含有1.4×10~3 个元件.微细加工...
<正> 近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2~3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的面积上包含有1.4×10~3 个元件.微细加工技术(特别是刻蚀技术)的日益进步是推动这种发展的强大动力.在各种刻蚀技术中,当前在微电子工业中发挥重要作用的仍是光学刻蚀方法.
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关键词
光学刻蚀
分辨率
极限
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职称材料
亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术
被引量:
2
6
作者
李季
史峥
+1 位作者
沈珊瑚
陈晔
《江南大学学报(自然科学版)》
CAS
2006年第6期679-684,共6页
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨...
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.
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关键词
离轴照明
次分辨率辅助图形
分辨率增强技术
光刻模拟
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职称材料
亚65nm及以下节点的光刻技术
被引量:
1
7
作者
徐晓东
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期921-925,共5页
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光...
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
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关键词
亚65nm
浸入式光刻
极紫外线
电子束直写
分辨率增强技术
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职称材料
光源掩模协同优化的原理与应用
被引量:
3
8
作者
陈文辉
何建芳
+1 位作者
董立松
韦亚一
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期641-649,共9页
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技...
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。
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关键词
远紫外光刻(EUVL)
分辨率增强技术
光源掩模协同优化(SMO)
像素化光源
193
nm浸没式光刻
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职称材料
双重图形技术的优化设计
9
作者
潘意杰
陈晔
《机电工程》
CAS
2008年第12期35-38,共4页
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解...
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。
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关键词
可制造性设计
双重图形技术
光学邻近校正
分辨率增强技术
重用
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职称材料
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
10
作者
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻...
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
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关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
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职称材料
题名
采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术
被引量:
1
1
作者
冯伯儒
张锦
刘娟
机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
出处
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金资助(60276043)
文摘
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。
关键词
光学光刻
干涉光刻
成像干涉光刻
分辨力增强技术
双向偏置照明
Keywords
Optical lithography (OL)
Interferometric lithography (IL)
Imaging interferometric lithraphy(IIL)
resolution
enhanc
ed
technology
(ret
)
Double direction biased IIL
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
聚硅烷——高分辨的光致抗蚀剂
被引量:
1
2
作者
李高全
陈德本
机构
四川大学化学系
出处
《高分子材料科学与工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第3期3-6,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
概述了光致抗蚀剂在微电子工业中的作用,着重介绍了聚硅烷光致抗蚀剂的特点,以及聚硅烷紫外、深紫外、X射线。
关键词
聚硅烷
高分辨率
光致抗蚀剂
Keywords
polysilanes, high-
resolution
, photoresists, micro-processing
technology
, contrast
enhancement
layer (CEL).
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
193nm光刻曝光系统的现状及发展
被引量:
21
3
作者
巩岩
张巍
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
出处
《中国光学与应用光学》
2008年第1期25-35,共11页
基金
"十一五"国家02专题资助项目
文摘
投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。
关键词
投影光刻
曝光系统
分辨率增强
照明
投影物镜
综述
Keywords
projection lithography
exposure system
resolution
enhancement
technology
illumination
projection lens
review
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
集成电路版图中的多边形匹配比较研究
4
作者
史峥
高晓莹
任杰
施怡雯
机构
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
出处
《机电工程》
CAS
2007年第10期32-35,共4页
文摘
光学邻近校正是最重要的分辨率增强技术,而对光学邻近校正后的版图修正逐渐成为提高集成电路版图质量的必需步骤。提出了一种用于post-OPC版图(做过OPC的版图)修正的多边形匹配比较的线性算法。算法通过比较pre-OPC和post-OPC的版图,提取OPC校正时的分段信息和段偏移量,使得post-OPC版图的修正能够充分利用前次OPC的结果,避免了重做OPC,提高了OPC验证后修正的效率。
关键词
可制造性设计
光学邻近校正
分辨率增强技术
多边形匹配比较
Keywords
design for manufacturability (DFM)
optical proximity correction (OPC)
resolution
enhancement
technique
(ret
)
polygon matching and comparison
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光学刻蚀分辨率的极限
5
作者
顾宁
鲁武
机构
东南大学生物科学与医学工程系
东南大学生物科学与医学工程系
出处
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1993年第6期101-105,共5页
文摘
<正> 近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2~3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的面积上包含有1.4×10~3 个元件.微细加工技术(特别是刻蚀技术)的日益进步是推动这种发展的强大动力.在各种刻蚀技术中,当前在微电子工业中发挥重要作用的仍是光学刻蚀方法.
关键词
光学刻蚀
分辨率
极限
Keywords
lithophotography
high
resolution
phase shifting
technology
/FELX:focus latitude
enhancement
exposure method
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术
被引量:
2
6
作者
李季
史峥
沈珊瑚
陈晔
机构
浙江大学超大规模集成电路设计研究所
出处
《江南大学学报(自然科学版)》
CAS
2006年第6期679-684,共6页
基金
国家自然科学基金项目(60176015)
文摘
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术,分析了两种技术的原理,利用光刻模拟软件,针对不同线宽的稀疏线条,对添加次分辨率辅助图形前后的光刻仿真结果进行了对比.研究结果表明,离轴照明技术和次分辨率辅助图形的结合使用,可以显著提高亚100纳米级版图线条的光刻分辨率,增大工艺窗口,降低版图成像对生产工艺参数的要求,对于解决亚波长光刻所带来的亚100纳米级集成电路成像质量下降的问题非常必要.
关键词
离轴照明
次分辨率辅助图形
分辨率增强技术
光刻模拟
Keywords
off-axis illumination
sub-
resolution
assistance feature
resolution
enhancement
technology
optical lithography simulation
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
亚65nm及以下节点的光刻技术
被引量:
1
7
作者
徐晓东
汪辉
机构
上海交通大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第11期921-925,共5页
基金
上海市浦江人才计划项目(05PJ14068)
文摘
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。
关键词
亚65nm
浸入式光刻
极紫外线
电子束直写
分辨率增强技术
Keywords
sub-65 nm
immersion lithography
EUV
E-beam direct writing
ret
(
resolution
enhancement
technology
)
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光源掩模协同优化的原理与应用
被引量:
3
8
作者
陈文辉
何建芳
董立松
韦亚一
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第9期641-649,共9页
基金
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301001)
国家自然科学基金资助项目(61604172)
文摘
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。
关键词
远紫外光刻(EUVL)
分辨率增强技术
光源掩模协同优化(SMO)
像素化光源
193
nm浸没式光刻
Keywords
extreme ultraviolet lithography(EUVL)
resolution
enhancement
technology
source mask optimization(SMO)
pixelated source
193 nm immersion lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
双重图形技术的优化设计
9
作者
潘意杰
陈晔
机构
浙江大学超大规模集成电路研究所
出处
《机电工程》
CAS
2008年第12期35-38,共4页
文摘
作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。
关键词
可制造性设计
双重图形技术
光学邻近校正
分辨率增强技术
重用
Keywords
design for manufacturability (DFM)
double patterning
technology
(DPT)
optical proximity correction( OPC )
resolution enhancement technology(ret)
reuse
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
被引量:
5
10
作者
董启明
郭小伟
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期558-564,共7页
基金
The National Natural Science Foundation of China(No.60906052)
文摘
表面等离子体激元具有近场增强效应,可以代替光子作为曝光源形成纳米级特征尺寸的图像.本文数值分析了棱镜辅助表面等离子体干涉系统的参量空间,并给出了计算原理和方法.结果表明,适当地选择高折射率棱镜、低银层厚度、入射波长和光刻胶折射率,可以获得高曝光度、高对比度的干涉图像.入射波长为431nm时,选择40nm厚的银层,曝光深度可达200nm,条纹周期为110nm.数值分析结果为实验的安排提供了理论支持.
关键词
干涉光刻
表面等离子体激元
克莱舒曼结构
Keywords
Interference lithography
Surface plasmon plortiton
K
ret
schmann structureCLCN: TN305.7 Document Code:A Article ID:1004-4213(2012)05-0558-70 IntroductionThere is a growing interest in exploring new nanolithography techniques with high efficiency,low cost and large-area fabrication to fabricate nanoscale devices for nano
technology
applications.Conventional photolithography has remained a useful microfabrication
technology
because of its ease of repetition and suitability for large-area fabrication[1].The diffraction limit,however,restricts the fabrication scale of photolithography[2].Potential solutions that have actually been pursued require increasingly shorter illumination wavelengths for replicating smaller structures.It is becoming more difficult and complicated to use the short optical wavelengths to reach the desired feature sizes.Other methods such as electron beam lithography[3],ion beam lithography[4],scanning probe lithography[5],nanoimprint lithography(NIL)[6],and evanescent near-field optical lithography(ENFOL)[7] have been developed in order to achieve nanometer-scale features.As we know,the former three techniques need scanning and accordingly are highly inefficient.In NIL,the leveling of the imprint template and the substrate during the printing process,which determines the uniformity of the imprint result,is a challenging issue of this method.ENFOL have the potential to produce subwavelength structures with high efficiency,but it encounters the fact that the evanescent field decays rapidly through the aperture,thus attenuating the transmission intensity at the exit plane and limiting the exposure distance to the scale of a few tens of nanometers from the mask.In recent years,the use of surface-plasmon polaritons(SPPs) instead of photons as an exposure source was rapidly developed to fabricate nanoscale structures.SPPs are characterized by its near field
enhancement
so that SPP-based lithography can greatly extend exposure depth and improve pattern contrast.Grating-assisted SPP interference,such as SPP resonant interference nanolithography[8] and SPP-assisted interference nanolithography[9],achieved a sub-100nm interference pattern.The techniques,however,are necessary to fabricate a metal grating with a very fine period and only suitable for small-area interference.To avoid the fabrication of the metal grating,a prism-based SPP maskless interference lithography was proposed in 2006,which promises good lithography performance.The approach offers potential to achieve sub-65nm and even sub-32nm feature sizes.However,the structure parameters are always not ideal in a real system.One wants to know how much influence the parameter variations have on the pattern
resolution
and what variations of the parameters are allowed to obtain an effective interference.Thus,it is necessary to explore the parameter spaces.1 SPP maskless interference lithography systemThe SPP maskless interference lithography system is shown in Fig.1.A p-polarized laser is divided into two beams by a grating splitter,and then goes into the prism-based multilayer system.Under a given condition,the metal film can exhibit collective electron oscillations known as SPPs which are charge density waves that are characterized by intense electromagnetic fields confined to the metallic surface.If the metal layer Fig.1 Schematic for SPP maskless interference lithography systemis sufficiently thin,plasma waves at both metal interfaces are coupled,resulting in symmetric and antisymmetric SPPs.When the thickness h of metal film,dielectric constant ε1,ε2,ε3 of medium above,inside,below the metal film are specified,the coupling equation is shown as followstanh(S2h)(ε1ε3S22+ε22S1S3)+(ε1ε2S2S3+ε2ε3S1S2)=0
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术
冯伯儒
张锦
刘娟
《光电工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
2
聚硅烷——高分辨的光致抗蚀剂
李高全
陈德本
《高分子材料科学与工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
1
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职称材料
3
193nm光刻曝光系统的现状及发展
巩岩
张巍
《中国光学与应用光学》
2008
21
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职称材料
4
集成电路版图中的多边形匹配比较研究
史峥
高晓莹
任杰
施怡雯
《机电工程》
CAS
2007
0
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职称材料
5
光学刻蚀分辨率的极限
顾宁
鲁武
《东南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
1993
0
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职称材料
6
亚波长光刻离轴照明和次分辨率辅助图形技术
李季
史峥
沈珊瑚
陈晔
《江南大学学报(自然科学版)》
CAS
2006
2
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职称材料
7
亚65nm及以下节点的光刻技术
徐晓东
汪辉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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职称材料
8
光源掩模协同优化的原理与应用
陈文辉
何建芳
董立松
韦亚一
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017
3
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职称材料
9
双重图形技术的优化设计
潘意杰
陈晔
《机电工程》
CAS
2008
0
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职称材料
10
表面等离子体无掩膜干涉光刻系统的数值分析(英文)
董启明
郭小伟
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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职称材料
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