期刊文献+
共找到135篇文章
< 1 2 7 >
每页显示 20 50 100
基于PSO-BP神经网络的SiC MOSFET模块寿命预测方法研究与实现
1
作者 毛明波 孟昭亮 +1 位作者 高勇 杨媛 《电源学报》 北大核心 2025年第1期229-235,258,共8页
针对目前碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管Si CMOSFET(siliconcarbidemetal-oxide-semiconductor field-effect transistor)实际工况中在线寿命预测难度大的问题,提出1种基于粒子群优化-反向传播PSO-BP(particle swarm optimization-... 针对目前碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管Si CMOSFET(siliconcarbidemetal-oxide-semiconductor field-effect transistor)实际工况中在线寿命预测难度大的问题,提出1种基于粒子群优化-反向传播PSO-BP(particle swarm optimization-back propagation)神经网络的SiC MOSFET模块寿命预测数字化实现方法。首先,利用导通压降平台提取Si CMOSFET的导通压降作为温敏电参数,建立基于实验数据的结温预测方案;其次,利用功率循环加速老化实验平台,提取老化特征数据,建立基于PSO-BP神经网络的寿命预测方案;然后,将结温预测方案与寿命预测方案移植到可编程阵列逻辑中,实现SiC MOSFET寿命预测数字化;最后,设计了验证电路。实验表明,数字化显示的结温与真实结温的误差为4.73℃,与真实寿命次数的误差百分比为4.1%,证明所提寿命预测方法得到了数字化实现,并能够准确预测SiC MOSFET模块的寿命次数。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 粒子群优化-反向传播 寿命预测 数字化
在线阅读 下载PDF
S波段连续波输出功率20W的SiC MESFET 被引量:1
2
作者 娄辰 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期355-358,共4页
采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10 W的SiC MESFET。经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30%的SiC MES... 采用自主开发的SiC外延材料和工艺技术,相继实现了S波段连续波状态下输出功率瓦级和10 W的SiC MESFET。经过版图设计的改进和工艺条件的优化,取得了S波段连续波状态下输出功率大于20 W,功率增益大于12 dB,功率附加效率大于30%的SiC MESFET研制结果。器件的功率增益和输出功率较以往的研制结果均得到显著提高,器件的反向截止泄漏电流也大幅度降低。由于器件未采用内匹配结构,其体积也比一般内匹配器件的体积小。研制结果为多胞合成实现更大功率输出的器件创造了条件,也使S波段连续波大功率输出器件的研制水平上了一个新的台阶。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-肖特基场效应晶体管 连续波 大功率 高增益
在线阅读 下载PDF
基于中压混合器件的ANPC母排绝缘与寄生参数优化设计
3
作者 赵一平 董晓博 +3 位作者 靳浩源 王淦 王来利 张虹 《电力工程技术》 北大核心 2025年第4期52-61,共10页
母排作为电力电子变换器中的关键功率传输部件,承担着连接功率器件、电容及端子的重要功能。为降低寄生参数与器件应力,换流回路须通过母排连接。文中以15 kV碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal oxide semiconductor field e... 母排作为电力电子变换器中的关键功率传输部件,承担着连接功率器件、电容及端子的重要功能。为降低寄生参数与器件应力,换流回路须通过母排连接。文中以15 kV碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)与串联硅基绝缘栅双极晶体管(Si insulate-gate bipolar transistor,Si IGBT)组成的有源中点钳位型(active neutral-point clamped,ANPC)变换器拓扑为核心研究对象,针对母排的器件布局、叠层顺序及端子位置等关键要素展开优化设计。基于有限元仿真软件,建立母排的有限元仿真模型,通过参数化分析优化铜层间距与叠层结构,提出适用于高压印制电路板(printed circuit board,PCB)母排的绝缘优化策略。仿真及实验结果表明,优化母排设计可有效改善系统寄生参数分布,文中验证了其在高压应用场景下的电场分布。与传统设计方案相比,优化后的母排结构在关键节点绝缘性能与整体可靠性方面具有显著优势。 展开更多
关键词 中压变换器 叠层母排 有限元仿真 寄生参数 绝缘 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)
在线阅读 下载PDF
超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展
4
作者 魏雨夕 马昕宇 +2 位作者 江泽俊 魏杰 罗小蓉 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期263-275,共13页
氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材... 氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材料热导率低和缺陷多也导致器件发生电学特性漂移、性能加速退化等可靠性问题。本文首先介绍本团队在氧化镓功率器件新结构方面的研究进展,对研制的样品进行测试分析并研究其电热特性;然后开展了氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和异质结场效应晶体管(HJFET)的电热可靠性研究,本团队提出电离陷阱模型和界面偶极子电离模型解释其性能退化机制,此外,提出了一种新的可靠性加固技术,以提高β-Ga_(2)O_(3)HJFET的电热可靠性。结果表明,氧化镓功率器件在高压、低功耗和高可靠性应用方面具有很大潜力。这些研究为氧化镓功率器件设计和优化提供新的思路,有力助推氧化镓功率器件实用化进程。 展开更多
关键词 氧化镓 功率半导体器件 二极管 场效应晶体管 电热特性 可靠性
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET结温监测与控制技术综述 被引量:2
5
作者 张擎昊 郑大勇 张品佳 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第3期1034-1051,I0019,共19页
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)性能优越、发展迅猛,在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关,故SiC MOSFET结温监控技术至关重要,近年来成为... 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)性能优越、发展迅猛,在工业界获得广泛应用。其失效与结温息息相关,故SiC MOSFET结温监控技术至关重要,近年来成为研究热点。文中将该技术分为经典结温监测、考虑老化影响的结温监测、结温控制3部分。对于经典结温监测技术,重点介绍热模型法和热敏电参数法的原理、模型、发展历程、缺点及优势;对于考虑老化影响的结温监测技术,重点分析老化对结温监测的影响,论述老化补偿技术的必要性并指出现有方法的局限性;对于结温控制技术,分析其意义,重点介绍内部控制法和外部控制法的原理,比较各类方法的优劣。最后,综合以上分析,指出SiC MOSFET结温监控领域存在的关键问题和发展方向,旨在为相关研究人员提供参考。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应管 温变机理 结温监测 结温控制 器件老化
在线阅读 下载PDF
一种基于等效栅极电阻控制的SiC MOSFET结温波动抑制方法
6
作者 王若隐 郑宏 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第12期4858-4869,I0028,共13页
通常限制碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)可靠性的根本因素是非平稳工况下的结温波动。文中提出的等效栅极电阻控制方法克服了在线连续修改驱动电阻的困难;在此... 通常限制碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)可靠性的根本因素是非平稳工况下的结温波动。文中提出的等效栅极电阻控制方法克服了在线连续修改驱动电阻的困难;在此基础上,提出一种主动热管理方法,通过改变开关损耗的方式来抑制结温波动,同时给出结温调节范围的推导过程;搭建逆变器实验平台,验证理论分析的正确性。实验结果表明,该方法可显著降低SiC MOSFET各功率波动阶段的温度波动,最大波动范围由18.83℃降至9.85℃,SiC MOSFET的寿命延长约2.18倍。此外,考虑系统的效率因素,提出温控操作区间和结温控制系数的概念;最后,通过实验验证所提出的方法的有效性。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 结温波动 主动热管理 等效栅极电阻控制 可靠性
在线阅读 下载PDF
8.9W/mm高功率密度SiC MESFET器件研制
7
作者 李亮 默江辉 +5 位作者 邓小川 李佳 冯志红 崔玉兴 付兴昌 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期20-24,共5页
基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最... 基于自主研发的碳化硅(SiC)材料外延技术,优化了材料各层结构及参数,减小了Al记忆效应,最终得到了高质量SiC外延片。采用自主研发成熟的SiC MESFET工艺平台,制作了多凹栅器件结构,优化了凹槽尺寸,采用细栅制作技术完成了栅电极制作,最终得到了不同栅宽的SiC MESFET芯片。突破了大栅宽芯片流片、封装及大功率脉冲测试技术,研制成功了微波功率特性良好的MESFET器件。微波测试结果表明,在2 GHz脉冲条件下,0.25 mm栅宽器件,输出功率密度达到8.96 W/mm,功率附加效率达到30%。单胞20 mm大栅宽器件,3.4 GHz脉冲条件下,功率输出达到94 W,功率附加效率达到22.4%。 展开更多
关键词 碳化硅 微波 金属半导体场效应晶体管 功率密度 脉冲
在线阅读 下载PDF
短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型
8
作者 黄庆安 吕世骥 童勤义 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页
本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.
关键词 离子注入 晶体管模型 mesfet GAAS
在线阅读 下载PDF
高功率宽调谐声光调制器驱动源的研究
9
作者 王锦荣 吴双娥 +5 位作者 米成栋 朱梦琦 程子源 高旭珍 史旭蓉 杜胜利 《量子电子学报》 北大核心 2025年第2期238-245,共8页
声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,... 声光调制器是一种重要的光学器件,其性能在很大程度上依赖于驱动源的性能。因此,针对不同的应用场景,研制高性能的声光调制器驱动源具有重要意义。本文针对量子光学领域真空压缩光制备中光学参量振荡腔腔长锁定对声光调制器的应用需求,设计了一款高性能声光调制器驱动源。该驱动源以射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管放大模块RA07H0608M为核心器件,输入信号经阻抗匹配电路、高通滤波放大电路、功率放大电路后,最终输出到声光调制器中,同时,监测电路对工作温度和信号功率进行实时监测。实验结果表明,该声光调制器驱动源能够实现频率和功率的连续调谐,在75~85 MHz的工作频率范围内,输入输出信号具有良好的线性关系,输出功率高达1 W,并且同时具有超温和超功率自动关断保护功能,完全满足声光调制器长时间稳定运行的要求。 展开更多
关键词 光电子学 声光调制器驱动源 射频金属氧化物半导体(MOS)场效应管 连续调谐 自动关断保护电路
在线阅读 下载PDF
基于同步脉冲补偿的Buck DC/DC变换器共模EMI抑制方法
10
作者 罗嗣勇 毕闯 +3 位作者 陈允 张鹏飞 崔博源 成林 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第7期2732-2743,I0024,共13页
碳化硅场效应管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。因此,为了提高... 碳化硅场效应管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)。因此,为了提高电力电子系统的电磁兼容性,该文通过分析SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器共模EMI产生机理,进而提出一种基于同步脉冲补偿(synchronous pulses compensation,SPC)的新型共模EMI抑制方法。首先,建立基于SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器的共模EMI模型,并得出SiC MOSFET开关波形与共模EMI噪声之间的函数关系;其次,建立SiC MOSFET开关波形简化时域模型并预测共模EMI噪声频谱,同时理论分析基于SPC的共模EMI抑制方法可行性并建立基于FPGA的同步脉冲注入实现方案;然后,在实验中讨论非理想SPC以及共模电感所产生的影响;最后,通过实验验证SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器的共模EMI模型准确性以及基于SPC的共模EMI抑制方法的有效性。 展开更多
关键词 碳化硅场效应管 电磁干扰 共模噪声 数字电磁干扰滤波器 同步脉冲补偿
在线阅读 下载PDF
具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
11
作者 范继锋 王永强 +2 位作者 张艺 李巍 雷鹏 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期241-247,共7页
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基... 为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基底上。在p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构中,二维空穴气(2DHG)面密度为1.3×10_(13)cm^(-2),且在温度降至80 K时保持不变。通过干法刻蚀减小GaN沟道厚度,使p型MOSHFET呈现增强型工作模式,并获得负的阈值电压(V_(th))。室温下,基于GaN(18 nm)/Al_(0.29)Ga_(0.71)N的增强型p型MOSHFET的V_(th)为-0.79 V,导通电流|I_(ON)|为2.41 mA/mm,关断态漏电流|I_(OFF)|为2.66 pA/mm,亚阈值摆幅(SS)为116 mV/dec。这种极低的|I_(OFF)|和SS值表明材料具有较高的外延质量。此外,在200℃下,该p型MOSHFET仍保持低于10 pA/mm的|I_(OFF)|,且V_(th)偏移较小(-0.3 V),展现出优异的高温工作能力。 展开更多
关键词 GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压
在线阅读 下载PDF
一种改进的微波MESFET模拟器 被引量:2
12
作者 黄艺 沈楚玉 《微波学报》 CSCD 北大核心 1994年第2期6-11,共6页
本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波MESFET模拟器,它不仅可以模拟器件物理参数变化对MESFET特性(如等效电路元件、S参数、电流-电压特性)的影响,而且亦可以模拟MESFET特性随温度变化的情况.
关键词 场效应管 模拟器 mesfet 微波频率
在线阅读 下载PDF
适用于SiC MOSFET的漏源电压积分自适应快速短路保护电路研究 被引量:3
13
作者 李虹 胡肖飞 +1 位作者 王玉婷 曾洋斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第4期1542-1552,I0024,共12页
SiC MOSFET因其高击穿电压、高开关速度、低导通损耗等性能优势而被广泛应用于各类电力电子变换器中。然而,由于其短路耐受时间仅为2~7μs,且随母线电压升高而缩短,快速可靠的短路保护电路已成为其推广应用的关键技术之一。为应对不同... SiC MOSFET因其高击穿电压、高开关速度、低导通损耗等性能优势而被广泛应用于各类电力电子变换器中。然而,由于其短路耐受时间仅为2~7μs,且随母线电压升高而缩短,快速可靠的短路保护电路已成为其推广应用的关键技术之一。为应对不同母线电压下的Si C MOSFET短路故障,文中提出一种基于漏源电压积分的自适应快速短路保护方法(drain-sourcevoltageintegration-basedadaptivefast short-circuit protection method,DSVI-AFSCPM),研究所提出的DSVI-AFSCPM在硬开关短路(hardswitchingfault,HSF)和负载短路(fault under load,FUL)条件下的保护性能,进而研究不同母线电压对DSVI-AFSCPM的作用机理。同时,探究Si CMOSFET工作温度对其响应速度的影响。最后,搭建实验平台,对所提出的DSVI-AFSCPM在发生硬开关短路和负载短路时不同母线电压、不同工作温度下的保护性能进行实验测试。实验结果表明,所提出的DSVI-AFSCPM在不同母线电压下具有良好的保护速度自适应性,即母线电压越高,短路保护速度越快,并且其响应速度受Si CMOSFET工作温度影响较小,两种短路工况下工作温度从25℃变化到125℃,短路保护时间变化不超过90 ns。因此,该文为Si CMOSFET在不同母线电压下的可靠使用提供一定技术支撑。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 短路保护 漏源电压积分 母线电压 自适应
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET开关瞬态解析建模综述 被引量:2
14
作者 王莉娜 袁泽卓 +1 位作者 常峻铭 武在洽 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第19期7772-7783,I0024,共13页
在评估和优化半导体器件开关瞬态特性领域,解析模型因具有简单、直观、应用便捷等优点得到广泛研究。相较同等功率等级的硅基功率器件,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effec... 在评估和优化半导体器件开关瞬态特性领域,解析模型因具有简单、直观、应用便捷等优点得到广泛研究。相较同等功率等级的硅基功率器件,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)可以应用于更高开关速度,其开关瞬态特性更为复杂,开关瞬态解析建模也更加困难。该文总结现有的针对SiC MOSFET与二极管换流对的开关瞬态解析建模方法,在建模过程中依次引入各种简化假设,按照简化程度由低到高的顺序,梳理解析建模的逐步简化过程。通过对比,评估各模型的优缺点以及适用场合,对其中准确性、实用性都较强的分段线性模型进行详细介绍;之后,对开关瞬态建模中关键参数的建模方法进行总结与评价;最后,指出现有SiC MOSFET开关瞬态解析模型中存在的问题,并对其未来发展给出建议。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 开关瞬态 解析建模 跨导 寄生电容
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究 被引量:4
15
作者 刘建君 陈宏 +3 位作者 丁杰钦 白云 郝继龙 韩忠霖 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期147-152,共6页
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最... 碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同规格SiC MOSFET的高温栅氧可靠性。负压高温栅偏试验结果显示自研SiC MOSFET与国外SiC MOSFET的阈值电压偏移量基本相等,阈值电压偏移量百分比最大相差在4.52%左右。正压高温栅偏试验的结果显示自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量较小,与国外SiC MOSFET相比,自研SiC MOSFET的阈值电压偏移量百分比最大相差11%。自研器件占优势的原因是在SiC/SiO2界面处引入了适量的氮元素,钝化界面缺陷的同时,减少了快界面态的产生,使总的界面态密度被降到最低。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET器件栅氧可靠性研究综述 被引量:2
16
作者 胡嘉豪 王英伦 +2 位作者 代豪豪 邓小川 张波 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期1-11,共11页
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度... 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor)因具有高压、高频、低导通损耗等优异特性而获得产业界广泛关注,但相比于硅基IGBT,SiC/SiO_(2)栅氧界面高缺陷密度引起的栅氧可靠性问题成为制约SiC MOSFET器件规模化应用的关键瓶颈。通过对近年来国内外SiC MOSFET栅氧可靠性研究成果的梳理和分析,阐述了当前栅氧可靠性问题的形成原因,归纳总结了各类常用的栅氧可靠性评估方法,并进行了比较分析,最后重点探讨了极端工况下SiC MOSFET栅氧可靠性及其提升技术的发展现状。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧可靠性 评估方法 极端工况
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET驱动特性及器件国产化后的影响分析 被引量:1
17
作者 姚常智 张昊东 +1 位作者 申宏伟 王建军 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期138-145,164,共9页
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)作为一种新型、广泛应用的开关器件,在实际应用中具有更快的开关速度和更低的器件损耗,可以提高变换器的效率,体现... 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)作为一种新型、广泛应用的开关器件,在实际应用中具有更快的开关速度和更低的器件损耗,可以提高变换器的效率,体现更好的性能。针对SiC MOSFET驱动特性,分析寄生参数对其的影响;搭建双脉冲实验平台,分析栅源电压与SiC MOSFET导通时间的关系;针对现有国产SiC MOSFET存在的不足之处,基于搭建的实验平台及其他电源产品,对SiC MOSFET进行国产化器件替代后导通时间、驱动损耗及负压幅值变化的相关分析。 展开更多
关键词 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 寄生参数 栅源电压 国产化
在线阅读 下载PDF
基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
18
作者 睢林 曹咏弘 +3 位作者 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期97-102,共6页
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的... 为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。 展开更多
关键词 射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(mesfet) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗
在线阅读 下载PDF
栅氧老化下SiC MOSFET开通瞬态栅极振荡特性研究 被引量:1
19
作者 李豪 成芮俊杰 +1 位作者 向大为 田鑫 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第9期3656-3664,I0027,共10页
栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究... 栅氧老化问题已成为制约碳化硅(SiC)金属半导体氧化物场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的关键因素,该文尝试利用SiC MOSFET高速开关在变换器中引起的高频开关振荡获取栅氧状态信息,重点研究栅氧老化对开通瞬态栅极高频振荡特性的影响。首先,分析SiC MOSFET栅氧老化机理及其对器件开通时间的影响。然后,建立开通瞬态栅极回路分阶段高频等效电路模型,揭示SiC MOSFET栅极开通振荡电流的形成机理和影响因素。最后,通过33 V高压栅偏加速老化实验进行验证。研究结果表明,随着栅氧老化程度的加深,SiC MOSFET阈值电压会逐渐增加而开通速度变慢,导致栅极开通振荡电流显著减小(约28%)。该文的工作有望为SiC MOSFET栅氧老化在线监测提供一种新的思路。 展开更多
关键词 碳化硅金属半导体氧化物场效应管(SiC MOSFET) 栅氧老化 栅极振荡 在线状态监测
在线阅读 下载PDF
基于有源箝位技术的SiC MOSFET串联均压有源驱动电路研究 被引量:1
20
作者 项鹏飞 郝瑞祥 +3 位作者 王启丞 游小杰 徐云飞 袁帆 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第16期6565-6577,I0023,共14页
功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析,探究不均压的产生机理,提出一种基于有源箝位技术的碳化硅金属-氧化物... 功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析,探究不均压的产生机理,提出一种基于有源箝位技术的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管串联均压有源驱动,其利用有源箝位电路检测串联器件之间的电压不均衡,并箝位电压尖峰,通过反馈控制器件栅极电荷及开关瞬态行为实现均压。该方案不存在不均压的调节周期,即使在交变负载下依然能在每一个开关周期的关断时间内实现均压控制。此外,该文还详细介绍所提出方案的电路原理和参数设计过程,并通过试验验证该方案均压控制效果的有效性。结果表明,所提出方案具有有源箝位电路拓展性强的特点;是独立于原有栅极驱动电路的辅助电路,适用性强;且控制电路结构简单,无需可编程逻辑芯片和额外的信号隔离。 展开更多
关键词 碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 串联 有源箝位 均压控制
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 7 下一页 到第
使用帮助 返回顶部