采用喷雾热解法制备了氟掺杂的二氧化锡(fluorine-doped tin oxide,FTO)薄膜,氟源分别为NH_4F、SnF_2、CF_3COOH和HF。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对薄膜微观结构和表面形貌进行了表征;用四探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外分光光度...采用喷雾热解法制备了氟掺杂的二氧化锡(fluorine-doped tin oxide,FTO)薄膜,氟源分别为NH_4F、SnF_2、CF_3COOH和HF。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对薄膜微观结构和表面形貌进行了表征;用四探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外分光光度计对薄膜的光电性能进行了分析。结果表明,不同氟源制备的FTO薄膜均为沿(200)方向择优生长的四方金红石结构,掺杂后薄膜的表面形貌较未掺杂时变化较大,由多角状和棱柱状颗粒相间分布变为完全由类金字塔状颗粒堆积而成。四种氟源中,以SnF_2为氟源制备的FTO薄膜的光电性能优于其它氟源,薄膜的最佳电阻率达5.06×10^(-4)Ωcm,载流子浓度为4.850×10^(20)cm^(-3),光学带隙为4.03 eV。不同氟源对FTO薄膜可见光区透过率影响不大,薄膜的平均透过率均大于83%。不同氟源FTO薄膜的性能差异主要由氟的掺杂量决定的。展开更多
以SnCl_4·5H_2O为锡源,以不同氟的化合物如CF_3COOH,HF和SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO_2(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF_3COOH,HF和SnF_2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光...以SnCl_4·5H_2O为锡源,以不同氟的化合物如CF_3COOH,HF和SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO_2(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF_3COOH,HF和SnF_2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光电性能的影响,系统地探讨了其作用机制。结果表明:3种氟源制备的FTO薄膜表面形貌分别为不规则多边形状、棒状以及金字塔状,且均呈四方金红石型结构。3种氟源中,以SnF_2为氟源的SnO_2薄膜综合性能较佳,其方块电阻为14.7Ω/,红外反射率为86.1%。不同氟源的掺杂机制主要是F-和SnO2晶粒间的键合方式不同,或生成氟锡化合物的难易程度不同,一次掺杂的氟源(SnF_2)制备的FTO薄膜性能优于二次掺杂的(HF)以及间接性掺杂的氟源(CF_3COOH)。展开更多
文摘采用喷雾热解法制备了氟掺杂的二氧化锡(fluorine-doped tin oxide,FTO)薄膜,氟源分别为NH_4F、SnF_2、CF_3COOH和HF。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对薄膜微观结构和表面形貌进行了表征;用四探针电阻仪、霍尔效应仪和紫外分光光度计对薄膜的光电性能进行了分析。结果表明,不同氟源制备的FTO薄膜均为沿(200)方向择优生长的四方金红石结构,掺杂后薄膜的表面形貌较未掺杂时变化较大,由多角状和棱柱状颗粒相间分布变为完全由类金字塔状颗粒堆积而成。四种氟源中,以SnF_2为氟源制备的FTO薄膜的光电性能优于其它氟源,薄膜的最佳电阻率达5.06×10^(-4)Ωcm,载流子浓度为4.850×10^(20)cm^(-3),光学带隙为4.03 eV。不同氟源对FTO薄膜可见光区透过率影响不大,薄膜的平均透过率均大于83%。不同氟源FTO薄膜的性能差异主要由氟的掺杂量决定的。
文摘以SnCl_4·5H_2O为锡源,以不同氟的化合物如CF_3COOH,HF和SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO_2(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF_3COOH,HF和SnF_2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光电性能的影响,系统地探讨了其作用机制。结果表明:3种氟源制备的FTO薄膜表面形貌分别为不规则多边形状、棒状以及金字塔状,且均呈四方金红石型结构。3种氟源中,以SnF_2为氟源的SnO_2薄膜综合性能较佳,其方块电阻为14.7Ω/,红外反射率为86.1%。不同氟源的掺杂机制主要是F-和SnO2晶粒间的键合方式不同,或生成氟锡化合物的难易程度不同,一次掺杂的氟源(SnF_2)制备的FTO薄膜性能优于二次掺杂的(HF)以及间接性掺杂的氟源(CF_3COOH)。
