期刊文献+
共找到2,045篇文章
< 1 2 103 >
每页显示 20 50 100
基于Fins/UDP通信协议的采煤机远程监控系统研究
1
作者 赵亦辉 孙永锋 +2 位作者 吴振 周转会 杨青 《煤炭技术》 CAS 2024年第7期258-261,共4页
为推进采煤机自动化水平的提升,研究了基于Fins/UDP通信协议的采煤机远程监控系统。详细阐述了Fins/UDP通信协议的报文构成,并构建了适用于煤矿井下采煤机的远程监控系统架构。借助开源的VUE和Flask框架,展开了系统软件的开发。最后,通... 为推进采煤机自动化水平的提升,研究了基于Fins/UDP通信协议的采煤机远程监控系统。详细阐述了Fins/UDP通信协议的报文构成,并构建了适用于煤矿井下采煤机的远程监控系统架构。借助开源的VUE和Flask框架,展开了系统软件的开发。最后,通过一系列实验,对系统的数据采集和指令下发等关键功能进行了验证。实验结果表明,所设计的系统可以实现对采煤机的有效远程监控。 展开更多
关键词 fins/UDP通信 采煤机远程监控系统 VUE 数据库
在线阅读 下载PDF
Wind Tunnel Experimental Investigation on the Aerodynamic Characteristics of the Multifin Rockets and Missiles 被引量:1
2
作者 郝璐 吴甲生 《Journal of Beijing Institute of Technology》 EI CAS 2005年第3期293-296,共4页
The transonic-supersonic wind tunnel experiment on the aerodynamics of the rockets and missiles that have four, six, eight flat or wrap-around fins is introduced. The experimental results show, while M∞〈2.0, with th... The transonic-supersonic wind tunnel experiment on the aerodynamics of the rockets and missiles that have four, six, eight flat or wrap-around fins is introduced. The experimental results show, while M∞〈2.0, with the increase of the fins'number, the derivative of lift coefficient is increasing, the pressure center is shifting backwards, and the longitudinal static stability is augmenting. On the contrary, while the Mach number exceeds a certain supersonic value, the aerodynamic effectiveness of the eight-fin missiles would be lower than that of the six-fin missiles. For the low speed short-range missiles, by adopting six, eight or ten flat fins configuration, the lift effectiveness can be greatly increased, the pressure center can be shifted backwards, the static and dynamic stability can be obviously enhanced. For the high speed long-range large rockets and missiles launched from multi-tube launcher, the configuration adopting more than six fins can not be useful for increasing the stability but would make the rolling rate instable during the flight. 展开更多
关键词 multifin wrap-around fins flat fins aerodynamic characteristics wind tunnel experiment
在线阅读 下载PDF
FinFET纳电子学与量子芯片的新进展 被引量:1
3
作者 赵正平 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第1期1-6,共6页
综述了后摩尔时代中两大发展热点:鳍式场效应晶体管(FinFET)纳电子学和基于量子计算新算法的量子芯片的发展历程和近两年的最新进展。在FinFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展现状,包括Fin... 综述了后摩尔时代中两大发展热点:鳍式场效应晶体管(FinFET)纳电子学和基于量子计算新算法的量子芯片的发展历程和近两年的最新进展。在FinFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展现状,包括FinFET的发展、10 nm和7 nm技术节点的量产、5 nm和3 nm技术节点的环栅场效应晶体管(GAAFET)和2 nm技术节点的负电容场效应晶体管(FET)的前瞻性技术研究以及非Si器件(InGaAs FinFET、WS2和MoS2两种2D材料的FET)的探索性研究。指出继续摩尔定律的发展将以Si基FinFET和GAAFET的技术发展为主。在量子芯片领域,综述并分析了超导、电子自旋、光子、金刚石中的氮空位中心和离子阱等五种量子比特芯片的发展历程,提高相干时间、固态化及多量子比特扩展等的技术突破,以及近几年在量子信息应用的新进展。基于Si基的纳米制造技术和新的量子计算算法的结合正加速量子计算向工程化的进展。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管(finFET) 环栅场效应晶体管(GAAFET) 负电容场效应晶体管(FET) InGaAs finFET 超导量子芯片 电子自旋量子芯片 光子量子芯片 金刚石中的氮空位中心量子比特 离子阱量子芯片
在线阅读 下载PDF
Propulsive performance and flow field characteristics of a 2-D flexible fin with variations in the location of its pitching axis 被引量:1
4
作者 王志东 丛文超 张晓庆 《Journal of Marine Science and Application》 2009年第4期298-304,共7页
The thrust coefficients and propulsive efficiency of a two-dimensional flexible fin with heaving and pitching motion were computed using FLUENT. The effect of different locations of the pitching axis on propulsive per... The thrust coefficients and propulsive efficiency of a two-dimensional flexible fin with heaving and pitching motion were computed using FLUENT. The effect of different locations of the pitching axis on propulsive performance was examined using three deflexion modes which are respectively, modified Bose mode, cantilever beam with uniformly distributed load and cantilever beam with non-uniformly distributed load. The results show that maximum thrust can be achieved with the pitching axis at the trailing edge, but the highest propulsive efficiency can be achieved with the pitching axis either 1/3 of the chord length from the leading edge in modified Bose mode, or 2/3 of the chord length from the leading edge in cantilever beam mode. At the same time, the effects of the Strouhal number and maximal attack angle on the hydrodynamics performance of the flexible fin were analyzed. Parameter interval of the maximum thrust coefficient and the highest propulsive efficiency were gained. If the Strouhal number is low, high propulsive efficiency can be achieved at low αmax , and vice versa. 展开更多
关键词 flexible fin pitching axis Strouhal number maximal attack angle propulsive performance
在线阅读 下载PDF
Fin width and height dependence of bipolar amplification in bulk FinFETs submitted to heavy ion irradiation 被引量:3
5
作者 于俊庭 陈书明 +1 位作者 陈建军 黄鹏程 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期650-655,共6页
FinFET technologies are becoming the mainstream process as technology scales down. Based on a 28-nm bulk p- FinFET device, we have investigated the fin width and height dependence of bipolar amplification for heavy-io... FinFET technologies are becoming the mainstream process as technology scales down. Based on a 28-nm bulk p- FinFET device, we have investigated the fin width and height dependence of bipolar amplification for heavy-ion-irradiated FinFETs by 3D TCAD numerical simulation. Simulation results show that due to a well bipolar conduction mechanism rather than a channel (fin) conduction path, the transistors with narrower fins exhibit a diminished bipolar amplification effect, while the fin height presents a trivial effect on the bipolar amplification and charge collection. The results also indicate that the single event transient (SET) pulse width can be mitigated about 35% at least by optimizing the ratio of fin width and height, which can provide guidance for radiation-hardened applications in bulk FinFET technology. 展开更多
关键词 fin width and height bipolar amplification single event transient bulk finFET
在线阅读 下载PDF
降糖灵胶囊对胰岛素抵抗大鼠Fins含量的影响
6
作者 姜波 房城 +1 位作者 赵良友 吴娟 《科技创新与应用》 2014年第4期31-31,共1页
目的:观察降糖灵胶囊对小剂量链脲佐菌素加高脂饮食诱导的2型糖尿病胰岛素抵抗(IR)大鼠空腹血糖和空腹胰岛素含量的影响。方法:将72只Wistar雄性大鼠随机分为6组:空白组、模型组、降糖灵胶囊高剂量组、降糖灵胶囊中剂量组、降糖灵胶囊... 目的:观察降糖灵胶囊对小剂量链脲佐菌素加高脂饮食诱导的2型糖尿病胰岛素抵抗(IR)大鼠空腹血糖和空腹胰岛素含量的影响。方法:将72只Wistar雄性大鼠随机分为6组:空白组、模型组、降糖灵胶囊高剂量组、降糖灵胶囊中剂量组、降糖灵胶囊低剂量组和二甲双胍组、每组12只。空白组给予基础饲料,模型组及各给药组注射0.25%链脲佐菌素(STZ)并喂以高脂饲料。常规测定各组大鼠造模前后及给药前后各组空腹血糖(FBG)和空腹胰岛素(Fins)含量。结果:降糖灵胶囊能够有效地改善模型大鼠的糖尿病症状,明显降低大鼠血清中FBG和Fins含量。结论:降糖灵胶囊能明显降低大鼠血清中FBG和Fins水平。 展开更多
关键词 降糖灵胶囊 胰岛素抵抗 FBG finS
在线阅读 下载PDF
FinFET/GAAFET纳电子学与人工智能芯片的新进展 被引量:3
7
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第3期195-209,共15页
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新... 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新进展。在FinFET/GAAFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含Intel的IDM模式、三星和台积电的代工模式3种技术路线,及其覆盖了22、14、10、7和5 nm集成电路纳电子学的5代技术各自的创新特点,以及未来3和2 nm技术节点GAAFET的各种创新结构的前瞻性技术研究。摩尔定律的继续发展将以Si基FinFET和GAAFET的技术发展为主。在AI芯片领域,综述并分析了数字AI芯片和模拟AI芯片的发展现状,包含神经网络云端和边缘计算应用的处理器(图像处理器(GPU)、张量处理器(TPU)和中央处理器(CPU))、加速器和神经网络处理器(NPU)等的计算架构的创新,各种神经网络算法和计算架构结合的创新,以及基于存储中计算新模式的静态随机存取存储器(SRAM)和电阻式随机存取存储器(RARAM)的创新。人工智能芯片的创新发展可弥补后摩尔时代集成电路随晶体管密度上升而计算能力增长缓慢的不足。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管(finFET) 环绕栅场效应晶体管(GAAFET) 互补场效应晶体管(CFET) 人工智能(AI)芯片 图像处理器(GPU) 张量处理器(TPU) 神经网络处理器(NPU) 存储中计算 静态随机存取存储器(SRAM) 电阻式随机存取存储器(RARAM)
在线阅读 下载PDF
FinFET/GAAFET纳电子学与人工智能芯片的新进展(续) 被引量:2
8
作者 赵正平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第4期293-305,共13页
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新... 集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中两大创新发展热点,即鳍式场效应晶体管/环绕栅场效应晶体管(FinFET/GAAFET)纳电子学和基于深度学习新算法的人工智能(AI)芯片,并介绍了其发展历程和近两年的最新进展。在FinFET/GAAFET纳电子学领域,综述并分析了当今Si基CMOS集成电路的发展现状,包含Intel的IDM模式、三星和台积电的代工模式3种技术路线,及其覆盖了22、14、10、7和5 nm集成电路纳电子学的5代技术各自的创新特点,以及未来3和2 nm技术节点GAAFET的各种创新结构的前瞻性技术研究。摩尔定律的继续发展将以Si基FinFET和GAAFET的技术发展为主。在AI芯片领域,综述并分析了数字AI芯片和模拟AI芯片的发展现状,包含神经网络云端和边缘计算应用的处理器(图像处理器(GPU)、张量处理器(TPU)和中央处理器(CPU))、加速器和神经网络处理器(NPU)等的计算架构的创新,各种神经网络算法和计算架构结合的创新,以及基于存储中计算新模式的静态随机存取存储器(SRAM)和电阻式随机存取存储器(RARAM)的创新。人工智能芯片的创新发展可弥补后摩尔时代集成电路随晶体管密度上升而计算能力增长缓慢的不足。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管(finFET) 环绕栅场效应晶体管(GAAFET) 互补场效应晶体管(CFET) 人工智能(AI)芯片 图像处理器(GPU) 张量处理器(TPU) 神经网络处理器(NPU) 存储中计算 静态随机存取存储器(SRAM) 电阻式随机存取存储器(RARAM)
在线阅读 下载PDF
14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模
9
作者 陈寿面 石艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页
随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触... 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻(R_(con))、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻(R_(sp))以及源漏与沟道之间的寄生电阻(R_(ext))。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_(con),R_(sp)和R_(ext)进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。 展开更多
关键词 鳍型场效应晶体管(finFET) 非本征寄生 源漏寄生电阻 建模 TCAD仿真
在线阅读 下载PDF
High crystalline quality of SiGe fin fabrication with Si-rich composition area using replacement fin processing
10
作者 Ying Zan Yong-Liang Li +5 位作者 Xiao-Hong Cheng Zhi-Qian Zhao Hao-Yan Liu Zhen-Hua Hu An-Yan Du Wen-Wu Wang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第8期441-444,共4页
A high crystalline quality of SiGe fin with an Si-rich composition area using the replacement fin processing is systematically demonstrated in this paper.The fin replacement process based on a standard FinFET process ... A high crystalline quality of SiGe fin with an Si-rich composition area using the replacement fin processing is systematically demonstrated in this paper.The fin replacement process based on a standard FinFET process is developed.A width of less than 20-nm SiGe fin without obvious defect impact both in the direction across the fin and in the direction along the fin is verified by using the high angle annular dark field scanning transmission electron microscopy and the scanning moiréfringe imaging technique.Moreover,the SiGe composition is inhomogenous in the width of the fin.This is induced by the formation of 111 facets.Due to the atomic density of the 111 facets being higher,the epitaxial growth in the direction perpendicular to these facets is slower than in the direction perpendicular to 001.The Ge incorporation is then higher on the 111 facets than on the 001 facets.So,an Si-rich area is observed in the central area and on the bottom of SiGe fin. 展开更多
关键词 SIGE selective epitaxial growth finFET replacement fin processing
在线阅读 下载PDF
基于工业以太网FINS通信的配料监管系统设计 被引量:5
11
作者 伍经纹 徐世许 王鹏 《青岛大学学报(工程技术版)》 CAS 2016年第4期52-55,83,共5页
为了对配料现场实现远距离实时监控,本文设计了基于工业以太网FINS通信的配料监管系统。系统由上位计算机和下位机PLC组成,上位机通过以太网使用FINS协议与PLC通信,读取配料信息和状态;下位机通过RS232串口通信读取称重传感器数据,进而... 为了对配料现场实现远距离实时监控,本文设计了基于工业以太网FINS通信的配料监管系统。系统由上位计算机和下位机PLC组成,上位机通过以太网使用FINS协议与PLC通信,读取配料信息和状态;下位机通过RS232串口通信读取称重传感器数据,进而获取反应釜内的质量,控制配料过程。该设计使用VB 6.0中Winsock控件,依据FINS/UDP协议,开发了上位机与下位机通信程序,并采用ADO方式对Access数据库对数据进行保存、查询、导出等操作。该系统能够满足工业远距离实时监控的需求,并成功应用到实际的配料生产过程中。 展开更多
关键词 监管系统 通信 finS协议 以太网
在线阅读 下载PDF
应用PCR-FINS技术鉴定金枪鱼罐头中金枪鱼种类 被引量:4
12
作者 安丽艳 孟镇 +3 位作者 仇凯 钟其顶 杨彤晖 郭新光 《食品与发酵工业》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期159-163,共5页
为考察金枪鱼罐头中DNA降解程度以及鉴定金枪鱼罐头中金枪鱼种类,文中根据鱼类线粒体基因组(m t DNA)细胞色素b(cyt b)基因和12S r DNA基因,利用3对通用引物分别扩增片段大小为358 bp(cyt b)、224bp(12S r DNA)、123bp(cyt b... 为考察金枪鱼罐头中DNA降解程度以及鉴定金枪鱼罐头中金枪鱼种类,文中根据鱼类线粒体基因组(m t DNA)细胞色素b(cyt b)基因和12S r DNA基因,利用3对通用引物分别扩增片段大小为358 bp(cyt b)、224bp(12S r DNA)、123bp(cyt b)的目的片段,同时,基于123 bp线粒体cytb基因片段,通过法医信息核苷酸测序(PCR-FINS)技术来鉴别金枪鱼罐头中金枪鱼的种类,并对17个市售金枪鱼罐头样品进行金枪鱼种类鉴定。结果表明:金枪鱼罐头中DNA降解严重,其片段大小在100~200 bp;该研究建立的PCR-FINS技术,可以实现金枪鱼罐头中金枪鱼种类的准确鉴别;17个市售金枪鱼罐头样品中,58.8%来源于价格低廉的鲣鱼,其次还包括长鳍金枪鱼、青干金枪鱼、扁鮀鲣、鲔鱼。 展开更多
关键词 PCR-finS 金枪鱼罐头 种类鉴定
在线阅读 下载PDF
FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响 被引量:2
13
作者 金林 王菲菲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期481-487,508,共8页
基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的... 基于商用工艺线生产抗辐射器件具有一定的通用性,需要对商用工艺本征的抗辐射能力进行评估。综述了当前最新绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET)和体硅FinFET工艺的鳍宽和敏感面积对辐射效应的影响。SOI FinFET和体硅FinFET工艺的抗总剂量能力随着鳍宽的变化呈现相反的趋势。SOI FinFET的阈值电压漂移和亚阈值摆幅的退化随着鳍宽减小而减小,而体硅FinFET工艺的漏电流随着鳍宽减小而增大。FinFET工艺由于其自身结构的特点,与相同工艺节点下的平面工艺相比,敏感面积更小,抗单粒子翻转能力更好。从整体趋势来看,随着工艺节点的减小,FinFET工艺的本征抗总剂量能力较为可观,而本征抗单粒子翻转能力较差。 展开更多
关键词 鳍式场效应晶体管(finFET) 鳍宽 敏感面积 辐射效应 单粒子翻转
在线阅读 下载PDF
FinFET芯片TEM样品制备及避免窗帘效应方法 被引量:1
14
作者 胡康康 王刘勇 +3 位作者 黄亚敏 郎莉莉 董业民 王丁 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第8期1301-1307,共7页
制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过... 制备高质量纳米尺度芯片透射电子显微镜(TEM)样品对于探索半导体器件结构设计、材料分布与芯片性能之间的关系具有重要的意义。使用聚焦离子束(FIB)/扫描电子显微镜(SEM)双束系统制备14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)截面TEM样品,制备过程中从技术角度提出了两种自下而上制样方案来抑制窗帘效应。为扩大样品的可表征视场范围,在避免样品弯曲的前提下,提出了一种薄片提取方法。结果表明,离子束流越大,窗帘效应越严重,自下而上方法能有效规避窗帘效应;离子束电压30 kV时采用清洗截面(CCS)模式、5 kV/2 kV时采用矩形模式,样品台倾斜补偿角度为1.5°~3.5°,进行交叉减薄,且最终铣削长度控制在1μm时减薄效果最好;新的薄片提取方法改变了样品的铣削方向,在避免窗帘效应破坏感兴趣结构和样品弯曲的前提下,将样品的可表征视场范围扩大了5倍。研究结果对优化TEM样品制备方法以及芯片失效分析提供了参考。 展开更多
关键词 聚焦离子束(FIB) 透射电子显微镜(TEM)样品 14 nm鳍式场效应晶体管(finFET) 窗帘效应 失效分析
在线阅读 下载PDF
CFD simulation of propeller and rudder performance when using additional thrust fins 被引量:17
15
作者 HUANG Sheng ZHU Xiang-yuan +1 位作者 GUO Chun-yu CHANG Xin 《Journal of Marine Science and Application》 2007年第4期27-31,共5页
To analyse a possible way to improve the propulsion performance of ships,the unstructured grid and the Reynolds Average Navier-Stokes equations were used to calculate the performance of a propeller and rudder fitted w... To analyse a possible way to improve the propulsion performance of ships,the unstructured grid and the Reynolds Average Navier-Stokes equations were used to calculate the performance of a propeller and rudder fitted with additional thrust fins in the viscous flow field.The computational fluid dynamics software FLUENT was used to simulate the thrust and torque coefficient as a function of the advance coefficient of propeller and the thrust efficiency of additional thrust fins. The pressure and velocity flow behind the propeller was calculated. The geometrical nodes of the propeller were constituted by FORTRAN program and the NUMBS method was used to create a configuration of the propeller,which was then used by GAMMBIT to generate the calculation model. The thrust efficiency of fins was calculated as a function of the number of additional fins and the attack angles. The results of the calculations agree fairly well with experimental data,which shows that the viscous flow solution we present is useful in simulating the performance of propellers and rudders with additional fins. 展开更多
关键词 PROPELLER rudder with additional thrust fin FLUENT numerical simulation
在线阅读 下载PDF
考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型
16
作者 张峰源 刘凡宇 +5 位作者 李博 李彬鸿 张旭 罗家俊 韩郑生 张青竹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期438-443,共6页
建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等... 建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。 展开更多
关键词 绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(finFET) 电流模型 背栅偏置 耦合效应 耦合系数
在线阅读 下载PDF
4H-SiC基FinFET器件的单粒子瞬态效应研究 被引量:2
17
作者 刘保军 杨晓阔 陈名华 《电子与封装》 2022年第11期68-73,共6页
深入分析新结构、新材料的单粒子瞬态(SET)效应机理是开展抗辐射加固设计的基础和前提。基于Si基14 nm SOI Fin FET器件,构建了4H-Si C基的SET仿真模型。对比分析了不同Fin材料、不同粒子能量对4H-Si C基Fin FET器件SET的影响机理。结... 深入分析新结构、新材料的单粒子瞬态(SET)效应机理是开展抗辐射加固设计的基础和前提。基于Si基14 nm SOI Fin FET器件,构建了4H-Si C基的SET仿真模型。对比分析了不同Fin材料、不同粒子能量对4H-Si C基Fin FET器件SET的影响机理。结果表明,与Si材料相比,4H-Si C材料具有宽禁带的特点和较高的复合率,在高能粒子入射时形成的SET脉冲更小,其瞬态电流峰值及收集电荷量相对Si材料分别下降了79.64%和83.35%,且随着粒子能量的增加,两者与Si材料的差值均呈幂指数增加。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 fin FET器件 4H-Si C 抗辐射
在线阅读 下载PDF
Temperature and drain bias dependence of single event transient in 25-nm FinFET technology 被引量:2
18
作者 秦军瑞 陈书明 +2 位作者 李达维 梁斌 刘必慰 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第8期590-594,共5页
In this paper, we investigate the temperature and drain bias dependency of single event transient (SET) in 25-nm fin field-effect-transistor (FinFET) technology in a temperature range of 0-135 ℃ and supply voltag... In this paper, we investigate the temperature and drain bias dependency of single event transient (SET) in 25-nm fin field-effect-transistor (FinFET) technology in a temperature range of 0-135 ℃ and supply voltage range of 0.4 V- 1.6 V. Technology computer-aided design (TCAD) three-dimensional simulation results show that the drain current pulse duration increases from 0.6 ns to 3.4 ns when the temperature increases from 0 to 135 ℃. The charge collected increases from 45.5 ℃ to 436.9 fC and the voltage pulse width decreases from 0.54 ns to 0.18 ns when supply voltage increases from 0.4 V to 1.6 V. Furthermore, simulation results and the mechanism of temperature and bias dependency are discussed. 展开更多
关键词 fin field-effect transistor single event transient temperature dependence drain bias dependence
在线阅读 下载PDF
A CFD Based Investigation of the Unsteady Hydrodynamic Coefficients of 3-D Fins in Viscous Flow 被引量:3
19
作者 Nazir Zulfiqar 苏玉民 王兆立 《Journal of Marine Science and Application》 2010年第3期250-255,共6页
The motion of the fins and control surfaces of underwater vehicles in a fluid is an interesting and challenging research subject.Typically the effect of fin oscillations on the fluid flow around such a body is highly ... The motion of the fins and control surfaces of underwater vehicles in a fluid is an interesting and challenging research subject.Typically the effect of fin oscillations on the fluid flow around such a body is highly unsteady, generating vortices and requiring detailed analysis of fluid-structure interactions.An understanding of the complexities of such flows is of interest to engineers developing vehicles capable of high dynamic performance in their propulsion and maneuvering.In the present study, a CFD based RANS simulation of a 3-D fin body moving in a viscous fluid was developed.It investigated hydrodynamic performance by evaluating the hydrodynamic coefficients (lift, drag and moment) at two different oscillating frequencies.A parametric analysis of the factors that affect the hydrodynamic performance of the fin body was done, along with a comparison of results from experiments.The results of the simulation were found in close agreement with experimental results and this validated the simulation as an effective tool for evaluation of the unsteady hydrodynamic coefficients of 3-D fins.This work can be further be used for analysis of the stability and maneuverability of fin actuated underwater vehicles. 展开更多
关键词 oscillating 3-D fin RANS hydrodynamic performance viscous flow
在线阅读 下载PDF
金属栅/高k基FinFET研究进展
20
作者 李越 黄安平 +2 位作者 郑晓虎 王玫 肖志松 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第12期775-780,共6页
对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性。结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历程,分析了各阶段FinFET器件的材料特性及其在等比缩... 对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性。结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基以及金属栅/高k基三个阶段综述了Fin-FET器件的发展历程,分析了各阶段FinFET器件的材料特性及其在等比缩小时所面临的关键问题,并着重从延迟时间、可靠性和功耗三方面分析了金属栅/高k基FinFET应用于22 nm器件的性能优势。基于短沟道效应以及界面态对器件性能的影响,探讨了FinFET器件尺寸等比缩小可能产生的负面效应及其解决办法。分析了FinFET器件下一步可能的发展方向,主要为高迁移率沟道材料、立体型栅结构以及基于新原理的电子器件。 展开更多
关键词 finFET 高k介质 金属栅 界面态 等氧化层厚度 短沟道效应
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 103 下一页 到第
使用帮助 返回顶部