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增厚DBR型894 nm窄线宽VCSEL
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作者 范屹梁 孙玉润 +3 位作者 付秋雪 于淑珍 仇伯仓 董建荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期449-454,共6页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSE... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是芯片级原子钟(CSAC)的主流光源,其光束质量会影响CSAC的各项性能。扩展VCSEL内部有效腔长能够以压缩冷腔线宽的方式压窄器件最终辐射激光的线宽,从而可以减小CSAC短时间内的计时频率噪声。根据所计算的VCSEL表面反射谱,将VCSEL中4层下分布式布拉格反射镜(DBR)的厚度由常规的四分之一波长增加至404 nm,压缩了VCSEL冷腔线宽,并生长了对应的外延结构,制备了通过增厚DBR扩展有效腔长的894 nm窄线宽VCSEL。测试结果表明,研制的VCSEL在90℃下波长为893.1 nm,功率为0.335 mW,线宽约为32 MHz,且具有稳定的偏振特性。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 芯片级原子钟(CSAC) 有效腔长 分布式布拉格反射镜(dbr) 线宽
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MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性 被引量:2
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作者 蒋红 金亿鑫 +2 位作者 缪国庆 宋航 元光 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期632-636,共5页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90%。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 MOCVD 半导体材料 磷化铟 磷砷铟镓 布喇格反射镜 X射线衍射 扫描电子显微镜 低温光致发光光谱 反射率 周期数
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扭转 DBR 光纤激光器的偏振特性研究 被引量:1
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作者 张劲松 陈根祥 +3 位作者 赵玉成 魏道平 李唐军 简水生 《铁道学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期105-106,共2页
研究扭转DBR光纤激光器的偏振特性,并导出PMB频率和偏振模方向的解析公式。
关键词 偏振布 分布布拉格反射 光纤激光器 激光器
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AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长 被引量:2
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作者 张冠杰 舒永春 +6 位作者 皮彪 姚江宏 林耀望 舒强 刘如彬 王占国 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期977-981,共5页
对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之... 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜 理论计算 优化生长 高反射率
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DBR掺镱光纤激光器激射波长的研究 被引量:1
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作者 冯新焕 范万德 +2 位作者 袁树忠 开桂云 董孝义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1417-1420,共4页
对基于一少量模光纤光栅和一普通光纤光栅的分布布喇格反射掺镱光纤激光器的激射波长进行了详细研究通过对普通布喇格光栅的中心波长进行调谐,发现激射波长始终是由两光栅卷积的最大值所确定的等效反射峰值相对光栅反射峰值的偏移以及... 对基于一少量模光纤光栅和一普通光纤光栅的分布布喇格反射掺镱光纤激光器的激射波长进行了详细研究通过对普通布喇格光栅的中心波长进行调谐,发现激射波长始终是由两光栅卷积的最大值所确定的等效反射峰值相对光栅反射峰值的偏移以及激射波长相对等效反射峰值的偏移两种机理共同决定的。 展开更多
关键词 少量模光纤光栅 光纤布喇格光栅 分布布喇格反射 掺镱光纤激光器 激射波长
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MOCVD-Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InPDBR结构的晶格振动 被引量:2
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作者 蒋红 宋航 缪国庆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期967-970,共4页
利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.1... 利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。在InP衬底上生长的与InP晶格匹配的四元合金Ga0.4In0.6As0.85P0.15中包含三种主要的振动模式,分别归属于类InAs、类GaAs和类GaInP。随着Ga0.4In0.6As0.85P0.15与InP交替生长构成的DBRs结构周期数增加,Raman散射谱中三种振动模式的谱线线型发生明显变化,类InAs振动强度不变,谱线窄化,峰值位置向低频方向移动,类GaAs和类GaInP振动强度逐渐减弱。同时类InAs与类GaAs振动强度比增大。Raman散射研究中声子的限制效应表明多层结构生长过程中界面存在非完整晶态。 展开更多
关键词 MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InP dbr 分布布喇格反射镜结构 RAMAN散射 晶格振动
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大功率垂直腔面发射激光器中减小p-DBR串联电阻的途径 被引量:3
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作者 张建伟 宁永强 +8 位作者 王贞福 李特 崔锦江 张岩 刘光裕 张星 秦莉 刘云 王立军 《中国光学与应用光学》 2009年第1期65-70,共6页
为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了... 为了使垂直腔面发射激光器(VCSEL)实现大功率、高效率的激光输出,对p型分布布喇格反射镜(DBR)形成的同型异质结在界面处存在大势垒导致的高串联电阻和严重发热现象进行了研究。为降低串联电阻,实现VCSEL在室温下的大功率连续发射,分析了p型DBR异质结的势垒结构,对突变异质结的串联电阻进行了计算分析,提出降低势垒高度以及增加扩散浓度是减小串联电阻的主要途径,而漏斗状的掺杂能有效降低体电阻;通过对梯度渐变异质结的分析得出缓变结能有效降低势垒高度;而用Matlab对能带图的数值分析表明,Al0.1Ga0.9As/AlAs接触层中Al组分采取双曲线形式的渐变也能有效降低势垒高度,即降低串联电阻;此外,对于渐变区缓变结的比较表明,采用20~25nm的渐变区宽度即可以得到比较低的势垒高度,同时也不会对DBR的反射率有太大的影响,是较合适的选择。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 p型分布布喇格反射镜 渐变异质结 势垒高度 串联电阻 泊松方程
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MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究
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作者 蒋红 金亿鑫 +1 位作者 宋航 缪国庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1030-1034,共5页
本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引... 本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。 展开更多
关键词 MOCVD 分布布喇格反射镜 反射率
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一种新型的CG-DBR光纤激光器
9
作者 张劲松 赵玉成 +3 位作者 秦玉文 陈根祥 魏道平 简水生 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期5-7,共3页
利用耦合模理论和数值方法,对高斯型耦合系数线性啁啾光栅分布布喇格反射(CG-DBR)结构光纤激光器的特性进行分析,得到了阈值增益和纵模谱,并与均匀光栅,常耦合系数线性啁啾光栅DBR光纤激光器进行了比较。为进一步的设计... 利用耦合模理论和数值方法,对高斯型耦合系数线性啁啾光栅分布布喇格反射(CG-DBR)结构光纤激光器的特性进行分析,得到了阈值增益和纵模谱,并与均匀光栅,常耦合系数线性啁啾光栅DBR光纤激光器进行了比较。为进一步的设计与制作提供了理论指导。 展开更多
关键词 啁啾光栅 分布布喇格反射 光纤激光器
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渐变型DBR的数值模拟以及SPS型DBR的设计
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作者 苏伟 钟钢 《系统仿真学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期2231-2232,2250,共3页
利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,提出了腔膜由于受到有源区折射率变化的影响而偏移的结论,并用数值模拟加... 利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数值模拟,并与实验结果进行了比较,提出了腔膜由于受到有源区折射率变化的影响而偏移的结论,并用数值模拟加以验证。最后利用这种方法设计了一种带有短周期超晶格(ShortPeriodSuperlattices,SPSs)结构的新型DBR,并对新型DBR进行数值模拟,同时把它与渐变折射率型DBR进行了比较。 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜(dbr) 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 数值模拟 短周期超晶格(SPSs)
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单频DBR光纤激光器的设计
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作者 张劲松 赵玉成 +3 位作者 谢增华 魏道平 李唐军 简水生 《光通信研究》 北大核心 1998年第2期50-52,共3页
基于速率方程理论,给出DBR光纤激光器单模运转的条件,并通过对光栅反射特性的分析及一些近似处理,进行了具体设计。对实际制作具有理论指导意义。
关键词 速率方程 分布布拉格反射 光纤激光器
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基于DBR的窄线宽光纤激光器研究进展
12
作者 赵灏 韦佳天 +1 位作者 宋子航 胡放荣 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期495-500,共6页
分布式布拉格反射镜(DBR)线性腔结构因其腔长较短、结构简单,具有工作稳定、不易跳模、抗干扰能力强和易于实现全光纤化的优点。因此,DBR单频光纤激光器是目前实现单频激光输出的主要选择。本文首先回顾了DBR窄线宽光纤激光器自诞生以... 分布式布拉格反射镜(DBR)线性腔结构因其腔长较短、结构简单,具有工作稳定、不易跳模、抗干扰能力强和易于实现全光纤化的优点。因此,DBR单频光纤激光器是目前实现单频激光输出的主要选择。本文首先回顾了DBR窄线宽光纤激光器自诞生以来发展的历程,介绍了在实际应用需求的牵引下催生出的新技术和新思路。然后,归纳了近年来DBR窄线宽光纤激光器的国内外研究进展。最后,讨论了当前面临的问题与挑战,并对未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 光纤激光器 窄线宽 分布反馈布拉格反射镜 单频
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偏振可控制的单频DBR光纤激光器
13
作者 张劲松 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2009年第11期47-49,共3页
利用直接写在掺铒光纤上的一对光栅提供光反馈构成谐振腔,研制出了DBR光纤激光器;采用偏振控制器调节输出光的偏振态,分别观察到了与2个光栅Bragg波长对应的单频激光输出。泵浦功率68.8mW时得到了4.3mW的激光输出。对其调制特性进行了... 利用直接写在掺铒光纤上的一对光栅提供光反馈构成谐振腔,研制出了DBR光纤激光器;采用偏振控制器调节输出光的偏振态,分别观察到了与2个光栅Bragg波长对应的单频激光输出。泵浦功率68.8mW时得到了4.3mW的激光输出。对其调制特性进行了研究。 展开更多
关键词 单频光纤激光器 分布反馈 分布布喇格反射 偏振控制
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1064nm超短腔DBR单频掺镱硅酸盐光纤激光器 被引量:4
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作者 黄金 孙博 +2 位作者 贾静 张学强 白晋涛 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期81-86,共6页
提出了一种基于高掺杂硅酸盐增益光纤、输出波长为1 064nm的超短腔单频光纤激光器.该单频光纤激光器采用分布布拉格反射式腔型结构,有效腔长为2cm,其增益介质为1.1cm长的高浓度掺Yb3+光纤.通过恰当的温度控制,获得了线宽为4.8kHz的稳定... 提出了一种基于高掺杂硅酸盐增益光纤、输出波长为1 064nm的超短腔单频光纤激光器.该单频光纤激光器采用分布布拉格反射式腔型结构,有效腔长为2cm,其增益介质为1.1cm长的高浓度掺Yb3+光纤.通过恰当的温度控制,获得了线宽为4.8kHz的稳定单频激光输出.当注入泵浦光为378mW时,输出功率为13mW,斜效率为3.4%.在频率大于1 MHz时,测得该光纤激光器的相对噪声强度值约为-132dB/Hz.采用主振荡功率放大结构,对该单频光纤激光器的输出功率进行放大.当放大增益光纤长度选取为56cm时,得到了325mW的最大输出功率,其斜效率为52.8%. 展开更多
关键词 光纤激光器 单频 分布布拉格反射式 掺镱硅酸盐光纤 超短腔 主振荡功率放大
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基于DBR结构的蓝光及白光GaN LED的制备及光学性能改善 被引量:1
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作者 胡涛 朱友华 +2 位作者 钟岱山 王美玉 李毅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第1期18-24,共7页
为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过9... 为改善GaN基发光二极管(LED)的光学性能,设计并制备了具有高反射率与宽反射带宽的SiO_(2)/Ti3O5分布式布拉格反射镜(DBR)结构的蓝光和白光GaN LED。制备了具有不同周期数的DBR结构,其中,17周期DBR结构在400~660 nm波长内平均反射率超过99.3%,其反射带宽度达到231 nm。测试并比较了封装后的基于DBR结构的LED芯片的电学与光学特性。通过电流-光输出功率(I-L)特性测试,发现具有17周期DBR结构的蓝光LED的光输出功率比5周期的提升了6.7%,而白光LED的光输出功率则提升了9.7%。在约100 mA的直流注入电流下,蓝光和白光LED的最大光输出功率分别达到134.9 mW和108.4 mW。 展开更多
关键词 GaN发光二极管(LED) 离子辅助沉积 分布式布拉格反射镜(dbr) 光输出功率 平均反射率
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宽可调谐SG-DBR激光器波长测试控制系统 被引量:1
16
作者 邓小波 赵华凤 +3 位作者 俞涛 何熙 马晓红 周开军 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期78-81,共4页
采用传统设备结合虚拟仪器的方法,研制了一套宽可调谐取样光栅DBR(SampledGratingDBR,SG-DBR)激光器的波长测试控制系统。系统能自动向SG-DBR激光器提供电流扫描,同时对激光器输出的光谱数据进行采集、处理,生成SG-DBR激光器的“波长-... 采用传统设备结合虚拟仪器的方法,研制了一套宽可调谐取样光栅DBR(SampledGratingDBR,SG-DBR)激光器的波长测试控制系统。系统能自动向SG-DBR激光器提供电流扫描,同时对激光器输出的光谱数据进行采集、处理,生成SG-DBR激光器的“波长-电流”数据查询表;通过快速查找数据查询表数据,并对激光器提供相应驱动电流,准确控制SG-DBR激光器输出波长。系统数据处理采用了一种新颖的算法,利用输出光边模抑制比(SMSR)来筛选激光器模式稳定工作点,确保数据查询表中的工作点数据均不会发生模式跳变。实验证明,本系统稳定、可靠,波长控制精度高,波长控制误差不超过±0.02nm。 展开更多
关键词 可调谐激光器 波长控制 SG-dbr激光器 虚拟仪器
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AlGaInN/InGaN应变补偿DBR结构设计 被引量:1
17
作者 张君华 贾志刚 +3 位作者 董海亮 臧茂荣 梁建 许并社 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期452-459,共8页
设计了中心波长为520 nm的AlGaInN/InGaN应变补偿分布布拉格反射镜(DBR)结构,通过调节组分参数实现应变补偿,使DBR整体应变为0,采用传输矩阵法,计算了Al_(0.7)Ga_(0.3-x)In x N/InGaN DBR、Al_(0.8)Ga_(0.2-x)In x N/InGaN DBR、Al_(0.9... 设计了中心波长为520 nm的AlGaInN/InGaN应变补偿分布布拉格反射镜(DBR)结构,通过调节组分参数实现应变补偿,使DBR整体应变为0,采用传输矩阵法,计算了Al_(0.7)Ga_(0.3-x)In x N/InGaN DBR、Al_(0.8)Ga_(0.2-x)In x N/InGaN DBR、Al_(0.9)Ga_(0.1-x)In x N/InGaN DBR的反射光谱。通过对DBR结构参数进行对比,优化了其结构和反射性能。首先对比高低折射率层生长顺序,发现对于Al_(0.8)Ga_(0.14)In_(0.06)N/In_(0.123)Ga_(0.877)N DBR,先生长高折射率层时,反射率高达99.61%,而先生长低折射率层时,反射率仅为97.73%;然后对比奇数层DBR和偶数层DBR,发现两者的反射谱几乎重合,没有显著区别;通过研究DBR对数对反射率的影响,发现对数在20~30对时,反射率随着对数的增加明显上升,30~40对时反射率增长缓慢;最后研究了材料组分对反射谱的影响,发现Al组分高的DBR折射率差大,反射性能更优,而相同Al组分的AlGaInN中In含量越低反射率越高。考虑到DBR制备过程中可能出现的厚度和组分偏差,模拟了厚度和组分出现偏差时反射谱的变化,发现高低折射率层厚度每增加或减少1 nm,反射谱红移或蓝移4~5 nm;而组分的偏差使高反射带带宽和中心波长处反射率发生明显变化。本文的研究为AlGaInN/InGaN DBR的设计和制备提供了一定的理论参考。 展开更多
关键词 AlGaInN INGAN 应变补偿 分布布拉格反射镜 厚度偏差 组分偏差
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偏振正交双频DBR腐蚀声发射传感器研究 被引量:1
18
作者 严雪莹 曾周末 封皓 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期862-866,共5页
为了实现基于光纤传感器的金属腐蚀在线监测,以金属Q235腐蚀声发射在线监测为目标,采用分布式布喇格反射(DBR)光纤激光器作为腐蚀声发射传感器的方法,通过对偏振正交DBR光纤激光器的工作机理及模型进行研究,分析了偏振正交双频DBR激光... 为了实现基于光纤传感器的金属腐蚀在线监测,以金属Q235腐蚀声发射在线监测为目标,采用分布式布喇格反射(DBR)光纤激光器作为腐蚀声发射传感器的方法,通过对偏振正交DBR光纤激光器的工作机理及模型进行研究,分析了偏振正交双频DBR激光器用于腐蚀声发射传感器的谐振腔参量对其性能影响的规律,并进行了基于偏振正交双频DBR激光器的声发射检测实验,实现了偏振正交DBR光纤激光器的优化设计,提出了表征Q235碳钢腐蚀阶段的特征量。结果表明,偏振正交DBR光纤激光器不仅能实现对金属腐蚀声信号的检测,其检测频带范围为0MHz^1MHz,还能实现通过平均拍频值的变化来表征金属腐蚀主要的3个腐蚀阶段。该研究为偏振正交DBR腐蚀声发射传感器及组网的优化设计与制作提供了理论和技术基础,对金属腐蚀特别是核级关键材料的在线腐蚀监测具有重要意义。 展开更多
关键词 光纤光学 分布式布喇格反射声发射传感器 正交解析 新型传感器
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基于IA型FBG的DBR高温阻抗激光器研究 被引量:1
19
作者 黄炳森 陈铭 +2 位作者 林焯城 黄诗雯 刘伟平 《光通信技术》 北大核心 2017年第10期13-15,共3页
设计制造了一种基于IA型光纤布喇格光栅(FBG)的分布式布喇格反射(DBR)高温光纤激光器。首先刻写了IA型FBG并对其制作过程与耐高温特性进行了分析。然后,将泵浦光用波分复用器(WDM)与刻写了一对IA型FBG后形成的谐振腔相连接,形成DBR激光... 设计制造了一种基于IA型光纤布喇格光栅(FBG)的分布式布喇格反射(DBR)高温光纤激光器。首先刻写了IA型FBG并对其制作过程与耐高温特性进行了分析。然后,将泵浦光用波分复用器(WDM)与刻写了一对IA型FBG后形成的谐振腔相连接,形成DBR激光输出。最后,对所制激光器进行了高温的稳定性测试并对结果进行分析。 展开更多
关键词 IA-型光纤光栅 dbr激光器 高温传感
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基于硅波导分布布拉格取样光栅的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列
20
作者 贾艳青 王海玲 +2 位作者 孟然哲 张建心 周旭彦 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期104-114,共11页
提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子... 提出了一种波长间隔0.8 nm的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列。在四通道硅波导表面设计了两组分布布拉格取样光栅,分别作为前反射镜和后反射镜,形成Ⅲ-V/Si激光器的谐振腔。优化设计分布布拉格取样光栅的参数,选择四个通道的取样光栅的一阶子光栅对应的波长进行振荡和输出。采用直接晶片键合技术,将图案化的绝缘体上硅晶片和Ⅲ-V外延晶片非集成在一起,实现了Ⅲ-V波导与硅波导的自对准和高效倏逝波耦合。在室温下连续波条件下,制备的四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列的硅波导输出功率均大于0.7 mW@60 mA,阈值电流均小于25 mA,激射波长分别为1 569.64 nm、1 570.45 nm、1 571.27 nm和1 572.08 nm,波长间距为0.8 nm±0.2 nm。这种四通道Ⅲ-V/Si激光器阵列经优化后可应用于密集波分复用硅光学系统。 展开更多
关键词 取样光栅 分布布拉格反射 直接晶片键合 硅基激光器阵列 异质集成 倏逝波耦合
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