黄色生长态LiInSe_(2)晶体组分调控与生长坩埚材质选择

1

作者 郑植 张哲人 +2 位作者 张睿 朱孟花 徐亚东 《哈尔滨工业大学学报》 北大核心 2025年第2期73-77,共5页

LiInSe_(2)(LIS)晶体是一种可以在室温下使用的直接型热中子探测用半导体材料,为此,提出采用垂直布里奇曼法生长LiInSe_(2)晶体,通过对合料工艺及生长用坩埚材质的优化,成功制备出红色以及黄色生长态LiInSe_(2)晶体,并对晶体的结构特征... LiInSe_(2)(LIS)晶体是一种可以在室温下使用的直接型热中子探测用半导体材料,为此,提出采用垂直布里奇曼法生长LiInSe_(2)晶体,通过对合料工艺及生长用坩埚材质的优化,成功制备出红色以及黄色生长态LiInSe_(2)晶体,并对晶体的结构特征、元素相对摩尔分数、光学特性以及宏观夹杂相开展了研究。结果表明:通过改进的低温合料技术,并额外添加3%(质量分数)的Li以及0.0027 mol的Se可以稳定获得组分可控的黄色LiInSe_(2)多晶料;同时发现利用石墨坩埚并且引入合适的坩埚加速旋转技术(ACRT)可以得到高质量的中子探测用LiInSe_(2)晶体;利用透过光谱计算得到不同方法生长的黄色晶体的光学禁带宽度接近,约为2.8 eV;生长得到的黄色晶体中夹杂相的尺寸为5~10μm,密度约为3.50×10^(3)/cm^(2)。 展开更多

关键词 LiInSe_(2) 黄色生长态 组分调控 晶体生长 坩埚材质

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基于熔体控速滴铸法制备分米级高纯镁单晶的工艺探索

2

作者 刘博宇 黄鑫垚 +5 位作者 马欣金 郑芮 李峣峰 李玖章 肖鹏 单智伟 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期981-987,共7页

金属镁具有密排六方晶体结构,其力学性能和物理化学性能具有明显的各向异性。高纯镁单晶是研究镁沿不同晶向的力学性能、腐蚀行为及导电导热等物理化学性能的理想材料。目前,高纯镁单晶常需进口,其价格昂贵,购买手续繁琐,且所能购置的... 金属镁具有密排六方晶体结构,其力学性能和物理化学性能具有明显的各向异性。高纯镁单晶是研究镁沿不同晶向的力学性能、腐蚀行为及导电导热等物理化学性能的理想材料。目前,高纯镁单晶常需进口,其价格昂贵,购买手续繁琐,且所能购置的单晶尺寸一般为厘米级甚至更小,难以满足批量化的力学和物理性能测试需求。提出了一种基于熔体控速滴铸法的高纯镁单晶生长方法,并探索了原料纯度、结晶坩埚结构及温度设置等因素对晶体生长的影响规律。应用该方法及装置,成功制备了纯度为99.99%(质量分数)的分米级尺寸高纯镁单晶体。 展开更多

关键词 高纯镁 单晶 熔体控速滴铸法 晶体生长

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低温碳化法制备高分散性纳米碳酸钙的研究 被引量：1

3

作者 邢佳斌 李威 +3 位作者 贾松岩 马亚丽 李雪 郑强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期864-872,共9页

以石灰石为原料,采用低温碳化法制备了高分散性纳米碳酸钙。通过XRD、SEM、TEM等对纳米碳酸钙样品进行表征,考察了浆料比、碳化温度、CO_(2)通气速率、陈化时间、晶型控制剂对纳米碳酸钙粒径和分散程度的影响。研究结果表明,制备纳米碳... 以石灰石为原料,采用低温碳化法制备了高分散性纳米碳酸钙。通过XRD、SEM、TEM等对纳米碳酸钙样品进行表征,考察了浆料比、碳化温度、CO_(2)通气速率、陈化时间、晶型控制剂对纳米碳酸钙粒径和分散程度的影响。研究结果表明,制备纳米碳酸钙的最佳工艺条件为:浆料比为5%,碳化温度为15℃,CO_(2)通气速率为200 mL/min,陈化时间2 h,并选用ZnCl_(2)为添加剂。在此条件下,制得晶粒尺寸为25~35 nm、分布均匀的立方体状纳米碳酸钙。结合Materials Studio对纳米碳酸钙的生长机理进行了分析,结果表明:碳酸钙的(104)和(116)2个晶面具有热力学稳定性,最终会成为顽强显露的晶面,促使生成立方体型纳米碳酸钙。 展开更多

关键词 石灰石 纳米碳酸钙 低温碳化法 晶体生长 生长机理 晶型控制剂

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大尺寸CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)晶体生长和光电性能表征

4

作者 孙元龙 胡子钰 郑国宗 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1313-1318,共6页

卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料,具有材料廉价和光电转换性能优异的优点,基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向,但其具有形态无序、杂质较多的缺点,而单晶具有无晶界、低缺陷的特点... 卤化物钙钛矿材料作为一种新型的半导体材料,具有材料廉价和光电转换性能优异的优点,基于该材料的各类光电器件已经开始逐步应用。虽然多晶薄膜仍然是主要的研究方向,但其具有形态无序、杂质较多的缺点,而单晶具有无晶界、低缺陷的特点,因此基于大尺寸单晶的研究开始被广泛关注。本文设计了一套内外反控温循环过滤生长装置,采用逆温结晶和籽晶相结合的方法制备了直径大于60 mm的CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶,对晶体样品进行了物相、微观形貌、光学和电学性能的研究。该晶体属于立方晶系,空间群为Pm3m;紫外-可见吸收光谱显示吸收截止边约为576 nm,荧光发射谱峰值552 nm;摇摆曲线显示晶体(100)晶面半峰全宽为91.42″。切割抛光后的晶片光响应灵敏,开关比为2.4×10^(3)。 展开更多

关键词 CH_(3)NH_(3)PbBr_(3)单晶 卤化物钙钛矿 内外反控温循环过滤 晶体生长 光电性能 逆温结晶

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实时控制过饱和度降温法生长KDP晶体 被引量：7

5

作者 王圣来 付有君 +3 位作者 孙洵 李义平 曾红 高樟寿 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期37-44,共8页

用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种... 用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长ＫＤＰ晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系．用分析纯原料生长ＫＤＰ晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低．过饱和度实时控制系统可以使ＫＤＰ晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值． 展开更多

关键词 过饱和度 晶体质量 实时控制 KDP晶体 降温法 晶体生长

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CZ单晶炉单晶等径生长计算机控制系统 被引量：5

6

作者 刘曙光 李润源 《机电工程》 CAS 1999年第2期17-19,共3页

介绍了ＣＺ单晶炉单晶等径生长计算机控制系统的硬件结构和软件设计原理。

关键词 单晶等径生长 CZ单晶炉 计算机控制系统

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微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究 被引量：2

7

作者 宋晓佳 何晔 +3 位作者 屈菁菁 丁雨憧 付昌禄 陈川贵 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第2期241-243,共3页

该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式... 该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。 展开更多

关键词 微下拉法 光纤 单晶炉 晶体生长 自动控制

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多加热区晶体炉温场控制研究 被引量：2

8

作者 罗军 王锦昌 +4 位作者 范世 谈晓臣 张中礼 崔维鑫 黄良甫 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期228-,共1页

在一台包含多个加热区的晶体生长实验炉中进行了温场控制实验研究。此炉的炉膛由 7个结构完全相同的陶瓷管电阻式加热器串行排列组成 ,各加热器间有隔热层 ,从而形成 7个加热区。 7对热电偶分别安装在各加热器中部管内壁上。此炉配备以I... 在一台包含多个加热区的晶体生长实验炉中进行了温场控制实验研究。此炉的炉膛由 7个结构完全相同的陶瓷管电阻式加热器串行排列组成 ,各加热器间有隔热层 ,从而形成 7个加热区。 7对热电偶分别安装在各加热器中部管内壁上。此炉配备以Intel 80c31为核心的计算机温度控制及数据采集系统。该系统采用数字PID方式独立调节 7个加热区的温度 ,从而可以编程实现多种精密控制的静态和动态温场模式 :( 1 )实现高均匀度的等温温场 ,且温场的温度可以匀速升高或降低 ;( 2 )可以用相邻的 3至 4个加热区形成近似线性的梯度温场 ;( 3)通过控制形成温度梯度的加热器和其它加热器有序的匀速降温过程 ,实现梯度温区沿炉膛轴向等速移动 ,在坩埚静止的条件下完成晶体生长。此炉工作温度小于 90 0℃ ,控温精度为± 0 .5℃ (稳态 ) /± 1 .0℃ (降温 ) ,温度梯度范围为0℃ /cm～ 2 0℃ /cm ,降温速率≤ 1℃ /min(晶体生长速率≤ 1 5mm/h)。此炉有望成为一种新型的高精度、多用途材料加工装置。 展开更多

关键词 晶体生长 生长炉 温场控制

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等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的应用 被引量：16

9

作者 孙军 孔勇发 +6 位作者 李兵 张玲 刘士国 黄自恒 瓮松峰 舒永春 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期305-309,共5页

分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素 ,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法 ,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题 ,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果。生长的 76mm直径的铌酸锂晶体 ,... 分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素 ,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法 ,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题 ,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果。生长的 76mm直径的铌酸锂晶体 ,生长条纹问题得到很大改善 ,光学均匀性提高了一个量级以上。 展开更多

关键词 等径控制系统 铌酸锂 生长工艺 晶体提拉法 控制器

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激光晶体炉上称重法自动直径控制(ADC)技术 被引量：4

10

作者 董淑梅 李言 +2 位作者 李留臣 王庆 楚波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1141-1145,共5页

自动直径控制(ADC)技术是直拉法晶体生长设备的一项动直径控制方法,并从理论上分析了上称重法自动直径控制(ADC)原理,着重介绍了在传统TDL-J50A及TDL-J60激光晶体炉上自主开发的上称重法自动直径控制系统的机械结构及控制系统.使用上称... 自动直径控制(ADC)技术是直拉法晶体生长设备的一项动直径控制方法,并从理论上分析了上称重法自动直径控制(ADC)原理,着重介绍了在传统TDL-J50A及TDL-J60激光晶体炉上自主开发的上称重法自动直径控制系统的机械结构及控制系统.使用上称重法自动直径控制系统已成功地生长出φ51～76mmYAG晶体及φ51～76mm铌酸锂晶体,取得了良好的控制效果. 展开更多

关键词 激光晶体炉 自动直径控制 上称重法

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多温区空间晶体生长炉的解耦预测控制研究 被引量：3

11

作者 于强 王刚 +2 位作者 秦琳琳 郑涛 吕旭涛 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1947-1950,1973,共5页

通过传热机理分析,推导出了多温区晶体生长炉的简化线性模型,使用递推最小二乘法辨识了模型参数。研究了解耦预测控制,改进了预测控制性能指标的选取方法,不需要在线调节前馈增益矩阵,提高了控制的实时性。对系统进行控制仿真,结果表明... 通过传热机理分析,推导出了多温区晶体生长炉的简化线性模型,使用递推最小二乘法辨识了模型参数。研究了解耦预测控制,改进了预测控制性能指标的选取方法,不需要在线调节前馈增益矩阵,提高了控制的实时性。对系统进行控制仿真,结果表明,该控制方法具有良好的控制精度,为该方法的实际应用奠定了基础。 展开更多

关键词 多温区晶体生长炉 机理建模 解耦控制 预测控制

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不同离子对氧化锌晶体形貌的影响 被引量：4

12

作者 张艳辉 田彦文 +1 位作者 邵忠财 李慧莉 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期673-676,共4页

以不同Zn盐Zn(CH3COO)2.2H2O,ZnCl2,ZnSO4.7H2O,Zn(NO3)2.6H2O与不同碱NaOH,KOH为原料,制得Zn(OH)42-前驱溶液,使之在水热环境下分解,生成ZnO晶体.产物通过全自动X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,扫描电子显微镜(SEM)观测ZnO晶体的形貌和... 以不同Zn盐Zn(CH3COO)2.2H2O,ZnCl2,ZnSO4.7H2O,Zn(NO3)2.6H2O与不同碱NaOH,KOH为原料,制得Zn(OH)42-前驱溶液,使之在水热环境下分解,生成ZnO晶体.产物通过全自动X射线衍射仪(XRD)进行物相分析,扫描电子显微镜(SEM)观测ZnO晶体的形貌和大小.170℃,溶液中的阴离子CH3COO-,SO42-,NO3-,Cl-分别与Na+构成干扰离子对,伴随着晶体生长12 h,晶体成长为片球集状、极性生长明显的花状、极性生长不明显的花状、小尺寸花状ZnO晶体;140℃,溶液中阳离子Na+,K+分别与CH3COO-作为离子对,干扰晶体生长,12 h后制备了纳米针状、纳米片状ZnO晶体.通过对SEM图像分析可知,溶液中存在的干扰离子,对ZnO晶体的形貌和尺寸有很大影响,对干扰离子的干扰机理进行简单分析. 展开更多

关键词 干扰离子 ZNO晶体 水热形貌 控制生长

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多温区空间晶体生长炉温度系统积分滑模变结构控制 被引量：1

13

作者 于强 石春 +2 位作者 吕旭涛 秦琳琳 岳大志 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1667-1670,1674,共5页

多温区空间晶体生长炉温度系统是多输入多输出、强耦合对象。晶体生长要求对炉温进行精密控制,为抑制各温区间的耦合作用,提出一种积分滑模变结构控制器,利用其对匹配扰动的不变性实现解耦,同时,该控制器的积分作用可以有效减小系统稳... 多温区空间晶体生长炉温度系统是多输入多输出、强耦合对象。晶体生长要求对炉温进行精密控制,为抑制各温区间的耦合作用,提出一种积分滑模变结构控制器,利用其对匹配扰动的不变性实现解耦,同时,该控制器的积分作用可以有效减小系统稳态误差。仿真结果显示该方法是有效的。 展开更多

关键词 多温区空间晶体生长炉 解耦控制 积分滑模变结构控制 匹配条件

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准单畴YBCO超导体工艺性能研究和微观分析 被引量：2

14

作者 沙建军 郁金南 +2 位作者 郁刚 韩华 罗金汉 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2001年第2期116-120,共5页

采用熔融织构生长法 (MTG)结合顶部籽晶工艺 (TSP)制备了不同Y 2 11粒子含量的准单畴熔融织构的YBCO块材 ,样品致密度高 ,机械强度好。VSM测量结果表明 :样品在 30K、0 6T下 ,临界电流密度JC 达到 1 2 3× 10 6A/cm2 ;在 70K、2T下... 采用熔融织构生长法 (MTG)结合顶部籽晶工艺 (TSP)制备了不同Y 2 11粒子含量的准单畴熔融织构的YBCO块材 ,样品致密度高 ,机械强度好。VSM测量结果表明 :样品在 30K、0 6T下 ,临界电流密度JC 达到 1 2 3× 10 6A/cm2 ;在 70K、2T下 ,JC 为 1 35× 10 4 A/cm2 ,且JC 对磁场不敏感。SEM分析结果表明 :Y 2 11相的掺杂能够改善织构样品的生长状况 ,同时 ,掺杂的Y 2 11粒子又能作为强的钉扎中心 ;所制备的样品中Y 2 11粒子分布越均匀 ,尺寸越小 。 展开更多

关键词 准单畴 熔融织构 YBCO超导体 临界电流密度 钉扎中心 聚变堆材料 熔融织构生长法

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蛋白质晶体的优化生长 被引量：8

15

作者 舒占永 毕汝昌 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第5期396-401,共6页

蛋白质晶体的优化生长是获得高质量蛋白质晶体 ,进而得到高精度晶体结构的有效途径 .针对不同的晶体生长方法 ,已尝试了不同的优化手段 ,这对改善某些蛋白质晶体的质量显示了明显的成效 .然而 ,鉴于蛋白质晶体生长的多样性与复杂性 ,这... 蛋白质晶体的优化生长是获得高质量蛋白质晶体 ,进而得到高精度晶体结构的有效途径 .针对不同的晶体生长方法 ,已尝试了不同的优化手段 ,这对改善某些蛋白质晶体的质量显示了明显的成效 .然而 ,鉴于蛋白质晶体生长的多样性与复杂性 ,这些方面均未发展成为实用的技术 .文章综述了这类研究进展 ,分析了各手段的利弊 ,并指出了应着重解决的问题 . 展开更多

关键词 蛋白 蛋白质晶体 优化生长

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模糊自整定PID在单晶炉温度控制中的仿真 被引量：9

16

作者 雷华桢 王东方 郑凤琴 《机械设计与制造》 北大核心 2009年第10期143-145,共3页

针对焦炉温度大惯性、纯滞后、非线性和时变性等特点,结合PID和模糊控制两者的优点,提出了一种模糊自整定PID控制方法。对模糊自整定PID算法进行了理论分析,对焦炉生产的简化模型做了仿真研究。结果表明,采用模糊自整定PID控制,系统的... 针对焦炉温度大惯性、纯滞后、非线性和时变性等特点,结合PID和模糊控制两者的优点,提出了一种模糊自整定PID控制方法。对模糊自整定PID算法进行了理论分析,对焦炉生产的简化模型做了仿真研究。结果表明,采用模糊自整定PID控制,系统的调节时间缩短,响应速度加快,抗干扰能力和适应参数变化的能力都优于常规PID控制,具有更好的动态特性和稳定性,有效减少了炉温的波动。 展开更多

关键词 模糊控制 PID 单晶炉 仿真

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超细碳酸钙粉体的制备 被引量：2

17

作者 任丽英 张群 李倩倩 《应用化工》 CAS CSCD 2014年第5期850-852,共3页

以CaCl2和(NH4)2CO3为原料,采用气相扩散法合成碳酸钙晶体。通过添加合适的晶形控制剂,选择适当的用量,合成了花生状碳酸钙晶体。用发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)进行了表征,结果表明,当控制剂柠檬酸钠用量在10 mmol/L时... 以CaCl2和(NH4)2CO3为原料,采用气相扩散法合成碳酸钙晶体。通过添加合适的晶形控制剂,选择适当的用量,合成了花生状碳酸钙晶体。用发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)进行了表征,结果表明,当控制剂柠檬酸钠用量在10 mmol/L时,生成的花生状碳酸钙粒子粒度分布均匀,在700 nm左右,且粒子分散性良好。并对花生状碳酸钙粒子的形成机理进行了探讨。 展开更多

关键词 晶形控制 合成 晶体生长 形貌

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直拉法晶体生长的晶体形状控制算法 被引量：2

18

作者 王岩 康明 李敏远 《兵工自动化》 2006年第1期58-59,共2页

直拉法晶体形状控制采用Bardsley算法。先确定晶体重量、时间和长度初始值,再以给定初始时间确定晶体生长阶段,在相应时间段用线性内插法重新表示上述过程参变量,然后引入循环下标及前一控制周期模型量,得到相应长度增量的晶体模型重量... 直拉法晶体形状控制采用Bardsley算法。先确定晶体重量、时间和长度初始值,再以给定初始时间确定晶体生长阶段,在相应时间段用线性内插法重新表示上述过程参变量,然后引入循环下标及前一控制周期模型量,得到相应长度增量的晶体模型重量。比较模型重量和称重传感器测量值,计算PID控制器输出,从而得出晶体重量。 展开更多

关键词 形状控制 直拉法 晶体生长 Bardsley算法

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几种极性有机晶体的生长习性与形成机理 Ⅲ.晶体的习性预测与实际形态的控制 被引量：4

19

作者 王步国 施尔畏 仲维卓 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 1998年第1期20-25,共6页

本文从ＢＦＤＨ法则、ＰＢＣ理论和分子间作用力出发，探讨了极性有机晶体的理论习性及其预测，并和实际晶形进行了比较，一方面加深了对极性有机晶体生长机理的理解，另一方面则利用这一机理探讨了极性有机晶体的习性调制。根据极性有... 本文从ＢＦＤＨ法则、ＰＢＣ理论和分子间作用力出发，探讨了极性有机晶体的理论习性及其预测，并和实际晶形进行了比较，一方面加深了对极性有机晶体生长机理的理解，另一方面则利用这一机理探讨了极性有机晶体的习性调制。根据极性有机晶体的结构特征即晶体分子具有特殊的排列方式，使得晶体沿极轴方向上的两个极性界面的结构不同，和晶体生长界面与溶剂分子的相互作用的差异，探讨了通过溶剂效应和习性调制剂来实现晶体生长的形态控制问题。 展开更多

关键词 极性 有机晶体 生长习性 习性预测 晶体生长

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氢氧化镁晶须的制备及其生长机理探讨 被引量：12

20

作者 王杰 张保林 +2 位作者 陈可可 程亮 史亚龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期703-707,共5页

以MgCl2和NaOH为原料,采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须。研究了添加不同晶控剂对氢氧化镁晶须生成的影响,同时对添加硬脂酸锌制备氢氧化镁晶须的工艺进行研究。采用扫描电子显微镜和粒度分析仪对产品进行表征。结果表明,硬脂酸锌和氯化... 以MgCl2和NaOH为原料,采用直接沉淀法制备氢氧化镁晶须。研究了添加不同晶控剂对氢氧化镁晶须生成的影响,同时对添加硬脂酸锌制备氢氧化镁晶须的工艺进行研究。采用扫描电子显微镜和粒度分析仪对产品进行表征。结果表明,硬脂酸锌和氯化铁对氢氧化镁晶须的生成具有导晶作用;所得产品为长径比10.7的氢氧化镁晶须。采用负离子配位多面体生长基元理论可以有效地解释氢氧化镁晶须的生成。 展开更多

关键词 氢氧化镁晶须 晶控剂 负离子配位多面体 生长基元

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