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非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究被引量：4: 1; 作者刘石勇李旺 +4 位作者牛新伟杨德仁王仕鹏黄海燕陆川《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期765-770,共6页; 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3 m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(aSiGe)薄膜和太阳能电池。系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具... 展开更多; 关键词非晶硅锗光学带隙太阳能电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

柔性衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池被引量：3: 2; 作者刘成徐正军杨君坤《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2191-2195,共5页; 首先研究沉积温度对p型材料的影响,并应用于非晶硅锗单结太阳电池,发现在140℃下沉积的p层最适合,这与非晶硅太阳电池有较大差别。其次研究3种不同结构隧穿结对叠层太阳电池性能的影响,发现p+-nc-Si/n+-a-Si隧穿结最优。在上述基础上,... 展开更多; 关键词柔性衬底非晶硅非晶硅锗叠层太阳电池隧穿结; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶硅/非晶硅锗叠层电池器件结构优化与制备工艺研究被引量：1: 3; 作者杜鹏张军芳 +3 位作者李辉杜晶晶薛俊明李同凯《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期923-927,共5页; 非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用"喇叭口"结构。通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95~1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 eV,a-Si∶H1.7eV,a-SiGe∶H1.5eV)。探讨了NP隧... 展开更多; 关键词喇叭口非晶硅/非晶硅锗隧穿结微晶N层; 在线阅读下载PDF 职称材料

各阶段缓冲层对单结非晶硅锗电池的影响被引量：1: 4; 作者杜鹏张军芳 +1 位作者李同楷薛俊明《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期878-883,共6页; 通过等离子体增强化学气相沉积工艺制备非晶硅锗电池各层材料,系统地研究了非晶硅锗(a-Si Ge∶H)电池中各界面缓冲层和本征层Ge含量的缓变过渡对电池性能的影响。研究发现,P/I界面缓冲层的a-Si C∶B可以用a-Si C替代,来降低带隙失配;在... 展开更多; 关键词缓冲层非晶硅锗带隙失配氢稀释; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计: 5; 作者刘伯飞白立沙 +4 位作者张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2181-2185,共5页; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题... 展开更多; 关键词非晶硅锗薄膜太阳电池长波响应锗流量梯度双叠电池; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究被引量：4: 1; 作者刘石勇李旺牛新伟杨德仁王仕鹏黄海燕陆川; 机构浙江正泰太阳能科技有限公司浙江大学硅材料国家重点实验室; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期765-770,共6页; 基金国家国际合作项目(2010DFB63080) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401); 文摘采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在1.1 m×1.3 m的大面积玻璃衬底上制备非晶硅锗(aSiGe)薄膜和太阳能电池。系统研究了锗烷流量比(RGe)、氢气流量比(RH)、沉积功率和压强对a-SiGe薄膜光学带隙以及沉积速率的影响;分析了具有不同RGe的本征层对a-SiGe单结电池的影响;通过调节沉积参数制备出具有合适本征层带隙的高质量a-SiGe单结电池,实现在800 nm波长处的量子效率达到18.9%,同时填充因子(FF)也达到0.62。; 关键词非晶硅锗光学带隙太阳能电池; Keywords amorphous silicon germanium optical bandgap solar cell; 分类号 TK511 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名柔性衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池被引量：3: 2; 作者刘成徐正军杨君坤; 机构上海空间电源研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2191-2195,共5页; 基金国防基础科研计划(B0320110005) 国家高技术研究发展(863)计划(2011AA050503); 文摘首先研究沉积温度对p型材料的影响,并应用于非晶硅锗单结太阳电池,发现在140℃下沉积的p层最适合,这与非晶硅太阳电池有较大差别。其次研究3种不同结构隧穿结对叠层太阳电池性能的影响,发现p+-nc-Si/n+-a-Si隧穿结最优。在上述基础上,获得效率为11.21%的柔性聚酰亚胺衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池。; 关键词柔性衬底非晶硅非晶硅锗叠层太阳电池隧穿结; Keywords flexible substrates amorphous silicon/amorphous silicon germanium （a-si/a-sige） tandem solar cells tunnel recombination junctions; 分类号 O484 [理学—固体物理] TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅/非晶硅锗叠层电池器件结构优化与制备工艺研究被引量：1: 3; 作者杜鹏张军芳李辉杜晶晶薛俊明李同凯; 机构衡水学院河北汉盛光电科技有限公司石家庄铁道大学; 出处《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2017年第9期923-927,共5页; 基金 2016年度衡水学院院级课题(编号2016L001); 文摘非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用"喇叭口"结构。通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95~1.5 eV之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 eV,a-Si∶H1.7eV,a-SiGe∶H1.5eV)。探讨了NP隧穿结对叠层电池开路电压(Voc)和填充因子(FF)的影响,制备出FF为0.739的a-Si∶H/a-Si Ge∶H叠层电池。调整叠层电池中子电池本征层厚度,制备出效率为9.06%的a-Si∶H/a-SiGe∶H叠层电池(未加减反射层)。; 关键词喇叭口非晶硅/非晶硅锗隧穿结微晶N层; Keywords Trumpet, amorphous silicon/amorphous silicon germanium, Tunneling junction, MicrocrystallineN layer; 分类号 TM615 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名各阶段缓冲层对单结非晶硅锗电池的影响被引量：1: 4; 作者杜鹏张军芳李同楷薛俊明; 机构衡水学院石家庄铁道大学河北汉盛光电科技有限公司; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期878-883,共6页; 基金衡水学院2013年度"服务地方社会发展"一般课题(编号:2013050); 文摘通过等离子体增强化学气相沉积工艺制备非晶硅锗电池各层材料,系统地研究了非晶硅锗(a-Si Ge∶H)电池中各界面缓冲层和本征层Ge含量的缓变过渡对电池性能的影响。研究发现,P/I界面缓冲层的a-Si C∶B可以用a-Si C替代,来降低带隙失配;在不同的氢稀释条件下制备出光敏性在105以上的a-Si Ge∶H本征层材料;通过调整P/I界面非晶硅锗缓冲层的制备工艺,设计"V"型电池结构,以及优化I/N界面,制备出效率7.53%的非晶硅锗电池(未加减反射层)。; 关键词缓冲层非晶硅锗带隙失配氢稀释; Keywords Buffer layer, amorphous silicon germanium, Interface defect states, Fill factor; 分类号 TM615 [电气工程—电力系统及自动化]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计: 5; 作者刘伯飞白立沙张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹; 机构南开大学光电子薄膜器件与技术研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2181-2185,共5页; 基金国家重点基础研究(973)计划(2011CBA00706 2011CBA00707) +3 种基金天津市科技支撑(12ZCZDGX03600) 高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039); 文摘采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。; 关键词非晶硅锗薄膜太阳电池长波响应锗流量梯度双叠电池; Keywords amorphous silicon germanium solar cells long wavelength response GeH4 flow grading tandem solar cell; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	非晶硅锗薄膜与太阳能电池研究	刘石勇李旺牛新伟杨德仁王仕鹏黄海燕陆川	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	柔性衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池	刘成徐正军杨君坤	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非晶硅/非晶硅锗叠层电池器件结构优化与制备工艺研究	杜鹏张军芳李辉杜晶晶薛俊明李同凯	《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	各阶段缓冲层对单结非晶硅锗电池的影响	杜鹏张军芳李同楷薛俊明	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计	刘伯飞白立沙张德坤魏长春孙建赵颖张晓丹	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料