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ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析 被引量：9
1
作者 薛俊明 黄宇 +4 位作者 熊强 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期701-705,共5页
利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄... 利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 中频脉冲磁控溅射 zno:al(zao)薄膜 绒面结构
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热处理对Al掺杂ZnO薄膜晶体结构及光电性能的影响 被引量：7
2
作者 刘金铭 赵小如 +5 位作者 赵亮 张安 王丹红 邵继峰 曹萌萌 常晓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1130-1135,共6页
采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火... 采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜。实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明,500℃预烧550℃空气退火的薄膜,经过550℃,1×10-2Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3Ω.cm,可见光范围内的平均透过率约为85%。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 al掺杂zno(zao) 热处理 晶体结构 光电性能
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衬底温度对中频磁控溅射ZnO∶Al透明导电薄膜性能的影响 被引量：1
3
作者 黄宇 熊强 +4 位作者 薛俊明 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期891-894,共4页
ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右... ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度1．98×10^20cm^-3，霍尔迁移率61．9cm^2／（V·s），可见光范围内（波长400～800nm）的平均透过率大于85％． 展开更多
关键词 凝聚态物理学 中频磁控溅射 zno:al(zao)薄膜 衬底温度 载流子浓度 霍尔迁移率
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ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响 被引量：5
4
作者 陆峰 徐成海 +1 位作者 孙超 闻立时 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期54-57,共4页
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3... 主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上· 展开更多
关键词 透明导电纳米薄膜 al元素 zao薄膜 al质量分数 EDS XRD 电阻率 透射率 氧化锌薄膜 光性能 电性能 铝元素
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膜厚对Zr,Al共掺杂ZnO透明导电薄膜结构和光电性能的影响 被引量：12
5
作者 袁玉珍 王辉 +2 位作者 张化福 刘汉法 刘云燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期169-173,共5页
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜... 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出Zr,Al共掺杂ZnO(AZZO)透明导电薄膜。用XRD和SEM分析和观察了薄膜样品的组织结构和表面形貌。研究表明:制备的AZZO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。另外还研究了薄膜的结构、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。当薄膜厚度为843nm时,电阻率具有最小值1.18×10-3Ω.cm,在可见光区(500～800nm)平均透过率超过93%。 展开更多
关键词 磁控溅射 Zr al共掺杂zno 膜厚 透明导电薄膜
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Sol-Gel法制备ZnO∶Al透明导电薄膜 被引量：17
6
作者 吕敏峰 崔作林 张志焜 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期224-227,共4页
采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准... 采用Sol Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜。利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征。研究结果表明 :所制备的薄膜为纤锌矿型结构 ,表面平整、致密。通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+ 离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能。实验发现 ,当Al3+ 离子掺杂浓度为 0 8%时 ,前处理温度为 40 0℃ ,退火温度为 5 5 0℃ ,真空退火温度为 5 5 0℃时 ,薄膜具有较好的导电性 ,电阻率为 3 0 3× 10 - 3Ω·cm ,其在可见光区的透过率超过 80 %。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 制备 透明导电薄膜 氧化锌 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 性能
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气溶胶辅助化学气相沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜 被引量：9
7
作者 秦秀娟 韩司慧智 +2 位作者 赵琳 左华通 宋士涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期607-612,共6页
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%～8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具... 采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)法在玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.研究了Al掺杂(2at%～8at%)对ZnO薄膜结构及光电性能的影响.利用XRD、SEM、EDAX、紫外可见分光光度计等手段对样品进行测试.结果表明,制备的所有AZO薄膜均具有纤锌矿结构,不具有沿c轴方向的择优取向,XRD图谱中未观察出Al的相关分相.在可见光范围内,AZO薄膜的平均透过率大于72%,光学禁带宽度随Al掺杂量的增加而变窄.同时根据四探针技术所得的数据得知:Al的掺杂导致薄膜方块电阻的变化,随着Al掺杂量的增加,方块电阻有明显变小的现象,掺杂6at%Al的AZO薄膜具有最低方块电阻(18Ω/□). 展开更多
关键词 气溶胶 化学气相沉积法 al:zno 透明导电薄膜
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掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响 被引量：9
8
作者 徐自强 邓宏 +1 位作者 谢娟 李燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期503-507,共5页
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。 展开更多
关键词 zno薄膜 溶胶-凝胶法 al掺杂 光学特性 电学特性
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有机衬底和玻璃衬底ZnO:Al透明导电膜的结构及光电特性对比研究 被引量：5
9
作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 张鹏 王爱芳 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第5期329-333,共5页
讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃... 讨论了在低温条件下制备的ZnO∶Al薄膜的结构、表面形貌和光电特性,对聚酰亚胺(Polyimide,PI)和玻璃两种不同衬底的薄膜进行了比较研究。两种不同衬底的薄膜均为多晶膜,具有六角纤锌矿结构,最佳取向均为(002)方向,衬底温度从室温到210℃时,制备的薄膜密度变化范围为4.6～5.16g/cm3。在柔性衬底和玻璃衬底上制备的薄膜最低电阻率分别为5.3×10-4Ω·cm和5.1×10-4Ω·cm,薄膜在可见光区的平均透过率分别达到了72%和85%,讨论了两种衬底薄膜电学特性的稳定性。 展开更多
关键词 氧化锌薄膜 铝掺杂 薄膜结构 光电性能 射频磁控溅射法
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Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性 被引量：4
10
作者 余萍 邱东江 +2 位作者 樊瑞新 施红军 吴惠桢 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1873-1877,共5页
用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x... 用(ZnO)1-x(Al2O3)x(x=w(Al2O3)=0、0.01、0.02、0.05)陶瓷靶材为原料,通过电子束反应蒸发生长了非故意掺杂及Al掺杂的ZnO薄膜.采用X射线衍射、Raman散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电学特性.结果表明,由(ZnO)1-x(Al2O3)x(x≤0.02)的靶材生长得到的Al掺杂ZnO薄膜仍具有高度c-轴取向的纤锌矿晶体结构,但随着薄膜中Al掺入量的增加,其c-轴取向性有所退化;Raman光谱测量表明,Al掺杂ZnO薄膜的本征内应力随着Al掺入量的增加而增大,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜中Al和Zn的原子个数比为6∶94,此时薄膜的内应力已接近饱和;Al掺杂ZnO薄膜的电阻率随着Al掺入量的增加呈现先减小后增大的特征,(ZnO)0.98(Al2O3)0.02薄膜具有最小的电阻率(7.85×10-4Ω.cm),这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度(1.32×1021cm-3)和较高的电子迁移率(6.02 cm2/(V.s)). 展开更多
关键词 zno薄膜 al掺杂 微结构 电学特性
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衬底温度对ZnO：Al薄膜结构和性能的影响 被引量：5
11
作者 徐玮 于军 +2 位作者 王晓晶 袁俊明 雷青松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期665-668,共4页
利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和... 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明,衬底温度对薄膜结构及光电学性能影响最大。溅射功率120W、衬底温度300℃、工作气压0.6Pa制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为79.49%(考虑衬底的影响,电阻率为4.99×10-2Ω.cm)。 展开更多
关键词 磁控溅射 陶瓷靶材 电阻率 透过率 zao薄膜
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退火处理对N掺杂Al:ZnO薄膜结构及性能的影响 被引量：4
12
作者 高松华 高立华 陈礼炜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期117-120,共4页
采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱(XPS)仪分析了退火对样品结构... 采用射频磁控溅射方法,常温条件下以N2作为N掺杂源,在玻璃基底制备了N掺杂Al:ZnO薄膜。在真空氛围下对样品进行了不同温度的退火处理15 min。通过X射线衍射、霍尔效应测试、紫外-可见光谱和X射线光电子能谱(XPS)仪分析了退火对样品结构和光电性能的影响。结果表明真空400℃退火15 min时成功制备出性能优异的p型ZnO薄膜,其空穴载流子浓度为3.738×1020cm^(-3),电阻率为1.299×10^(-2)Ω·cm,样品可见光透射率达到了85%以上。XPS分析说明No受主缺陷的含量大于(N2)o施主缺陷导致薄膜实现了p型转变。 展开更多
关键词 al:zno薄膜 P型zno 退火处理 光电性能
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Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜制备及光电性能研究 被引量：3
13
作者 阳生红 蒋志洁 +2 位作者 张曰理 汤健 王旭升 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期35-38,共4页
采用溶胶-凝胶法,在玻璃衬底上制备出Al-Y共掺杂的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。制备的Al-Y共掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为1.63×102Ω·cm,在... 采用溶胶-凝胶法,在玻璃衬底上制备出Al-Y共掺杂的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,Al-Y共掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。制备的Al-Y共掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为1.63×102Ω·cm,在可见光区(400-800 nm)平均透过率超过85%。 展开更多
关键词 al-Y共掺杂 zno透明导电薄膜 溶胶-凝胶
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γ射线和原子氧辐照对ZnO:Al薄膜的影响 被引量：4
14
作者 王文文 刁训刚 王天民 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期39-43,共5页
利用直流磁控溅射法制备了两组ZAO薄膜,使用60Co放射源对一组薄膜进行了γ射线辐照,在原子氧地面模拟设备中对另一组进行了原子氧辐照,并对辐照前后的样品进行了微观结构、表面形貌及电学特性的表征。结果表明,较高剂量率的γ射线辐照... 利用直流磁控溅射法制备了两组ZAO薄膜,使用60Co放射源对一组薄膜进行了γ射线辐照,在原子氧地面模拟设备中对另一组进行了原子氧辐照,并对辐照前后的样品进行了微观结构、表面形貌及电学特性的表征。结果表明,较高剂量率的γ射线辐照会降低薄膜的结晶程度,而低剂量率的辐照有相反作用。γ射线可激发薄膜中的电子,提高其载流子浓度,最大比率为16.39%。AO辐照仅对ZAO薄膜的表面具有氧化效应,导致表面化学成分中晶格氧比例的提高和薄膜载流子浓度的下降。随着薄膜厚度的增大,载流子浓度的下降比例逐渐减小。 展开更多
关键词 透明导电氧化物 zno∶al薄膜 Γ射线 原子氧 电学性能
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ZnO缓冲层上低温生长Al掺杂的ZnO薄膜 被引量：2
15
作者 马李刚 马书懿 +1 位作者 陈海霞 黄新丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1516-1519,共4页
采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优... 采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%(原子分数)时,(002)衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光(PL)谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm(2.80eV)、483nm(2.57eV)为中心的蓝光发光峰和以521nm(2.38eV)为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。 展开更多
关键词 磁控溅射法 zno缓冲层 al掺杂zno薄膜 XRD 光致发光
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Cu基Al掺杂ZnO多层薄膜的生长及其性能 被引量：3
16
作者 王钰萍 吕建国 叶志镇 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期869-873,905,共6页
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO/Cu、Cu/AZO和AZO/Cu/AZO三种复合结构多层膜,研究了生长温度对多层膜特性的影响,发现AZO/Cu双层薄膜具有最优的光电性能,其最佳生长温度为100~150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO/Cu... 本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO/Cu、Cu/AZO和AZO/Cu/AZO三种复合结构多层膜,研究了生长温度对多层膜特性的影响,发现AZO/Cu双层薄膜具有最优的光电性能,其最佳生长温度为100~150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO/Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响,结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO/Cu双层薄膜的晶体质量,进而提高其光电性能;150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1.11×10-2Ω-1,此时方块电阻为8.99Ω/sq,可见光透过率为80%,近红外反射率约70%。本文在较低温度下制备的AZO/Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性,可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。 展开更多
关键词 AZO 多层结构薄膜 光电性能 生长温度
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掺杂及溅射功率对ZnO：Al薄膜结构与电性能的影响 被引量：2
17
作者 任明放 冯湘 +1 位作者 王华 许积文 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 2010年第2期19-22,共4页
采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO∶Al透明导电薄膜。研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响。研究表明：不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%（质量分数）的掺杂范围内... 采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO∶Al透明导电薄膜。研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响。研究表明：不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%（质量分数）的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂量的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大。溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳。在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10-3Ω.cm的最低电阻率。 展开更多
关键词 氧化锌铝 透明导电薄膜 导电性能 磁控溅射
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Al/ZnO:Al薄膜结构的荧光增强效应 被引量：1
18
作者 徐天宁 卢忠 +1 位作者 隋成华 吴惠桢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期356-360,共5页
利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜样品,研究了该薄膜结构的发光特性。结果表明,在ZnO∶Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5 nm的Ta2O5绝缘层... 利用物理气相沉积设备制备了Al/ZnO∶Al薄膜样品,研究了该薄膜结构的发光特性。结果表明,在ZnO∶Al薄膜表面镀一层Al岛薄膜可以增强其带边荧光,同时在475 nm附近产生蓝光峰。通过在Al岛薄膜和ZnO∶Al薄膜之间引入一层5 nm的Ta2O5绝缘层可以使ZnO∶Al薄膜的带边荧光和蓝光显著增强,并随着Ta2O5绝缘层厚度的增大而减弱。通过对Al/ZnO∶Al样品进行退火处理可以使带边荧光和蓝光峰分别增强9倍和83倍。基于局域表面等离子体共振理论,计算了Al/ZnO∶Al纳米结构的光学散射和吸收截面曲线。实验结果与理论计算相一致。 展开更多
关键词 zno al薄膜 局域表面等离子体 荧光增强
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电子束蒸发制备ZnO∶Al透明导电膜及其性能研究 被引量：1
19
作者 王子健 王海燕 +5 位作者 郜小勇 吴芳 李红菊 杨根 刘绪伟 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1355-1358,1367,共5页
在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好... 在本实验中我们利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:A l透明导电膜,并对所得样品在400℃下进行了退火处理。利用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌,利用分光光度计分析了样品的光学性质,结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性。利用四探针对其进行了电学性质的测量,表明衬底温度为200℃时制备的样品电阻率可达6×10-3Ω.cm。 展开更多
关键词 电子束蒸发 zno al薄膜 衬底温度
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衬底温度对ZnO：Al薄膜热电性能影响的研究 被引量：1
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作者 范平 林清云 +4 位作者 李颖贞 郑壮豪 罗景庭 张妙琴 陈敏聪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期964-968,共5页
本文采用直流磁控溅射的方法在透明玻璃衬底上制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)薄膜,系统研究不同衬底温度对AZO薄膜热电性能特性的影响。实验结果表明:所制备的薄膜均呈现出N型热电半导体特性。在所制备的样品中,当衬底温度为250℃时,薄膜... 本文采用直流磁控溅射的方法在透明玻璃衬底上制备掺铝氧化锌(ZnO:Al,AZO)薄膜,系统研究不同衬底温度对AZO薄膜热电性能特性的影响。实验结果表明:所制备的薄膜均呈现出N型热电半导体特性。在所制备的样品中,当衬底温度为250℃时,薄膜样品的电导率具有最大值,为1.35×105 S/m,但该样品的塞贝克系数较小;当衬底温度达到400℃时,所制得的薄膜样品在测试温度为503 K时,塞贝克系数绝对值和功率因子达到最大,分别为96μV/K和7.2×10-4 W/mK2。不同衬底温度条件下沉积的AZO薄膜均呈现出六方纤锌矿结构,具有明显的c轴择优取向,随着衬底温度的增加,薄膜表面颗粒致密度增加,结晶情况改善。通过表面形貌和剖面分析可知:与其他薄膜样品相比,衬底温度为400℃时,薄膜样品出现更明显的柱状生长趋势,微结构的改变可能是使该薄膜样品热电性能改善的重要原因之一。 展开更多
关键词 掺铝氧化锌 热电薄膜 衬底温度 热电性能
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