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磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜 被引量：8
1
作者 杨田林 杨光德 +1 位作者 高绪团 万云芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期64-67,共4页
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶... 采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2: Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为13.9cm2/V·s,载流子浓度为15.5×1019 cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×10-3W·cm。在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右。 展开更多
关键词 磁控溅射法 制备 sno2 sb透明导电膜
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基板温度对SnO_2:Sb薄膜结构和性能的影响 被引量：7
2
作者 谢莲革 汪建勋 +3 位作者 沈鸽 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期411-413,418,共4页
以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性... 以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。 展开更多
关键词 APCVD法 sb掺杂sno2薄膜 基板温度
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CVD法制备Sb掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究 被引量：7
3
作者 谢莲革 沃银花 +4 位作者 汪建勋 沈鸽 翁文剑 刘起英 韩高荣 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1824-1828,共5页
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温... 采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征,XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜,XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在.讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响,结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势.最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性,认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因. 展开更多
关键词 化学气相沉积(CVD) sb掺杂sno2薄膜 掺杂量
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Sb掺杂SnO_2纳米粉体的结晶行为和电学性能 被引量：22
4
作者 张建荣 顾达 杨云霞 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期552-555,共4页
采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶... 采用非均相成核法制备了 Sb掺杂的 Sn O2 (ATO)纳米粉体 .研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随 Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系 .应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能 .结果表明 ,晶粒生长分为 2个阶段 ,其活化能分别为 2 1 .94和 4.5 2 k J/mol. 展开更多
关键词 sb 掺杂 sno2 锑 纳米粉体 结晶行为 电学性能 半导体材料 二氧化锡 非均相成核法
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SnO_2∶Sb/SiO_2复合薄膜的制备与光学性能 被引量：3
5
作者 王贺 魏长平 +2 位作者 彭春佳 程果 李丛昱 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期683-687,共5页
采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约10... 采用溶胶-凝胶结合旋涂技术在玻璃基底上制备了SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜,利用XRD、FT-IR、SEM、椭偏仪、分光光度计等方法对薄膜样品进行了系统地表征。结果表明:经过热处理后样品生成了SnO2∶Sb和SiO2;薄膜具有双层结构,上层SiO2厚度约105 nm,折射率为1.352,底层SnO2∶Sb厚度约1200 nm,折射率为1.91;优化工艺条件下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜的性能优于SnO2∶Sb薄膜,在相同情况下SnO2∶Sb/SiO2复合薄膜对可见光的透过率大于SnO2∶Sb薄膜,这是因为上层SiO2薄膜折射率较低,与底层高折射率SnO2∶Sb薄膜共同构成减反射膜系,提高了膜系的可见光透过率。相比于单层SnO2∶Sb膜,在可见光部分增透率大于4.5%,近红外波段的增透率小于1.0%,基本保持原有导电膜的低红外辐射特性,并提高了可见光透过率。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 sno2∶sb SIO2 复合薄膜 透过率
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有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备 被引量：6
6
作者 杨田林 韩圣浩 +1 位作者 高绪团 杨光德 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期273-277,共5页
采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyi... 采用射频磁控溅射法在有机的柔性衬底上制备出了SnO2 :Sb透明导电膜 ,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系。制备的样品为多晶薄膜 ,并且保持了二氧化锡的金红石结构。对衬底适当的加热 ,当衬底温度为2 0 0℃时 ,在PI(Polyisocyanate聚酰亚胺 )胶片上制备出了性能良好的薄膜 ,薄膜相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 13cm2 /VS ,载流子浓度为 15 .5× 10 19cm-3 ,薄膜的电阻率有最小值 3.7× 10 -3 Ω·cm。在可见光范围内 ,样品的相对透过率为 85 展开更多
关键词 柔性衬底 sno2:sb透明导电膜 射频磁控溅射
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Ti/SnO_2+Sb_2O_3+MnO_2/PbO_2阳极的性能研究 被引量：23
7
作者 梁镇海 孙彦平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期183-187,共5页
制备了一种非贵金属阳极－Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３＋ＭｎＯ２／ＰｂＯ２，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征，计算出了电极的分形维数，测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数，把该电极用于处理含酚废水和Ｐｂ电极进行对比．结... 制备了一种非贵金属阳极－Ｔｉ／ＳｎＯ２＋Ｓｂ２Ｏ３＋ＭｎＯ２／ＰｂＯ２，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ进行了表征，计算出了电极的分形维数，测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数，把该电极用于处理含酚废水和Ｐｂ电极进行对比．结果表明，节电３３％，转化率达９５％，是一种优良的电化学催化剂． 展开更多
关键词 Ti/sno2+sb2O3+MnO2/PBO2阳极 废水处理 分形维
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高析氧过电位Ti/SnO_2+Sb_2O_4阳极的制备及性能 被引量：6
8
作者 苗海霞 梁镇海 +1 位作者 樊彩梅 孙彦平 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2006年第5期543-546,共4页
采用溶胶-凝胶涂层技术,以无机物SnCl2.2H2O,SbCl3为前驱物制备了Ti/SnO2+Sb2O4电极。电极的晶体结构通过XRD进行了表征,得知涂层中的SnO2是金红石结构,并计算出涂层氧化物属于纳米级,平均粒度为6.5 nm。考察了锑的掺入量和烧结温度对... 采用溶胶-凝胶涂层技术,以无机物SnCl2.2H2O,SbCl3为前驱物制备了Ti/SnO2+Sb2O4电极。电极的晶体结构通过XRD进行了表征,得知涂层中的SnO2是金红石结构,并计算出涂层氧化物属于纳米级,平均粒度为6.5 nm。考察了锑的掺入量和烧结温度对电极性能的影响,结果表明:锑原子质量分数为4%,烧结温度600℃为较佳工艺条件;电流密度10mA/cm2时,电极的析氧电位高达2.1182V(vs.NHE),说明Ti/SnO2+Sb2O4电极是一种优良的阳极电催化剂。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 Ti/sno2+sb2O4电极 阳极
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低温磁控溅射SnO_2:Sb透明导电膜的结构与导电性能 被引量：2
9
作者 马瑾 刘晓梅 +2 位作者 张士勇 郝晓涛 马洪磊 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期148-151,共4页
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω&... 采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构,而且具有明显的(110)择优取向。最低电阻率为2×10-3Ω·cm,载流子浓度和迁移率分别为1 65×1020cm-3和19 0cm2·v-1·s-1。 展开更多
关键词 磁控溅射 sno2:sb薄膜 结构和电学性质
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溶胶凝胶法制备Sb掺杂Ti/SnO_2电极及其电催化性能 被引量：4
10
作者 陈野 许维超 +1 位作者 温青 段体岗 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期14-17,69,共5页
采用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂Ti/SnO2电极,通过XRD,SEM,EDS及电化学测试、氧化物总量测试、加速寿命测试等技术手段,研究了Sb的掺杂对电极结构、形貌、电催化性能、使用寿命的影响。结果表明:Sb的掺入能有效改善电极的表面晶体结构和形貌... 采用溶胶凝胶法制备了Sb掺杂Ti/SnO2电极,通过XRD,SEM,EDS及电化学测试、氧化物总量测试、加速寿命测试等技术手段,研究了Sb的掺杂对电极结构、形貌、电催化性能、使用寿命的影响。结果表明:Sb的掺入能有效改善电极的表面晶体结构和形貌,降低电极的苯酚氧化电位和液界电阻,提高电极的电催化效率;当制备的溶胶中锡锑比为9∶1时,制得的电极表面形貌平整、致密,稳定性和电催化效果最好。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 Ti/sno2电极 sb掺杂 电催化性能
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电致发光用SnO_2:Sb透明导电膜的制备及性能 被引量：2
11
作者 于长凤 朱小平 +2 位作者 张脉官 凌青 戴静 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期18-20,23,共4页
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3+的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平... 采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3+的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平均透光率达到90%以上。对所制备的透明导电膜用XRD、FT-IR、SEM、TEM进行了分析表征。 展开更多
关键词 sno2薄膜 sb掺杂 透明导电膜 溶胶-凝胶法 浸渍提拉
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溶胶凝胶法制备Sb掺杂SnO_2透明导电膜的结构与性能研究 被引量：8
12
作者 郭锐 张华利 《科学技术与工程》 2007年第3期360-363,共4页
在乙醇溶剂中,以无机金属盐SnCl2.2H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量和热处理温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,热处理温度为500℃、Sb掺杂摩尔百分比为15%～20%时,薄膜具有... 在乙醇溶剂中,以无机金属盐SnCl2.2H2O和SbCl3为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sb掺杂的SnO2透明导电薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量和热处理温度对薄膜结构和性能的影响。结果表明,热处理温度为500℃、Sb掺杂摩尔百分比为15%～20%时,薄膜具有较好的结晶性能、好的导电性能、较高的可见光区透射率和红外光区反射率。 展开更多
关键词 sno2 透明导电膜 溶胶凝胶法 掺杂sb
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掺杂Sb对SnO_2透明导电膜导电性的影响分析 被引量：2
13
作者 于长凤 朱小平 +2 位作者 张脉官 凌青 戴静 《陶瓷学报》 CAS 2006年第4期363-369,共7页
采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1．0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10^(-3)Ω·cm,且薄膜的连续... 采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1．0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10^(-3)Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90%以上。 展开更多
关键词 掺杂sb sno2薄膜 透明导电膜 导电性
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射频磁控溅射有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜性能的研究
14
作者 张士勇 马瑾 +2 位作者 刘晓梅 马洪磊 郝晓涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期452-453,457,共3页
　采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二... 　采用射频磁控溅射法在聚丙烯己二酯有机薄膜(polypropyleneadipate,PPA)衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2∶Sb)透明导电膜。研究了薄膜的厚度效应对SnO2∶Sb薄膜的结构、光学和电学特性的影响。制备薄膜为多晶膜,并且保持了纯二氧化锡的金红石结构。载流子浓度和迁移率随着薄膜厚度的增加而增大,电阻率随着薄膜厚度的增加而减小,最低电阻率为2×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 sno2:sb透明导电膜 射频磁控溅射 有机衬底 光电性质
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SnO2纳米颗粒制备及其对溶胶-凝胶Sb:SnO2薄膜性能的影响
15
作者 王黎 周嶅 毕文跃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3209-3212,共4页
以Sn(OEt)2为起始原料,采用水热晶化法合成了分散性良好的金红石结构的SnO2纳米颗粒.采用X射线衍射对其进行了表征,表明SnO2纳米颗粒的结晶性良好,颗粒尺寸小于10nm.将合成的SnO2纳米颗粒均匀分散到Sb:SnO2镀膜液中,经陈化后制成镀膜溶... 以Sn(OEt)2为起始原料,采用水热晶化法合成了分散性良好的金红石结构的SnO2纳米颗粒.采用X射线衍射对其进行了表征,表明SnO2纳米颗粒的结晶性良好,颗粒尺寸小于10nm.将合成的SnO2纳米颗粒均匀分散到Sb:SnO2镀膜液中,经陈化后制成镀膜溶胶,以溶胶-凝胶浸渍镀膜工艺制备纳米颗粒掺杂Sb:SnO2薄膜.分别采用范德堡(Van Der Pauw)法、UV/VIS分光光度计和FTIR中红外分析仪测量并分析膜层的导电性能、光学性能及结构特征,研究了导电纳米颗粒添加对Sb:SnO2薄膜电性能、光学性能和结构的影响. 展开更多
关键词 水热合成 sno2纳米颗粒 sb:sno2薄膜 溶胶-凝胶
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用SnO_2∶Sb作敏感材料的丙酮气敏光纤传感器
16
作者 郭斯淦 郑顺旋 《高速摄影与光子学》 CSCD 1991年第3期243-246,共4页
研制了一种掺Sb的SnO_2气敏-光学材料,并用它作为丙酮蒸汽浓度的光纤传感器敏感头,在30000ppm～100000ppm的宽广浓度范围得到很好的线性工作曲线。这是在丙酮蒸汽爆炸下限浓度左右的一个重要浓度范围。
关键词 光纤传感 丙酮蒸汽 sno2:sb
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溶胶凝胶法制备SnO_2:Sb膜的光学电学性能 被引量：6
17
作者 史金涛 赵高凌 +1 位作者 杜丕一 韩高荣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期5-9,共5页
以金属无机盐SnCl2 ·2H2 O和SbCl3 为原料 ,用溶胶凝胶浸渍法制备掺锑SnO2 透明导电薄膜 ,并对其电学参数(如方块电阻、霍尔迁移率、载流子浓度和类型 )和光学参数 (如透射反射率、光学能隙 )进行测试分析。XPS分析确定薄膜中掺杂... 以金属无机盐SnCl2 ·2H2 O和SbCl3 为原料 ,用溶胶凝胶浸渍法制备掺锑SnO2 透明导电薄膜 ,并对其电学参数(如方块电阻、霍尔迁移率、载流子浓度和类型 )和光学参数 (如透射反射率、光学能隙 )进行测试分析。XPS分析确定薄膜中掺杂锑离子主要以Sb5+ 形式存在。薄膜的方块电阻最低可达 85Ω/□ ,霍尔迁移率在 2 .5～ 3.6cm2 V-1s-1,膜厚约1μm时可见光透射率约为 85 % ,反射率低于 15 %。 展开更多
关键词 溶胶凝胶 sno2:sb 透明导电膜
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共沉淀条件对纳米级Sb/SnO_2粒度和电性能的影响 被引量：27
18
作者 李青山 张金朝 宋鹂 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期163-167,共5页
以 Sn Cl4 · 5 H2 O和 Sb Cl3为原料 ,采用共沉淀法制得了纳米级 Sn O2 超细粉 .运用 DSC-TG、XRD和TEM等观测手段对微粉末进行了表征 .比较系统地研究了共沉淀温度和 p H值对粉末颗粒度和电阻的影响规律 .研究结果表明 ,合成的纳... 以 Sn Cl4 · 5 H2 O和 Sb Cl3为原料 ,采用共沉淀法制得了纳米级 Sn O2 超细粉 .运用 DSC-TG、XRD和TEM等观测手段对微粉末进行了表征 .比较系统地研究了共沉淀温度和 p H值对粉末颗粒度和电阻的影响规律 .研究结果表明 ,合成的纳米级 Sb/Sn O2 粉体粒度分布比较均匀、分散性较好 ,具有金红石结构 ;共沉淀温度对 Sb/Sn O2 微粉末的粒度和电导性能影响较小 ,合适的共沉淀温度为 45～ 70℃ ;粉末粒度在 p H为 4～6之间出现 1个极大值 ,该 p H值下所对应的粉末电阻较小 ,同时考虑 p H值对粒度与电性能的影响 ,最佳 p H值范围为 3～ 展开更多
关键词 纳米级sb/sno2导电粉 共沉淀温度 pH值 微粉末特性 锑 二氧化锡 粒度 电性能
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Ti/SnO_2+Sb_2O_4/PbO_2阳极的制备及其在酸性电解体系中的应用 被引量：3
19
作者 杨小勇 竺培显 +1 位作者 司云森 周生刚 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第10期91-93,100,共4页
实验针对酸性电解体系中阳极的析氧过程,研究制备出适应于在此类介质中使用的Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2阳极。采用SEM、XRD法表征了阳极的表面形貌、组成元素和元素化学态;并用快速电极寿命法测试该阳极在65℃、1.0mol/LH2SO4溶液中的使用寿... 实验针对酸性电解体系中阳极的析氧过程,研究制备出适应于在此类介质中使用的Ti/SnO2+Sb2O4/PbO2阳极。采用SEM、XRD法表征了阳极的表面形貌、组成元素和元素化学态;并用快速电极寿命法测试该阳极在65℃、1.0mol/LH2SO4溶液中的使用寿命通过对电极极化曲线的测试,考察其电催化性能;将试样放大后在酸性电解体系中进行模拟电解生产试验。结果表明,此类阳极与传统铅阳极相比,在提高电流效率,降低单耗以及提高阴极产品纯度方面效果显著,且降低了阳极制作成本。 展开更多
关键词 阳极 TI sno2+sb2O4 PbO2阳极 铅阳极 酸性电解体系
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SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2：Sb薄膜光电性能的影响 被引量：3
20
作者 陈帅 赵小如 +4 位作者 段利兵 白晓军 刘金铭 谢海燕 关蒙萌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期27-29,38,共4页
以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光... 以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 透明导电氧化物 sb掺杂sno2 缓冲层
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