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Microstructures and magnetic properties of [SiO_2/FePt]_5/Ag thin films 被引量:2
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作者 范九萍 许小红 +2 位作者 江凤仙 田宝强 武海顺 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2008年第1期11-14,共4页
[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied... [SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and (111) mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 (0.6 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films and highly (001)-oriented films can be obtained in the [SiO2 (2 nm)/FePt (3 nm)]5/Ag (50 nm) films. 展开更多
关键词 [sio2/FePt]5 multilayer films sio2-doping Ag underlayer (001) orientation
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等离子体沉积类SiO_2薄膜抑制环氧树脂表面电荷积聚 被引量:31
2
作者 海彬 章程 +3 位作者 王瑞雪 张帅 陈根永 邵涛 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期375-384,共10页
气体绝缘设备中的环氧树脂材料在直流高压下易积聚表面电荷,引发沿面闪络事故。为了抑制环氧树脂材料表面电荷的积聚,采用交流电源激励的滑动放电产生低温等离子体,并以正硅酸乙酯(TEOS)为反应前驱物在环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜,同... 气体绝缘设备中的环氧树脂材料在直流高压下易积聚表面电荷,引发沿面闪络事故。为了抑制环氧树脂材料表面电荷的积聚,采用交流电源激励的滑动放电产生低温等离子体,并以正硅酸乙酯(TEOS)为反应前驱物在环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜,同时利用Fourier变换红外光谱仪(FTIR)、高阻表和表面电位测试系统等对沉积薄膜表面进行分析。实验结果表明:沉积时间超过5 s时,环氧树脂表面形成一层以Si—O—Si及Si—OH基团为主要组成的薄膜,其厚度可达219 nm;且水接触角显著降低,表面电导率及体积电导率可提升2个数量级,相对介电常数明显降低。表面电位3维分布图结果表明,沉积处理后环氧树脂的表面电荷初始积聚减少,且消散速度加快。这是因为环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜后使材料表面陷阱能级变浅,从而抑制了表面电荷的积聚。 展开更多
关键词 环氧树脂 滑动放电 sio2薄膜 表面电位 电导率
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Fe^(3+)-TiO_2/SiO_2光催化降解罗丹明B的研究 被引量:26
3
作者 王建强 辛柏福 +3 位作者 于海涛 任志宇 曲鹏飞 付宏刚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1093-1096,共4页
以硅胶为载体 ,采用溶胶 -凝胶法制备了不同掺杂量的 Fe3 +-Ti O2 /Si O2 光催化剂 ,并采用 SEM,Raman和 DRS等手段对其进行了分析和表征 .以氙灯为光源 ,通过对可溶性染料罗丹明 B的降解反应 ,考察了 Fe3 +-Ti O2 /Si O2 催化剂的光催... 以硅胶为载体 ,采用溶胶 -凝胶法制备了不同掺杂量的 Fe3 +-Ti O2 /Si O2 光催化剂 ,并采用 SEM,Raman和 DRS等手段对其进行了分析和表征 .以氙灯为光源 ,通过对可溶性染料罗丹明 B的降解反应 ,考察了 Fe3 +-Ti O2 /Si O2 催化剂的光催化活性 ,探讨了光催化反应中溶液 p H值和起始浓度对催化反应的影响 . 展开更多
关键词 光催化降解 罗丹明B 光催化剂 硅胶 载体 二氧化钛 三价铁离子 溶胶-凝胶法 制备 光催化活性 有机污染物 染料
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超亲水TiO_2和TiO_2-SiO_2表面的动态润湿性 被引量:11
4
作者 冯文辉 管自生 +3 位作者 蒋峰芝 张金彪 宋延林 江雷 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期745-747,共3页
The dynamic wetting of water spreading on TiO 2 and TiO 2 SiO 2 films prepared by sol gel method and subsequently treated by air plasma and UV irradiation was investigated. Water completely spread on TiO 2 surface wit... The dynamic wetting of water spreading on TiO 2 and TiO 2 SiO 2 films prepared by sol gel method and subsequently treated by air plasma and UV irradiation was investigated. Water completely spread on TiO 2 surface within 3 s and its dynamic contact angles can be expressed by a power law θ d= k(t+a) -n with the n value 0.98. Less than 50%(molar fraction) SiO 2 addition can accelerate the dynamic water spreading rate on the TiO 2 SiO 2 films and the optimum molar fraction of SiO 2 amount corresponding to as annealed, air plasma, and UV irradiation treatment process is 15%, 10% and 20%, respectively. 展开更多
关键词 TIO2 sio2 动态润湿性 超亲水表面 二氧化钛 二氧化硅
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热处理对离子束溅射SiO_2薄膜结构特性的影响分析 被引量:12
5
作者 季一勤 姜玉刚 +6 位作者 刘华松 王利栓 刘丹丹 姜承慧 羊亚平 樊荣伟 陈德应 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第2期418-422,共5页
采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表... 采用离子束溅射沉积技术,在熔融石英基底上制备了SiO2薄膜,研究了热处理对离子束溅射SiO2薄膜结构特性的影响。热处理温度对表面粗糙度影响较大,低温热处理可降低表面粗糙度,高温热处理则增大表面粗糙度,选择合适的热处理温度,可以使表面粗糙度几乎不变。采用X射线衍射仪(XRD)物相分析方法,分析了热处理对离子束溅射SiO2薄膜的无定形结构特性的影响,当退火温度为550℃,离子束溅射SiO2薄膜的短程有序范围最大、最近邻原子平均距离最小,与熔融石英基底很接近,结构稳定。实验结果表明,采用合适的热处理温度,能大大改善离子束溅射SiO2薄膜的结构特性。 展开更多
关键词 sio2薄膜 热处理 表面粗糙度 XRD 无定形结构
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TiO_2-SiO_2系统凝胶玻璃薄膜折射率的研究 被引量:7
6
作者 樊先平 郝霄鹏 +1 位作者 姚华文 王民权 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期215-217,共3页
应用光度法研究了溶胶 凝胶系统组成、热处理温度对TiO2 SiO2 系统凝胶玻璃薄膜折射率的影响规律。随薄膜中TiO2 含量的增加以及热处理温度的升高 ,薄膜的折射率逐渐增大。通过调整TiO2 SiO2 系统的组成及适当的热处理温度 ,可实现Ti... 应用光度法研究了溶胶 凝胶系统组成、热处理温度对TiO2 SiO2 系统凝胶玻璃薄膜折射率的影响规律。随薄膜中TiO2 含量的增加以及热处理温度的升高 ,薄膜的折射率逐渐增大。通过调整TiO2 SiO2 系统的组成及适当的热处理温度 ,可实现TiO2 SiO2 系统薄膜折射率在 1.5~ 2 . 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 折射率 TiO2-sio2薄膜 平面光波导
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ZrO_2-SiO_2膜的制备和结构研究 被引量:13
7
作者 黄永前 郑昌琼 +1 位作者 胡英 张育林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期204-206,共3页
以正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料 ,用溶胶 -凝胶法制备了无支撑ZrO2 -SiO2 膜。应用DTA -TG、XRD、SEM和BET等测试技术对无支撑ZrO2 -SiO2 膜的结构、表面形貌和孔径进行了表征 ,结果表明ZrO2 -SiO2 凝胶膜虽在 46 7℃开始出现少量单斜ZrO... 以正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料 ,用溶胶 -凝胶法制备了无支撑ZrO2 -SiO2 膜。应用DTA -TG、XRD、SEM和BET等测试技术对无支撑ZrO2 -SiO2 膜的结构、表面形貌和孔径进行了表征 ,结果表明ZrO2 -SiO2 凝胶膜虽在 46 7℃开始出现少量单斜ZrO2 ,但在 5 0 0℃和 12 0 0℃热处理后的主晶相均为四方ZrO2 ,显然SiO2 的存在阻碍了四方相ZrO2 向单斜相ZrO2 转变的过程 ,ZrO2 -SiO2 膜具有比ZrO2 膜更高的热稳定性 ,在95 0℃烧结的无支撑ZrO2 -SiO2 膜孔径稍呈双峰分布 ,其最可几孔径为 3 .3 5nm。 展开更多
关键词 ZrO2-sio2 溶胶-凝胶 制备 结构 热稳定性
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纳米多孔SiO_2薄膜的结构控制与强化 被引量:11
8
作者 吴广明 陈炎 +1 位作者 沈军 周斌 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期836-840,共5页
报道了采用溶胶 -凝胶技术 ,结合碱 /酸两步催化和氨与水蒸气混合气体热处理技术 ,成功地制备了高孔隙率、耐磨和附着力好的纳米多孔SiO2 薄膜 .使用透射电镜 (TEM )、扫描电镜 (SEM)、原子力显微镜、椭偏仪等方法测量和分析了薄膜的特... 报道了采用溶胶 -凝胶技术 ,结合碱 /酸两步催化和氨与水蒸气混合气体热处理技术 ,成功地制备了高孔隙率、耐磨和附着力好的纳米多孔SiO2 薄膜 .使用透射电镜 (TEM )、扫描电镜 (SEM)、原子力显微镜、椭偏仪等方法测量和分析了薄膜的特性 .实验结果表明 :通过控制实验条件实现了SiO2 纳米结构的人工控制 ,形成的薄膜折射率在 1.18~1.4 1之间连续可调 ;采用碱 /酸两步催化法明显提高了薄膜的力学性能 ,混合气体中的热处理进一步改善了薄膜的力学性能 ;薄膜增强归因于SiO2 展开更多
关键词 溶胶-凝胶技术 SI02 薄膜 纳米多孔结构
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溶胶-凝胶法制备TiO_2-SiO_2复合薄膜的研究 被引量:9
9
作者 翟继卫 张良莹 姚熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期284-286,共3页
采用溶胶-凝胶方法在单晶Si基片上制备了TiO2-SiO2复合薄膜,研究了溶剂、pH值对先体溶液成胶时间的作用,溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大,... 采用溶胶-凝胶方法在单晶Si基片上制备了TiO2-SiO2复合薄膜,研究了溶剂、pH值对先体溶液成胶时间的作用,溶液的浓度、甩胶时的旋转速度、涂覆层数以及热处理温度对薄膜厚度、光学性能的影响。薄膜的折射率随温度增大,其主要贡献来自于薄膜中结构的变化。并测量了薄膜的I-V、C-f特性,由于薄膜中的热击穿效应而使得TiO2含量较高的薄膜2的I-V呈非线性变化。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 薄膜 电学特性 二氧化硅 二氧化钛
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射频磁控溅射沉积SiO_2膜的研究 被引量:5
10
作者 刘艳红 郭宝海 马腾才 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期204-207,共4页
研究以射频磁控溅射法在Si衬底上沉积SiO2膜.这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害.在结构和物理性能上对SiO2进行了多方面的测试和分析.结果表明,SiO2膜具有:1)微晶结构,结构致密、表面均匀、无针孔等.2... 研究以射频磁控溅射法在Si衬底上沉积SiO2膜.这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害.在结构和物理性能上对SiO2进行了多方面的测试和分析.结果表明,SiO2膜具有:1)微晶结构,结构致密、表面均匀、无针孔等.2)优良的物理性能,腐蚀速率(在P腐蚀液中)0.20~0.24nm/s,击穿场强2.6×107~4.4×107V/cm.可以得出结论:射频磁控溅射法沉积的SiO2膜与热氧化法沉积的SiO2膜具有相同的物理性质. 展开更多
关键词 沉积 硅器件 二氧化硅 薄膜 射频磁控溅射法
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溶胶-凝胶SiO_2在变色薄膜中的应用 被引量:3
11
作者 倪星元 吕俊霞 +2 位作者 邓忠生 沈军 王珏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期435-436,439,共3页
变色薄膜是一种非常有用的光学产品。用溶胶 凝胶SiO2 作为变色薄膜中的介质层 (Cr/SiO2 /Al)能明显提高产品的质量和生产效率。本文介绍了溶胶 凝胶SiO2 薄膜的制作方法 ,提出了用酸性催化控制SiO2 溶胶过程 ;用网线辊涂布的方法形... 变色薄膜是一种非常有用的光学产品。用溶胶 凝胶SiO2 作为变色薄膜中的介质层 (Cr/SiO2 /Al)能明显提高产品的质量和生产效率。本文介绍了溶胶 凝胶SiO2 薄膜的制作方法 ,提出了用酸性催化控制SiO2 溶胶过程 ;用网线辊涂布的方法形成薄膜 ,连同烘烤后处理完成SiO2 凝胶过程。文章还对SiO2 展开更多
关键词 薄膜 溶胶-凝胶 sio2 变色薄膜
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射频磁控共溅射制备超亲水TiO_2/SiO_2复合薄膜 被引量:3
12
作者 沈杰 沃松涛 +3 位作者 蔡臻炜 崔晓莉 杨锡良 章壮健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期415-419,共5页
采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高... 采用射频磁控共溅射法制备了SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,通过控制SiO2 靶与TiO2 靶的溅射时间可调节SiO2 与TiO2 的比例。所制备的SiO2 /TiO2 薄膜为锐钛矿结构。实验结果表明 :SiO2 的掺入降低了SiO2 /TiO2 复合薄膜的光催化能力 ,但却提高了薄膜的亲水性的维持时间。其中 ,掺入 6 %~ 13%SiO2 的SiO2 /TiO2 复合薄膜 ,在紫外光照射 30min ,接触角降到 2° ;停止照射后 ,在 5天内接触角小于 6°。 展开更多
关键词 sio2 共溅射法 TIO2薄膜 复合薄膜 接触角 内接 锐钛矿结构 射频 实验结果 照射
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激光脉冲法研究多孔SiO_2薄膜的纵向热导率 被引量:2
13
作者 刘芸 师文生 +2 位作者 任巍 张良莹 姚熹 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第9期105-108,共4页
采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多孔SiO2 薄膜的热导率测试结果表明 :薄膜化有利于降低材料的热导率 ,提高隔热效果 ;随着孔率增大 ,薄膜... 采用激光脉冲法成功地测量了Si基底上多孔SiO2 薄膜的纵向热导率 .致密SiO2 薄膜的热导率测试数据与已有多篇文献报导值一致 .对多孔SiO2 薄膜的热导率测试结果表明 :薄膜化有利于降低材料的热导率 ,提高隔热效果 ;随着孔率增大 ,薄膜热导率明显下降 ;溶胶 凝胶法制备的孔率为 4 0 %的SiO2 多孔薄膜的热导率为 0 11W /m·K ,属隔热材料 . 展开更多
关键词 激光脉冲法 多孔膜 二氧化硅膜 纵向热导率
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掺铂WO_3-SiO_2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究 被引量:2
14
作者 徐雪青 沈辉 胡芸菲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1726-1728,共3页
采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过... 采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合 ,分子结构对称性低、变形多 .性能测试结果表明 ,在复合薄膜中 ,WO3 与SiO2 之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道 。 展开更多
关键词 复合薄膜 结构 气致变色 氧化钨 二氧化硅
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SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性 被引量:3
15
作者 贾维国 季秉厚 赵显武 《传感器技术》 CSCD 1998年第4期22-23,26,共3页
本实验是在单晶硅片上热生长一层SiO2,然后用真空淀积的方法获得一层超微粒SnO2薄膜,通过对SnO2/SiO2薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于SnO2薄膜和SiO2薄膜,测湿范围明显... 本实验是在单晶硅片上热生长一层SiO2,然后用真空淀积的方法获得一层超微粒SnO2薄膜,通过对SnO2/SiO2薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于SnO2薄膜和SiO2薄膜,测湿范围明显展宽。 展开更多
关键词 二氧化锡 二氧化硅 薄膜 湿敏
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化学修饰法制备的ZrO_2-SiO_2系凝胶薄膜的感光特性研究 被引量:4
16
作者 赵桂荣 赵高扬 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期207-208,211,共3页
本研究采用溶胶 凝胶与化学修饰相结合的方法制备了xZrO2 ·(10 0 -x)SiO2 系薄膜 ,进一步研究了这种薄膜的紫外光谱特性 ,发现了当x >3 0时 ,这种凝胶薄膜在 3 3 5nm附近有较强的吸收峰 ,这一吸收峰对应于与Zr形成配位体的BzAc... 本研究采用溶胶 凝胶与化学修饰相结合的方法制备了xZrO2 ·(10 0 -x)SiO2 系薄膜 ,进一步研究了这种薄膜的紫外光谱特性 ,发现了当x >3 0时 ,这种凝胶薄膜在 3 3 5nm附近有较强的吸收峰 ,这一吸收峰对应于与Zr形成配位体的BzAcH的π π 迁移。当紫外光照射薄膜后 ,随着含Zr螯合物的分解 ,吸收峰也消失 ,并引起薄膜在有机溶剂中的溶解特性的显著变化 ,表现出明显的感光特性。这种薄膜经 40 0℃、3 0min热处理以后 ,薄膜中的有机物消失 ,可获得非晶质的ZrO2 SiO2 系薄膜 ,依据这一特性可以用紫外光对这类薄膜进行微细加工。 展开更多
关键词 熔胶-凝胶法 化学修饰 微细加工 吸光度 氧化锆-氧化硅薄膜
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溅射共沉积GaAs-SiO_2复合薄膜的XPS研究 被引量:1
17
作者 石旺舟 林揆训 林璇英 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期366-367,共2页
采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和... 采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由GaAs和SiO2组成的复合靶共溅射沉积的GaAs-SiO2复合薄膜的Ga、As和Si的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明:Ga、As和Si分别主要是以GaAs和SiO2的化学组态存在于复合薄膜之中,但当沉积时基片温度上升到一定值后(我们实验中为400℃),有部分的Ga和As被氧化,其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的SiO2中存在着少量的缺氧缺位。 展开更多
关键词 纳米 复合薄膜 砷化镓 XPS 二氧化硅 半导体
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Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正 被引量:3
18
作者 张晓青 夏钟福 潘永刚 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期564-567,共4页
采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了... 采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 . 展开更多
关键词 化学表面修正 驻极体薄膜 电荷储存稳定性
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Ge-SiO_2与Si-SiO_2薄膜中颗粒形成的对比研究
19
作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期245-248,共4页
以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光... 以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光电子能谱 (XPS)分析等测试手段 ,将两种薄膜进行了比较。在Ge SiO2 样品中 ,随退火温度的升高 ,会发生GeOx 的热分解或者与Si发生化学反应 ,引起部分氧原子逸出和Ge原子的扩散和聚集 ,从而形成纳米Ge的晶粒。在Si SiO2 薄膜样品中 ,由于Si的成核长大速率较低 ,因而颗粒长大的速率较慢 ,薄膜内不易形成Si颗粒。只有经 10 0 0℃高温退火后样品中才有少量单质Si颗粒形成。 展开更多
关键词 sio2薄膜 射频磁控溅射技术 光电子能谱 氧原子 双离子束溅射 颗粒 溅射靶 速率 高温退火 退火温度
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电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
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作者 冯文修 田浦延 +1 位作者 陈蒲生 刘剑 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-17,共5页
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没... 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。 展开更多
关键词 电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 超薄二氧化硅膜 遂穿电流 电流传输特性
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