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面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器: 1; 作者罗将张文柱程强《电子与信息学报》北大核心 2025年第2期344-352,共9页; 近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95... 展开更多; 关键词 sige bicmos W波段衰减器交叉耦合宽带耦合器超表面; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路被引量：1: 2; 作者李飞吴洪江 +1 位作者龚剑曹慧斌《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期499-504,共6页; 为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提... 展开更多; 关键词采样保持电路 sige bicmos工艺射极跟随型采样开关前馈电容馈通补偿电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计被引量：3: 3; 作者郭斐梁煜 +1 位作者张为杨雪《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期51-57,66,共8页; 为满足宽频带射频通信接收前端低噪声放大器的设计需求,提出一种基于共发射极密勒电容的宽带匹配结构。该结构利用异质结双极性晶体管的密勒电容,将负载纳入输入匹配网络进行设计,从而实现宽带输入匹配。该结构在实现良好的低噪声性能... 展开更多; 关键词宽带低噪声放大器 sige bicmos 噪声阻抗匹配; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计被引量：2: 4; 作者薛喆何进 +4 位作者陈婷王豪常胜黄启俊许仕龙《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期892-895,917,共5页; 采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现... 展开更多; 关键词跨阻放大器 25 Gbit/s 伪差分输入电容简并 sige双极CMOS(bicmos); 在线阅读下载PDF 职称材料

一款2G/s采样率20 GHz带宽主从式跟踪保持电路设计研究被引量：2: 5; 作者张贵福周劼刘友江《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期73-80,共8页; 设计了一款全差分、20 GHz带宽主从式跟踪保持芯片(MS-THA)。该芯片采样率为2 G/s,工作带宽大于20 GHz,采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺实现。该芯片采用传统的开关发射极跟随器(SEF)作为跟踪保持核心电路,Cherryhooper电路作为输入缓冲和... 展开更多; 关键词主从式跟踪保持放大器 sige bicmos工艺无杂散动态范围; 在线阅读下载PDF 职称材料

高线性度大摆幅高速PAM4光发射机驱动电路设计被引量：3: 6; 作者谢生石岱泉 +1 位作者毛陆虹周高磊《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期861-867,共7页; 基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于超高速光通信的四级脉冲幅度调制(PAM4)光发射机驱动电路.整体电路包括两路高速非归零码(NRZ)通道(最高有效位通道和最低有效位通道)、时钟缓冲级、电流模式逻辑(CML)加法器和输出缓冲... 展开更多; 关键词四级脉冲幅度调制高线性度大摆幅 sige bicmos 光发射机; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵被引量：2: 7; 作者翟奇国魏鲁袁昊煜《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期445-450,共6页; 设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器。在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪声的贡献,以进一步降低频率合成... 展开更多; 关键词低相位噪声电荷泵频率合成器锁相环(PLL) sige bicmos工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器: 1; 作者罗将张文柱程强; 机构杭州电子科技大学电子信息学院东南大学毫米波国家重点实验室; 出处《电子与信息学报》北大核心 2025年第2期344-352,共9页; 基金国家重点研发计划(2023YFB3811503) 浙江省自然科学基金(LQ23F040009) 毫米波国家重点实验室(K202316)。; 文摘近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95~105 GHz的五位宽带数控衰减器芯片。该衰减器采用了反射式和简化T型两种拓扑结构,其中4 dB与8 dB反射式衰减单元采用交叉耦合宽带耦合器代替传统的3 dB耦合器或定向耦合器,同时获得了高衰减精度和低插入损耗;而0.5 dB,1 dB,2 dB三个衰减单元均采用简化T型结构。此外,利用RC正斜率和负斜率校正网络分别应用于不同的衰减单元进行相位补偿,极大地改善了衰减器的附加相移。经过仿真验证,在95~105 GHz的感兴趣工作频率内,衰减器芯片在0.12 mm^(2)的紧凑的尺寸下实现了0~15.5 dB的衰减范围,步进为0.5 dB,基态插入损耗小于2.5 dB,幅度均方根误差小于0.31 dB,附加相移均方根误差小于2.2°。所提出的W波段衰减器可作为一个关键部件赋能集成T/R的辐散一体化超表面天线系统的硬件实现。; 关键词 sige bicmos W波段衰减器交叉耦合宽带耦合器超表面; Keywords sige bicmos W-band Attenuator Wideband coupler with cross-coupling Metasurface; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路被引量：1: 2; 作者李飞吴洪江龚剑曹慧斌; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期499-504,共6页; 文摘为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。; 关键词采样保持电路 sige bicmos工艺射极跟随型采样开关前馈电容馈通补偿电路; Keywords sample and hold circuit sige bicmos technology emitter follower sampling switch feedforward capacitor feed⁃through compensation circuit; 分类号 TN792 [电子电信—电路与系统] TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计被引量：3: 3; 作者郭斐梁煜张为杨雪; 机构天津大学微电子学院; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期51-57,66,共8页; 基金国家基础加强重点项目基金(2019JCJQZD24603)。; 文摘为满足宽频带射频通信接收前端低噪声放大器的设计需求,提出一种基于共发射极密勒电容的宽带匹配结构。该结构利用异质结双极性晶体管的密勒电容,将负载纳入输入匹配网络进行设计,从而实现宽带输入匹配。该结构在实现良好的低噪声性能的同时,能够有效拓展放大器的工作频带。基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款宽带低噪声放大器,电路采用三级级联结构,首级采用密勒电容宽带匹配结构,可降低噪声并实现输入宽带匹配,后两级采用共基共射结构用于补偿增益。仿真结果表明,在6~30 GHz频带内,低噪声放大器的增益为16.5~19.1 dB,噪声系数为1.43~2.66 dB,输入反射系数S11小于-11.9 dB,输出反射系数S22小于-13.7 dB。放大器在整个频段内无条件稳定。在1.8 V供电电压下电路的直流功耗为38.7 mW,整体芯片面积为0.88 mm^(2)。该低噪声放大器综合性能优良,可应用于宽带接收系统。; 关键词宽带低噪声放大器 sige bicmos 噪声阻抗匹配; Keywords broadband low noise amplifier sige bicmos noise impedance matching; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计被引量：2: 4; 作者薛喆何进陈婷王豪常胜黄启俊许仕龙; 机构武汉大学物理科学与技术学院中国电子科技集团公司第五十四研究所; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期892-895,917,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(61774113 61574102 +3 种基金 61404094) 中国博士后科学基金资助项目(2012T50688); 文摘采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情况下,电路分为主放大器模块、两级差分模块和输出缓冲模块。相比传统的跨阻放大器,TIA采用Dummy形式实现了一种伪差分的输入,减小了共模噪声,提高了电路的稳定性;在差分级加入了电容简并技术,有效地提高了跨阻放大器的带宽;在各级之间引入了射极跟随器,减小了前后级之间的影响,改善了电路的频域特性。电路整体采用了差分结构,抑制了电源噪声和衬底噪声。仿真结果表明跨阻放大器的增益为63.6 dBΩ,带宽可达20.4 GHz,灵敏度为-18.2 dBm,最大输出电压为260 mV,功耗为82 mW。; 关键词跨阻放大器 25 Gbit/s 伪差分输入电容简并 sige双极CMOS(bicmos); Keywords transimpedance amplifier 25 Gbit/s pseudo-differential capacitance degeneration sige bipolar CMOS （bicmos）; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.71 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一款2G/s采样率20 GHz带宽主从式跟踪保持电路设计研究被引量：2: 5; 作者张贵福周劼刘友江; 机构中国工程物理研究院电子工程研究所中国工程物理研究院; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期73-80,共8页; 文摘设计了一款全差分、20 GHz带宽主从式跟踪保持芯片(MS-THA)。该芯片采样率为2 G/s,工作带宽大于20 GHz,采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺实现。该芯片采用传统的开关发射极跟随器(SEF)作为跟踪保持核心电路,Cherryhooper电路作为输入缓冲和输出缓冲的带宽增强核心电路,并利用交叉反馈电容抑制馈通。为了验证上述电路的有效性,设计了一个单级THA电路,测试结果为MS-THA电路提供了足够的支持。在单电源+3.3 V供电、输入直流电平为0 V,2 G/s采样率以及-3 dBm输入信号功率条件下,获得的单端输出无杂散动态范围小于-23.5 dB,总功耗约为300 mW。; 关键词主从式跟踪保持放大器 sige bicmos工艺无杂散动态范围; Keywords master-slave track-and-hold amplifier sige bicmos spurious free dynamic range; 分类号 TN242 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高线性度大摆幅高速PAM4光发射机驱动电路设计被引量：3: 6; 作者谢生石岱泉毛陆虹周高磊; 机构天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津大学电气自动化与信息工程学院; 出处《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第8期861-867,共7页; 基金国家重点研发计划资助项目(2018YFE0202500).; 文摘基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款应用于超高速光通信的四级脉冲幅度调制(PAM4)光发射机驱动电路.整体电路包括两路高速非归零码(NRZ)通道(最高有效位通道和最低有效位通道)、时钟缓冲级、电流模式逻辑(CML)加法器和输出缓冲级.鉴于PAM4信号的高线性度要求,为解决传统设计中电平失配率(RLM)较低的问题,设计了带有低压共源共栅电流镜的CML加法器,避免电流镜像不精确和输出阻抗随加法逻辑变化所带来的非线性因素.同时,针对传统输出级带宽不足与摆幅过小的问题,设计了有源电感负载的f_(t)倍频器结构,在实现同等增益下更高电路带宽的同时,突破传统输出级设计中输出摆幅与阻抗匹配之间的矛盾.后仿真结果表明,在电源电压3.3 V、输入信号为两路100 mV的25 Gb/s NRZ信号的条件下,所设计的两路高速NRZ通道可实现约18.3 dB的增益和19.65 GHz的带宽,带宽范围内等效输入噪声电压小于37.6 nV/√Hz.整体电路可实现50 Gb/s PAM4输出信号,输出眼图清晰,且获得了RLM为98.6%的高线性度,输出摆幅达1.5 V.; 关键词四级脉冲幅度调制高线性度大摆幅 sige bicmos 光发射机; Keywords four-level pulse amplitude modulation high linearity large swing sige bicmos optical transmitter; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵被引量：2: 7; 作者翟奇国魏鲁袁昊煜; 机构成都振芯科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期445-450,共6页; 文摘设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器。在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪声的贡献,以进一步降低频率合成器的相位噪声。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行了设计仿真和流片验证。测试结果表明:频率合成器工作在频率为10 GHz时,电荷泵中高增益低噪声电流源关闭和开启情况下,锁相环相位噪声分别为-106.1 dBc/Hz@10 kHz和-108.68 dBc/Hz@10 kHz。实现了通过开启电荷泵中高增益低噪声电流源使锁相环输出相位噪声下降约3 dB的目标。; 关键词低相位噪声电荷泵频率合成器锁相环(PLL) sige bicmos工艺; Keywords low phase noise charge pump frequency synthesizer phase-locked loop(PLL) sige bicmos process; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器	罗将张文柱程强	《电子与信息学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路	李飞吴洪江龚剑曹慧斌	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种SiGe BiCMOS宽带低噪声放大器设计	郭斐梁煜张为杨雪	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计	薛喆何进陈婷王豪常胜黄启俊许仕龙	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一款2G/s采样率20 GHz带宽主从式跟踪保持电路设计研究	张贵福周劼刘友江	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高线性度大摆幅高速PAM4光发射机驱动电路设计	谢生石岱泉毛陆虹周高磊	《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵	翟奇国魏鲁袁昊煜	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料