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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
1
作者 张斌 蒋颖丹 +4 位作者 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期14-20,共7页
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。 展开更多
关键词 驱动放大器 宽带射频 sige工艺 温度补偿 共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦 异质结双极晶体管
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器
2
作者 张翼 戚骞 +4 位作者 张有涛 韩春林 王洋 张长春 郭宇锋 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 北大核心 2024年第3期42-47,共6页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,其中低10位电流舵使用R-2R梯形电阻网络,而高4位使用温度计码结构。仿真结果表明,所设计DAC的DNL、INL分别为0.54 LSB和0.39 LSB,全奈奎斯特频域内的无杂散动态范围均大于82 dBc。在3.3 V和5 V混合电源供电下,整个DAC的平均功耗为2.39 W。芯片总面积为11.22 mm^(2)。 展开更多
关键词 数模转换器 sige HBT 电流模逻辑 电流舵
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烟曲霉sIgE、嗜酸性粒细胞和总IgE联合检测对变应性支气管肺曲霉菌病的诊断价值
3
作者 胡恒贵 张静文 徐晓梦 《临床检验杂志》 CAS 2024年第1期36-39,共4页
目的探讨血清烟曲霉特异性IgE(sIgE)、嗜酸性粒细胞和总IgE联合检测对变应性支气管肺曲霉菌病(ABPA)的诊断价值。方法收集2021年6月至2023年4月皖北煤电集团总医院就诊且经临床诊断为ABPA患者26例作为ABPA组,支气管炎患者22例作为支气... 目的探讨血清烟曲霉特异性IgE(sIgE)、嗜酸性粒细胞和总IgE联合检测对变应性支气管肺曲霉菌病(ABPA)的诊断价值。方法收集2021年6月至2023年4月皖北煤电集团总医院就诊且经临床诊断为ABPA患者26例作为ABPA组,支气管炎患者22例作为支气管炎组,另选取体检健康者30例作为健康人对照组。采用荧光酶联技术测定3组受试者血清中烟曲霉sIgE和总IgE含量,仪器法测定外周血细胞中嗜酸性粒细胞数,并比较3组受试者血清烟曲霉sIgE、总IgE及外周血嗜酸性粒细胞水平;采用ROC曲线评估各项指标对ABPA诊断的效能;采用Pearson相关分析肺曲霉菌病患者血清烟曲霉sIgE、嗜酸性粒细胞与总IgE的相关性。结果ABPA组患者血清烟曲霉sIgE、嗜酸性粒细胞与总IgE水平分别为2.96(0.21,8.34)kU A/L、0.10(0.05,0.15)×10^(9)/L、206.00(31.55,377.00)kU/L;支气管组分别为0.015(0.01,0.08)kU A/L、0.075(0.01,0.20)×10^(9)/L、25.60(16.17,106.25)kU/L,健康人对照组分别为0.013(0.01,0.06)kU A/L、0.064(0.01,0.17)×10^(9)/L、15.30(11.21,26.16)kU/L。ABPA组患者血清烟曲霉sIgE和总IgE水平显著高于支气管炎组(Z分别为-2.416、-3.237,P均<0.05)和健康人对照组(Z分别为-2.642、-3.832,P均<0.05),支气管炎组患者血清总IgE水平高于健康人对照组(Z=-1.981,P均<0.05);3组受试者嗜酸性粒细胞水平比较差异无统计学意义(P>0.05);ABPA组患者血清总IgE与嗜酸性粒细胞水平呈正相关(r=0.676,P<0.05);ROC曲线分析结果显示,血清烟曲霉sIgE、嗜酸性粒细胞与总IgE诊断ABPA的ROC曲线下面积(AUC ROC)分别为0.813、0.523、0.829,总IgE的AUC^(ROC)最高,其敏感性和特异性分别为84.6%和81.4%,三项指标联合检测可将AUC ROC提高至0.840;血清烟曲霉sIgE、总IgE和嗜酸性粒细胞联合检测诊断ABPA的AUC^(ROC)、敏感性、特异性均高于单一指标检测。结论ABPA患者血清烟曲霉sIgE与总IgE水平升高,三项指标联合诊断ABPA的效能较高,可作为评估ABPA感染和诊疗的血液标志物。 展开更多
关键词 变应性支气管肺曲霉菌病 烟曲霉sige 总IGE 嗜酸性粒细胞
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SiGe异质结晶体管技术的发展 被引量：8
4
作者 辛启明 刘英坤 贾素梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第9期672-676,729,共6页
以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术... 以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程。介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点。在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用。以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术-SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品。最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍。在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术。 展开更多
关键词 sige技术 sige外延 sige HBT sige BICMOS sige FET
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基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路
5
作者 李飞 吴洪江 +1 位作者 龚剑 曹慧斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期499-504,共6页
为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提... 为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。 展开更多
关键词 采样保持电路 sige BiCMOS工艺 射极跟随型采样开关 前馈电容 馈通补偿电路
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基于SiGe工艺多抽头电感结构的紧凑型Wilkinson功分器
6
作者 张斌 秦战明 +3 位作者 孙文俊 蒋颖丹 汪柏康 张礼怿 《现代电子技术》 北大核心 2024年第10期13-17,共5页
为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18... 为了解决传统Wilkinson功分器损耗高、尺寸大的问题,从功分器的理论分析出发,将传统的微带线结构和LC集总式结构进行改进,在隔离电阻处引入频率补偿电容,设计一种新型的多抽头电感结构的紧凑型宽带二等分功分器。所设计的功分器基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺。射频/微波电磁仿真显示,在8~16 GHz的频带范围内,功分器的分配损耗小于0.8 dB,隔离度大于20 dB,端口回波损耗大于15 dB,核心电路版图面积仅为0.30 mm×0.25 mm,可满足宽带功分器低损耗、小型化、高隔离度的设计要求。 展开更多
关键词 WILKINSON功分器 多抽头电感 sige工艺 二等分结构 补偿电容 低损耗 小型化
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Ge/SiGe非对称耦合量子阱强度调制特性仿真
7
作者 江佩璘 张意 +5 位作者 黄强 石浩天 黄楚坤 余林峰 孙军强 余长亮 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期388-396,共9页
硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构... 硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构。首先,利用8带k·p理论模型对耦合量子阱的能带结构和电子波函数进行了仿真计算;然后,详细分析了外加电场强度在0 kV/cm至60 kV/cm范围内,非对称耦合量子阱对TE和TM偏振模式的传输光的光吸收谱随外加电场强度的变化。仿真结果表明,对于TE偏振模式的传输光,在无外加电场强度条件下,非对称耦合量子阱的第一个吸收带边约在1449 nm处;而在30 kV/cm外加电场下,该量子阱的吸收带边相比于无外加电场情况向长波方向移动约22 nm,比相同外加电压下的普通量子阱显著。本工作所提出的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构是一种有望实现更低工作电压、更高速和更低损耗硅基强度调制器的结构。 展开更多
关键词 光电子学 强度调制 量子限制斯塔克效应 Ge/sige量子阱 非对称耦合量子阱
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环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
8
作者 刘恩序 李俊杰 +5 位作者 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期14-20,共7页
环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要... 环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要SiGe选择性刻蚀技术。工艺要求SiGe作为牺牲层被选择性刻蚀去除,且尽可能减少对Si沟道的损伤。本文对环栅晶体管制备工艺中所需的SiGe选择性刻蚀技术进行了综述,主要分析了器件结构的发展趋势及SiGe选择性刻蚀的应用,并分类综述了常规SiGe选择性刻蚀方法以及新型选择性刻蚀技术的发展历程,分析了各种技术的优点和不足。最后对SiGe选择性刻蚀技术面临的挑战进行了分析,并对其未来可能的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 锗硅 选择性刻蚀 环栅 内侧墙 沟道释放 纳米线 纳米片
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SiGe电光调制器研究进展
9
作者 王迪 冯松 +3 位作者 陈梦林 刘勇 胡祥建 冯露露 《电子科技》 2024年第2期46-54,共9页
光子调制器是光纤通信系统中的核心器件,主要对光信号进行调制,实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展,硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件,基于硅工艺技术的GHz带宽调制器的实现也为硅光子学的发展奠定了基础。... 光子调制器是光纤通信系统中的核心器件,主要对光信号进行调制,实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展,硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件,基于硅工艺技术的GHz带宽调制器的实现也为硅光子学的发展奠定了基础。作为一种用于短距离光互连的高性能光调制器,SiGe光吸收调制器受到了较多关注。文中讨论了高性能SiGe电光调制器的发展现状,对国内外硅基光子调制器的研究进展进行分析,讨论了PIN、PN结等电学调制结构,为研发高速率、低损耗的光子调制器提供了思路。 展开更多
关键词 硅光子学 光子器件 调制器 锗硅 PIN PN 量子阱 研究进展
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SiGe技术、器件及其应用
10
作者 翁寿松 《电子与封装》 2004年第6期49-52,共4页
SiGe技术和SOI技术将是21世纪硅集成的重要技术,它们相互补充,改善晶体管的速度 和性能。本文介绍了SiGe技术、器件和应用。
关键词 sige技术 应变硅技术 sige器件应用
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SiGe热电材料的发展与展望 被引量：12
11
作者 姜洪义 王华文 任卫 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期119-121,129,共4页
热电材料是利用热电效应将电能和热能直接相互转换的功能材料,在热电发电和热电制冷领域都有巨大的应用前景,而SiGe热电材料则是高温域一种很有前途的热电材料。论述了SiGe热电材料的热电特性及制备工艺,阐述了提高材料热电性能的主要... 热电材料是利用热电效应将电能和热能直接相互转换的功能材料,在热电发电和热电制冷领域都有巨大的应用前景,而SiGe热电材料则是高温域一种很有前途的热电材料。论述了SiGe热电材料的热电特性及制备工艺,阐述了提高材料热电性能的主要途径。 展开更多
关键词 sige 热电材料 掺杂 烧结
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一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器 被引量：5
12
作者 阮颖 刘炎华 +1 位作者 陈磊 赖宗声 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第12期3035-3039,共5页
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极... 针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗。采用了GRACE 0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成。测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S 21达23 dB,输入回波损耗S 11小于-15 dB。PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20%,功率增益为22 dB。 展开更多
关键词 sige BICMOS 功率放大器 全集成 自适应偏置
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SiGe CMOS结构与模拟分析 被引量：3
13
作者 戴显英 郝东艳 +2 位作者 张鹤鸣 胡辉勇 吕懿 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期338-341,共4页
提出了一种新的SiGeCMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGeCMOS... 提出了一种新的SiGeCMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGeCMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数.同时模拟了SiGeCMOS倒相器的传输特性. 展开更多
关键词 sige CMOS 结构模拟 电学性能
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SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析 被引量：4
14
作者 王祖军 刘书焕 +5 位作者 唐本奇 陈伟 黄绍艳 肖志刚 张勇 刘敏波 《电子器件》 CAS 2009年第3期534-537,共4页
分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β... 分别在不同基极掺杂浓度、集电极掺杂浓度、发射极掺杂浓度和不同Ge组分含量的情况下,运用半导体器件模拟软件—MEDICI,对SiGe HBT器件的直流特性和频率特性进行了数值模拟,得出了SiGe HBT器件的集电极电流IC、基极电流IB、电流增益β和截止频率fT变化的初步规律。 展开更多
关键词 sige HBT 电流增益 截止频率 掺杂浓度 数值模拟
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基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量：4
15
作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) sige异质结双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器
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SiGe HBT及高速电路的发展 被引量：5
16
作者 姚飞 成步文 王启明 《微纳电子技术》 CAS 2003年第10期5-14,共10页
详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。
关键词 sige HBT 噪声特性 结构 制作工艺 寄生效应 高速电路 异质结双极晶体管 功率放大器 硅锗
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SiGe BiCMOS线性器件脉冲激光单粒子瞬态效应研究 被引量：2
17
作者 安恒 张晨光 +3 位作者 杨生胜 薛玉雄 王光毅 王俊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期149-155,共7页
验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫... 验证SiGe BiCMOS工艺线性器件的单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)效应敏感性,选取典型运算放大器THS4304和稳压器TPS760进行了脉冲激光试验研究。试验中,通过能量逐渐逼近方法确定了其诱发SET效应的激光阈值能量,并通过逐点扫描的办法分析了器件内部单粒子效应敏感区域,并在此基础上分析了脉冲激光能量与SET脉冲的相互关系,获得了单粒子效应截面,为SiGe BiCMOS工艺器件在卫星电子系统的筛选应用以及抗辐射加固设计提供数据参考。 展开更多
关键词 sige BICMOS 线性器件 单粒子效应 单粒子瞬态 脉冲激光
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基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器 被引量：4
18
作者 胡锦 陶可欣 +1 位作者 郝明丽 张晓轲 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第2期18-21,共4页
基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24... 基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%. 展开更多
关键词 射频 功率放大器 sige
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3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计 被引量：3
19
作者 李佳 张万荣 +3 位作者 谢红云 金冬月 沈珮 甘军宁 《电子器件》 CAS 2009年第2期311-314,共4页
根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真... 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4~3.3 dB之间,输入输出反射系数（S11和S22）均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定。所有结果表明该LNA性能良好。 展开更多
关键词 射频放大器 低噪声放大器 电路设计 超宽带 sige HBTS
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超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析 被引量：3
20
作者 沈珮 张万荣 +2 位作者 金冬月 谢红云 黄毅文 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期77-82,共6页
设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的... 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带（UWB）SiGe HBT低噪声放大器（LNA）。因为摒弃了使用占片面积大的电感，所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本。在新型放大器的反馈支路中，使用了复合分布式电阻和隔直流电容，代替了传统的单一电阻。用这种方式设计的LNA，仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配，同时不牺牲偏置。最终设计出的LNA版图面积仅为0．144mm^2。仿真实验显示，在3．1—10GHz超宽频带内，新型UWB LNA实现了低于4．5dB的噪声系数、高达20dB的增益（增益平坦度仅为1．032dB），小于1．637的输出端驻波比，大于2．3的稳定因子。此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) sige异质结双极晶体管 超宽带(UWB) 阻抗匹配 噪声系数
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