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自适应拥塞控制系统中LDoS攻击仿真和分析 被引量:3
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作者 刘陶 何炎祥 熊琦 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1026-1031,共6页
针对自适应拥塞控制系统操作特性所出现的低速率拒绝服务攻击(LDoS,Low-rate Denial of Service attacks)是近年来的一类新型DoS攻击。与传统洪范式DoS攻击相比,LDoS具有攻击效率更高、检测难度更大等特点。在对常用攻击模拟分析平台NS... 针对自适应拥塞控制系统操作特性所出现的低速率拒绝服务攻击(LDoS,Low-rate Denial of Service attacks)是近年来的一类新型DoS攻击。与传统洪范式DoS攻击相比,LDoS具有攻击效率更高、检测难度更大等特点。在对常用攻击模拟分析平台NS2进行缺陷分析的基础上,提出了一种基于有色Petri网(CPN)的LDoS攻击系统建模方法,应用仿真工具CPN Tools实现了对目标系统行为及LDoS攻击效果的仿真,并在此基础上提出了一种基于自适应资源投放的系统防范方案,仿真结果表明此方案能够有效降低LDoS攻击对目标系统服务质量的影响。 展开更多
关键词 自适应拥塞控制系统 ldos攻击 系统流程CPN建模 攻击防范
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针对SIP服务器的LDOS生死链攻击模型 被引量:2
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作者 王传安 王亚军 +1 位作者 郭晓 宋雪亚 《计算机应用与软件》 CSCD 2015年第8期300-303,共4页
集中于针对SIP服务器的低速率拒绝服务攻击(LDoS)的研究。通过分析LDoS攻击过程中各个阶段中不同的攻击策略,建立攻击流程,并量化攻击系统的相关参数。在此基础上,构建一个生死链攻击模型,该模型采用马尔可夫链和生死过程来刻画攻击过程... 集中于针对SIP服务器的低速率拒绝服务攻击(LDoS)的研究。通过分析LDoS攻击过程中各个阶段中不同的攻击策略,建立攻击流程,并量化攻击系统的相关参数。在此基础上,构建一个生死链攻击模型,该模型采用马尔可夫链和生死过程来刻画攻击过程,通过计算平稳概率分布,来评估攻击的有效性。最后,将仿真实验结果与理论预期结果进行对比分析,实验结果表明,建立的攻击模型是有效的、可行的。 展开更多
关键词 攻击模型 ldos SIP服务器 参数量化
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SDN环境下的LDoS攻击检测与防御技术 被引量:7
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作者 颜通 白志华 +2 位作者 高镇 闫丽娜 周蕾 《计算机科学与探索》 CSCD 北大核心 2020年第4期566-577,共12页
低速率拒绝服务(LDoS)攻击是一种新型的网络攻击方式,其特点是攻击成本低,隐蔽性强。作为一种新型的网络架构,软件定义网络(SDN)同样面临着LDoS攻击的威胁。但SDN网络的控制与转发分离、网络行为可编程等特点又为LDoS攻击的检测和防御... 低速率拒绝服务(LDoS)攻击是一种新型的网络攻击方式,其特点是攻击成本低,隐蔽性强。作为一种新型的网络架构,软件定义网络(SDN)同样面临着LDoS攻击的威胁。但SDN网络的控制与转发分离、网络行为可编程等特点又为LDoS攻击的检测和防御提供了新的思路。提出了一种基于OpenFlow协议的LDoS攻击检测和防御方法。通过对每条OpenFlow数据流的速率单独进行统计,并利用信号检测中的双滑动窗口法实现对攻击流量的检测,一旦检测到攻击流量,控制器便可以通过下发流表的方式实现对攻击行为的实时防御。实验表明,该方法能够有效检测出LDoS攻击,并能够在较短时间内实现对攻击行为的防御。 展开更多
关键词 低速率拒绝服务(ldos)攻击 软件定义网络(SDN) 检测 防御 开放式网络操作系统(ONOS)
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碱性位和缺陷对MgAl-LDHs催化芴与CO_(2)直接羧基化反应的影响
4
作者 郝洪波 高卿 +2 位作者 叶翠平 穆建丽 李文英 《燃料化学学报(中英文)》 北大核心 2025年第4期472-480,共9页
将CO_(2)转化为高附加值的化学品,对于缓解CO_(2)造成的环境污染和减少对化石能源的依赖至关重要。而以CO_(2)为羧基源直接合成羧酸是其资源化利用的重要途径。为了实现CO_(2)在温和条件下的高效转化,实验考察了无水K_(2)CO_(3)、K_(2)C... 将CO_(2)转化为高附加值的化学品,对于缓解CO_(2)造成的环境污染和减少对化石能源的依赖至关重要。而以CO_(2)为羧基源直接合成羧酸是其资源化利用的重要途径。为了实现CO_(2)在温和条件下的高效转化,实验考察了无水K_(2)CO_(3)、K_(2)CO_(3)/LDHs、K_(2)CO_(3)+LDHs/LDO等固体碱对CO_(2)直接羧基化合成9-芴甲酸(9-FCA)的影响,结合XPS、XRD、CO_(2)-TPD及FT-IR等探讨了其催化活性存在差异的原因。结果表明,仅使用K_(2)CO_(3)时,9-芴甲酸的产率为64.61%。再生过程中K_(2)CO_(3)从γ-K_(2)CO_(3)相转变为低活性的β-K_(2)CO_(3)相,碱性位点减少,碱量降低,导致催化活性下降。负载K_(2)CO_(3)会影响LDHs碱性中心的数量和碱强度,Mg_(2)Al-LDH-C-40%和Mg_(3)Al-LDH-H-40%对应的9-芴甲酸产率分别为66.15%和44.45%。焙烧后Mg_(2)Al-LDO-500尖晶石相(MgAl_(2)O_(4))增加,羟基(-OH)减少、结晶度降低、中等强度碱性位点和氧空位(Ov)增加,添加量为K_(2)CO_(3)的7%时,9-芴甲酸的产率提升至78.36%。 展开更多
关键词 碱性位 缺陷 MgAl-LDHs/LDO CO_(2) 羧基化反应
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一种无片外电容的低功耗瞬态增强LDO
5
作者 程铁栋 金枭涵 《电子测量技术》 北大核心 2025年第12期26-31,共6页
针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高... 针对无片外电容低压差线性稳压器(LDO)低功耗快速瞬态响应问题,提出了一种基于前馈补偿的瞬态增强LDO电路。误差放大器使用电流回收型折叠共源共栅放大器,具有低功耗、高增益等特点。前馈补偿采用多个小增益级连接,在低静态电流下提高系统稳定性。输出电压尖峰通过电容耦合至瞬态增强电路,为功率管栅极提供充、放电路径,提高瞬态响应性能。电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计,仿真结果显示,在100μA~50 mA负载电流跳变范围内,LDO瞬态增强后,输出电压上冲尖峰减小343 mV,下降39%;输出电压下冲尖峰减小592 mV,下降57%。负载调整率为0.0057 mV/mA,线性调整率为0.22 mV/V。电路静态电流约为3μA,LDO电流效率高达99.99%。 展开更多
关键词 LDO 前馈补偿 密勒补偿 瞬态增强
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一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器
6
作者 李飞宇 陈君涛 +1 位作者 周爵 朱安康 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期282-288,共7页
设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了... 设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器(LDO)。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点,采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声,并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片,其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明,在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时,LDO的启动时间约为150μs,在1 kHz处的噪声为-138.15 dBV/√Hz,10 Hz~100 kHz内均方根(RMS)积分噪声约为17.0μV。 展开更多
关键词 低噪声 低压差线性稳压器(LDO) 超低通滤波器 负载电流 启动时间
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层状双金属氢氧化物(LDH)去除磷酸盐的性能研究 被引量:2
7
作者 杨海燕 何文奇 +1 位作者 吴婷 黄梅 《环境科学研究》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期1037-1045,共9页
我国水体特别是湖泊的富营养化与氮磷营养盐的超标排放有关.如果集中式污水处理厂的除磷效果不理想,将易引发尾水总磷超标,因此对污水处理厂二级处理过程的效能挖潜是当下污水处理厂提标改造的重点.层状双金属氢氧化物(LDH)是新型纳米... 我国水体特别是湖泊的富营养化与氮磷营养盐的超标排放有关.如果集中式污水处理厂的除磷效果不理想,将易引发尾水总磷超标,因此对污水处理厂二级处理过程的效能挖潜是当下污水处理厂提标改造的重点.层状双金属氢氧化物(LDH)是新型纳米吸附剂,可实现水体中磷元素的高效去除.研究中采用共沉淀法制备Mg/Al层状双金属氢氧化物(Mg/Al-LDH)及其煅烧产物(Mg/Al-LDO),通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)和Zeta电位等方法表征其组成和微观形貌,借助吸附动力学和吸附等温线探究Mg/Al-LDH和Mg/Al-LDO对磷酸盐的吸附特点和作用机理.结果表明:①当磷酸盐的初始质量浓度为10 mg/L(以P计)时,Mg/Al-LDH和Mg/Al-LDO对磷酸盐的吸附在2 h内快速增加并完成90%的吸附率,且它们的拟二级动力学模型(R^(2)值均大于0.999)比拟一级动力学模型能更好地模拟磷酸盐吸附过程,因而可以认为Mg/Al-LDH和Mg/Al-LDO的除磷过程主要通过化学吸附或化学键合来实现.②由于Mg/Al-LDH和Mg/Al-LDO的等温吸附数据更符合Langmuir等温吸附模型(R^(2)值均大于0.994),说明溶液中的磷酸根应以单分子层方式吸附在Mg/Al-LDH或Mg/Al-LDO上,它们在298 K下的最大饱和吸附量分别为84.5和122.7 mg/g.③Mg/Al-LDO在pH为3.0~11.0范围内具有的界面正电性,以及吸附磷酸盐后部分恢复原有层状结构的能力,使得Mg/Al-LDO在宽pH范围内具有比Mg/Al-LDH更强的脱磷能力.研究显示,Mg/Al-LDH和Mg/Al-LDO可实现含磷水样的高效快速去除,从而为今后市政污水处理技术的革新提供新思路. 展开更多
关键词 层状双金属氢氧化物(LDH) LDO 磷酸盐 吸附 去除
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基于前馈补偿的快速响应无片外电容LDO设计 被引量:1
8
作者 孙帆 黄海波 +2 位作者 卢军 王卫华 彭国生 《电子测量技术》 北大核心 2024年第17期31-37,共7页
无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左... 无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左半平面零点,改善系统的稳定性。同时,前馈补偿电路可以使LDO在轻载和重载之间变化时,自适应地在二级级联放大器和三级级联放大器结构之间切换,确保LDO在全负载范围内保持稳定。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,在片上负载电容为20 pF且负载电流在0~200 mA变化时,设计的无片外电容LDO能够工作在1.7~2.8 V的输入电源电压下,稳定输出1.5 V的供电电压,系统在全负载范围内的相位裕度大于45°。当负载电流在1μs内,在0 mA和200 mA之间跳变时,过冲和下冲电压小于100 mV,恢复时间低于0.6μs。设计的LDO在高稳定性、快速瞬态响应和宽负载范围方面取得了较好的性能。 展开更多
关键词 无片外电容LDO 前馈补偿 环路稳定性 快速瞬态响应 宽负载范围
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一种基于小波特征提取的低速率DoS检测方法 被引量:21
9
作者 何炎祥 曹强 +2 位作者 刘陶 韩奕 熊琦 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第4期930-941,共12页
低速率拒绝服务攻击(low-ratedenial-of-service,简称LDoS)比传统的DDoS(distributed DoS)攻击更具隐蔽性和欺骗性,依据其周期性脉冲突发特点,设计实现了一种基于小波特征提取的LDoS检测系统DSBWA(detection system based on wavelet an... 低速率拒绝服务攻击(low-ratedenial-of-service,简称LDoS)比传统的DDoS(distributed DoS)攻击更具隐蔽性和欺骗性,依据其周期性脉冲突发特点,设计实现了一种基于小波特征提取的LDoS检测系统DSBWA(detection system based on wavelet analysis).该系统以到达检测节点的数据包数目为研究对象,通过小波多尺度分析,结合LDoS的攻击规律提取5个特征指标,在此基础上采用BP神经网络进行综合诊断.一旦检测出LDoS攻击,系统定位攻击脉冲数据的到达时刻以获得攻击者的相关信息.NS-2模拟实验结果表明,DSBWA具有高检测率和低误警率,并且能够检测出LDoS变种攻击,消耗计算资源少,具有良好的实用价值. 展开更多
关键词 ldos攻击 小波分析 特征提取 BP神经网络
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H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究
10
作者 臧侃 于迎辉 +1 位作者 秦志辉 曹更玉 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期39-42,共4页
利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系。H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变... 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系。H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化。利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸附前后这些位置的LDOS并阐明了产生这些变化的原因,又测量获得了表面单分子Si-H化学键的振动和摆动模式。 展开更多
关键词 H Si(111)-7×7 局域电子态密度(ldos) 单分子振动谱 扫描隧道显微镜(STM)
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一种加入动态补偿电路的快速响应LDO设计 被引量:11
11
作者 周朝阳 冯全源 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期739-743,共5页
当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点。针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流或者输入电压下系统的稳定性能。其适用... 当输入电压或者负载电流变化时低压差线性稳压器(LDO)系统稳定性是其研究热点和设计难点。针对这一问题,设计了一款加入动态补偿电路的快速响应LDO,这种新颖的LDO结构能有效改善在不同负载电流或者输入电压下系统的稳定性能。其适用电压范围为4.5~16.0 V,输出电压5.0 V,具有低功耗、带宽宽等特性。使用Hspice软件对设计的LDO进行了仿真验证,在典型工艺角下,负载电流经100 m A/μs突变时,输出电压突变量最大为105 m V,响应恢复时间平均约2.1μs。环路特性仿真结果表明,该LDO带宽为4.9 MHz,3 d B带宽为3.5MHz,相位裕度为约76°,且片内补偿电容仅0.3 p F。 展开更多
关键词 电源管理 快速响应LDO 瞬态响应 宽带宽 动态补偿
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一种新型双极型LDO线性稳压器的设计 被引量:6
12
作者 孙作治 李玉山 +1 位作者 李先锐 来新泉 《现代电子技术》 2003年第6期71-74,共4页
L DO线性稳压器的低漏失电压、低静态电流特性使电池使用具有高效率和长寿命。针对这 2个主要特性和使能开关、过温过流保护等功能 ,本文设计并实现了一种新型的双极型 L DO线性稳压器 ,调整管采用自由集电极纵向 PNP管。
关键词 LDO线性稳压器 漏失电压 静态电流 自由集电纵向PNP管 双极型
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一种带阻抗补偿的低功耗低压差线性稳压器 被引量:4
13
作者 程红丽 王冠军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期28-32,共5页
为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全... 为了解决典型低压差线性稳压器(LDO)在全负载范围内的稳定性问题,采用了低阻抗设计的缓冲器来驱动调整管,即采用动态分流反馈偏置技术来降低缓冲器的输出电阻,以将调整管栅极处的极点推向更高的频率范围且不消耗大电流。完成了一款在全负载范围内有足够相位裕度的低功耗LDO的设计,并采用HHNEC 0.18μm CMOS工艺实现版图设计,芯片的尺寸为150μm×120μm,输出电压为1.8 V,空载静态电流为5μA,额定电流为20 mA。与普通的LDO相比,本款LDO具有更高的相位裕度和更好的瞬态特性,在全负载范围内相位裕度的最小值大于65°,负载调整率小于2%。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(LDO) 低功耗 缓冲器 阻抗补偿 相位裕度
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一种应用于LDO的高性能过温保护电路设计 被引量:8
14
作者 王进军 王侠 +1 位作者 史永胜 马颖 《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2009年第3期98-100,105,共4页
采用UMC 0.6μm BiCMOS工艺设计了一款应用于LDO的高性能过温保护电路,该电路具有20℃的温度滞回区间,热关断点温度160℃、热开启点温度140℃,同时在输入电压2.5~6V范围内热关断点、开启点温度最大漂移不超过6℃,具有较高的精度,满足LD... 采用UMC 0.6μm BiCMOS工艺设计了一款应用于LDO的高性能过温保护电路,该电路具有20℃的温度滞回区间,热关断点温度160℃、热开启点温度140℃,同时在输入电压2.5~6V范围内热关断点、开启点温度最大漂移不超过6℃,具有较高的精度,满足LDO宽输入电压范围的要求. 展开更多
关键词 LDO 过温保护 BICMOS
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基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计 被引量:2
15
作者 徐静萍 来新泉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1056-1059,共4页
介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电... 介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理。重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路。整个电路采用HYNIX 0.5μmCMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性。 展开更多
关键词 LDO线性稳压器 旁路滤噪 低噪声 动态补偿
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高精度低噪声的低压差线性稳压器设计 被引量:5
16
作者 王宇星 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第5期345-351,共7页
为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流... 为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流片。仿真结果显示,LDO线性稳压器输出线性调整率为0.05%/V,负载调整率为5.5%,温度系数为1.8×10^-5/℃;10 GHz带宽以内的电源抑制比在低频下能达到98 dB,静态电流最高仅为32μA。测试结果表明,芯片可以在3.3~40 V电源电压下正常工作,输出电压为3.3或5 V,最大负载电流为150 mA,可应用于USB和便携电子产品等多种设备。 展开更多
关键词 低压差(LDO)线性稳压器 电源抑制比(PSRR) 带隙基准 误差放大器 静态电流
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空心结构磁性固体碱催化剂Fe_3O_4@LDO的制备与性能 被引量:1
17
作者 盘登科 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期74-80,共7页
基于水滑石类化合物的复合氧化物(LDO)是一类性能优异的固体碱催化剂,对其进行改性和功能化引起了越来越多的关注。本文将空心结构和Fe_3O_4引入到镁铝复合氧化物中,制备了一种空心结构磁性固体碱催化剂Fe_3O_4@LDO。这种空心结构磁性... 基于水滑石类化合物的复合氧化物(LDO)是一类性能优异的固体碱催化剂,对其进行改性和功能化引起了越来越多的关注。本文将空心结构和Fe_3O_4引入到镁铝复合氧化物中,制备了一种空心结构磁性固体碱催化剂Fe_3O_4@LDO。这种空心结构磁性固体碱催化剂粒子具有以镁铝复合氧化物为壳层,空心Fe_3O_4为核的核壳结构。由于其独特的空心结构,Fe_3O_4@LDO粒子的悬浊液具有良好的稳定性,将其应用于催化Knoevenagel缩合反应,达到平衡后苯甲醛的转化率约为62%,显示出较好的催化性能。同时,Fe_3O_4@LDO粒子具有较强的磁性,非常方便分离与回收,是一种性能优良的磁性固体碱催化剂。 展开更多
关键词 磁性空心球 核壳结构 FE3O4 LDO 固体碱催化剂
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一种LDO线性稳压器稳定性动态补偿方法
18
作者 王进军 王侠 +2 位作者 宁铎 张方辉 马颖 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第8期701-704,共4页
通过借助频域傅里叶分析的方法,对LDO线性稳压器系统的稳定性进行了分析研究,给出了一种LDO线性稳压器系统稳定性动态补偿的方法。仿真结果表明,采用该方法设计的LDO线性稳压器具有高的稳定性。
关键词 LDO 稳定性 动态零点补偿
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一种适用于无源RFID的低静态电流LDO稳压器设计
19
作者 陈迪平 高雪杰 +1 位作者 曾建平 陈弈星 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期49-53,共5页
给出了一种适用于无源RFID的低静态电流密度LDO稳压器电路设计,主要提出了一种新的基准电压源电路和一种利用输出电压为基准电压源电路供电的方式,使得该LDO稳压器具有低静态电流、输出电压稳定的优点.基于CSMC0.5μm模型库对其进行了仿... 给出了一种适用于无源RFID的低静态电流密度LDO稳压器电路设计,主要提出了一种新的基准电压源电路和一种利用输出电压为基准电压源电路供电的方式,使得该LDO稳压器具有低静态电流、输出电压稳定的优点.基于CSMC0.5μm模型库对其进行了仿真,初始电压在3.4~9V的变化范围内,该电路输出电压仅变化0.535mV,电路自身的静态电流仅为5.79μA. 展开更多
关键词 射频通信 RFID 电流密度 LDO
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LDO稳压器敏感度建模与仿真技术
20
作者 吴建飞 李建成 +2 位作者 王宏义 亚历山大.博耶 沈荣骏 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期168-173,共6页
基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,... 基于LDO稳压器在电磁干扰(EMI)下产生直流偏移失效的机理分析,展开敏感度建模与仿真方法研究。使用一款实验芯片,创新地引入片上电压传感器,用于测试EMI在LDO稳压器内部的传播特性。在敏感度建模中,建立等效电路模型,通过直流功能测试,Z参数阻抗特性测试验证模型的正确性,将该模型用于LDO稳压器的敏感度预测。在敏感度仿真过程中,通过分析关键子电路和不断增加寄生元件,仿真不同寄生因素对敏感度影响的权重。将仿真结果与传导直接注入法(DPI)片上测试结果对比,仿真结果与DPI测试在频域1MHz至1GHz匹配。 展开更多
关键词 LDO稳压器 电磁干扰(EMI) 敏感度 片上电压传感器 寄生元件 直接注入法(DPI
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