期刊文献+
共找到20篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
采用HfO_2/SiO_2溶胶-凝胶薄膜制备衍射光栅 被引量:4
1
作者 谢永军 赵福华 +2 位作者 魏伟 赵小侠 赵卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期133-135,共3页
采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采... 采用溶胶-凝胶方法制备了具有光敏性的HfO2/SiO2溶胶-凝胶薄膜,并利用其光敏性制备了衍射光栅.采用XPS分析了薄膜的成份,证实了Hf元素的存在.并用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实了HfO2的加入确实提高了体系的折射率.利用其光敏性,采用X射线作曝光光源通过掩模进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8μm、周期为1μm的衍射光栅. 展开更多
关键词 信息光学 hfo2/sio2溶胶-凝胶 光栅 光敏
在线阅读 下载PDF
HfO_2/SiO_2高反射膜的缺陷及其激光损伤 被引量:21
2
作者 胡建平 陈梅 +1 位作者 付雄鹰 柴林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期529-532,共4页
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力... 用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力大不相同 ,节瘤缺陷最低 ,约为 1 5 J/ cm2 ,薄膜的损伤阈值主要由其决定 ,孔洞的激光损伤能力与节瘤相比较高 ,约为节瘤的 2~ 3倍。节瘤缺陷在低能量密度的激光损伤所形成的孔洞 ,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似 ,激光再损伤能力也相似。 展开更多
关键词 hfo2/sio2高反射薄膜 表面缺陷 激光损伤 原子电子显微镜 SEM 显微分析
在线阅读 下载PDF
BaFe_(12)O_(19)/SiO_2微晶玻璃陶瓷的柠檬酸盐Sol-Gel合成及其微波性能的研究 被引量:5
3
作者 张海军 姚熹 张良莹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1069-1076,共8页
采用柠檬酸 Sol-gel工艺合成了 BaFe12O19/SiO2微晶玻璃陶瓷,并对其介电常数及其磁导率在100MHz~6GHz下的变化规律进行了研究.结果表明,BaFe12O19/SiO2微晶玻璃陶瓷的合成与体系中 Fe... 采用柠檬酸 Sol-gel工艺合成了 BaFe12O19/SiO2微晶玻璃陶瓷,并对其介电常数及其磁导率在100MHz~6GHz下的变化规律进行了研究.结果表明,BaFe12O19/SiO2微晶玻璃陶瓷的合成与体系中 Fe/Ba、烧结温度密切相关;其介电常数、磁导率基本都随测试频率的增加而下降;介电损耗值最大达到0.40,磁损耗值较小. 展开更多
关键词 BaFe12O19/sio2 微晶玻璃陶瓷 sol-gel 微波性能 柠檬酸盐 二氧化硅 钡铁氧化物
在线阅读 下载PDF
HfO_2/SiO_2多层高反膜脉冲YAG激光预处理机理的研究 被引量:2
4
作者 周业为 谢建 +1 位作者 李育德 曾传相 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期13-13,16,共2页
本文研究了HfO2 /SiO2 多层高反膜脉冲YAG激光预处理提高抗激光损伤阈值的机理。通过分析和计算 ,我们提出了一种物理模型 ,即热扩散模型。由于扩散结果 ,导致HfO2 膜层的折射率增加 ,致使HfO2 、SiO2 膜层交界处光驻波波峰降低 。
关键词 hfo2/sio2 多层高反膜 激光预处理 YAG激光
在线阅读 下载PDF
Ti^(3+)在Sol-gel多孔磷光SiO_2干凝胶中的发光 被引量:1
5
作者 王建荣 杨中喜 王英姿 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2002年第4期28-30,共3页
采用常规的Sol gel工艺合成了Ti3+ 掺杂的多孔磷光SiO2 干凝胶 ,Ti3+ 离子作为间隙离子存在于SiO2 网络中 ,展示了一种新颖的发光现象 ,改变了Sol gelSiO2 干凝胶的发射光谱。这种掺杂SiO2 干凝胶的激发和发射光谱均由 2个带组成 ,短波... 采用常规的Sol gel工艺合成了Ti3+ 掺杂的多孔磷光SiO2 干凝胶 ,Ti3+ 离子作为间隙离子存在于SiO2 网络中 ,展示了一种新颖的发光现象 ,改变了Sol gelSiO2 干凝胶的发射光谱。这种掺杂SiO2 干凝胶的激发和发射光谱均由 2个带组成 ,短波长的发光峰在 44 0nm(λex=3 80nm) ,其相对荧光强度约是纯SiO2 干凝胶的 5倍 ;长波长的发光峰在 60 0nm(λex=5 5 0nm) ,其相对荧光强度约是Ti3+ 掺杂ZnS纳米晶的 2 0倍。由此可以得出 :过渡金属离子掺杂的多孔磷光SiO2 展开更多
关键词 sol-gel sio2干凝胶 Ti^3+掺杂 光致发光 多孔磷光玻璃 钛离子
在线阅读 下载PDF
具有辐射聚合能力的HfO_2/SiO_2溶胶-凝胶玻璃的制备及其X射线光刻性能研究 被引量:2
6
作者 赵福华 谢永军 +2 位作者 许素莲 刘刚 付绍军 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1376-1379,共4页
采用溶胶-凝胶方法制备了一种新颖的具有辐射聚合能力的H fO2/S iO2凝胶薄膜.并采用X射线作曝光光源对薄膜进行了曝光,通过FTIR的测试,分析了薄膜曝光前后的结构变化.结果表明,该材料具有良好的辐射聚合能力.采用XPS分析了薄膜的成分,... 采用溶胶-凝胶方法制备了一种新颖的具有辐射聚合能力的H fO2/S iO2凝胶薄膜.并采用X射线作曝光光源对薄膜进行了曝光,通过FTIR的测试,分析了薄膜曝光前后的结构变化.结果表明,该材料具有良好的辐射聚合能力.采用XPS分析了薄膜的成分,并证实了H f元素的存在.用椭偏仪测试了薄膜的折射率,结果证实,加入H fO2提高了体系的折射率.利用其辐射聚合能力,采用X射线通过掩模板进行曝光,利用曝光部分与未曝光部分在溶剂中的溶解度差,在薄膜上制备了高为0.8μm、周期为1μm的衍射光栅,进一步证实了材料具有良好的辐射聚合能力. 展开更多
关键词 hfo2/sio2 溶胶-凝胶 辐射聚合 光栅
在线阅读 下载PDF
基频HfO_2/SiO_2高反射薄膜激光损伤生长特性 被引量:2
7
作者 张艳云 马彬 +2 位作者 马宏平 焦宏飞 程鑫彬 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2275-2280,共6页
以1064nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了高反射薄膜在损伤生长过程中分层剥落初始损伤结构的变化规律、损伤形貌特征和损伤生长阈值等特性。实验结果表明:分层剥落初始损伤结构的横向尺寸随激光能量密度的增加呈分... 以1064nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了高反射薄膜在损伤生长过程中分层剥落初始损伤结构的变化规律、损伤形貌特征和损伤生长阈值等特性。实验结果表明:分层剥落初始损伤结构的横向尺寸随激光能量密度的增加呈分段线性增长,破斑沿纵向拓展的损伤生长阈值是沿横向拓展的损伤生长阈值的2倍以上,初始损伤结构横向尺寸的生长率与能量密度呈指数关系,且生长阈值随着辐照次数的增加显著降低。 展开更多
关键词 hfo2 sio2高反射薄膜 分层剥落 损伤生长 激光损伤阈值 横向尺寸
在线阅读 下载PDF
退火对sol-gel法生长的SiO2薄膜特性的影响 被引量:1
8
作者 郭嘉 龚明 +6 位作者 许小亮 张慰萍 郭海 王燎原 陈滢滢 刘佩尧 刘洪图 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期3171-3174,共4页
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究... 用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备了厚度为100nm左右的SiO2薄膜.对其进行等温和等时退火,用台阶仪测定其厚度变化,给出经验拟合公式.研究了退火对透过率、折射率以及气孔率的影响,并做出比较详细的理论解释. 展开更多
关键词 退火 sol-gel sio2薄膜 膜厚 折射率
在线阅读 下载PDF
Preparation and electrochemical performance of Li_2Mn_(0.5)Fe_(0.5)SiO_4 cathode material with sol-gel method for lithium ion batteries
9
作者 胡传跃 郭军 +1 位作者 文瑾 彭秧锡 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2014年第4期1285-1289,共5页
Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 material was synthesized by a citric acid-assisted sol-gel method. The influence of the stoichiometric ratio value of n(citric acid) to n(Fe2+-Mn2+) on the electrochemical properties of Li2Fe0.5Mn0.5... Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 material was synthesized by a citric acid-assisted sol-gel method. The influence of the stoichiometric ratio value of n(citric acid) to n(Fe2+-Mn2+) on the electrochemical properties of Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 was studied. The final sample was identified as Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 with a Pmn21 monoclinic structure by X-ray diffraction analysis. The crystal phases components and crystal phase structure of the Li2Fe0.5Mn0.4SiO4 material were improved as the increase of the stoichiometric ratio value of n(citric acid) to n(Fe2+-Mn2+). Field-emission scanning electron microscopy verified that the Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 particles are agglomerates of Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 primary particles with a geometric mean diameter of 220 nm. The Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 sample was used as an electrode material for rechargeable lithium ion batteries, and the electrochemical measurements were carried out at room temperature. The Li2Fe0.5Mn0.5SiO4 electrode delivered a first discharge capacity of 230.1 mAh/g at the current density of 10 mA/g in first cycle and about 162 mAh/g after 20 cycles at the current density of 20 mA/g. 展开更多
关键词 lithium ion battery Li2Fe0.5Mn0.5sio4 citric acid assisted sol-gel method cathode
在线阅读 下载PDF
高k值HfO_2栅介质材料电学特性的研究进展 被引量:9
10
作者 田书凤 彭英才 +1 位作者 范志东 张弘 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期22-26,共5页
随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐... 随着Si-MOS集成电路的迅速发展,高k值栅介质材料将成为下一代MOS器件绝缘栅最有希望的候选材料。介绍了近年来HfO2栅介质材料在制备方法和电学特性方面的研究进展,提出了改善其电学特性的主要途径,其中包括非金属元素掺杂、构建组分渐变界面、设计准二元合金系统、制备堆垛积层结构、抑制界面层生长和选择适宜的电极材料等。 展开更多
关键词 高介电常数 hfo2栅介质 等效sio2介电层厚度 电学特性
在线阅读 下载PDF
Mn^(2+)在Zn_2SiO_4中的发光 被引量:1
11
作者 王淑芬 杨萍 +2 位作者 吕孟凯 刘素文 夏光明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第3期19-21,35,共4页
利用Sol gel法制备掺Mn2 + 的Zn2 SiO4的前驱体 ,并将前躯体在弱氧化气氛下在 10 0 0℃煅烧 2h ,得到掺Mn2 + 的Zn2 SiO4试样。X射线衍射分析确定试样为α Zn2 SiO4晶相。荧光分析测定试样的激发光谱和发射光谱。结果显示Mn2 + 掺杂的α... 利用Sol gel法制备掺Mn2 + 的Zn2 SiO4的前驱体 ,并将前躯体在弱氧化气氛下在 10 0 0℃煅烧 2h ,得到掺Mn2 + 的Zn2 SiO4试样。X射线衍射分析确定试样为α Zn2 SiO4晶相。荧光分析测定试样的激发光谱和发射光谱。结果显示Mn2 + 掺杂的α Zn2 SiO4可发蓝色和绿色荧光 ,这一结果显然不同于以前的文献报道。同时 ,我们讨论了Mn2 + 在Zn2 展开更多
关键词 Mn2+ 锰离子 Zn2sio4 发光性质 sol-gel 功能材料
在线阅读 下载PDF
In^(3+)离子在多孔SiO_2干凝胶中的发光 被引量:1
12
作者 王英姿 杨中喜 +1 位作者 王建荣 杨萍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第1期74-76,91,共4页
采用常规的Sol-gel工艺合成了In3+掺杂的多孔SiO2 干凝胶 ,In3+离子作为间隙离子存在于SiO2 网络中 ,展示了一种新颖的发光现象 ,改变了多孔SiO2 干凝胶的发射光谱。这种掺杂的多孔SiO2 干凝胶的激发和发射光谱均由 2个带组成 ,短波长... 采用常规的Sol-gel工艺合成了In3+掺杂的多孔SiO2 干凝胶 ,In3+离子作为间隙离子存在于SiO2 网络中 ,展示了一种新颖的发光现象 ,改变了多孔SiO2 干凝胶的发射光谱。这种掺杂的多孔SiO2 干凝胶的激发和发射光谱均由 2个带组成 ,短波长的发光峰在 4 40nm(λex=3 80nm) ,其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2 干凝胶的 4倍 ;长波长的发光峰 (In3+离子在多孔SiO2 干凝胶的特征发射 )在60 0nm(λex=4 76nm) ,其相对荧光强度约是In3+掺杂ZnS纳米晶的 1 0倍。由此可以看出 展开更多
关键词 In^3+离子 多孔sio2干凝胶 sol-gel 掺杂 光致发光 二氧化硅
在线阅读 下载PDF
影响SiO_2薄膜中银粒子发光强度的因素分析 被引量:5
13
作者 张兆艳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期747-751,共5页
用sol-gel法在玻璃表面制备了含银纳米粒子的二氧化硅薄膜.拍摄了银粒子的TEM照片.在室温下用拉曼光谱仪测定了样品的光致发光谱.研究了样品的光致发光强度与纳米银的掺杂量、镀膜时的提拉速度和热处理温度之间的关系.
关键词 纳米银粒子 薄膜 光致发光 sio2 二氧化硅 sol-gel 发光强度 掺杂
在线阅读 下载PDF
Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的结构演变和发光性能
14
作者 孙智 谢建军 +2 位作者 王宇 施鹰 雷芳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2561-2566,共6页
采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb^(3+)离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu_2SiO_5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu_... 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb^(3+)离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu_2SiO_5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征。研究结果表明Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100℃时晶化完全。Tb∶Lu_2SiO_5的发光性能表现为Tb^(3+)离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480~650 nm和350~470 nm),激发主峰位于~240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射。研究表明Tb^(3+)掺杂浓度对Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol%的Tb^(3+)时,Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的发光强度最强。 展开更多
关键词 sol-gel Tb∶Lu2sio5光学薄膜 结构演变 发光性能
在线阅读 下载PDF
Co_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4/SiO_2磁性纳米复合粉体的制备
15
作者 马国芝 陈鼎 陈振华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期81-83,90,共4页
采用溶胶-凝胶法以正硅酸乙酯和金属硝酸盐分别作为SiO2和铁氧体的前驱体成功制得Co0.5Zn0.5-Fe2O4/SiO2磁性纳米复合粒子。利用XRD、DSC-TG、Raman和SEM研究了热处理温度和酸添加量对样品晶体结构和晶粒尺寸的影响,并用谢乐公式估算平... 采用溶胶-凝胶法以正硅酸乙酯和金属硝酸盐分别作为SiO2和铁氧体的前驱体成功制得Co0.5Zn0.5-Fe2O4/SiO2磁性纳米复合粒子。利用XRD、DSC-TG、Raman和SEM研究了热处理温度和酸添加量对样品晶体结构和晶粒尺寸的影响,并用谢乐公式估算平均晶粒尺寸,最后用振动样品磁场计(VSM)对样品的磁性能进行检测。结果表明,随热处理温度的升高,样品由非晶态转变成SiO2基体中结晶较完整的尖晶石结构的单相铁氧体纳米晶,晶粒尺寸为12.65nm。晶粒尺寸随热处理温度的升高和酸添加量的增加不断变大。对材料的磁性能的研究结果表明,合成的纳米Co0.5Zn0.5Fe2O4/SiO2,其比饱和磁化强度为9.17emu/g,矫顽力为67Oe。 展开更多
关键词 Co0.5Zn0.5Fe2O4/sio2纳米复合材料 sol-gel 磁性能
在线阅读 下载PDF
反提拉Sol-Gel法制备PZT薄膜及热处理工艺对薄膜性能结构影响的研究 被引量:4
16
作者 陈祝 张树人 +3 位作者 杨成韬 李金龙 王升 张水琴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期377-380,384,共5页
通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体 ,采用Sol Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2 /Si上制备PZT铁电薄膜。本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响 ,比较了在不同的退火速率 ,退火温度及退火气氛工艺中 ,制备的PZT... 通过醋酸铅、硝酸锆、钛酸丁酯分别制备独立稳定的前驱单体 ,采用Sol Gel反提拉涂膜技术在基片Pt/Ti/SiO2 /Si上制备PZT铁电薄膜。本文讨论了制备工艺对薄膜质量的影响 ,比较了在不同的退火速率 ,退火温度及退火气氛工艺中 ,制备的PZT铁电薄膜结构、性能的差异 ,并对其形成原因进行了分析。 展开更多
关键词 薄膜性能 PZT铁电薄膜 退火气氛 硝酸锆 sol-gel 基片 sio2 制备 钛酸丁酯 退火温度
在线阅读 下载PDF
波长1064nm脉冲激光高阈值反射膜的研制 被引量:13
17
作者 付雄鹰 孔明东 +1 位作者 胡建平 范正修 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期413-417,共5页
研究 Hf O2/ Si O2 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀 Hf O2、反应离子辅助蒸镀 Hf O2、反应离子辅助蒸镀金属 Hf 的源材料形成 Hf O2 薄膜。采用这三种工艺制备了 H... 研究 Hf O2/ Si O2 高反射膜的制备工艺及其激光诱导损伤阈值的比较测试,分别采用了反应蒸镀 Hf O2、反应离子辅助蒸镀 Hf O2、反应离子辅助蒸镀金属 Hf 的源材料形成 Hf O2 薄膜。采用这三种工艺制备了 Hf O2 / Si O2 高反射膜,在中心波长 1064nm 处,反射率 R≥99.5% ,其中反应蒸镀 Hf O2 / Si O2 高反射膜损伤阈值最高,可达 60 J/cm 2(1064nm ,5ns)。 展开更多
关键词 反射膜 激光诱导损伤 阈值 激光薄膜
在线阅读 下载PDF
离子束溅射制备氧化物薄膜沉积速率调整方法 被引量:3
18
作者 刘华松 傅翾 +7 位作者 季一勤 张锋 陈德应 姜玉刚 刘丹丹 王利栓 冷健 庄克文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第7期2192-2197,共6页
采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O... 采用正交试验设计方法,系统研究了离子束溅射HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(基板温度、离子束压、离子束流和氧气流量)之间的关联性。采用正交表L9(34)设计了9组实验,采用时间监控的离子束溅射沉积方法,分别制备HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜,并对三种薄膜的27个样品采用椭圆偏振法测量并计算物理厚度,继而获得沉积速率。实验结果表明:对Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率影响的工艺参数相同,影响权重从大到小依次为离子束流、离子束压、氧气流量和基板温度;对HfO2薄膜沉积速率影响的工艺参数按权重从大到小依次为离子束流、离子束压、基板温度和氧气流量。研究结果为调整HfO2、Ta2O5和SiO2薄膜沉积速率提供了依据。 展开更多
关键词 离子束溅射 hfo2薄膜 Ta2O5薄膜 sio2薄膜 沉积速率
在线阅读 下载PDF
稻壳灰制备硅铁红的工艺研究
19
作者 章慧芳 蔡景清 +2 位作者 蔡新安 刘文茂 裴剑锋 《安徽农业科学》 CAS 2013年第15期6894-6896,共3页
[目的]研究了稻壳灰制备硅铁红的工艺,为拓宽稻壳灰综合利用途径提供参考。[方法]在微波辐射条件下,采用稻壳灰为原料制备水玻璃,而后以此水玻璃为原料,利用溶胶-凝胶法,在微波辅助干燥条件下制备硅铁红颜料。同时考查了硅/铁摩尔比、... [目的]研究了稻壳灰制备硅铁红的工艺,为拓宽稻壳灰综合利用途径提供参考。[方法]在微波辐射条件下,采用稻壳灰为原料制备水玻璃,而后以此水玻璃为原料,利用溶胶-凝胶法,在微波辅助干燥条件下制备硅铁红颜料。同时考查了硅/铁摩尔比、微波辐射功率及时间、煅烧温度等因素对硅铁红包裹率的影响。[结果]研究表明,硅/铁摩尔比为7∶1,微波辐射功率和时间分别为600 W和8min,前驱体煅烧温度和时间分别为750℃和2 h;此条件下制备的Fe2O3/SiO2,其包裹率达到93.1%。[结论]在微波辅助下通过简单的sol-gel工艺,可以将SiO2玻璃包裹于Fe2O3颗粒表面而制备出硅铁红包裹颜料并且所制备的硅铁红包裹率高达93%左右,比市售硅铁红的包裹率要高。该工艺操作简单,适合工业化生产。 展开更多
关键词 微波辐射 sol-gel FE2O3 sio2 硅铁红 陶瓷颜料
在线阅读 下载PDF
预处理效应对1064nm反射膜本征损伤性能的影响 被引量:5
20
作者 詹光达 马彬 +1 位作者 张艳云 马宏平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期1715-1721,共7页
激光预处理技术能够有效提升光学元件的激光损伤阈值。以1064nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了单一能量密度梯度和多能量密度梯度的N-on-l、R-on-l和光栅扫描激光预处理技术对薄膜本征损伤性能的影响,并采用1-on-1... 激光预处理技术能够有效提升光学元件的激光损伤阈值。以1064nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了单一能量密度梯度和多能量密度梯度的N-on-l、R-on-l和光栅扫描激光预处理技术对薄膜本征损伤性能的影响,并采用1-on-1测量方法对不同预处理技术的预处理效果进行了对比分析。实验结果表明:1-on-1测量曲线中的损伤几率数据、拟合直线参数以及损伤阈值的相对不确定度能够比较全面地反映测量结果的重复性;N-on-1方式下多能量密度梯度的预处理效果要优于单一能量密度梯度,但多梯度之间以及单一梯度之间的效果差异并不明显;当薄膜的零几率损伤阈值难以继续提升时,继续增加能量密度梯度将仅能改善薄膜非零损伤几率的性能。 展开更多
关键词 hfo2 sio2高反射薄膜 激光预处理 本征损伤 损伤阈值 1-on-1
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部