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半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
1
作者
孙福楠
吴江红
+3 位作者
柳蔚
李英辉
于大秋
冯庆祥
《低温与特气》
CAS
2009年第1期1-3,共3页
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统...
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。
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关键词
半导体
剧毒有害气体
SIH4
B2H6
geh4
PH3
AsH3
干法解毒
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职称材料
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
2
作者
刘伯飞
白立沙
+4 位作者
张德坤
魏长春
孙建
赵颖
张晓丹
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2181-2185,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题...
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。
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关键词
非晶硅锗薄膜太阳电池
长波响应
锗流量梯度
双叠电池
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职称材料
题名
半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
1
作者
孙福楠
吴江红
柳蔚
李英辉
于大秋
冯庆祥
机构
光明化工研究设计院
出处
《低温与特气》
CAS
2009年第1期1-3,共3页
文摘
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。
关键词
半导体
剧毒有害气体
SIH4
B2H6
geh4
PH3
AsH3
干法解毒
Keywords
semiconductor
highly toxic gases
SiH4
B2 H6
geh4
PH3
AsH3
detoxification techniques by pyrolysis
分类号
X705 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
2
作者
刘伯飞
白立沙
张德坤
魏长春
孙建
赵颖
张晓丹
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期2181-2185,共5页
基金
国家重点基础研究(973)计划(2011CBA00706
2011CBA00707)
+3 种基金
国家高技术研究发展(863)计划(2013AA050302)
天津市科技支撑(12ZCZDGX03600)
天津市重大科技支撑计划(11TXSYGX22100)
高等学校博士学科点专项科研基金(20120031110039)
文摘
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P/I/N型单结非晶硅锗电池进行研究。通过优化溅射后腐蚀ZnO∶Al衬底的横纵向尺寸,改善其光散射特性,可有效提升非晶硅锗电池的长波响应。针对恒定梯度的非晶硅锗电池填充因子差的问题,通过对非晶硅锗本征层设计合适的梯度带隙,可改善本征层空穴输运特性,使电池填充因子显著提高。在优化的光电结构设计基础上,单结非晶硅锗电池转换效率达9.07%,将其应用到a-Si∶H/a-SiGe∶H双结叠层电池中,效率达到12.03%。
关键词
非晶硅锗薄膜太阳电池
长波响应
锗流量梯度
双叠电池
Keywords
amorphous silicon germanium solar cells
long wavelength response
geh4
flow grading
tandem solar cell
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究
孙福楠
吴江红
柳蔚
李英辉
于大秋
冯庆祥
《低温与特气》
CAS
2009
0
在线阅读
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职称材料
2
基于光管理和带隙梯度的高效非晶硅锗电池光电结构设计
刘伯飞
白立沙
张德坤
魏长春
孙建
赵颖
张晓丹
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
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