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基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 1; 作者吕元杰冯志红 +6 位作者张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页; 基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准... 展开更多; 关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(hfets) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax); 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 2; 作者赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。... 展开更多; 关键词常开GaN功率开关器件常关GaN功率开关器件 GAN高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaN异质结场效应晶体管(hfet) 增强型器件功率变换; 在线阅读下载PDF 职称材料

N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）被引量：1: 3; 作者房玉龙王现彬 +7 位作者吕元杰王英民顾国栋宋旭波尹甲运冯志红蔡树军赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期114-118,共5页; 由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线... 展开更多; 关键词 N极性 GaN/AlGaN 异质结场效应晶体管(hfet) 异质结金属有机化学气相沉积(MOCVD); 在线阅读下载PDF 职称材料

Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管: 4; 作者张效玮贾科进 +2 位作者房玉龙冯志红赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期589-592,608,共5页; InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结... 展开更多; 关键词 INALN GaN AlGaN双异质结异质结场效应晶体管(hfet) 附加功率效率碳化硅(SiC) 功率增益截止频率最高振荡频率; 在线阅读下载PDF 职称材料

ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究: 5; 作者朱振邦顾书林 +4 位作者朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期449-452,共4页; 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。... 展开更多; 关键词 ZnO/ZnMgO 异质结场效应管迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）被引量：2: 1; 作者吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军; 机构河北半导体研究所; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期641-645,共5页; 基金 Supported by National Natural Science Foundation of China(61306113); 文摘基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(f_T)和最大振荡频率(f_(max))的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于再生长n+GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600nm.此外,采用自对准栅工艺制备60nmT型栅.由于器件尺寸的缩小,在Vgs=1V时,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89A/mm,峰值跨导达到462mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的f_T和f_(max)分别为170GHz和210GHz,该频率特性为国内InAlN/GaNHFETs器件频率的最高值.; 关键词 InAlN/GaN 异质结场效应晶体管(hfets) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax); Keywords InAlN/GaN, heterostructure field-effect transistors （hfet）, unity current gain cut-off frequency （fr） , maximum oscillation frequency（fmax ）; 分类号 TN385 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 2; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; 文摘 GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。; 关键词常开GaN功率开关器件常关GaN功率开关器件 GAN高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaN异质结场效应晶体管(hfet) 增强型器件功率变换; Keywords normally-on GaN powerhigh electron mobility transistor （HEMT）hancement-mode device power conversionswitch GaNdevice normally-offheterojunctionGaN power switch device ganeffect transistor （hfet） en-; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）被引量：1: 3; 作者房玉龙王现彬吕元杰王英民顾国栋宋旭波尹甲运冯志红蔡树军赵正平; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室中国电子科技集团公司第二研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期114-118,共5页; 文摘由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等对材料进行了表征。结果表明,N极性面GaN/AlGaN异质结材料的二维电子气面密度和迁移率分别为0.92×1013cm^(-2)和1035cm^2/(V·s)。制备了N极性GaN/AlGaN异质结场效应晶体管(HFET)。测试结果表明,1μm栅长的n极性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨导为88.9mS/mm,峰值电流为128mA/mm。; 关键词 N极性 GaN/AlGaN 异质结场效应晶体管(hfet) 异质结金属有机化学气相沉积(MOCVD); Keywords N-polar GaN/A1GaN heterostructure field effect transistor （hfet） heterostructure metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管: 4; 作者张效玮贾科进房玉龙冯志红赵正平; 机构河北工业大学信息工程学院专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期589-592,608,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60890192 60876009); 文摘 InAlN/GaN/AlGaN双异质结材料可以兼顾较高的二维电子气浓度和较好的载流子限域性,适宜制备Ka波段及以上微波功率器件。使用金属有机物气相外延方法,在SiC衬底上生长高性能InAlN/GaN/AlGaN双异质结构材料并制备了栅长为0.2μm的异质结场效应晶体管。测试结果表明,在栅压+2 V时器件的最大电流密度为1.12 A/mm,直流偏置条件VDS为+15 V和VGS为-1.6 V时,最高输出功率密度为2.1 W/mm,29 GHz下实现功率附加效率(ηPAE)为22.3%,截止频率fT达到60 GHz,最高振荡频率fmax为105 GHz。就功率密度和功率附加效率而言,是目前报道的Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管研究的较好结果。; 关键词 INALN GaN AlGaN双异质结异质结场效应晶体管(hfet) 附加功率效率碳化硅(SiC) 功率增益截止频率最高振荡频率; Keywords InAlN/GaN/AlGaN double heterostructure heterostructure field effect transistor （hfet） power-added efficiency SiC power gain cut-off frequency/maximum oscillating frequency; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究: 5; 作者朱振邦顾书林朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓; 机构南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期449-452,共4页; 基金国家自然科学基金(61025020 60990312) +1 种基金国家"973"计划项目(2011CB302003) 江苏省自然科学基金(SBK201121728)资助项目; 文摘利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。; 关键词 ZnO/ZnMgO 异质结场效应管迁移率; Keywords ZnO/ZnMgO heterostructure field-effect transistor（hfet） mobilily; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于60nmT型栅f_T&f_(max)为170&210 GHz的InAlN/GaN HFETs器件（英文）	吕元杰冯志红张志荣宋旭波谭鑫郭红雨尹甲运房玉龙蔡树军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换	赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）	房玉龙王现彬吕元杰王英民顾国栋宋旭波尹甲运冯志红蔡树军赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	Ka波段InAlN/GaN/AlGaN双异质结场效应晶体管	张效玮贾科进房玉龙冯志红赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究	朱振邦顾书林朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料